半导体制造商ROHM日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm的爬电距离*1。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。应用示例车载设备：车载充电器（OBC）、电动压缩机等工业设备：光伏逆变器、服务器电源等免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/7/10 14:02:31
金升阳推出 DS 系列直流接触器专用控制模块，其搭载自研IC芯片，硬核优势拉满；2ms 极速响应，兼容单线圈、铜包铝线圈结构，整机小巧省空间、运行低功耗、设备适配兼容性强。严格遵循GB/T 14048.4-2020、GB/T 14808-2016等国家标准，性能合规、品质稳定。DS系列直流接触器专用控制模块可广泛适用于充电桩、储能及光伏领域，可用于对小体积、低成本有特殊要求的场景，例如行吊起重设备、电梯控制系统，以及部分交流配电系统（如电加热、照明控制）等。极致小巧 响应敏捷1.采用小型化封装工艺，面积比同类产品缩减62%；2.支持2ms极速关断，高效灭弧，有效延长电气寿命；3.支持9-36VDC宽压输入，多兼容性，可精简产品选型成本优化 品质可靠1.支持“单线圈”+“铜包铝”设计，灵活应对市场变化；2.支持宽温域运行，工作温度可达-40至+85℃，耐候性强；3.支持3600次/h的高频空载开关,长寿耐用，安全护航产品特点● 极致小巧，设计灵活,● 支持9-36VDC宽压输入● 支持2ms极速关断● 支持“单线圈”和“铜包铝”设计● 空载开关机操作频率可达3600次/h● 工作环境温度：-40℃至+85℃● 支持定制DS系列应用场景主要如下：1. 直流充电桩设计极致小巧、灵活易集成，支持9-36VDC宽压输入，可显著增强宽电压范围适应能力与抗晃电性能，有效应对电压暂降，保障关键设备连续运行。同时，兼容12V（乘用车）与24V（商用车）辅助电源供电，提升充电桩系统的通用性与供电可靠性。2. 储能系统支持2ms极速关断，能够大幅缩短电弧持续时间，降低触头烧蚀，从而有效提升接触器电气寿命。适用于储能电池主回路控制，可增强输电系统的安全性与稳定性。3. 光伏系统支持“单线圈”和“铜包铝”设计，空载开关操作频率高达3600次/h，且工作温度范围宽至-40℃～+85℃。适用于光伏组件的...
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2026/7/9 14:09:24
Microchip宣布，其MPLAB® XC Pro编译器和MPLAB机器学习（ML）开发套件现已免费向客户开放。通过在个人和团队环境中无限安装，这些工具为开发者免费提供先进的优化功能和集成的嵌入式机器学习工作流。“我们的重点是优化使用Microchip设备的工程师开发体验，”Microchip开发工具、MCU及无线业务部门副总裁Greg Robinson表示。“通过取消许可费并免费提供高性能工具，我们消除了创新的障碍。客户现在可以利用我们优化的编译器和集成的机器学习能力，高效地从设计到部署。”MPLAB XC Pro 编译器此前通过付费许可层级提供，采用高级技术以缩小代码大小、降低内存占用、提升执行速度，并生成高效且架构优化的嵌入式应用代码。这些专业级能力使开发者能够简化Microchip 8位、16位和32位微控制器（MCU）及微处理器（MPU）产品线的嵌入式设计。MPLAB 机器学习开发套件模型构建器（MPLAB Machine Learning Development Suite Model Builder）是一款 MPLAB 或 Microsoft® Visual Studio® Code （VS Code®） 插件，用于生成优化的 AI 和物联网传感器识别代码，也免费提供。这使开发者能够构建和部署端到端嵌入式机器学习解决方案，并有助于在资源受限设备上高效部署边缘智能。通过提供 VS Code 的 MPLAB 机器学习，Microchip 进一步致力于满足开发者在他们选择的环境中的需求，提供更灵活、更易用的开发体验。免费开发工具的转变也延伸到了Microchip的MPLAB XC功能安全编译器。这些编译器获得TÜV SÜD认证，支持安全关键应用，帮助实现行业功能安全标准的合规，并在需要时提供认证文档和支持...
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2026/7/9 14:03:54
Abracon出ADID-R-0017和ADID-R-0018，这两款微型LTCC射频双工器支持同时868/915 MHz和2.4 GHz工作，采用超紧凑的1.6 x 0.8 x 0.6毫米（0603/1608）封装。它在sub-GHz 路径中插入损耗为 0.65 dB，在 2.4 GHz 仅有 0.4 dB，具有 >28 dB 的带间隔离，3 W 功率处理，低频端口对 2400–2500 MHz 的 35 dB 抑制，高频端口对 698–960 MHz 的抑制为 32 dB。配合Abracon的多频段天线、SP3T射频开关和TCXO，ADID-R-0017和ADID-R-0018非常适合亚马逊Sidewalk、Mioty、Wi-SUN、M-Bus、LoRaWAN、Sigfox和Z-Wave设计结合BLE，包括双频物联网传感器、智能电表、智能建筑网关、USB加密狗、资产追踪器、可穿戴医疗设备和小型无人机。具备特色同时实现亚GHz和2.4 GHz的操作超紧凑型：1.6 x 0.8 x 0.6 毫米超低插入损耗：<频段间0.65 dB高隔离率：典型的 >28 dB3瓦功率处理能力强带外衰减：>32 dB优点使用双频天线连接两台无线电即使是最微小的物联网设计也能兼容保持续航并延长电池寿命无误的干净带分离能承受满功率LoRa发射突发加速FCC、ETSI及监管认证应用亚马逊Sidewalk、Mioty、Wi-SUN和无线M-Bus。LoRa、LoRaWAN、Sigfox和Z-Wave无线模块亚GHz+2.4 GHz物联网传感器和网关智能电力、水和燃气表智能建筑与家庭自动化能源生成与储存免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行...
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2026/7/8 14:07:24
Ampleon宣布推出G1M3438P70C，一款全集成的70瓦GaN Doherty功率放大器模块，旨在满足5G大规模MIMO基站的高性能和集成需求。覆盖3.4 GHz至3.8 GHz频段，该模块结合了高射频性能与先进的偏置控制和监控能力，简化系统设计，同时实现高效率、高增益、线性性和可靠性。G1M3438P70C通过集成多尔蒂功率放大器与智能偏置控制集成电路，提供预配置且经过充分测试的PA解决方案，降低设计工作量，同时保持在不同工作条件下的稳定性能。模块核心是GaN Doherty架构，峰值输出功率约为48 dBm，典型的漏极效率约为48%，平均输出功率为39 dBm，同时全频段增益水平为30 dB。该设备支持最高400 MHz的宽瞬时带宽操作，展现出优异的增益平坦性和线性度，非常适合现代高PAR 5G信号和多载波运行。G1M3438P70C的一个关键区别在于其集成的偏置控制器，包含预配置的查找表和独立的数模转换器，以实现温度下的自主栅极电压调节。这使得模块能够在无需外部校准的情况下保持最佳偏置状态，显著降低系统复杂度，并确保在不同热环境中稳定运行。集成的温度传感器、监控功能和故障报告系统进一步提升了可靠性，实现了系统的实时感知和保护。该模块还通过50 Ω个输入输出匹配实现无缝系统集成，消除了对复杂外部匹配网络的需求。其紧凑的12毫米×8毫米LGA封装实现了高功率密度和高效的板级实现，支持大规模MIMO无线电单元的扩展需求。该G1M3438P70C设计用于实际部署，具备强劲的坚固性，包括在特定工作条件下承受高达10：1的负载不匹配条件，确保即使在动态射频环境中也能可靠运行。结合快速TDD门切换和基于I²C的可配置性，该模块为TDD和FDD系统架构提供了所需的灵活性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有...
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2026/7/8 13:59:29
Ampleon宣布推出B11G4450N91D，一款全集成的双节三级4.4–5.0 GHz多尔蒂MMIC驱动单元——专为GaN最终主导的宏无线电系列中的宏驱动级而设计，旨在为无线电架构师提供更清晰、更快速的线性线性路径。GaN理所当然地成为了宏观期末的默认选项。但驱动级——信号链中连接DSP和GaN输出的关键环节——决定了线性线性化的成败。一个噪声大、离散、难以匹配和特征化的驱动单元会在上游造成DPD的麻烦，限制期末考试的实际余裕。B11G4450N91D直接回应了这个问题。它基于LDMOS——Ampleon的遗留技术，在驱动功率水平下AM-AM和AM-PM特性上固有优势——带来了驱动级在GaN最终世界中所缺乏的线性纪律。这种线性优势因完全集成而更加突出：载波和峰值放大器、输入分流、输出合并和预匹配网络，全部集成在一个紧凑且特性良好的封装中。更少的离散组件，更简洁的PCB电路板，以及设备间一致的行为，使DPD模型训练更快、更可重复地跨生产批次。平均输出功率为35.4 dBm，增益29.4 dB，且在整个4.4–5.0 GHz频段拥有大瞬时带宽，B11G4450N91D为您的GaN终音单元提供了其额定的余量。独立的载波和峰值偏置控制在不同工作模式下提供了真正的调优灵活性，而10：1的VSWR稳健性和稳固的热管理确保了在5G宏部署持续高利用率需求下稳定的性能。特性：集成输入分配器集成输出合路器高线性设计用于大射频和瞬时带宽操作载波和峰值偏置的独立控制集成静电防电保护集成偏置栅开关源阻抗：50 Ω;高功率增益免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/7/8 13:55:25
Vishay推出了四款全新40伏TrenchFET® Gen IV标准级n通道功率MOSFET，采用6.15毫米×5.15毫米PowerPAK® SO-8单封装。Vishay Siliconix SIR5402DP、SIR5404DP、SIR5406DP 和 SIR5408DP 优化了电机控制电路的噪声环境，结合了大于 2.5 V 的高门极-源阈值电压和 Qgd / Qgs 比值小于 1。它们满足特定应用的需求，SIR5402DP、SIR5404DP、SIR5406DP和SIR5408DP提供典型导通电阻值范围，范围从0.9毫瓦到2.5毫瓦（10 V），栅极电阻值从32.6 nC到82 nC。MOSFET均100%通过RG和UIS测试，符合RoHS标准，且不含卤素。设备规格如下图：免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/7/8 13:51:22
东芝电子元件宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET—— "TPM1R408RH"。 该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。TPM1R408RH采用优化的器件结构，实现了1.4mΩ（最大值）的漏源导通电阻，与采用上一代U-MOS X-H工艺制造的东芝80V产品“TPM1R908QM”相比降低约26%。TPM1R408RH还可抑制开关过程中在漏极与源极之间产生的尖峰电压，有助于降低开关电源中的EMI。EMI抑制通常需要在设计后期进行返工，而抑制器件本身产生的尖峰电压有助于减少返工，并简化滤波器和缓冲电路。TPM1R408RH与东芝现有的SOP Advance(N)封装相比，采用SOP Advance(E)封装，封装电阻约降低65%，热阻约降低15%。通过抑制发热并改善散热性能，该封装支持更高输出功率和更紧凑的电源设计。并且还提供支持开关电源电路设计的工具。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/7/7 11:36:22
兆易创新GigaDevice宣布推出全新GD24CL系列I²C通信接口的EEPROM，首发容量为256Kb。该产品系列凭借优异的可靠性指标，高速接口以及全方位的安全防护机制，能够切实满足工业、电表、能源、数字基础设施等领域对关键配置信息长期、稳定保存的严苛需求。作为兆易创新推出的首款EEPROM产品，该系列的发布进一步完善了公司的非易失性存储产品线，并将为客户智能设备的稳健运行提供更具竞争力的存储解决方案。 GD24CL系列在设计之初便紧紧围绕高可靠性这一核心指标。产品擦写寿命高达400万次，是行业传统标准的4倍，能够轻松应对高频次参数改写的严苛挑战；数据保存时间长达100年，可确保归档数据的长效稳定性；芯片内置硬件级 ECC 纠错功能，可显著提升数据完整性与系统运行可靠性。该系列还支持 -40℃~125℃超宽工作温度范围，全面适配各类应用严苛的工作环境。为了适配多元化的系统通信需求，GD24CL 系列支持100KHz、400KHz及1MHz三档时钟频率，全面覆盖从低速传感设备到高速工业控制的各类应用。同时，产品支持字节级随机读写，尤其适用于频繁更新小批量参数的应用场景，在提升操作灵活性的同时，进一步优化了系统的数据写入效率。针对复杂工况下的系统安全风险，GD24CL 系列配备了完善的硬件安全防护机制，为关键数据资产提供多重保障。芯片内置WP（Write Protect）硬件写保护功能，能够有效拦截因系统异常、软件跑飞或恶意攻击导致的数据误写。此外，产品还特别内置附加写可锁页（Additional Write lockable Page），一旦锁定，核心数据信息将不可更改，从根本上杜绝数据篡改风险，在硬件层面筑牢数据安全防线。功耗控制方面，GD24CL系列也同样具备显著优势。产品支持1.7V至5.5V的宽电压工作范围，其待机电流...
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2026/7/7 11:28:33
Molex HSAutoLink G 连接器系统采用紧凑且符合 USCAR 标准的接口设计，提供高达 25Gbps 的多千兆以太网连接，因此非常适合应对高级驾驶辅助系统 (ADAS)、雷达、LiDAR、区域架构、沉浸式显示及中央计算模块日益增长的带宽需求。“随着汽车行业向软件定义汽车 (SDV) 转型，汽车制造商必须在确保最高水平的可靠连接的同时，克服重大的性能瓶颈。”Molex 互联移动系统 (CMS) 区域总经理 Min Kong 表示，“近二十年来，HSAutoLink 系列一直是汽车架构值得信赖的基石。基于这一传承，全新的 HSAutoLink G 系统将为 OEM 提供一条经过现场验证的升级路径，可提升供应链的灵活性和韧性，从而缩短产品上市周期。”Molex HSAutoLink G 连接器系统专为适配现有 USCAR 以太网接口设计，提供灵活且面向未来的产品设计，可在紧凑模块中减少空间占用和重量，同时简化系统集成与升级。先进的电磁干扰 (EMI) 屏蔽和受控差动阻抗设计，可在高密度环境中保障高速通信的信号完整性，有助于避免信号故障、验证延误及代价高昂的设计变更。此外，这款 Molex HSAutoLink 系列的最新力作还采用防残桩设计，在对配过程中保护触点，降低错误对配风险。贴合严苛的汽车行业验证标准，Molex 还增加了多个统一的接地触点，以增强 EMI 抑制能力，从而进一步提升性能可靠性。全新的 Molex HSAutoLink G 系列，包括端子、连接器、印刷电路板 (PCB) 端板及电缆，通过完全遵循行业标准的 USCAR 封装尺寸，为汽车整车厂 (OEM) 和一级供应商提供真正的采购可选性。这一标准化兼容性背后，有 Molex 全球制造布局和强大工程支持作为坚实后盾，并辅以大量真实环境模拟和可靠性测试，以确保产品在最为严苛的条件下实现性能优化。免责声...
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2026/7/7 11:24:19
Vishay推出了一款全新即用多匝绝对位置传感器，旨在在高强度环境中实现高精度和长期稳定性。Vishay Sfernice 34 PHE 采用非接触霍尔效应技术，实现线性度低至 ± 1%（全行程）、1°分辨率，寿命超过 1000 万次循环——全部采用直径 7/8 英寸（22.2 毫米）的机身。该位置传感器提供线性或旋转位移跟踪，10圈总电角度为3600°，价格比前一代设备低40%。结合其高精度和分辨率，使34 PHE成为伺服环运动控制系统中经济高效且具成本效益的解决方案。该装置将用于工业电机和执行器位移跟踪;用于太阳能电池板跟踪的线性执行器;流量控制阀定位;以及用于农业机械、铁路设备和船舶等应用的油门和踏板位置传感器。为了在恶劣环境中保持可靠运行，34 PHE具有IP65防护密封，能承受高达20克的高频振动和高达50克的冲击。集成的反向电压和过压输入保护（分别为-14伏直流和+28伏直流）通过消除对外部保护电路的需求降低成本。该设备可配置单一或双模拟比比法或数字（PWM）输出信号。双输出作为反向跟踪位置传感器工作，内置故障检测，提升安全性、可靠性和功能安全合规性。安装面上的集成定位销简化安装，同时防止旋转，提高校准精度和长期稳定性。作为“真正通电”设备，34 PHE在开机时立即报告位置，无需重新校准、重新定位或初始化程序——即使断电后也是如此。这进一步降低了成本，免除了电池备份的需求。该设备可根据最苛刻的需求进行定制，供电电压为5伏直流±10%，供电电流为<8.5毫安（单输出）。推荐的负载电阻为1 kΩ，适用于模拟和PWM输出。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/7/3 15:55:42
英飞凌科技股份公司宣布，正式启用其位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂，较原计划提前数月投产。该项目总投资达50亿欧元，是英飞凌历史上规模最大的单笔投资，也是德国近年来最大的投资项目之一，将新增1000个直接就业岗位。随着新工厂的投产，英飞凌在德累斯顿基地的产能将实现翻番，并形成全球最大的智能功率半导体和模拟/混合信号技术生产基地。新的Smart Power Fab通过全面推行数字化实现了生产效率的大幅提升，可根据市场需求将产能爬坡速度提升至以往的两倍。例如，工厂建筑及生产设备布局均通过数字孪生技术提前进行规划与优化。系统和工艺验证则借助人工智能算法完成。此外，德累斯顿工厂与英飞凌位于奥地利的菲拉赫工厂通过 “虚拟一体化工厂 (One Virtual Fab)”模式实现协同运作，使新工艺和新产品的认证速度较以往大幅提升。更快的产能爬坡能力使英飞凌能够更加高效、灵活地把握包括人工智能在内的新兴市场机遇。未来，德累斯顿生产的半导体将广泛应用于包括AI数据中心电源的高效供电的场景。同时，这些半导体还将服务于工业和汽车领域的众多应用，例如风能和太阳能发电系统以及软件定义汽车。其中一个典型应用是智能开关，它不仅能控制负载，还能实时监测电流运行状态。功率半导体与模拟/混合信号器件的协同作用，可实现更高能效和更智能化的系统解决方案， “智能功率晶圆厂”因此得名。英飞凌的Smart Power Fab还为可持续制造树立了新的行业标杆。先进的生产技术以及经过优化的能源与资源管理体系有助于降低能耗，进一步改善半导体生产的环境足迹。新工厂的制造系统无需使用天然气，并通过水处理技术和闭环水循环系统显著降低用水量。预计约90%的生产用水将实现循环利用，从而最多可回收利用约45%的能源。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作...
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2026/7/3 15:51:51
Abracon的AMCV-SS系列高速多层芯片静电阻（MLCVs）提供紧凑且可靠的防静电放电（ESD）、电极速瞬变（EFT）及低至中等浪涌事件的保护。AMCV-SS系列专为当今敏感的高速低压电子设备设计，帮助保护电路免受电压瞬变的损害，同时不影响正常运行。这些MLCV提供0603到2220表面贴装封装，支持IEC 61000-4-5浪涌保护，峰值电流为8/20微秒，涵盖从9.0伏到150伏的广泛直流工作电压范围。宽广的工作温度范围，从−55°C到+125°C，确保在高要求的商业和工业应用中保持可靠性能。主要优势包括体积紧凑、响应迅速、电压覆盖范围宽且防浪涌能力强，使AMCV-SS系列成为空间受限设计中需要有效过压和静电防护的理想解决方案。具体型号信息：型号Max AC VoltageMax Varistor Voltage (Vᵦ)Min Varistor Voltage (Vᵦ)Typical Varistor Voltage (Vᵦ)Surge Current (A) @ 8/20µsEnergy Rating (J) @ 10/1000µsAMCV-SS06039.0 - 100 V6.4 - 75.0 V16.0 - 132.0 V11.0 - 108.0 V14.0 - 120.0 V20 - 120 AAMCV-SS08069.0 - 150 V6.4 - 115.0 V16.0 - 198.0 V11.0 - 162.0 V14.0 - 180.0 V60 - 600 AAMCV-SS12069.0 - 100 V6.4 - 75.0 V16.0 - 132.0 V12.0 - 108.0 V14.0 - 120.0 V150 - 500 AAMCV-SS12109.0 - 100 V6.4 - 75.0 V16.0 -...
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2026/7/3 15:44:49
英飞凌科技完成从AMS OSRAM集团收购非光学模拟/混合信号传感器产品组合。该交易于2026年2月宣布，已获得所有必要的监管批准。通过此次收购，英飞凌通过互补产品组合巩固了其在工业和汽车传感器领域的领导者地位，并扩展了其在医疗应用中的产品线。“此次收购完美支持了英飞凌的传感器和射频增长战略，”英飞凌边缘系统部门总裁Stephan Zizala表示。“收购的业务补充了我们强大的现有资产组合。此外，通过将美斯OSRAM的传感器组合与英飞凌的晶圆技术及混合信号知识产权结合，我们将能够为客户开发高度创新的新产品。我们期待与约230位才华横溢的同事一起扩大业务规模和成长。”预计收购的业务将在2026日历年创造约2.3亿欧元的收入，支持英飞凌的盈利增长。交易完成时即为每股收益带来累积，未来协同效应将带来显著的额外价值创造。收购的组合与新成立的边缘系统（ES）部门具有高度战略契合，英飞凌将传感器、计算、连接和安全整合在一起，实现边缘系统级集成解决方案。这些团队和资产将整合进ES现有的传感器和射频业务中。收购的定位与温度传感器资产加强了英飞凌在汽车、工业、消费和医疗应用中的高精度位置、电容和温度传感能力——如车载底盘位置感测和手动检测、机器人角度和位置感测以及血糖监测。收购的混合信号产品业务为英飞凌的产品线增添了领先的医学影像和传感器接口产品，包括计算机断层扫描和数字X射线产品，以及传感器接口ASIC。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/7/2 15:53:31
TDK公司推出E13 EM系列。这些IGBT/FET栅极驱动变压器专为汽车500伏电池系统设计，实现牵引逆变器和紧凑型直流变换器的可靠隔离。通过满足严格的爬行和净空要求，该系列支持xEV平台的安全高效电力转换，在这些平台上，坚固的绝缘性和空间高效设计对下一代电气化出行至关重要。E13 EM 系列采用紧凑型 SMD 设计，基于 MnZn 铁氧体芯，占地面积为 18.6 x 14.6 毫米，高度最高可达 12 毫米。这些组件支持100 kHz至400 kHz的典型工作频率，并可用于回扫或推挽拓扑。其电感值范围约为1.8 μH至240 μH，饱和电流最高可达9安培。这使得设计在不同电力架构中更具灵活性。低漏电感和优化的绕组结构确保了信号传输的稳定和高效，适用于高速开关功率半导体的应用。E13 EM系列的一个关键特点是其先进的绝缘系统。变压器的爬行距离最高可达6.3毫米，间隙可达5.5毫米，符合基本绝缘要求为500伏（DC）和增强绝缘（300伏），符合IEC 60664-1和IEC 61558-2-16标准。组件规格适用于最高2500伏的瞬态过压和900伏的部分放电消光电压。它们符合AEC-Q200 Rev. E认证，设计支持-40°C至+150°C的工作，满足汽车应用的可靠性要求。主要特点与优势绝缘符合IEC 60664-1和IEC 61558-2-16标准基本绝缘：500伏直流工作电压;增强绝缘：300伏（RMS），ovc II紧凑型SMD设计：18.6 x 14.6毫米，最大12毫米高度宽工作温度范围：-40°C至+150°C获得AEC-Q200 E修订资格兼容 RoHS适用于无铅回流焊接（JEDEC J-STD-020F）主要应用交流-直流电源隔离的直流-直流转换器（回扫和推挽拓扑）用于IGBT/MOSFET的栅驱动变压器xEV 逆变...
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2026/7/2 15:49:12
Abracon很高兴推出AANI-CH-0246，这是一款2.4 GHz芯片天线，将3D螺旋/弹簧散热器集成在陶瓷芯片机体上。这种混合架构带来了螺旋机标志性的优势：小型地面阻挡、对附近金属的容忍性、灵活的安装方向以及极小的3D占地面积。同时，陶瓷介质负载实现了客户对芯片天线的显著微型化期待。AANI-CH-0246 尺寸仅为 3.0 x 3.0 x 4.0 毫米，阻隔范围为 5.7 x 6.9 毫米，峰值增益为 4 dbi，平均效率>69%，覆盖 2400 至 2500 MHz。AANI-CH-0246专为市场上最密集的2.4 GHz设计设计而设计，包括听觉和可穿戴设备、智能家居和智能建筑节点、智能计量以及智能照明。它非常适合任何需要在缩小机箱中同时实现可靠连接、布局灵活性和成本效益高的材料清单的应用。特色多协议：BLE、Wi-Fi、线程、Matter三维陶瓷螺旋天线结构超紧凑型3.0 x 3.0 x 4.0毫米4 dBi 峰值增益>69%的平均辐射效率柔性PCB安装选项应用蓝牙® / ZigBee® / Thread / MatterWi-Fi/WLAN 802.11 b/g/n智能家居与智能建筑智能照明听觉设备与可穿戴设备医疗与远程医疗资产追踪与远程信息处理智能计量室内定位物联网工业设备免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/7/1 17:26:40
Abracon正在扩展其AFII-LC系列的低通LTCC陶瓷滤波器，推出新的AFII-LC-0093，这是一种169 MHz的解决方案，专为亚GHz无线应用设计，包括智能计量、wM-Bus和FM广播。作为之前发布的 AFII-LC-0083/-0084（2450 MHz）、AFII-LC-0085（868 MHz）和 AFII-LC-0086（911.5 MHz）的补充，该产品组合现已覆盖关键的亚 GHz 和 2.4 GHz 频段，采用紧凑的表面贴装封装。AFII-LC-0093 具有 170 MHz 通带，典型插入损耗为 1.5 dB，二次谐波（338 MHz）处抑制 32 dB，而整个系列采用 LTCC 多层技术，实现卓越的稳定性、高 Q 性能、低插入损耗和强谐波抑制，适用于要求较高的无线设计。凭借出色的谐波抑制、低插入损耗和高度紧凑的封装，Abracon的低通LTCC陶瓷滤波器为希望提升射频性能且确保全球合规设计者提供了理想解决方案。其高可靠性、稳定性能和低成本LTCC结构使其非常适合物联网设备、无线节点、消费电子、传感器及其他需要强大谐波滤波的射频系统。特色宽频覆盖：169/868/911.5/2450MHz超紧凑型，尺寸最小至1.0毫米 x 0.5毫米超低插入损耗降至0.27 dB高抑制性能，最高可达53 dBLTCC多层结构支持谐波抑制应用亚GHz无线模块BLE/Wi-Fi/Thread/Matter设备物联网传感器与智能家居设备LPWAN设备（LoRa®、Sigfox、Wi-SUN）消费电子与可穿戴设备无线音频系统家庭自动化设备计量与监测设备射频前端谐波抑制预认证过滤免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/7/1 17:23:21
Abracon推出全新的AANI-CH-0212-T 915 MHz芯片天线，扩展了经过验证的紧凑型亚GHz天线家族，与AANI-CH-0211-T（868 MHz）和双频AANI-CH-0171-T（868/915 MHz）并列。基于AANI-CH-0171系列的成功，该系列要求30×10毫米的离地间隙，AANI-CH-0212-T和AANI-CH-0211-T均将所需间隙缩短至仅17×15毫米，使PCB布局更紧凑灵活，适用于空间受限的物联网设备。AANI-CH-0212-T 的尺寸为 12.0 × 4.0 × 1.6 毫米，针对角落印刷电路板安装优化，平均效率为 65.9%（-1.81 dB），而 AANI-CH-0211-T 在 868 MHz 频段实现 66.3% 的平均效率（-1.79 dB）。与超紧凑型AANI-CH-0171-T结合，后者支持868和915 MHz工作，采用更小的7.0×2.0×0.8毫米外形，Abracon为设计师提供了更大的灵活性，在广泛的LPWA和亚GHz物联网应用中平衡尺寸、带宽、效率和PCB布局需求。AANI-CH-0212系列的推出使设计师能够为不断增长的LPWA网络生态系统打造更小、高性能的亚GHz设备。它非常适合用于智能计量、资产追踪、家庭安全、工业监控、农业感测和智慧城市基础设施的LoRa®、Wi-SUN®和Sigfox®设备等应用。通过结合紧凑的体积、高效的效率和简化的PCB集成，Abracon持续扩展其天线产品线组合，支持下一代远程物联网连接。特色868/915 MHz 频率支持尺寸最小：7.0 x 2.0 x 0.8毫米GND净空减少至17 x 15毫米平均总效率高达75%线性偏振表面贴装装置集成：PCB康纳安装具备高端性能的经济解...
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2026/7/1 17:18:50