ADF7021是一款低功耗、高度集成的2FSK/3FSK/4FSK收发器。该器件可在窄带、免执照ISM频段以及80 MHz至650 MHz和862 MHz至940 MHz频率范围的特许执照频段内工作。该器件具有高斯和升余弦两种数据滤波选项，用以改善窄带应用的频谱效率。它适合符合以下标准或法规的电路应用：欧洲ETSI EN 300-220标准、日本ARIB-T67标准、中国近程设备管理法规以及北美FCC Part 15、Part 90和Part 95监管标准。ADF7021只需少量外部分立器件便可构建一个完整的收发器，因此非常适合对价格和电路板面积敏感的应用。发射部分包含一个电压控制振荡器(VCO)和一个输出分辨率接收机采用低中频架构(100 kHz)，不仅功耗较低、外部元件数较少，而且可避免低频时的干扰问题。中频滤波器具有12.5 kHz、18.75 kHz和25 kHz的可编程带宽。ADF7021支持各种可编程特性，包括接收的线性度、灵敏度和中频带宽，用户可根据具体应用在接收机灵敏度和选择度与功耗之间进行取舍。接收机还拥有正在申请专利的自动频率控制(AFC)环路，捕捉范围可编程，允许PLL跟踪输入信号中的频率误差。片内ADC提供集成温度传感器、外部模拟输入、电池电压和RSSI信号的回读，因而在某些应用中可减少ADC开销。温度传感器在−40°C至+85°C的整个工作温度范围内精度达到±10°C。在室温下进行1点校准并将结果存储在存储器内可提高此精度。特征• 低功耗、高性能、窄带收发器• 频段：80-650MHz和862-940MHz• 调制方式：2FSK、3FSK、4FSK• 频谱整形方式：高斯和升余弦滤波• 自动PA斜坡• 支持的数据速率：0.05 kbps至25 kbps
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2025/8/15 14:14:18
ADRF5721-EVALZ 是一款 4 层评估板。顶层和底层铜箔厚度为 0.5 oz（0.7 mil），内层为 1.5 oz（2.2 mil），层间由 dielectric 材料隔开。该评估板的叠层结构如图 27 所示。（注：图中展示了各层铜箔厚度及 dielectric 材料厚度，具体参数为：顶层/底层 0.5 oz（0.7 mil），内层 1.5 oz（2.2 mil），总厚度 62 mil， dielectric 材料厚度 12 mil）所有射频（RF）和直流（dc）走线均布置在顶层铜层，而内层和底层为接地平面，为 RF 传输线提供稳定的接地参考。12 mil 的 dielectric 材料为高频性能提供了 optimal 特性。中层和底层 dielectric 材料提供机械强度。板的总厚度为 62 mil，允许在板边缘安装 2.4 mm RF 连接器。RF 传输线采用共面波导（CPWG）模型设计，迹线宽度为 16 mil，接地间距为 6 mil，特性阻抗为 50 Ω。为实现 optimal 的 RF 和热接地，在传输线和封装周围布置了尽可能多的过孔。通过校准，可以利用 ADRF5721-EVALZ 评估板消除板损影响，从而确定 IC 引脚处的器件性能。图 28 显示了 ADRF5721-EVALZ 评估板的典型板损（THRU）、嵌入插入损耗和去嵌入插入损耗。（注：图中曲线展示了 THRU 损耗、嵌入插入损耗和去嵌入插入损耗随频率（GHz）的变化趋势）图 29. 评估板布局（顶视图）（注：图中为评估板的顶视图照片，展示了元件、RF 连接器及关键走线布局）两个电源端口连接到 VDD 和 VSS 测试点（TP1 和 TP2）。接地参考迹线连接到 GND 测试点（TP4）。在 VDD 和 VSS 上，使用 100 pF 旁路电容滤除高频噪声。此外，还预留了额外的未贴装电容...
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2025/8/15 14:04:04
ADRF5720 可通过将 PS 引脚分别设置为高电平或低电平，在串行模式或并行模式下进行控制。PS 引脚控制模式低电平并行模式高电平串行模式串行模式接口ADRF5720 支持 4 线 SPI 接口：串行数据输入（SERIN）、时钟（CLK）、串行数据输出（SEROUT）和锁存使能（LE）。当 PS 引脚置为高电平时，串行接口被激活。ADRF5720 的衰减状态可通过 6 位或 8 位 SERIN 数据控制。若使用 8 位数据字控制衰减器状态，前两位（D7 和 D6）为“无关位”——这两位无论设为低电平、高电平，或直接省略，均不影响衰减器状态。仅 D0-D5 位用于设置衰减器状态。在串行模式下，SERIN 数据在 CLK 的上升沿以最高有效位（MSB）优先的方式移入移位寄存器。然后，需将 LE 引脚从高电平切换至低电平，以将新的 SERIN 数据锁存到器件中。若 LE 保持高电平，CLK 上升沿时移位寄存器会继续接收新数据，但衰减器值不会改变（因为 LE 高电平时 CLK 被屏蔽）。使用 SEROUTADRF5720 还具备串行数据输出功能（SEROUT）。SEROUT 在第 8 个时钟周期输出串行输入数据，可通过单个 SPI 总线控制级联衰减器。展示了串行级联 timing 图。当衰减器工作于菊花链模式时，由于 SERIN 与 SEROUT 之间存在 8 个时钟周期的延迟，必须使用 8 位 SERIN 数据。SEROUT 引脚不支持高阻抗模式，可使用三态缓冲器实现共享总线接口。
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2025/8/15 13:59:13
ADRF5720 集成了一个 6 位固定衰减器阵列，可提供 31.5 dB 的衰减量，步进为 0.5 dB。集成衰减器驱动器支持串行和并行模式控制。请注意，当提及本部分中的多功能引脚的单一功能时，仅涉及与该功能相关的引脚部分。上电序列建议在正电源电压线（VDD）和负电源电压线（VSS）上使用旁路电容，以滤除高频噪声。上电序列如下：连接 GND。施加 VDD 和 VSS 电压。为避免上电期间 VDD 产生电流瞬变，应在 VDD 之后上电 VSS。上电数字控制输入。然而，数字控制输入的上电顺序并不重要。但在数字控制电源（若单独供电）和 VDD 电压上电前，切勿向内部 ESD 结构施加正向偏压。为避免此类损坏，建议在控制输出端串联一个 1 kΩ 电阻，以限制流入或流出控制器引脚的电流。若控制引脚未连接至逻辑电源，可在上电 VDD 后使用上拉或下拉电阻将其拉至固定电压。向 ATTIN 或 ATTOUT 施加射频输入信号。下电序列与上电序列相反。上电状态ADRF5720 内置上电复位电路。当施加 VDD 和 VSS 电压且 LE 置为低电平时，该电路会将衰减器设置为最大衰减状态（31.5 dB）。射频输入和输出两个射频端口（ATTIN 和 ATTOUT）均解耦至 0 V。当射频线电位为 0 V 时，射频端口无需阻塞电路。射频端口内部匹配至 50 Ω，因此无需外部匹配元件。对于宽带应用，不建议使用阻抗匹配，以免在高频下造成插入损耗和衰减精度下降。ADRF5720 支持较低功率电平下的双向操作。ATTIN 和 ATTOUT 端口的功率处理能力不同，双向操作的功率处理能力由 ATTOUT 端口定义。
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2025/8/15 13:51:28
ADL5902是一款真均方根响应功率检波器，当采用单端50 Ω信号源驱动时，测量范围为60 dB。这一特性使得该器件无需巴伦或任何其它形式的外部输入调谐，因此具有极高的频率灵活性，工作频率最高可达9 GHz。ADL5902适用于各种高频通信系统和要求对信号功率做出精确响应的仪器仪表。它易于使用，仅需5 V单电源和几个电容便可工作，能够采用单端输入或通过巴伦采用差分输入进行驱动。ADL5902可以在100 MHz以下至9 GHz以上的频率范围内工作，不仅支持均方根值在1 mV至1 V以上的输入，而且具有较大波峰因素，超过了精确测量WiMAX、CDMA、WCDMA、TD-SCDMA、多载波GSM和LTE信号的要求。工作原理ADL5902 是一款 50 MHz 至 9 GHz 的真有效值响应检测器，在 2.14 GHz 时测量范围为 65 dB，在高达 6 GHz 的频率下测量范围大于 56 dB。它采用改良的 AD8362 架构，扩展了频率范围并提高了高频下的测量精度。在整个动态范围内，传输函数的峰峰值纹波降至±0.1 dB。真有效值输出测量的温度稳定性在 -40°C 至 125°C 的规定温度范围内，误差通常小于±0.3 dB，这通过专有技术实现。该器件能准确测量具有高峰均比（波峰因数）的波形。ADL5902 包含一个高性能自动增益控制（AGC）环路。如图 36 所示，AGC 环路由宽带可变增益放大器（VGA）、平方律检测器、幅度目标电路和输出驱动器组成。
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2025/8/15 13:45:21
RFE-24M30M1K7X+是新一代轻量化固态连接器大功率放大器模块，可用于27 MHz ISM频段的广泛工业、科学和医疗应用。RFE-24M30M1K7X+采用最新一代半导体技术，提供无与伦比的输出功率、效率和坚固性。放大器能够放大超过1700W的信号（CW和脉冲）。提供了一种温度补偿栅极偏置电路。内置电路提供温度监测和电流监测。板载紧急开关可以通过外部TTL信号触发，在反射或耗散功率过大的情况下关闭功率放大器。所有与外界的接口都可以通过方便的USB-C连接器访问。放大器的输入端有SMA连接器，输出端有N连接器。安装基板具有集成的水通道，以在困难的操作条件下提供冷却，例如高失配或高耗散功率。方便的可旋转推入式连接管件可实现简单可靠的水冷连接。集成变压器冷却可确保放大器寿命长。放大器配有坚固的屏蔽。M5螺孔用于将放大器安装到较大系统的机箱上。屏蔽罩外部提供了易于拧入的电源连接。特征高输出功率，1700W27MHz ISM频段功率增益为26dB，输入驱动电平为5W适用于CW和脉冲信号高增益，典型值为26dB80%效率坚固的结构内置温度和电流监测内置紧急关闭功能水冷式应用RFE-24M30M1K7X+放大器模块可用作任何单通道或多通道系统中的构建块，用于高功率射频能量应用，例如：工业供暖和材料加工食品加工（加热、回火、巴氏杀菌）微波辅助化学等离子体产生和等离子体表面处理消毒化学射频激励激光器医疗（加热、热疗和消融）半导体射频发生器
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2025/8/14 13:58:51
RFE-24M30M075X+是新一代轻量化固态连接器功率放大器模块。一个输入信号产生四个相等的输出信号，每个信号的典型P3dB为19W。该放大器旨在作为RFE24M30M075X+等高功率27 MHz放大器的驱动器。RFE-24M30M075X+可用于27 MHz ISM频段的广泛工业、科学和医疗应用。该放大器采用高坚固性半导体技术。放大器能够放大CW和脉冲信号。提供了一种温度补偿栅极偏置电路。M3螺钉的安装孔用于将放大器安装到较大系统中的散热器或冷却板上。屏蔽罩外部提供了易于拧入的电源连接。特征一个输入，四个19W输出27 MHz ISM频段适用于CW和脉冲信号高增益，P3dB时典型为16dB55%典型效率集成谐波抑制温度补偿栅极偏压应用行业工业加热材料加工食品加工（加热、回火和巴氏杀菌）微波辅助化学等离子体生成等离子体表面处理消毒化学射频激励激光器医疗（加热、热疗和消融）半导体射频发生器
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2025/8/14 13:55:02
Mini-Circuits RDC-10-182-75X+表面贴装定向耦合器提供10dB耦合，具有出色的平坦度、低主线损耗、高方向性和良好的回波损耗，适用于75Ω 支持包括DOCSIS 3.1系统和设备在内的各种宽带应用。该型号的核心和电线结构具有环绕式端子，具有良好的可焊性和易于目视检查。特征•宽带，5-1800MHz•出色的回波损耗，典型值为18 dB。•主线损耗低，典型值为1.7 dB。•出色的耦合平坦度，典型值为±0.2 dB。•可水洗应用•有线电视
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2025/8/14 13:50:24
RCAT-02+（符合RoHS标准）是一种宽带固定衰减器，具有出色的衰减精度和平坦度。它可以处理高达2W。由薄膜电阻器组成的集成电路被接合在优化的多层集成LTCC基板中，然后在受控的氮气气氛下用镀金盖和共晶AuSn焊料密封。这些衰减器已经过MIL要求的测试，包括总泄漏、精细泄漏、热冲击、振动、加速度、机械冲击和HTOL.特征•固定值吸收装置•宽带，DC-20 GHz•出色的衰减精度和平整度•微型尺寸2.25毫米x2.25毫米x1.1毫米•陶瓷、密封、充氮•可水洗应用•蜂窝数据•个人电脑•通信•雷达•宽带军事•测试和测量设备
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2025/8/14 13:43:43
RCAT-01+（符合RoHS标准）是一款宽带固定衰减器，具有出色的衰减精度和平坦度。它可以处理高达2W。由薄膜电阻器组成的集成电路被接合在优化的多层集成LTCC基板中，然后在受控的氮气气氛下用镀金盖和共晶AuSn焊料密封。这些衰减器已经过MIL要求的总泄漏、细泄漏、热冲击、振动、加速度、机械冲击和HTOL测试。特征•固定值吸收装置•宽带，DC-20 GHz•出色的衰减精度和平整度•微型尺寸2.25毫米x2.25毫米x1.1毫米•陶瓷、密封、充氮•可水洗应用•蜂窝数据•个人电脑•通信•雷达•宽带军事•测试和测量设备
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2025/8/14 11:59:06
PGA-32-75+（符合RoHS标准）是一款采用E-PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频率范围内提供极高的动态范围，具有低噪声系数和平坦增益。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。特征高IP3，+45.5 dBm型。在 100 MHz增益，15.6分贝类型。在 100 MHz高功率，P1dB +23.7 dBm型。在 100 MHz低噪音图，2.9 dB型。在 100 MHz应用有线电视，DOCSIS 3.1WLAN
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2025/8/14 11:55:13
Mini-Circuits的XLF-272M+无反射滤波器采用了一种新颖的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的独特应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调产物和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特征无反射技术，用50消除反射Ω 阻带比赛温度稳定，工作温度高达+105°C紧凑型尺寸，3x3 mm 12引脚QFN型封装卓越的性能重复性应用测试和测量设备雷达系统卫星通信系统谐波抑制
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2025/8/13 14:55:46
Mini-Circuits的TCD-17-282X+表面贴装定向耦合器提供17 dB标称耦合，在5至2850 MHz范围内具有出色的平坦度，支持各种应用，包括VHF/UHF、有线电视、蜂窝、卫星通信等。该模型具有低主线损耗、高方向性和出色的回波损耗。耦合器采用芯线结构，安装在6引线塑料基座（0.16 x 0.15 x 0.16“）上，并包括Mini-Circuits的TopHat®功能，可实现更快、更准确的拾取和放置组装。特征•宽带，5至2850 MHz•主线损耗低，典型值为1.9 dB。高达2850 MHz•可水洗•引线具有出色的可焊性应用• VHF/UHF • PCS•ISM•PCN•蜂窝•UMTS•全球定位系统
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2025/8/13 14:50:44
TSS-44+是一款采用E-PHEMT技术制造的具有关机功能的表面贴装MMIC放大器，是一款高达43.5 GHz的完全集成的3级增益块，具有出色的有源方向性。它采用行业标准的3x3 mm MCLPTM封装，具有出色的射频和热性能。TSS-44+将整个匹配网络与封装内的大部分偏置电路集成在一起，减少了对复杂外部电路的需求。这种方法使TSS-44+非常灵活，使用起来简单明了。特征22至43.5 GHz用于5G应用增益，典型值17.6 dB。平坦度，±0.9 dB至40 GHz出色的有源方向性，典型值为28 dB。正电源电压，+4V，22mA集成直流模块、偏置三通和微波旁路电容器无条件稳定可水洗；3x3mm SMT封装停机功能应用5G无线电导航可移动的固定卫星空间研究
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2025/8/13 14:40:46
TSS-183A+是一款采用InGaAs PHEMT技术制造的具有关机功能的表面贴装MMIC放大器，是一款高达18 GHz的完全集成增益块。它采用Mini-Circuits行业标准的3x3mm MCLP封装，具有出色的射频和热性能。TSS-183A+将整个匹配网络与封装内的大部分偏置电路集成在一起，减少了对复杂外部电路的需求。这种方法使TSS-183A+非常灵活，使用简单明了。特征快速关机，29纳秒增益，典型值13.6 dB。平坦度，±0.9 dB输出功率，典型值高达+17.9 dBm。出色的隔离性能，典型值为36 dB。正电源电压，+5.0V集成直流模块、偏置三通和微波旁路电容器无条件稳定应用军事电子战和雷达数据库宽带隔离放大器微波点对点无线电卫星系统
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2025/8/13 14:36:16
Mini-Circuits的TCD-12-222X+表面贴装定向耦合器提供12.6 dB的标称耦合，在5至2250 MHz范围内具有出色的平坦度，支持各种应用，包括VHF/UHF、CATV、蜂窝等。该模型具有低主线损耗、高方向性和出色的回波损耗。耦合器采用芯线结构，安装在6引线塑料基座（0.16 x 0.15 x 0.16“）上，并包括Mini-Circuits的TopHat®功能，可实现更快、更准确的拾取和放置组装。特征•电压驻波比1.5（典型值）良好。@通带•体积小•密封•温度稳定•LTCC结构应用•测试和测量•谐波抑制•发射器/接收器
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2025/8/13 14:30:27
RAM-3+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在陶瓷表面贴装封装中。RAM-3+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在+100°C的外壳温度下，预计MTBF为900年。特征宽带，直流至2 GHz可层叠陶瓷封装内部匹配50Ω低噪声系数，典型值6.0 dB。出色的重复性可水洗应用蜂窝数据UHF/VHF通信系统传输接收器
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2025/8/13 14:17:41
BFTC-615+LTCC带通滤波器覆盖450至780 MHz的通带，具有25 dB的上/下阻带抑制。该型号可处理高达3W的射频输入功率，并提供-40至+85°C的宽工作温度范围。利用LTCC多层结构，该滤波器实现了出色的性能可重复性，并采用微小的陶瓷封装，在密集的PCB布局中节省了空间。特征•电压驻波比1.5（典型值）良好。@通带•体积小•密封•温度稳定•LTCC结构应用•测试和测量•谐波抑制•发射器/接收器
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2025/8/13 14:14:25