TS64210L是一种反射式开放式单极双掷（SP2T）开关，专为需要高RF峰值电压处理的天线或滤波器调谐应用而设计。TS64210L适用于1MHz至3GHz的频率范围。TS64210L的下限为1.1Ω 导通电阻和截止电容为0.28pF。此开关最多可以选择4个独立状态。 TS64210L采用紧凑的四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性● 低1.1Ω 导通电阻● 0.28pF-Coff● 120V射频峰值电压处理● 每个州都可以独立控制● 4 独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 多功能2.6~5.5V电源● 1.2~5.0V数字控制应用● 滤波器和天线调谐● 动态匹配● 私人移动无线电手机● 公共安全手机
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2025/4/27 13:42:14
TS7029N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS7029N可以覆盖700M至2.7GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS7029N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。 TS7029N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性● 低TX插入损耗：0.40dB@800MHz● 高隔离度：50dB@800MHz● 631W峰值功率处理● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：700MHz至2.7GHz应用● 蜂窝基础设施● 小细胞● 宏单元● ADS-B、敌我识别系统
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2025/4/27 13:38:45
TS7529N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7529N在700M至4GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。 TS7529N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm、32引脚塑料封装。特性低插入损耗（TX路径）：0.65dB@2.7GHz高隔离（RX路径）：2.7GHz时为45dB316W峰值功率处理射频线路上没有外部隔直电容多功能2.6-5.25V电源应用蜂窝基础设施小细胞LTE中继和微蜂窝卫星终端
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2025/4/27 13:35:09
TS7329K是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7329K在500MHz至5GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。 TS7329K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗（TX/RX）：2600MHz时为0.4/0.6dB●高隔离度（RX路径）：2600MHz时40dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：500MHz至5GHz应用●4G、5G系统●RX保护●蜂窝基础设施●小细胞●LTE中继和微蜂窝●雷达
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2025/4/27 13:30:43
TS8729N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8729N可以覆盖500MHz至2.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。 TS8729N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性●低TX插入损耗：800MHz时为0.19dB●高隔离度：40dB@800MHz●550W 20%占空比2.0ms脉冲宽度●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：500MHz至2.0GHz应用● L波段雷达● TBD
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2025/4/27 13:25:25
HFCW-6010+是一款高通滤波器，通带范围为6400 MHz至20000 MHz，支持多种应用。由于战略性地构建了布局，该模型在宽带上提供了良好的插入损耗。该滤波器采用微小的0603陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数产品: High Pass Filters 频率: 6.4 GHz to 20 GHz 阻抗: 50 Ohms 端接类型: SMD/SMT 封装 / 箱体: JC0603C 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 系列: HFCW 封装: Reel 封装: Cut Tape 商标: Mini-Circuits 介入损耗: 2 dB特性•很好的抑制，典型值为45 dB。•小尺寸0603（0.063英寸X 0.032英寸X 0.024英寸）•温度稳定•LTCC结构应用•测试和测量•军事应用•电信和宽带无线系统尺寸图
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2025/4/25 13:58:20
TS8728N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8728N可以覆盖500MHz至4.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。 TS8728N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm2 32引脚塑料封装。特性•切换时间：0.75s•低TX插入损耗：0.39dB@3550MHz•高隔离度：3550MHz时为38dB•400W 20%占空比2.0ms脉冲宽度•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：500MHz至4.0GHz应用●L波段雷达●S波段雷达
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2025/4/25 13:53:46
TS8029N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8029N可以覆盖700MHz至5.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8029N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。TS8029N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性● 低TX插入损耗：0.20dB@800MHz● 高隔离度：800MHz时为51dB● 631W峰值功率处理● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：700MHz至5.0GHz应用● 蜂窝基础设施● ADS-B、敌我识别系统● 低功率的无线接入节点● 宏单元
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2025/4/25 13:48:34
TS8028N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8028N可以覆盖700MHz至5.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8028N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。 TS8028N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性● 低TX插入损耗：800MHz时为0.21dB● 高隔离度：800MHz时为52dB● 500W峰值功率处理● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：700MHz至5.0GHz应用●蜂窝基础设施●无线接入节点●可编程逻辑宏单元●ADS-B、敌我识别系统
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2025/4/25 13:44:06
TS8329K是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS8329K在500MHz至8.5GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS8329K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● 低插入损耗（TX/RX）：0.4/0.5dB@3000MHz● 高隔离度（RX路径）：3000MHz时38dB● 高峰值功率处理能力● 射频线路上没有外部隔直电容器● 所有射频端口均处于关闭状态● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：500MHz至8.5GHz应用● 4G、 5G系统● RX保护● 蜂窝基础设施● 小细胞● LTE中继和微蜂窝● Radar
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2025/4/25 13:39:54
TS72421K是一款基于尖端GaN技术的对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带和高功率开关应用而设计。TS72421K在700MHz至3.8GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。4条控制线可以独立选择多达16个可能的位置。TS72421K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.45dB@800MHz●高线性功率处理●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换功能●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：700MHz至3.8GHz应用●ADS-B系统●蜂窝基础设施●小细胞●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/25 13:34:13
TS72461K是一款基于尖端GaN技术的对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带和高功率开关应用而设计。TS72461K在400MHz至3.8GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。4条控制线可以独立选择多达16个可能的位置。 TS72461K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● 低插入损耗：0.40dB@800MHz● 高线性功率处理● 射频线路上没有外部隔直电容器● 40dBm CW热切换功能● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：400MHz至3.8GHz应用● 蜂窝基础设施● 小细胞● LTE中继和微蜂窝● 卫星终端
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2025/4/25 13:31:13
TS72420K是一款对称反射式单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS72420K在10MHz至3GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。Vcp引脚上需要-17V电源。 TS72420K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● 低插入损耗：0.45dB@800MHz● 高隔离度：40dB@800MHz● 高线性功率处理能力● 射频线路上没有外部隔直电容器● 40dBm CW热切换能力● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：10MHz至3GHz应用● 私人移动无线电手机● 公共安全手机● 蜂窝基础设施● 小细胞● LTE中继和微蜂窝● 卫星终端
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2025/4/25 13:27:40
Mini-Circuits的XLF-172H+三段无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。规格参数产品:Low Pass Filters频率:DC to 2000 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:XLF封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.7 dB安装:Board Mount特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的阻带抑制，典型值为47dB。温度稳定，最高可达+105°C尺寸小，4 x 4毫米应用蜂窝，PCS全球定位系统射电天文学遥测
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2025/4/25 13:20:58
TA9210D是一款宽带12.5W GaN功率晶体管，覆盖30 MHz至2.7 GHz频带，单次匹配。TA9210D的可用频率高达4 GHz。输入和输出可以匹配，以获得所需频带的最佳功率和效率。TA9210D采用紧凑、低成本的四方扁平无引脚（QFN）3 x 6 x 0.75 mm、32引脚塑料封装。特性●800 MHz时的小信号增益：18 dB●800 MHz时的大信号增益：13.5 dB● PSAT@800MHz：41.5dBm● PAE@PSAT@800MHz：55%●28–32V典型操作●工作频率：30 MHz至4.0 GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全无线电●蜂窝基础设施●军用无线电引脚配置图
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2025/4/24 14:13:00
TA9110K是一种宽带GaN功率晶体管，能够在30 MHz至4.0 GHz频带内提供6 W CW。晶体管可以在较低的频率下使用，同时降低输出功率。输入和输出可以匹配，以获得所需频带的最佳功率和效率。TA9110K采用紧凑、低成本的四方扁平无引脚（QFN）3 x 3 x 0.75 mm、16引脚塑料封装。特性●1000 MHz时的小信号增益：17 dB●1000 MHz时的大信号增益：14 dB●1000 MHz时的PSAT：40 dBm●1000 MHz时PSAT的PAE:55%●28-32V典型操作●工作频率：30 MHz至4.0 GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全无线电●蜂窝基础设施●军用无线电
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2025/4/24 14:10:22
TSL8029N是一个单通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2 GHz至5 GHz。TSL8029N配置有级联的两级GaAs LNA和GaN基SPDT开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1.3 dB的低噪声系数和33 dB的高增益，在高增益状态下输出三阶截断点（OIP3）为33 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在50mA的较低电流下提供14.5 dB的增益。在断电模式下，LNA关闭，设备汲取4 mA。在发射操作中，当RF输入连接到终端引脚（TX）时，开关在3.6GHz下提供0.5 dB的低插入损耗，并处理50 dBm的长期演进（LTE）平均功率（8 dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。该设备采用符合RoHS标准的紧凑型5毫米×5毫米32引脚QFN。特性两级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配单电源操作•3.6 GHz时的增益：33 dB[高增益模式]@3.6 GHz:14.5 dB[低增益模式]•3.6 GHz下的NF:1.4 dB[高增益模式]@3.6 GHz:1.3 dB[低增益模式]•3.6 GHz时的OP1dB:22 dBm[高增益模式]@3.6 GHz:12 dBm[低增益模式]•工作频率：2至5 GHz•3600 MHz时的插入损耗：0.5 dB[TX模式]•3.6 GHz下的开关隔离度：18 dB[RX HG模式]•3.6 GHz时的RX隔离度：53 dB[PD=BP=0 V]@3.6 GHz：42 dB[PD=BP=5 V]@3.6 GHz：38 dB[PD=0 V，BP=5 V]@3.6GHz:45dB[PD=5V&BP=0 V]•TCASE=105°C时的高功率处理全寿命•LTE平均功率[8 dB标准杆数]：50 dBm•...
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2025/4/24 14:01:59
TP0310K是一款功率低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。通过简单的输入和输出匹配，该LNA可以针对不同的频带进行调谐，目标是在0.03-3.8 GHz频带内实现低噪声、高功率和高线性。在1.85 GHz时，放大器通常提供16.5 dB增益、27.5 dBm OP1、+39 dBm OIP3和1.0 dB噪声系数，同时从+5 V电源汲取140-160 mA电流。TP0310K采用紧凑、低成本的双扁平无引线（QFN）3 x 3 x 0.8 mm、16针塑料封装。特性1850 MHz时的小信号增益：16.5 dBNF@1850MHz：1.0dBOP1dB@1850MHz：27.5 dBmOIP3dB@1850MHz：39dBm5V典型工作电压工作频率：0.03至3.8 GHz应用4G/5G基础设施无线电小细胞和细胞中继器L、S波段相控阵雷达军用/商用无线电SDARS天线
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2025/4/24 13:56:02