HMC986A是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关在0.1 GHz至50 GHz宽带频率范围内通常提供2.3 dB的低插入损耗和30 dB的高隔离度。该开关在−5 V至−3 V范围内采用两个负逻辑控制电压工作。这些电气性能数据均通过HMC986A的RFx焊盘获取，这些焊盘通过最小长度为3.0 mil × 0.5 mil的焊线和50 Ω传输线路连接。具备的特性宽带频率范围：0.1 GHz至50 GHz反光50Ω设计低插入损耗：50 GHz时为2.3 dB高隔离度：50 GHz时为30 dB高输入线性度1 dB功率压缩（P1dB）：典型值为28 dBm三阶截距（IP3）：典型值为40 dBm高功率处理通过路径为27 dBm13垫，0.98毫米×0.75毫米×0.1毫米，芯片应用测试仪器微波无线电和甚小口径终端军用无线电、雷达和电子对抗措施（ECM）宽带电信系统
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2026/8/27 15:18:42
LTC3803-5是一款恒定频率电流模式控制器，适用于ThinSOT微型封装中的反馈式、SEPIC和DC/DC升压转换器应用。LTC3803-5的设计使其引脚都不需要与它所属的电源电路的输入或输出电压接触，从而可以转换远远超过LTC3803-5's绝对最大额定值的电压。主控制回路分析：外部电阻分压器向VFB引脚提供输出电压的一小部分。分压器的设计必须使输出达到所需电压时，VFB引脚电压等于内部参考的800mV。如果负载电流增加，输出电压将略微降低，导致VFB引脚电压降至800mV以下。误差放大器通过向ITH/RUN引脚馈送电流来响应。如果负载电流减小，VFB电压将上升到800mV以上，误差放大器将吸收ITH/RUN引脚的电流。ITH/RUN引脚处的电压命令由振荡器、电流比较器和RS锁存器形成的脉宽调制器。具体来说，ITH/RUN引脚上的电压设置了电流比较器的跳闸阈值。电流比较器监测与外部MOSFET的源极端子串联的电流感测电阻器两端的电压。当内部自由运行的200kHz振荡器设置RS锁存器时，LTC3803-5打开外部功率MOSFET。当电流比较器重置锁存器或达到80%占空比时（以先发生者为准），它会关闭MOSFET。通过这种方式，通过反激变压器初级和次级的峰值电流水平由ITH/RUN电压控制。由于当输出电压低于标称值时，误差放大器会增加ITH/RUN电压，而当输出电压超过标称值时则会降低ITH/RUN电压，因此电压调节回路是闭合的。例如，每当负载电流增加时，输出电压将略微降低，并且感测到这一点，误差放大器通过向ITH/RUN引脚提供电流来提高ITH/RUN电压，提高电流比较器阈值，从而增加通过变压器初级和次级的峰值电流。这为负载提供了更多的电流，使输出电压回升。ITH/RUN引脚用作控制回路的补偿点。通常，外部串联RC网络从ITH/RUN连接到地，并被选择用于对负载...
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2026/8/27 15:12:16
LTC3803-5是一款恒定频率电流模式反激式控制器，专为在高输入电压应用中驱动N沟道MOSFET而优化。LTC3803-5的输入低至5V。在非常轻的负载下保持恒定频率运行，从而在宽范围的负载电流下减少低频噪声的产生。斜率补偿可以用外部电阻器编程。LTC3803-5提供±1.5%的输出电压精度，仅消耗240μA的静态电流。接地参考电流感测允许基于LTC3803-5的转换器接受超过LTC3803-5VCC绝对最大值的输入电源。为了简单起见，LTC3803-5由于其内部分流调节器，可以通过电阻器从高VIN供电。当输入电压过低，无法为外部MOSFET提供足够的栅极驱动时，内部欠压锁定会关闭IC。LTC3803-5采用薄型（1mm）6引脚SOT-23（ThinSOT™）封装。特性VIN和VOUT仅受外部组件限制4.8V欠压锁定阈值工作结温为-55°C至150°C可调斜率补偿内部软启动恒定频率200kHz运行±1.5%参考精度电流模式操作，实现出色的线路和负载瞬态响应无最低负载要求低静态电流：240μA薄型（1mm）SOT-23封装应用42V和12V汽车电源电信电源辅助/内务电源
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2026/8/27 15:06:57
Mini-Circuits的RCMX系列机械开关组件包含成对锁存的机电SPDT到SP8T开关，这些开关在从直流到67 GHz的宽带宽下工作，具有高隔离性和低插入损耗。每个开关采用吸收/内部终端，采用先断开（break-before-make）配置，典型开关周期为200万次。这些开关采用紧凑的台式封装，所有射频连接器都安装在前端。交换机组件可以通过USB或以太网控制（支持SSH、HTTP和Telnet网络协议）。提供完整的软件支持，包括用户友好的Windows图形界面应用，以及为Windows和Linux环境提供编程说明的完整API。主要特色：机械式SPDT、SP4T、SP6T和SP8T吸收开关在67 GHz高频段下表现优异的锁存开关高可靠性，数百万次循环带电源的紧凑型台式封装软件控制与自动化免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/8/27 14:56:29
德州仪器 (TI) 推出了全新的多轴无磁芯霍尔效应电流传感器，专为所有混合动力汽车和纯电动汽车 (HEV/EV) 的牵引逆变器应用而设计。TMCS2100-Q1 传感器通过多轴测量和专有算法的结合，提供了一种创新的电流传感方法，有助于缓解牵引逆变器设计中精度和系统尺寸之间的权衡。现有的无芯解决方案仅限于单轴测量，而 TMCS2100-Q1 传感器可同时测量水平和垂直方向磁场。这种多轴测量的精度是单轴无芯解决方案的 20 倍，在 0.4mm 移动时实现的位移误差小于 1%，在 0.1mm 移动时低至 0.25%。这种精度水平改善了 EV 动力总成扭矩控制回路，在不同的负载和温度条件下最大限度地提高了效率和功率输出。TI 目前的传感技术通过以下方式解决了这一权衡问题（精度、尺寸和重量之间进行权衡）：同时测量两个轴：车辆运行过程中的振动会导致传感器和导体之间产生产生相对位移，从而影响单轴差分无芯传感器的测量精度。TMCS2100-Q1 传感器通过同时测量水平和垂直轴上的磁场，显著减少了振动引起的误差。提升测量精度：减少误差并保持准确的电流测量精度，可以最大限度地减少磁串扰影响和转矩脉动，从而改善加速不平稳、电机噪音增加和运行效率低下的问题，进而减少对续航里程的影响。通过在不牺牲精度的情况下采用无芯设计，TMCS2100-Q1 传感器实现了更小、更高功率密度的牵引逆变器设计，帮助汽车制造商制造出更高效、续航里程更长、驾驶更愉快的 EV。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/8/27 14:52:05
瑞萨宣布，在中国北京设立物理AI与机器人实验室。该实验室将作为面向客户的系统级展示、验证与共创平台，助力瑞萨加速推进物理AI战略，并推动机器人创新从概念验证迈向规模化部署。物理AI代表着AI发展的下一阶段，即智能从数字环境延伸至真实世界中运行的系统。不同于数字AI应用，这类系统必须能够以确定的方式，在真实环境中安全、实时地感知、决策并行动。机器人，尤其是人形机器人，是物理AI的典型体现，需要嵌入式处理、传感、执行、电源管理、软件及开发工具等多项技术的高度协同。实验室的设立进一步体现了瑞萨对物理AI这一核心增长领域的长期投入。瑞萨已于2026年7月1日成立物理AI事业部。实验室将整合硬件、软件、AI建模、控制、电源、传感及系统级验证等多维能力，支持从概念验证到客户应用、再到量产部署的完整工程化路径。作为连接客户需求、生态资源与前沿技术的重要载体，该实验室将不仅是产品展示空间，更将作为推动物理AI与机器人技术发展的创新平台。凭借覆盖大脑与运动控制、传感、执行及电源管理等关键系统领域的全面产品组合，瑞萨在服务物理AI与人形机器人方面具备独特优势。依托数十年来在汽车与工业应用领域积累的经验，瑞萨将硬件技术与功能安全、边缘AI以及Renesas 365——其云端电子开发平台等相结合，帮助客户设计更安全、更智能的机器人系统，打造可扩展可复用的解决方案。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/8/27 14:42:24
英伟达将NVIDIA NVLink融合 与NVIDIA NVHBM结合，这是一种下一代高带宽内存技术，为XPU带来更高的内存性能和效率。该设备将由内存合作伙伴验证并提供，将这一内存能力扩展到NVLink Fusion客户。传统的HBM架构将内存控制器放置在XPU芯片上，消耗了本可用于计算的宝贵硅片区域。NVHBM基于NVIDIA未来GPU将采用的相同技术，将NVIDIA定制的内存控制器集成到HBM基础芯片中。通过将内存控制器集成到三维HBM堆栈中而非XPU，NVHBM相比标准HBM4E可提供最多30%的内存带宽和15%的HBM功耗降低，并在 XPU计算芯片上释放多出25%的空间。NVIDIA 正在建立一个标准的 NVHBM 实现，可由多个内存提供商提供。这减少了跨多家供应商集成和认证内存所需的工程工作量，为NVLink Fusion客户提供了更快将定制AI芯片推向市场的路径。 亚马逊的Annapurna Labs将成为首个参与NVHBM项目的机构，作为其与NVIDIA围绕NVLink Fusion更广泛合作的一部分。NVLink Fusion使合作伙伴能够将定制XPU和CPU连接到NVIDIA的机架级平台。合作伙伴可以访问NVIDIA NVLink芯片组、NVLink-C2C、NVLink交换机以及NVIDIA MGX系统和机架，以及广泛的CPU合作伙伴、ASIC设计者、系统制造商和技术提供商的生态系统。NVLink Fusion 与 NVIDIA 机架级系统架构的每一代都提供，使超大规模企业和 AI 原生公司能够将工程资源集中于 XPU 创新，同时采用经过验证的技术栈进行大规模和扩展网络、机架级系统和软件——创造更快速、更低风险的半定制 AI 基础设施部署路径。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所...
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2026/8/27 14:38:47
Bourns的BTN06G系列是一款0603尺寸的芯片型SMD NTC热敏电阻，专为热传感应用而设计。该系列采用具有负温度系数特性的半导体陶瓷技术进行温度传感、监测和补偿。材料和工艺控制保持稳定的电阻温度特性、高可靠性，并与标准无铅回流焊接工艺兼容。具备的特性用于热传感的SMD NTC热敏电阻高度稳定的电气特性结构高度可靠工作温度：-40°C至+125°C应用电池组NBPC、智能手机LED显示屏、照明通信设备AC适配器办公自动化设备免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/8/27 14:32:33
Molex 宣布对 CAEPlus, Inc. 进行战略投资。CAEPlus 是一家专注于开发主动液冷技术的初创公司，致力于帮助数据中心管理由 AI 和高性能计算 (HPC) 工作负载驱动、不断增长的热负荷。此项投资将通过加速 CAEPlus 的 BoundaryCool™ 平台创新，推动 Molex 的数据中心热管理战略发展。BoundaryCool™ 平台是一种紧凑的主动冷却架构，可应对下一代 GPU/ASIC 的热挑战。该战略合作将持续推动 BoundaryCool 平台的进步。该平台经过精心设计，与被动式冷板解决方案相比，可显著提高传热性能，并大幅降低 CPU/GPU/TPU 芯片温度，同时保持与传统数据中心架构的兼容性。“CAEPlus 的成立旨在通过打造全新类别的主动液冷解决方案，应对数据中心冷却需求的快速变化。除了资金投入，Molex 还带来深厚的工程专业知识和助力创新技术规模化落地的卓越经验。”CAEPlus, Inc. 创始人兼首席执行官 Milad Bashirzadeh 表示，“我们非常期待携手推进我们的专有冷却技术，满足业界对更高性能和效率的严苛要求。”将 CAEPlus 技术纳入 Molex 全面的热管理产品组合，将为数据中心客户提供更广泛，且经过精心设计的解决方案，以应对最为严苛的计算需求。作为协议的一部分，Molex 保留将 CAEPlus 技术应用于 Molex 可插拔 I/O 解决方案产品组合的独家许可。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件的相关信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/8/27 14:27:46
YAGEO正在扩展其 AO-CAP® 铝聚合物贴片电容产品线，推出全新的 125ºC/3000h 规格产品，ESR 低至 3mΩ，并新增 EIA7340-21 封装、820μF 额定电容型号。通过全新的材料配置和制造工艺优化，产品可实现 125ºC 条件下额定电压寿命及无偏压存储寿命长达 3000 小时。YAGEO Group 的 A720 和 A798 AO-CAP® 有机铝电容属于固态铝电容。其阴极采用固态导电有机聚合物，因此具有极低的 ESR，并在高频条件下保持优异的电容保持能力。AO-CAP® 可在高达额定电压 100% 的稳态电压下运行，无需降额使用。该特性源于介质与聚合物对电极之间的低应力界面，是一项有利于可靠性的关键参数。由于不含液态电解液，A720/A798 系列具备长寿命、低 ESR 及高温运行能力等优势。通过设计优化及精选材料升级，125ºC 条件下的额定电压寿命已扩展至 3000 小时，适用于 4.5mΩ 和 3mΩ 产品规格。此外，存储寿命同样扩展至 125ºC。对于 A798 系列，在保持 85ºC/85%RH/Ur 条件下湿热偏压能力的同时，寿命可达 1000 小时。该产品系列主要应用于低电压电源轨，包括典型 DC/DC 转换器、服务器、电信设备、显示设备以及工业应用。产品特性固态聚合物阴极技术低 ESR 和低热阻更高的类别温度和更长的使用寿命在温度和湿度条件下保持稳定的电气参数（电容、ESR、DCL 等）无需电压降额使用免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/8/27 14:24:00
LTC4001是一款2A锂离子电池充电器，适用于5V壁式适配器。它利用1.5MHz同步降压转换器拓扑结构来降低充电过程中的功耗。低功耗、内部MOSFET和感测电阻器允许物理上较小的充电器嵌入到各种手持应用中。LTC4001包括完整的充电终止电路、自动充电和±1%的4.2V浮动电压。包括输入短路保护，因此不需要阻塞二极管。电池充电电流、充电超时和充电结束指示参数由外部组件设置。其他功能包括短路电池检测、温度合格充电和过电压保护。LTC4001采用薄型（0.75mm）16引脚（4mm×4mm）QFN封装。特性低功耗2A最大充电电流无需外部MOSFET、感测电阻器或阻断二极管电池端子的遥感可编程充电终止定时器预设4.2V浮动电压，精度为±0.5%可编程充电电流检测/终止自动充电用于温度合格充电的热敏电阻输入与电流受限的墙壁适配器兼容低剖面16引脚（4mm×4mm）QFN封装应用手持式电池供电设备手持式计算机充电座和充电座数码相机
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2026/8/26 15:45:06
MAX77789是一款独立的3.15A充电器，具有集成USB Type-C®检测和反向升压功能。IC的输入电压为4.6V至13.4V，最大输入电流限制为3A。IC还实现了自适应输入电流限制（AICL）功能，通过减少输入电流来调节输入电压，以防止弱适配器的电压崩溃或折叠。IC上的USB Type-C配置通道（CC）检测引脚默认在DRP（双角色端口）中运行，能够自动检测USB Type-C电源和接收设备。为了支持各种传统USB以及专有适配器，该设备还使用D+和D-引脚集成了BC1.2检测。一旦插入USB插头，IC就会自动运行CC引脚和BC1.2检测，而无需任何软件控制。该IC提供高达5.1V、1.5A的反向升压能力，可以通过系统MCU设置的自动方式或寄存器启用。STAT1引脚指示充电状态，而INOKB引脚指示有效输入电压。EXTSM引脚可用于退出船舶模式和强制系统重置（POR），STAT2引脚通过寄存器位选择指示故障检测和充电器检测完成。IC配备了Smart Power Selector™和电池真断开FET，用于控制电池的充电和放电，或在发生故障时隔离电池。该IC支持锂离子和磷酸铁锂电池，其端接电压从3.6V到4.55V不等。该IC采用2.85mm x 2.85mm、0.4mm间距、6 x 6晶圆级封装（WLP），适用于低成本PCB组装。应用程序移动销售点（mPOS）终端便携式医疗设备无线耳机GPS追踪器可穿戴设备充电座充电宝移动路由器
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2026/8/26 15:41:52
LTM8049 是一款双路 SEPIC / 负输出 μModule®(电源模块) DC/DC 转换器。PCB布局LTM8049的高集成度缓解了甚至消除了与PCB布局相关的大多数难题。然而，LTM8049是一种开关电源，必须注意尽量减少电磁干扰并确保正常运行。即使集成程度很高，也可能无法通过随意或糟糕的布局实现指定的操作。建议布局见图1。确保接地和散热合格。要记住的几条规则是：将RFBX和RT电阻器尽可能靠近其各自的引脚。将CIN电容器尽可能靠近LTM8049的VIN和GND连接。将COUT电容器尽可能靠近LTM8049的VOUT和GND连接。放置CIN和COUT电容器，使其接地电流直接在LTM8049附近或下方流动。将所有GND连接连接到顶层上尽可能大的铜浇注或平面区域。避免断开外部组件和LTM8049之间的接地连接。使用通孔将GND铜区域连接到板的内部接地平面。自由地分布这些GND通孔，以提供良好的接地连接和到印刷电路板内部平面的热路径。注意图1中热通孔的位置和密度。LTM8049可以从通孔提供的散热中受益，这些通孔在这些位置连接到内部GND平面，因为它们靠近内部电源处理组件。热通孔的最佳数量取决于印刷电路板的设计。例如，电路板可能会使用非常小的通孔。它应该使用比使用较大孔的电路板更多的热通孔。安全热插拔陶瓷电容器的小尺寸、坚固性和低阻抗使其成为LTM8049输入旁路电容器的有吸引力的选择。然而，如果LTM8049插入带电输入电源，这些电容器可能会导致问题。低损耗陶瓷电容器与电源串联的杂散电感相结合，形成欠阻尼储能电路，LTM8049的VIN引脚处的电压可能会达到标称输入电压的两倍以上，可能超过LTM80419的额定值并损坏零件。如果输入电源控制不佳，或者用户将LTM8049插入通电电源，则输入网络的设计应防止这种过冲。这可以通过在VIN上串联安装一个小电阻器来...
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2026/8/26 15:27:56
ADF4350具有一个集成电压控制振荡器(VCO)，其基波输出频率范围为2200 MHz至4400 MHz。此外，利用1/2/4/8/16分频电路，用户可以产生低至137.5 MHz的RF输出频率。对于要求隔离的应用，RF输出级可以实现静音。静音功能既可以通过引脚控制，也可以通过软件控制。同时提供辅助RF输出，且不用时可以关断。减少循环打滑，缩短锁止时间如低噪声和低杂散模式部分所述，ADF4350包含许多功能，可以优化噪声性能。然而，在快速锁定应用中，环路带宽通常需要很宽，因此，滤波器对杂散的衰减不大。如果启用了循环滑差减少功能，则可以保持窄环路带宽以进行杂散衰减，但仍然可以实现更快的锁定时间。周波脱落当环路带宽与PFD频率相比较窄时，整数N/分数N合成器会出现周跳。PFD输入端的相位误差累积得太快，PLL无法纠正，电荷泵暂时向错误的方向泵浦。这大大减慢了锁定时间。ADF4350包含一个循环滑动减少功能，可扩展PFD的线性范围，在不修改环路滤波器电路的情况下实现更快的锁定时间。当电路检测到循环滑差即将发生时，它会打开一个额外的电荷泵电流单元。这将向环路滤波器输出恒定电流，或从环路滤波器中去除恒定电流（取决于VCO调谐电压是需要增加还是减少以获取新频率）。其效果是PFD的线性范围增加。回路稳定性得以保持，因为电流是恒定的，而不是脉冲电流。如果相位误差再次增加到可能发生另一个周期滑动的点，ADF4350将开启另一个电荷泵单元。这会持续到ADF4350检测到VCO频率已经超过所需频率为止。逐一关闭额外的电荷泵单元，直到所有额外的电荷泵浦单元都被禁用，频率与原始环路滤波器带宽保持一致。最多可以打开七个额外的电荷泵单元。在大多数应用中，这足以完全消除周期滑动，从而提供更快的锁定时间。将寄存器3中的位DB18设置为1可以减少周跳。请注意，PFD需要45%至55%的占空比才能使CSR正常...
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2026/8/26 14:44:14
Vishay宣布，已扩展其汽车级共模扼流圈产品组合，推出四款新型表面贴装器件，旨在提升系统效率并节省电路板空间。Vishay Dale ICM5050-A、ICM6050-A、IFLN-1210BE-A 和 IFLN-1812CZ-A 提供紧凑的机壳尺寸，结合了低 DCR 与高电流能力和阻抗。发布的AEC-Q200认证设备，提供高达+150°C的高温运行，为直流/直流电源、液晶显示屏、照明驱动器、车载以太网网络和电池供电设备提供噪声抑制和滤波。环形共模扼流圈通常提供23毫瓦的DCR，而ICM5050-A、ICM6050-A、IFLN-1210BE-A和IFLN-1812CZ-A则提供从0.4毫瓦到12毫瓦的低DCR，以减少功率损耗并提高这些应用中的效率。ICM5050-A和ICM6050-A是线绕铁氧体共模扼流圈，5050壳体尺寸可提供高达11安和6050壳体尺寸14安培的高电流能力。这些器件的占地尺寸分别为12.0毫米 x 11.0毫米 x 6.0毫米和15.0毫米 x 13.0毫米 x 6.0毫米，通过替换通常尺寸为19毫米×30毫米×28毫米的较大环形共模扼流圈来节省电路板空间。IFLN-1210BE-A 和 IFLN-1812CZ-A 是带有精密绕组的铁氧体共模扼流圈。这些器件在紧凑的1210和1812机箱尺寸下，在100 MHz下提供高达11 Ω的共模阻抗，非常适合抑制CAN、局域网和汽车DC/DC转换器中的EMI噪声。符合RoHS标准、无卤素且采用Vishay Green设计，这四款设备都适合回流焊接，并兼容自动挑选安装。设备规格图如下：免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/8/26 14:22:25
Bourns新推出SM91534ALA型号，它是一种电池管理系统（BMS）信号变压器，专为汽车和能源应用中的高压隔离和噪声抑制而设计。这种单通道变压器集成了增强绝缘和共模扼流功能，以支持BMS架构中的可靠信号传输。该型号针对自动化装配进行了优化，与手动版本相比，提供了一种经济高效的解决方案，同时提高了质量。特性高压：6400 VDC工作电压高达1500 VDC自动引脚终止间隙距离>16.6 mm，过电压II类，海拔5000米冲击电压：12 kV，1.2/50μs符合AEC-Q200和RoHS标准应用程序混合动力和电动动力系统中的电池管理系统（BMS）带电池管理系统的储能电池组免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/8/26 14:18:58
AMD将推出首批支持通用芯片组互连Express连接的Versal自适应SoC，实现与为专用工作负载打造的共封芯片组的直接通信。Versal 射频设备支持什么？AMD Versal™ RF 系列设备将成为首批支持 UCIe 1.1 连接的 Versal 自适应 SoC。它们将支持最多四个独立的UCIe-SP（标准封装）接口和最多两个UCIe-AP（高级封装）接口，提供多太比特每秒的整合封装带宽。随着市场成熟，将会增加支持UCIe的更多AMD自适应SoC。Versal RF 系列设备有什么独特之处？Versal RF 系列自适应 SoC 集成了高分辨率射频数据转换器、专用的硬知识产权（IP），用于数字信号处理（DSP）、人工智能引擎和可编程逻辑，集成在单芯片设备中。它们提供高达80次TOPS（万亿次/秒运算）的异构DSP计算，并通过将六个设备的功能整合到一个封装中，实现显著的SWAP-C（体积、重量、功耗和成本）优势。加入UCIe连接将显著扩展这些能力，使Versal RF系列芯片组能够直接与针对特定工作负载优化的共封芯片组通信，例如：第三方射频AFE或数据转换器人工智能加速芯片组CPUGPU 专用计算定制安保引擎通信处理器专用ASIC应用芯片组有什么变化？芯片组将专用功能更靠近。历史上，集成射频前端、人工智能加速器、光接口、内存子系统或定制ASIC需要板级连接，这会增加延迟、功耗、体积和设计复杂度。UCIe提供标准化的封内互连，使异构芯片组（包括不同厂商的硅片）之间能够高效通信。UCIe的优势将使客户能够利用现有且经过验证的芯片组构建定制系统，节省时间并降低重新设计大型单片SoC的成本。这些福利包括：高带宽小芯片间通信与采用板级 GTM2 串行接口的 AMD 设备相比，延迟更低，功耗更佳经过验证的硅知识产权的再利用降低开发成本的潜力更快上市时间通过芯片组集成实现设计灵活性为...
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2026/8/26 14:08:44
英伟达宣布SpaceXAI 将部署 NVIDIA Vera CPU，加速其下一代代理型人工智能应用，将首款专为 AI 代理打造的 CPU，带入全球最具雄心的人工智能部署之一。代理型AI应用越来越依赖CPU来协调工具、执行代码、处理数据并在模型调用之间运行仿真。SpaceXAI 将利用 Vera 加速这些应用工作负载，帮助 AI 代理更快行动，同时保持 GPU 的供应和充分利用。SpaceXAI 计划在 NVIDIA Vera Rubin 上扩展其 Grok 的人工智能基础设施，同时通过第一代 Starmind 卫星将优化后的 Vera Rubin NVL72 扩展到太空。NVIDIA Vera是首款专为AI代理打造的CPU，旨在加速模型推理中对CPU密集型的工作——从工具使用、代码执行到数据处理、编排和仿真。Vera 配备 88 个 NVIDIA 设计的奥林巴斯核心、NVIDIA 空间多线程技术和高带宽LPDDR5X内存，提供高达 1.2TB/s 的带宽。Vera 使任务完成速度比 x86 CPU 快多达 1.8 倍，涵盖代理人工智能、强化学习和数据处理等工作负载。SpaceXAI 通过 NVIDIA Vera Rubin扩展 AI 基础设施在大规模上，AI 基础设施必须支持高强度的训练、推理和推理工作负载，同时最大化性能、能效和利用率。NVIDIA Vera Rubin在计算、网络和软件方面共同设计，旨在优化整个AI工厂。该平台将 NVIDIA 加速计算、NVIDIA NVLink™ 互连技术、NVIDIA Spectrum-X™ 以太网网络、NVIDIA BlueField 数据处理和 NVIDIA 软件集成为一体化架构，旨在大规模实现高性能和能效，同时降低每枚代币的成本。®随着SpaceXAI向千兆瓦计算能力扩展，Vera Rubin提供了一套通用架构，高效...
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