Mini-Circuits的SSG-5N9G-RC是一款工作频率为5000至9000 MHz的宽带信号发生器。其典型输出功率高达+23dBm，是表征高功率毫米波组件和系统的理想信号源。配置CW/单音输出、灵活的脉冲序列、AM、FM和Chirp调制，或自动频率/功率扫描和跳频序列。SSG-5N9G-RC采用紧凑型封装开发，具有强大的软件控制和自动化功能，可为任何台架或生产测试应用提供经济高效的C波段/ISM信号发生器和LO源。这是一种高质量、可重复和可靠的信号源，具有低相位噪声和出色的谐波抑制能力。发电机可以通过USB或以太网（支持SSH、HTTP和Telnet协议）进行控制。带螺丝锁的USB电缆将电缆牢固地固定在模块上。提供全面的软件支持，包括我们用户友好的Windows GUl应用程序、灵活的APl以及适用于Windows和Linux环境的编程说明。具有“动态寻址”的菊花链控制接口简化了控制集成，并允许将多个单元组合成多通道信号源，通过单个软件接口进行控制。特征经济高效的C波段/ISM信号发生器高输出功率，+23dBm谐波和相位噪声良好CW、脉冲、AM、FM和啁啾输出紧凑型设计，适合台式使用以太网供电（PoE）已启用用于多模块动态控制的菊花链应用半导体大功率老化和寿命测试台式信号发生器自动化生产测试系统C波段/ISM测试量子计算
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2025/7/22 11:37:43
Mini-Circuits的SSG-5N9GD-RC是一款双通道宽带信号发生器，工作频率为5000至9000 MHz。其典型输出功率高达+23dBm，是表征高功率毫米波组件和系统的理想信号源。配置CW/单音输出、灵活的脉冲序列、AM、FM和Chirp调制，或自动频率/功率扫描和跳频序列。SSG-5N9GD-RC采用紧凑型封装开发，具有强大的软件控制和自动化功能，可为任何台架或生产测试应用提供经济高效的C波段/ISM信号发生器和LO源。这是一种高质量、可重复和可靠的信号源，具有低相位噪声和出色的谐波抑制能力。发电机可以通过USB或以太网（支持SSH、HTTP和Telnet协议）进行控制。带有螺丝锁的USB电缆将电缆牢固地固定在模块上。提供全面的软件支持，包括我们用户友好的Windows GUl应用程序、灵活的APl以及适用于Windows和Linux环境的编程说明。具有“动态寻址”的菊花链控制接口简化了控制集成，并允许将多个单元组合成多通道信号源，通过单个软件接口进行控制。特征两个独立可调通道成本效益高的C波段/ISM信号发生器高输出功率，+23dBm谐波和相位噪声良好CW、脉冲、AM、FM和啁啾输出用于多模块动态控制的菊花链以太网供电（PoE）已启用应用半导体大功率老化和寿命测试台式信号发生器自动化生产测试系统C波段/ISM测试量子计算
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2025/7/22 11:33:23
Mini-Circuits型号BW-W6-0.5W114+是一个精确固定的6 dB 0.5 W衰减器。BW-W6-0.5W114+在极宽的频率范围内工作，具有出色的VSWR，支持广泛的系统和测试应用。精确的性能、出色的VSWR和宽带使该模型成为需要在非常宽的频率范围内进行精确衰减的系统的理想解决方案。特征宽带，直流至110 GHz出色的VSWR，1.3典型值。0.5 W功率处理1.0 mm公连接器至1.0 mm母连接器应用光通信测试和测量高速数据系统仪器精密测量
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2025/7/22 11:28:51
Mini-Circuits的TERM-2W-183S+是一款宽带50Ω 能够吸收从DC到18GHz高达2W的信号的高功率终端。它在整个工作频率范围内提供了出色的回波损耗，有效地以最小的反射耗散信号功率。该型号具有SMA公连接器，允许与SMA母连接器连接。该装置结构坚固，寿命长，采用镀镍黄铜外壳。特征宽带操作，直流至18 GHz输入功率处理，2 W出色的驻波比，典型值1.09 dB。坚固的结构应用卫星通信试验装置国防和雷达
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2025/7/21 14:30:41
RFE-3G33G7100X+是一款AB类GaN高功率放大器，在3200至3700 MHz频带内提供大于100 W的饱和功率，非常适合各种高功率测试设置以及通信、雷达等应用。这种设计坚固的GaN放大器提供了无条件的稳定性和内置的自我保护，可防止反极性、过压/欠压、过温和过驱动。放大器的输出级在发生故障时得到进一步保护，允许高功率操作在任何相位角下进行全反射。该装置采用坚固的铝合金外壳，尺寸为6.0 x 9.1 x 1.2英寸，具有输入SMA母连接器和N型母输出。特征高输出功率，100 W3.2至3.7 GHz适用于CW和脉冲信号高增益，典型值为53 dB坚固耐用内置输出循环器内置温度和电流监测和保护在具有全输出功率的任何相位下都能经受住全反射应用等离子体生成高功率测试设置S波段雷达
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2025/7/21 14:27:15
PMA3-14LV+是一款基于GaAs pHEMT的低噪声MMIC放大器，具有高IP3和平坦增益。该放大器的工作频率为0.05至10 GHz，具有高动态范围，典型的噪声系数为1.1 dB，增益为21.5 dB，P1dB为+20.3 dBm，OIP3为+27.7 dBm。 这种性能组合使其成为敏感的高动态范围接收器应用的理想选择。PMA3-14LV+由单个+5 V电源供电，与50Ω匹配良好，采用非常小、低剖面的3x3 mm QFN式封装，易于集成到密集的电路板布局中。特征典型低噪声系数。1.1分贝OIP3高，典型。+27.7 dBm典型高P1dB。+20.3 dBm单电源电压，55 mA时+5 V3x3 mm 12引线QFN型封装应用测试和测量设备5G MIMO和回程无线电卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/21 14:23:06
Mini-Circuits的HFHK-3100+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为3500至12500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.8 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征典型插入损耗。0.8分贝阻带抑制，典型。76分贝典型通带回波损耗。16分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/7/21 14:19:20
Mini-Circuits的HFHK-3800+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为4250至14000 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该模型在宽带上提供了1 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征典型插入损耗。1分贝阻带抑制，典型。75分贝典型通带回波损耗。16分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/7/21 14:12:41
Mini-Circuits的HFHK-6010+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为6600至17000 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.5 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征典型插入损耗。1.5分贝阻带抑制，典型。74分贝典型通带回波损耗。11分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/7/21 14:08:40
TSS-23ULN+是一款基于pHEMT的宽带、超低噪声MMIC放大器，具有高P1dB、高IP3和电压控制关断功能。该放大器工作频率范围为10至2000 MHz，典型噪声系数为0.4 dB，增益为20 dB，P1dB为+20.3 dBm，OIP3为+37.3 dBm。这些特性组合使其成为灵敏接收机应用的理想选择。TSS-23ULN+采用单+5 V供电，采用小型、低矮的2x2 mm QFN封装，便于集成到密集的电路板布局中。特征低噪声系数，典型值0.4 dB高增益，典型值20 dB高OIP3，典型值+37.3 dBm 快速关闭功能，7.5纳秒单电源电压，70.6 mA时为+5 V 2x2毫米8引脚QFN型封装应用蜂窝基础设施卫星通信 雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/21 14:04:42
ADM1176是一款集成式热插拔控制器，通过一个片内12位模数转换器(ADC)提供数字电流和电压监控，通信采用I2C 接口进行。内部电流检测放大器通过VCC引脚和SENSE引脚，可检测电源路径中检测电阻上的电压。ADM1176通过GATE引脚控制电源路径中一个外部N-沟道FET的栅极电压，从而限制流经该检测电阻的电流。检测电压（因而涌入电流）保持在最大预设值以下。ADM1176限制最大电流流经该FET的时间，进而保护外部FET。这一电流限制周期通过选择TIMER引脚上连接的电容来设置。此外，该器件还能防范热插拔完成时可能会发生的过流情况。当发生短路时，检测电阻中的电流超过过流跳闸阈值，FET将立即拉低GATE引脚而切断。12位ADC可以测量检测电阻中的电流以及VCC引脚上的电源电压。利用工业标准I2C 接口，控制器可以从ADC读取电流和电压数据。测量可以通过I2C 指令启动。或者，ADC也可以连续运行，用户可以在需要的任何时候读取最新转换数据。根据A0和A1引脚的连接方式，最多可以创建16个唯一的I2C 地址。ADM1176采用10引脚MSOP封装。特征• 能够将电路板安全地插入带电背板或拔出• 控制电源电压范围：3.15 V至16.5 V• 精密电流检测放大器• 精密电压输入• 12位ADC用于电流和电压回读• 为外部N-沟道FET提供电荷泵栅极驱动• I2C 快速模式兼容接口（最大400 kHz）• 可调模拟电流限值，带断路器• ±3% 精确热插拔电流限值• 快速响应限制峰值故障电流• 电流故障时自动重试或自锁• 可通过TIMER引脚编程设置热插拔时序• 高电平有效ON引脚• 2 个地址引脚允许16个器件共用同一总线• 10引脚MSOP封装应用电力监控/电力预算中心办公设备电信和数据通信设备个人电脑/服务器
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2025/7/18 14:32:19
LTM8001 是一款具有一个 5 输出可配置 LDO 阵列的 36VIN、5A 降压型 μModule®稳压器。LTM8001 降压型稳压器可在一个 6V 至 36V 的输入电压范围内运作，支持 1.2V 至 24V 的输出电压范围。位于降压稳压器之后的是一个由 5 个 1.1A 线性稳压器构成的阵列，这些线性稳压器的输出可进行并联连接以适应多种负载组合。这些 LDO 中有 3 个连接至降压稳压器的输出端，而另外 2 个则共同连接至一个非专用的输入。由于采用了扁平的封装 (高度仅 3.42mm)，因而可以利用 PC 板底部上的未用空间，以实现高密度负载点调节。LTM8001 采用耐热性能增强型的紧凑 (15mm x 15mm) 和扁平 (高度仅 3.42mm) 模压树脂球栅阵列 (BGA) 封装，适合采用标准的表面贴装设备来进行自动化装配。LTM8001 具有符合 SnPb (BGA) 或 RoHS 标准的引脚涂层。特征完整的降压开关模式电源，配备可配置的五个LDO阵列降压开关电源可调10%精确输出电流限制恒流、恒压运行宽输入电压范围：6V至36V1.2V至24V输出电压可配置输出LDO阵列五个1.1A并行输出输出可在0V至24V之间调节低输出噪声：90μVRMS（100Hz至1MHz）15mm×15mm×3.42mm表面贴装BGA封装应用• FPGA、DSP、ASIC 和微处理器电源• 服务器和存储设备• RF 收发器
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2025/7/18 14:27:44
LT3502/LT3502A 是电流模式 PWM 降压型 DC/DC 转换器，具有一个内部 500mA电源开关，采用纤巧型 8 引脚 2mm x 2mm DFN 和 10 引脚 MS10 封装。3V 至 40V 的宽输入电压范围使得 LT3502/LT3502A 很适合对来自各种电源的功率进行调节，包括 24V 工业电源和汽车电池。其高工作频率允许使用纤巧、低成本的电感器和电容器，因而实现了一款非常小巧的解决方案。高于 AM 频段的恒定频率避免了对无线电接收的干扰，从而使 LT3502A 特别适合于汽车应用。 逐周期电流限制和频率折返提供了针对短路输出的保护作用。软起动和频率折返消除了启动期间的输入浪涌电流。DA 电流检测在故障条件下提供了进一步的保护。一个内部升压二极管减少了元件数目。特征• 3V 至 40V 输入电压范围• 500mA 输出电流• 开关频率：2.2MHz (LT3502A)、1.1MHz (LT3502)• 800mV 反馈电压• 抗短路性能强• 软起动• 低停机电流：• 内部补偿• 内部升压二极管• 耐热增强型 2mm x 2mm 8 引脚 DFN 和 10 引脚 MS10 封装应用汽车系统电池供电设备壁式变压器调节分布式供应监管
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2025/7/18 14:23:34
MASW-003103-1364是一款Surmount™宽带单片SP3T开关，使用串联和并联的硅PIN二极管。该部分设计用于在高达20 GHz的应用中用作中等信号、高性能开关。这种表面贴装芯片级配置针对宽带性能进行了优化，具有最小的相关寄生效应，通常与混合MIC设计相关，该设计包含需要芯片和导线组装的束引线和PIN二极管。MASW-003103-1364是使用MACOM的专利HMIC™（异质微波集成电路）工艺（美国专利5268310）制造的。该工艺允许将硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中，形成串联和分流二极管或通孔。通过在元件之间使用小间距，硅和玻璃的这种组合使HMIC™器件在低毫米频率下具有低损耗和高隔离性能。选择性背面金属化被应用于生产表面安装器件。顶部完全用氮化硅封装，并有一个额外的聚合物层用于划痕和冲击保护。这些保护涂层可防止在搬运和组装过程中损坏接头和阳极空气桥。特征·从50 MHz到20 GHz指定·聚合物防刮擦保护·氮化硅钝化·+25°C时高达+38 dBm C.W.功率处理1·玻璃封装结构·坚固耐用，完全单片·符合RoHS标准的Surmount™封装·低寄生电容和电感·高隔离度·低插入损耗·可用频率高达26 GHz应用·航空航天与国防·ISM
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2025/7/17 15:25:15
MAPS-010164是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器，采用4mm PQFN塑料表面贴装封装，集成CMOS驱动器。步长为5.6°，以5.6°的步长提供从0°到360°的相移。该设计已经过优化，以尽量减少相移过程中衰减的变化。MAPS-010164非常适合在需要高相位精度和相移范围内最小损耗变化的情况下使用。4 mmPQFN封装提供了比通常具有内部驱动器的数字移相器更小的占地面积。典型应用包括通信天线和相控阵雷达。特征6位数字移相器360º覆盖，LSB=5.6°集成CMOS驱动器串行或并行控制低直流功耗相移范围内衰减变化最小50 Q阻抗耳朵99无铅4mm 24导联PQFN封装符合RoHS标准引脚配置图
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2025/7/17 15:21:35
MAAD-011021是一款覆盖直流至30 GHz的宽带6位数字振荡器。衰减位值为0.5 dB LSB（最低有效位）、1、2、4、8和16 dB，总衰减为31.5 dB。衰减误差通常小于+/-0.5 dB，RMS相位误差在20 GHz时小于5度，典型插入损耗在15 GHz时为7.2 dB。在所有频率和衰减状态下，回波损耗通常为12dB。衰减器集成了一个逆变器，可以对串联/并联衰减进行单一控制。逆变器需要-5V电源（Vcc）和17mA典型电流，逻辑为0V/+5V。特征.6位，0.5 dB LSB，31.5 dB范围直流至30 GHz操作集成TTL 0/+5V控制+/-0.5 dB典型比特误差低均方根相位4.3@20 GHz无铅3mm 16引脚PQFN封装所有控制和偏压的ESD保护引脚配置
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2025/7/17 15:18:30
MACP-010573属于一系列小型、易用、宽带、定向探测器。通过集成低损耗定向耦合器和内置温度补偿电路，这些探测器提供了一种简单的方法来监测沿传输线在特定方向传播的信号的功率。探测器装在一个微型、表面贴装、无铅塑料包装中。它们需要少量的偏差才能正常运行。总偏置电流小于0.5mA。典型应用包括点对点无线电、IMS、雷达、VSAT、电子战和航空航天与国防系统中的功率监测和调平。表面贴装封装很小，但可以用标准的拾取和放置组装设备进行处理和放置。探测器是在成熟的GaAs工艺上制造的，该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。特征集成定向耦合器低插入损耗：0.40 dB@20 GHz最小可检测功率：-18 dBm@20 GHz内置温度补偿无铅1.5 x 1.2毫米6导联TDFN塑料封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准，兼容260°C回流应用·航空航天与国防·EW·IMS·点对点无线电·雷达·VSAT
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2025/7/17 15:15:45
HFCN-1810+是Mini-Circuits品牌的一款陶瓷HPF滤波器芯片，最小7节，最大7节，中心或截止频率（fo/fc）为1810MHz，符合ROHS标准，陶瓷密封，外壳FV1206，4针。特征成本低尺寸小7节温度稳定LTCC结构出色的功率处理能力，7W密封应用次谐波抑制发射器/接收器实验室使用
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2025/7/17 14:15:26