Mini-Circuits的XLF-312H+三段无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构,该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号,而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的,以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用,通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射,使其能够与敏感设备配对,并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性匹配50Ω 在阻带中,消除了不希望的反射可级联出色的阻带抑制,典型值为51 dB。温度稳定,最高可达+105°C尺寸小,3 x 3毫米应用ISM应用可移动的无线电导航固定卫星无线电定位
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2025/5/20 11:27:31
MAR-2SM+(符合RoHS标准)是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在Micro-X封装中。MAR-2SM+使用达林顿配置,并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下,预计MTTF为10000年。特性•宽带,直流至2 GHz•Avago MSA-0286的精确占地面积替代品•内部匹配50欧姆•无条件稳定应用•蜂窝•PCN仪表•VHF/UHF接收器/发射器引脚图
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2025/5/19 14:45:02
Mini-Circuits的RMK-3-31+倍频器提供3的乘法因子,将9至12 MHz的输入频率转换为27至36 MHz的输出频率,支持合成器、本地振荡器、收发器链、卫星上下变频器等应用。它提供+12至+17 dBm的输入功率范围、低转换损耗和良好的谐波抑制。乘法器采用微型表面贴装封装(0.25 x 0.31 x 0.16英寸),非常适合密集的电路板布局。特性•宽带•转换损耗低,典型值为14 dB。•高抑制F2,典型值-60 dBc。;F4,-60 dBc典型值。•成本低•可水洗应用•音响合成器•本地振荡器•卫星上下变频器•移动无线电
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2025/5/19 14:37:34
RAM-4+(符合RoHS标准)是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在陶瓷表面贴装封装中。RAM-4+使用达林顿配置,并使用InGaP HBT技术制造。在100°C的外壳温度下,预计MTBF为300年。特性•宽带,直流至1 GHz•可层叠陶瓷封装•内部匹配50欧姆•低噪声系数,典型值为6.5 dB。•出色的重复性•可水洗应用•蜂窝•UHF/VHF•通信系统•发射接收器引脚图
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2025/5/19 14:33:44
PGA-106-75+(符合RoHS标准)是一款采用E-PHEMT技术制造的宽带放大器,在宽频范围内提供极高的动态范围,具有低噪声系数和平坦增益。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能,并且封装在SOT-89封装中,具有非常好的热性能。特性高IP3,典型值+37 dBm。0.5 GHz增益,典型值17.4 dB。0.5 GHz高POUT,典型值P1dB+19.8dBm。0.5 GHz低噪声系数,0.5 GHz时为3.1 dB应用有线电视GPONMOCA数据库
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2025/5/19 14:25:13
TSS-14252LN+是一款基于pHEMT的宽带、超低噪声MMIC放大器,具有高IP3、平坦增益和压控关断能力。该放大器的工作频率为1427至2570 MHz,具有典型的0.8 dB噪声系数、35.1 dB增益、+15.8 dBm P1dB和+27.9 dBm OIP3。这种特性组合使其成为敏感接收器应用的理想选择。该设备内部直流阻断,射频输入和输出端口存在直流接地路径,用于ESD保护。TSS-14252LN+在单个+3.3 V电源上运行,采用小型、低剖面、3x3 mm QFN式封装,便于集成到密集的电路板布局中。特性超低噪声系数,典型值。0.8分贝典型高P1dB。+15.8 dBmOIP3高,典型。+27.9 dBm高输入功率处理,最大+21 dBm停机功能单电源电压+3.3 V3x3 mm 12引线QFN型封装应用5G MIMO无线电系统卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/5/19 14:20:02
PGA-106R-75+(符合RoHS标准)是一款采用E-PHEMT技术制造的75欧姆放大器,在宽频范围内提供极高的动态范围,具有低噪声系数和平坦增益。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能,并且封装在SOT-89封装中,具有非常好的热性能。特性+5V/+3V操作高IP3,典型值+45 dBm。在2 GHz时,Vd=+5V低噪声系数,1 GHz时为0.6;2 GHz时为0.9 dB增益,典型值11.0 dB。2 GHz典型值P1dB+22.5dBm。频率为2 GHz,Vd=+5V应用有线电视返回路径
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2025/5/19 14:13:29
GALI-24+(符合RoHS标准)是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能,并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置,并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下,预计MTTF为3000年。GALI-24+的设计坚固耐用,适用于ESD和电源开启瞬态。特性•高增益,典型值25 dB。100 MHz•高IP3,典型值35 dBm。•高磅,P1dB,典型值19dBm。•内部匹配50欧姆•瞬态保护•出色的ESD保护•无条件稳定•可水洗应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网
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2025/5/19 14:09:44
PGA-122-75+(符合RoHS标准)是一种使用E-PHEMT技术制造的宽带放大器,在宽频范围内提供极高的动态范围,具有低噪声系数和平坦增益。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能,并且封装在SOT-89封装中,具有非常好的热性能。特性高IP3,典型值+43dBm。0.5 GHz增益,典型值15.6 dB。0.5 GHz高POUT,典型值P1dB+73.1 dBmV。0.5 GHz低噪声系数,0.5 GHz时为2.9 dB可用频率超过5-2000 MHz应用有线电视,DOCSIS 3.1GPONMOCA数据库
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2025/5/19 14:05:52
SYM-30DHW+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器,其工作频率最小5MHz,最大3000MHz,最大9.1dB转换损耗,符合ROHS标准,CASE TTT167,6针。规格参数射频:5 MHz to 3 GHz转换损失——最大:9.1 dBLO频率:5 MHz to 3 GHz中频:5 MHz to 1.5 GHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:29 dBm特性•宽带,5至3000 MHz•良好的L-R隔离,典型值为40 dB。•出色的L-I隔离,典型值为44 dB。•宽中频带宽,可用于3 GHz•高IP3,典型值为26 dBm。应用•CDMA•GSM•DCS•PCN
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2025/5/16 14:24:10
Mini-Circuits的PMA5-123-3W-D+是一款GaAs MMIC功率放大器,工作频率为8至12 GHz。内部匹配50Ω 放大器管芯提供29.8dB的增益、+35.5dBm的饱和输出功率和+40.2dBm的输出IP3,同时在+7V电源下工作并消耗1250mA的电流。此外,集成功率检测器允许无缝输出功率监测。这些特性使其非常适合需要高工作输出功率的微波无线电、卫星通信和雷达系统,同时保持非常低的失真特性。 特性高增益,典型。29.8分贝PSAT高,典型。+35.5 dBm优秀的PAE,典型。34.2%电源电压,+7 V@1250 mA集成功率检测器应用雷达、电子战和电子对抗防御系统MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小孔径终端
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2025/5/16 14:18:42
Mini-Circuits的MBDA-30-451HP+是一种高功率双向耦合器,可提供高达200 W的高功率处理和0.15 dB的主线损耗。24dB的高方向性提供了来自耦合端口的精确采样,30dB的回波损耗在整个频率范围内提供了出色的匹配。该型号覆盖225至450 MHz的频率,支持从功率放大器和天线馈电到各种数字通信等各种应用。耦合器设计为开放式印刷层压板(1.00“x 1.00”x 0.051“),带有环绕式端子,具有良好的可焊性和易于目视检查。特性高功率处理,高达200W出色的回波损耗,30dB低插入损耗,0.15 dB高指向性,24dB应用功率放大器天线馈源甚高频/超高频无线电国防和军事
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2025/5/16 14:14:25
Mini-Circuits的BDCH-15-272+是一种高功率双向耦合器,可提供高达150 W的高功率处理和0.25 dB的插入损耗。19dB的高方向性提供了来自耦合端口的精确采样,24dB的回波损耗在整个频率范围内提供了出色的匹配。该型号覆盖700至2700 MHz的频率,支持从功率放大器和天线馈电到各种数字通信等各种应用。耦合器设计为开放式印刷层压板(1.00“x 0.50”x 0.051“),带有环绕式端子,具有良好的可焊性和易于目视检查。特性高功率处理,高达150W出色的回波损耗,典型值为24 dB(所有端口)低插入损耗,典型值0.25 dB应用VHF/UHF大功率无线电传输信号监测天线反射监测无线发射机分布式天线系统(DAS)
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2025/5/16 14:09:43
Mini-Circuits的ZBT-K353-FT+是一款超宽带同轴偏置三通,覆盖10 MHz至35 GHz的频率,在整个频率范围内具有低插入损耗、优异的回波损耗和高直流到射频隔离。该型号能够处理高达+30 dBm(1W)的RF输入功率和高达400 mA的DC输入电流,非常适合偏置放大器、激光二极管、有源天线等应用。特性宽带频率范围,10 MHz至35 GHz低插入损耗,典型值为1.0 dB。 出色的回波损耗,典型值为15dB。出色的隔离性能,典型值为35 dB。高直流输入电流,最大400mA。
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2025/5/16 14:07:02
Mini-Circuits的表面贴装薄膜滤波器通过氧化铝基板上的薄膜实现了低插入损耗和高抑制,使用溅射工艺可以保证增强的Q值和可重复的性能。低通、高通和带通表面贴装薄膜设计可以通过这项技术以小尺寸实现高达40 GHz的频率,帮助客户实现SWaP目标。使用我们的高质量薄膜制造工艺,我们可以保证大批量过滤器的可重复性。特性1.3 dB典型低通带插入损耗。48 dB典型值的高抑制。16dB典型值的良好回波损耗。小尺寸,5.59 x 8.13 x 2.03毫米应用X波段雷达测试和测量
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2025/5/16 14:01:09
Mini-Circuits的表面贴装薄膜滤波器通过氧化铝基板上的薄膜实现了低插入损耗和高抑制,使用溅射工艺可以保证增强的Q值和可重复的性能。低通、高通和带通表面贴装薄膜设计可以通过这项技术以小尺寸实现高达40 GHz的频率,帮助客户实现SWaP目标。使用我们的高质量薄膜制造工艺,我们可以保证大批量过滤器的可重复性。特性0.7 dB典型低通带插入损耗。39 dB典型值的高抑制。典型值为15dB的良好回波损耗。小尺寸,5.59 x 8.13 x 2.03毫米应用Wi-Fi 6E测试和测量设备
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2025/5/16 13:57:28
PMA3-73-1W+是一款GaAs MMIC功率放大器,工作频率为300至7500 MHz。放大器提供20.1 dB的增益,+33.5 dBm的饱和输出功率,并在单个+12 V电源下工作时实现+37 dBm的输出IP3。此外,它内部匹配50欧姆,采用3x3毫米12引脚QFN式封装。这些特性使其非常适合需要高工作输出功率的宽带测试仪器和防御系统,同时保持非常低的失真特性。特性典型高P1dB。+31.7 dBmPSAT高,典型。+33.5 dBm典型低噪声系数。2.5分贝OIP3高,典型。+37 dBm单电源电压,+12V@190mA3x3 mm 12引线QFN型封装应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统5G Sub6,MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小孔径终端
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2025/5/16 13:52:28
Mini-Circuits的AVA-6183MPS+是一种宽带、中等功率MMIC放大器,采用GaAs pHEMT工艺制造,具有高输出功率和宽带增益。该放大器的工作频率为6至18 GHz,在单个+6 V电源下工作时,具有典型的+26 dBm P1dB、+28.5 dBm PSAT和20.9 dB增益。AVA-6183MPS+内部匹配50欧姆,采用5x5毫米32引脚行业标准QFN式封装。这些特性使其成为包括回程无线电、雷达和卫星通信在内的各种应用的理想驱动放大器。特性高饱和输出功率,典型。+28.5 dBm高增益,典型。20.9分贝单电源电压+6V,663mA5x5 mm 32引线QFN型封装应用5G MIMO和回程无线电雷达、电子战和电子对抗防御系统卫星通信测试和测量设备
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2025/5/15 14:41:53