Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出符合汽车规格的 AP61300Q 和 AP61302Q 同步降压转换器。这些 3A 额定装置具有 2.4V 至 5.5V 的宽输入电压范围，可满足汽车负载点 (POL) 的需求，这些负载点 (POL) 更加简化并具有更高的效率水平。这些装置经过优化，适用于车辆的车载远程信息处理系统、ADAS、电源和信息娱乐系统以及仪表组件。 上述各款降压转换器皆包含一个 70mΩ 高侧功率 MOSFET 和一个 50mΩ 低侧功率 MOSFET，它们共同提供高效率降压 DC-DC 转换。由于支持快速切换速度，可指定更小的配套被动组件，以缩减整体物料清单 (BOM) 并节省空间。 依据负载条件，AP61300Q 和 AP61302Q 可配置为脉冲频率调变 (PFM) 或脉宽调变 (PWM) 运作模式 (使用启用脚位)。处于 PFM 模式时，其静态电流 (IQ) 为 19μA，即使在轻负载下也能维持较高的效率。此外，其低压差 (LDO) 模式允许在输入电压接近 VOUT 电压时维持输出电压调节。 由于 AP61300Q 和 AP61302Q 均具有恒定导通时间 (COT) 控制功能，因此只需极少的外部组件，即可实现快速瞬时反应、简化回路稳定，并降低输出电压涟波。因此，仅需配置较少的 PCB 面积，并可降低整体生产成本。 AP61300Q 和 AP61302Q 提供 SOT563 封装、符合 AEC-Q100 一级标准、通过 PPAP，并在 IATF 16949 认证设施中制造。
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2022/5/17 13:24:18
电子元器件在工业上应用范围还是比较广泛的，其实很多设备里面都会有电子元器件，通常在采购的过程中，大多数都是通过外观来判断电子元器件是否有氧化、磨损，如何判断器件是否有损坏很多新手来说，还不是特别了解。兆亿微波商城为大家做一些分享。 一、观察产品表面 想要了解电子元器件的话，建议大家最好能够多方面来看一下产品的表面情况，因为有的电容损坏的时候，可能会露出一些液体在电容下面的电路板上，甚至都会有一层发油的东西，那么这种情况下电容绝对不能够再使用了。但是有的电容在损坏之后可能就会鼓起来，这样的一种电容也不能继续使用。 二、触摸产品外表面 在有一些设备开机之后，可能会有一些比较严重的漏电现象，这些漏电现象较为严重的情况之下，电容就会发热，用手指轻轻触摸就会导致整个电子元器件出现烫手的情况，这种情况下电容也要及时进行更换。 三、内部电解液观察 如果不知道如何判断电子元器件好坏的话，可以观察一下内部的电解液，长时间的烘烤会让电解液慢慢变干，导致整个电的容量逐渐减小。在检查的时候建议大家最好能够重点检查三照片，也要考虑一下大功率的元器件。 电子元器件究竟应该通过哪一些方面来判断一下设备的好坏，通过以上一些方法，相信大家应该有了解。从目前的情况来看，在选择这些电子元器件的时候，一定要综合情况进行分析，只有这样才能带来更好的效果。
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2022/5/17 10:39:41
从智能手机和电动汽车 (EV) 到电动汽车充电站和电信中心，电源管理已日益成为我们日常使用的电子产品的关键因素。前些年，高效电源管理往往需要让位于其他设计因素。但是，这种状况现在发生了改变。在过去 5 到 10 年中，延长电池寿命、减小应用尺寸、提高系统安全性，以及满足消费者对于更可靠、成本更低和充电更快的系统的期望等诸多因素，使得设计人员需要集中更多精力解决关键的电源设计难题。 我们公司在新工艺、封装和电路设计技术方面做出了大量改进并在持续进行，帮助工程师设计出更高效的系统。随着全球的电力消耗越来越大，我们所有人都需要努力提高能源使用效率。如今，5 大关键方面的代际改进正在帮助我们公司进一步推动电源发展。 1、功率密度：在更小的空间内实现更大的功率 电子系统越来越多的功能也提升了对电力的需求。因此，需要在给定的外形尺寸中提高处理的功率量（即功率密度）。而为了实现这一目的，则需要更高的效率和开关频率。电源设计人员使用我们的 TPS229922 负载开关和带有集成驱动器的 LMG3422R030 氮化镓 (GaN) FET 等器件，能在更小的空间中实现更大功率，从而使他们的产品脱颖而出，提高效率并改善热性能。就 GaN 而言，客户对于交流/直流充电器和服务器电源等应用表现出极大的兴趣，在这些应用中，更高的密度和效率会显著提升价值。当然，功率密度在几乎所有应用中都至关重要，包括太阳能和电动汽车。消费者需要体积更小、功耗更低的解决方案。 2、低 EMI：降低系统成本并快速满足 EMI 标准 降低开关电流和电压所产生的不良电磁干扰 (EMI) 对于电子系统越来越重要，尤其是在汽车和工业应用中。采用低 EMI 设计可以降低无源滤波器的尺寸、成本、设计时间和复杂性。我们的同步直流/直流降压控制器系列等功率半导体使工程师能够缩小电源解决方案的尺寸并降低其 EMI。借助 LM2...
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2022/5/17 9:25:37
在伦敦举行的 IFS2022 上，Future Horizons 的首席执行官 Malcolm Penn表示，半导体行业已经过了过山车市场周期的顶峰，并开始急转下降。 Penn 说，虽然 2022 年不会是一场灾难，但 2023 年将会是一场灾难。在他看来，今年芯片的增长预测为+6%。+10% 仍然是可能的，但 +4% 也是可能的。“放缓是不可避免的，其幅度取决于时机，”Penn 说，“单位出货量将首先暴跌，然后平均售价将崩溃” Penn 预测，明年市场将转为负值。“由于芯片市场崩溃以及全球经济衰退，该行业的第 17 个下行周期保险丝已经燃烧，”Penn 说。 根据他的预测，2023年Q1，芯片销售将下降-10%；进入第二季度将下降-8%；第三季度将下降-4%；第四季度将下降-2.5%。全年将下降-22%。 由于供应商和用户之间缺乏协作，这些周期是地方性的。“客户的预测总是错误的——他们比半导体行业更糟糕，”Penn 说。而行业双方的不稳定预测导致需求和供应之间不断失衡。 “行业的周期是由供需失衡而不是市场驱动的，”Penn 说，“使它们匹配的唯一方法是让供应商和客户共同承担建设未来产能的责任。没有人想要那样。” 系统公司应该准备为产能支付更多费用，因为半导体公司每平方厘米硅片可获得 9 美元，而系统制造商每平方厘米可获得 45 美元。“没有人准备在芯片行业投入大量资金，”Penn 说。Penn 表示，苹果是唯一一家准备通过与台积电的了解来投资晶圆厂产能的系统公司，即使这种关系也有其局限性。 所以没有什么可以改变传统的波动周期。 芯片公司的当务之急：确认客户是否真的有需求 第二季产业难逃中国疫情封控影响，使得营运表现大多有压力，而半导体产业由于产业特性，因此短期影响数不一，近期公告4 月营收来看，部分IC 设计业者仍创下新高，包含矽力-KY、杰力、茂达等...
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2022/5/16 13:17:42
基础半导体领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出适用于电力应用的14款整流二极管，采用其新型CFP2-HP（铜夹片粘合FlatPower）封装。提供标准版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二极管（带1 A和2 A选项），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二极管。针对要求超快速恢复的应用，Nexperia还在产品组合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二极管。 在现代汽车架构中，电子控制单元(ECU)的数量正逐渐减少，只剩下负责前桥、后桥和车身控制的高性能、功能丰富的ECU。因此，此类单元的二极管件密度大幅度提高，而为了实现这些更高密度的设计，制造商越来越依赖于现代多层PCB。与使用SMA封装的二极管件相比，采用这些多层PCB的垂直散热设计让设计人员可通过CFP2-HP节省高达75%的电路板空间，同时保持同一水平的电气性能。这种耐用的封装设计可延长二极管件的运行时间并提高板级可靠性，同时新型引线形状可改善自动光学检测(AOI)性能。 Nexperia功率双极性分立二极管件产品组经理Frank Matschullat表示：“目前向CFP等小型封装转变的过程正在顺利进行，而Nexperia旨在成为进一步加速这一过渡的驱动力。Nexperia在扩大产能方面投资巨大，以满足对于CFP封装产品不断增长的市场需求，遥遥领先于未来三年的市场预期。Nexperia目前提供超过240种CFP封装产品，而这些二极管是其中的最新成员。” 如今，CFP封装可用于不同的功率二极管技术，例如Nexperia的肖特基整流二极管、锗化硅整流二极管或恢复整流二极管，但也可以扩展到双极性晶体管。这显著促进了产品的多样性，涵盖单/双配置和1-20 A电流范围，简化电路板设计...
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2022/5/16 13:13:38
宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年5月16日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款高精度薄膜贴片电阻---PEP，适用于工业和航空航天应用。除了先进的阻值范围，Vishay Sfernice PEP的高额定功率和小型外形尺寸均为业界先进，有助于小型化并降低焊点机械应力，从而提高可靠性。 日前发布的电阻包括从0402到1206的四种封装，1206封装额定功率高达1 W（PCB底面无需冷却）。PEP阻值范围39 至900 k，公差低至 0.05 %，工作温度-55 C至+155 C。电阻噪声系数小于-35 dB，电压系数小于0.01 ppm/V，+70 C条件下工作2,000小时负载寿命稳定率典型值为 0.1 %，各项典型指标均优于MIL-PRF-55342G技术要求。 PEP适用于时间和温度条件下要求低噪声、高稳定性的精密应用。最终产品包括仪器、国防和航电导航系统、自动化测试设备、工业电器以及测试测量设备运算放大器。 器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，耐硫能力经过ASTM B809-95湿蒸汽测试。 器件规格表： 1 Pn = 额定功率 2 Pd = 降额功率提高稳定性 3 Pn = 器件安装在氧化铝板上功率为1 W PEP电阻现可提供样品并已实现量产，供周期为16周。
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2022/5/16 13:11:53
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，推出用于 USB 供电 (PD) 设计的三件一套新产品。新的控制器和驱动器提供创新的功能，能显著减少高能效 AC-DC 电源的物料单(BOM)含量，尤其是在100 W 以上的负载范围。 安森美电源转换方案分部高级总监 Shane Chilton 说：“USB PD 是个重要且不断增长的应用，但要满足其能效和尺寸要求对设计人员是严峻的挑战。设计人员采用我们这套新产品，可以从现有 BOM 中删除多达 15 个器件，降低设计成本，同时确保满足USB PD应用的严苛能效和性能标准。” NCP1345 是一款准谐振 (QR) 反激式控制器，应用于高性能离线电源和 USB Type-C PD 快速充电。 高频 QR 工作（高达 350 kHz）能减小磁性器件的尺寸。 由于内置恒定输出电流限制，NCP1345兼容受限制电源 (LPS) 的要求，而快速频率返走功能确保出色的轻载能效。 安森美另一款新品NCP1623 是小尺寸的升压功率因数校正 (PFC) 控制器，额定功率达 300 W，应用于 USB PD 快充适配器和计算机电源。该器件在重载时以临界导电模式 (CrM) 工作，然后随着负载的减少进入非连续导电模式 (DCM)，以在额定负载和轻载时都能实现能效最大化。 NCP1623 在低输入电压可将能效提高到 2%，睡眠模式用电 NCP4307 是一个高性能驱动器，可在多种高性能开关电源拓扑中与同步整流 (SR) MOSFET 一起使用。 该器件将从内部一个 200 V CS 引脚自供电，实现上桥配置和低 VOUT，而不需要一个辅助电源。 双 VCC 引脚选择最佳 VCC 源端以尽量降低损耗，从而优化宽范围 VOUT 应用的设计。
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2022/5/16 9:34:24
兆亿微波商城作为Qorvo的授权分销商，备货TQL9092，目前仓库现货库存充足，TQL9092是一款平坦增益、高线性度、超低噪声放大器，采用2 x 2 mm的小型表面贴装封装。LNA在1.5至3.6 GHz的宽带上提供2 dB（峰间）的增益平坦度。在2.6 GHz时，放大器通常提供22.6 dB增益、65 mA偏置设置下+39.5 dBm OIP3和0.6 dB噪声系数。LNA可以从3.3到5伏的单个正极电源偏置。该设备封装在符合绿色/RoHS标准的2x2毫米工业标准封装中。TQL9092采用高性能E-pHEMT工艺进行内部匹配，仅需五个外部组件即可从单个正极电源运行：外部射频扼流圈和阻塞/旁路电容器，以及连接至引脚1的偏置电阻器。该LNA集成了关闭偏置功能，允许在TDD应用中运行。TQL9092针对1.5至4.2 GHz频段的线性性能进行了优化，但可在600 MHz以下工作。有对TQL9092感兴趣的朋友，请及时咨询兆亿微波在线客服，将为您提供满意报价！
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2022/5/13 10:41:05
电子元器件采购商城兆亿微波作为ADI优势分销商，备货HMC862ALP3E，该HMC862A是一款低噪声、可编程分频器，采用3 mm × 3 mm、无引脚表贴封装。在0.1 GHz至24 GHz 输入频率范围内，该分频器N可编程并采用1、2、4或8分频。该器件具有低相位噪声、宽频率范围和灵活的分频比，适用于高性能宽带通信系统。应用卫星通信系统点对点和点对多点无线电军事应用测试设备优势和特点低噪底：-153 dBc/Hz（100 MHz失调时）可编程分频器(N)N = 1、2、4或8宽带宽：0.1 GHz至24 GHz低功耗：81 mA（N = 8分频状态）HBM ESD灵敏度，2类认证FICDM ESD灵敏度，C3类认证16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装：9 mm2
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2022/5/13 9:45:30
电流检测放大器具有独特的前端架构，使其输入可支持超过电源的电压。此外，高度匹配的集成电阻器可提高温度范围内的精度和稳定性，同时减小系统的总体大小。此外，这个精度可实现更低的欧姆值分流器和功率损耗。借助我们品类丰富的模拟输出电流检测放大器产品系列，您可以满足系统的精度、漂移和电压要求。 通常用户选型的时候，会根据类别、精度、共模电压、封装、属性来选择型号。这种芯片的封装包括：Wafer Chip Scale、U-QFN 或 QFN、SOT-563、SOT-23、SOP、SOIC等。
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2022/5/13 9:37:31
被动元件大厂国巨今天公布，4月营收新台币101.45亿元新台币，月减4.5%，仍是同期新高，主要是大陆防疫措施使部分客户需求趋缓、出货延迟，且物流影响原物料供给。 国巨自结4月合并营收101.45亿元新台币，较3月106.25亿元新台币减少4.5%，但比去年同期90.17亿元增加12.5%。 国巨指出，4月营收较3月减少，主要是受中国昆山、上海地区封城，导致部分客户因停工而造成需求减缓及出货延迟，且物流运输也影响原物料的进出供给。 累计今年前4月国巨自结合并营收402.74亿元新台币，较去年同期327.61亿元新台币成长22.93%。 展望第2季，国巨表示，虽然中国厂区生产营运正常，但后续仍需密切关注封城、物料供给及物流运输等不确定因素，审慎应对业绩及营运展望。
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2022/5/12 14:07:59
基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合，重点发布的BUK9M20-60EL为单N沟道60 V、13 mOhm导通内阻、逻辑控制电平MOSFET，应用于LFPAK33封装。ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET。此产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供的一系列ASFET中的最新产品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增强安全工作区(SOA)技术，此技术是专为提供出色的瞬态线性模式性能（安全气囊应用中的关键性能指标）而量身定制。BUK9M20-60EL可在新LFPAK33封装中实现此性能，与旧DPAK封装相比，在保持了原有的鲁棒性的同时，还可节省84%的布板空间。 Nexperia的高级产品营销经理Norman Stapelberg表示：“其他同类产品使用的是旧DPAK封装，通常基于DMOS和第一代Trench技术，而这些技术正逐渐被许多晶圆制造商淘汰。此ASFET产品组合搭配使用最新的晶圆Trench技术和LFPAK封装，可满足最新的可靠性标准。借助最新的制造和封装技术，Nexperia提高了供应链的可持续性，并能够更好地满足此类产品持续增长市场的需求。”
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2022/5/12 14:05:57
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CIPOS Tiny IM323-L6G 600 V 15 A新产品，进一步扩展其CIPOS? Tiny智能功率模块（IPM）系列的产品阵容。这款全新的IPM采用了TRENCHSTOP? RC-D2 IGBT功率开关器件和先进的SOI栅极驱动技术，可最大限度地提高效率，实现更高的可靠性，同时尽最大可能缩小外形尺寸并降低系统成本。将分立式功率半导体和驱动器进行一体化集成封装，使得设计师可以节省投入在产品设计上的时间和精力，从而显著加快产品上市速度。该模块可用于主要的家用电器 ，尤其是室内空调的驱动器。 CIPOSTM Tiny IM323 CIPOSTM Tiny IM323-L6G经过优化，可用于功率高达1.2 kW、开关频率范围为1-20 kHz的三相逆变器。该器件采用了先进的600 V TRENCHSTOP? RC-D2 IGBT技术，在IGBT上集成二极管，最高工作结温为175 ?C。此外，这款全新的IPM还搭载了坚固耐用的新C5 SOI栅极驱动器，能够从容应对电机输出端负压尖峰，确保实现至少3 ?s的抗短路能力，提高故障下的自保护能力和安全性。当出现过流和欠压情况时，该IPM可防止交叉导通并关断所有开关。 IM323-L6G采用稳健且带引脚的33 x 19 mm2 DIP封装，内置NTC热敏电阻，可为结构设计提供高度的灵活性。它所采用的封装具有更好的稳健性，因而也带来了更高的可靠性。该模块还采用了最新的功率开关器件和栅极驱动技术，能够达到极其出色的性能。此外，英飞凌自有的前道和后道工厂进行生产，也保障了供货的稳定。 供货情况 IM323-L6G和iMOTION?模块化应用设计套件MADK现在可接受订购。到2022年底，CIPOSTM Tiny IM323产品系列将进一步扩展，增加6 ...
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2022/5/12 14:03:57
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo?（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。 UnitedSiC（即Qorvo）功率器件总工程师Anup Bhalla称：“性能较高的第四代产品扩充了我们的1200V产品系列，让我们能更好地服务于将总线设计电压提高到800V的工程师。在电动车中，这种电压升高不可避免，而这些新器件有四个不同RDS(on)等级，有助于设计师们为每个设计选择最适合的SiC产品。” 新UF4C/SC系列的亮点就在于下表中出色的SiC FET性能表征： 所有RDS(on)产品（23、30、53和70毫欧）都采用行业标准4引脚开尔文源极TO-247封装，在较高的性能等级下提供更清洁的开关。53和70毫欧器件还采用TO-247 3引脚封装。该系列零件在控制得当的热性能基础上实现了出色的可靠性，这种热性能是先进的银烧结晶粒连接方式和先进的晶圆减薄工艺带来的结果。 FET-Jet CalculatorTM是一种免费的在线设计工具，包含了所有的1200V SiC FET，可以立即评估各种交直流和隔离/非隔离直流转换器拓扑中所用器件的能效、组件损耗和结温上升。它可以在用户指定的散热条件下比较单个器件和并联的器件，从而得到最优解决方案。 新1200V第四代SiC FET的定价（1000件起，FOB USA）从$5.71（UF4C120070K3S）到$14.14（UF4SC120023K4S）不等。所有器件都由授权经销商销售。 ...
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2022/5/12 14:01:58
电子元器件有很多，比如电阻、电容、芯片、二极管和三极管等等。电子元器件的应用领域也很广，比如晶闸管（可控硅），电感线圈，变压器，晶体振荡器，耳机，电阻，电容等，这些都利用了电子元器件。任何产品在生产的时候都会产生一些外观不良，电子元器件当然也不例外。那么，电子元器件的外观质量如何检查呢？ 一、电子元器件外观质量如何检查？ 在对电子元器件识别与检测时应按照以下操作进行： 1、要检查元器件的型号、规格、厂商、产地必须与设计要求相符合，外包装完好。 2、电子元器件的电极引线要无压折和弯曲，镀层要完好光洁，无氧化锈蚀。 3、检查电子元器件的外观必须完好，表面有无凹陷、划伤、裂纹等缺陷，外部如有涂层的元器件必须无脱落和擦伤。 4、电子元器件上的型号、规格标记要清晰、完整，色标位置、颜色要满足标准，应认真检查集成电路上的字符。 5、机械结构的元器件尺寸要合格、螺纹灵活、转动手感合适。 6、开关类元器件操作灵活，手感良好；接插件松紧要适宜，接触良好。 各种电子产品中的元器件均有自身特点，检查时要按各元器件的具体要求确定检查内容。 二、电子元器件外观检测设备推荐 一般电子元器件需要检测的是各种外部凹凸，尤其是所谓突角，毛边等的凹凸，如果是用人眼检测的话，就会出现各种问题，比如人的精神状态问题，情绪好坏等会影响外观检测的精度，导致产品的不良率上升，或者是有些缺陷人眼是检测不出来的，因此需要利用外观检测设备来实现，以下是电子元器件外观检测设备的推荐。 1、ccd自动化视觉检测设备 CCD自动化视觉检测设备，在检测电感的时候，检测的效率非常高，检测的精度也很高。ccd自动化视觉检测设备可以直接提取电子元件的外观图像，当判断外观图像可用时，从外观图像中识别出第一区域，根据第一区域对外观图像进行检测，一键生成电子元件的检测结果，良品与不良品自动分离出来，在很大程度上解决了产...
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2022/5/12 13:31:33
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。 TOLL 封装的尺寸仅为 9.90 mm x 11.68 mm，比 D2PAK 封装的PCB 面积节省30%。而且，它的外形只有 2.30 mm，比 D2PAK 封装的体积小 60%。 除了更小尺寸之外，TOLL 封装还提供比 D2PAK 7 引脚更好的热性能和更低的封装电感 (2 nH)。 其开尔文源极(Kelvin source)配置可确保更低的门极噪声和开关损耗 – 包括与没有Kelvin配置的器件相比，导通损耗 (EON) 减少60%，确保在具有挑战性的电源设计中能显著提高能效和功率密度，以及改善电磁干扰(EMI) 和更容易进行PCB 设计。 安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理 Asif Jakwani 说：“能在小空间内提供高度可靠的电源设计正成为许多领域的竞争优势，包括工业、高性能电源和服务器应用。将我们同类最佳的 SiC MOSFET 封装在TOLL 封装中，不仅减小空间，还在诸多方面增强性能，如 EMI和降低损耗等，为市场提供高度可靠和坚固的高性能开关器件，将帮助电源设计人员解决对其严格的电源设计挑战。” SiC 器件比硅前辈具有明显的优势，包括增强高频能效、更低的EMI、能在更高温度下工作和更可靠。 安森美是唯一具有垂直集成能力的SiC方案供应商，包括 SiC 晶球生长、衬底、外延、晶圆制造、同类最佳的集成模块和分立封装解决方案。 NTBL045N065SC1是首款采用 TOLL 封装的 SiC MOSFET，适...
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2022/5/12 9:14:22
英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布了一项全新的CoolSiC?技术，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统，如光伏逆变器。同时，这款芯片也是电动汽车快充、储能系统和其他工业应用的理想选择。 CoolSiC技术取得的最新进展使得栅极驱动电压窗口明显增大，从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时，随着栅极运行窗口的扩大，栅极能很好地耐受与驱动器和布局相关的电压峰值，即使在更高开关频率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技术，还可通过采用不同封装使不同型号的产品实现更高功率密度，为设计工程师提供更多选择，助力其提升应用性能。 Easy模块可实现更高的功率密度 M1H将被集成到备受青睐的Easy系列中，以进一步优化Easy 1B和2B模块。此外，英飞凌还将推出一款新产品，利用全新的1200 V CoolSiCTM MOSFET技术和增强Easy 3B模块。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了灵活性，适用于广泛的工业产品组合。采用M1H芯片，可显著降低模块的导通电阻，让设备更加可靠和高效。 CoolSiCTM MOSFET 1200V Easy 3B 此外，M1H芯片的最高结温为175°C，具备更出色的过载能力，可实现更高的功率密度，同时扩展了系统安全工作区。与其前身M1芯片相比，M1H芯片实现了更低的内部栅极电阻（RG），这有利于轻松优化开关特性。M1H芯片保持了其动态特性。 具备超低导通电阻的分立式封装 除了集成Ea...
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2022/5/11 11:24:09
凭借在为高压系统开发新的隔离制造技术和集成电路 (IC) 方面二十余年的经验，德州仪器 (TI)（纳斯达克代码：TXN）今天推出了新的固态继电器产品系列，包括符合汽车标准的隔离驱动器和开关，这些产品可提供业内出色的可靠性，帮助提高电动汽车 (EV) 的安全性。这些新的隔离式固态继电器还支持超小尺寸的解决方案，同时降低动力总成和 800V 电池管理系统的物料清单 (BOM) 成本。如需更多信息，请访问 ti.com/ssr-pr。 具有集成 10V 栅极电源的 TPSI3050-Q1 隔离式开关驱动器以及 TPSI2140-Q1 1400V、50mA 隔离式开关均使用独特的方法，通过单一隔离栅集成了电源和信号隔离，从而提高可靠性，同时显著减小解决方案尺寸和降低成本（与现有的机电继电器和固态光继电器相比）。这些器件是全新固态继电器产品系列中的第一款，该产品系列还将包括专为高压工业应用设计的集成电路器件。要详细了解固态继电器的优势，请阅读技术文章'如何使用固态继电器实现更高可靠性的隔离和更小尺寸的解决方案'。 '高压系统正变得越来越普遍，尤其是随着电动汽车的普及。在 TI，我们非常专注于为系统设计人员寻找解决复杂隔离难题的新方法，例如在行业向 800V 电池过渡时确保车辆可靠和安全运行，同时减小解决方案尺寸和降低成本，'德州仪器 (TI) 电源开关、接口和照明副总裁兼总经理 Troy Coleman 说。'通过在隔离技术中集成了更多功能，我们的新型固态继电器使工程师能够减小高压电源的尺寸并降低其成本和复杂性，同时保障下一代汽车和工业系统的安全性。' 通过集成隔离技术实现更高的系统可靠性 新型固态继电器可以在几微秒内通过单个隔离栅断开和连接负载（而机电继电器则需要数毫秒），从而实现高压汽车系统的更安全运行。TPSI3050-Q...
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2022/5/11 11:21:48