基本连接ADL5519 电子元器件规定最高工作频率可达 10 GHz。因此，低阻抗电源引脚之间必须具备足够的隔离。应向 VPSA、VPSB 和 VPSR 施加 3.3 V 至 5.5 V 的电源电压。建议在靠近这些电源引脚的位置连接 100 pF 和 0.1 μF 的电源去耦电容（见文中图片）。LFCS P 封装底部的散热焊盘在内部连接到 COMR。为获得最佳热性能和电气性能，应将该焊盘焊接至低阻抗接地平面。输入信号耦合ADL5519 的输入是差分的，但通常以单端方式表征和使用。当以单端模式使用 ADL5519 时，INHA 和 INHB 引脚必须交流耦合，而 INLA 和 INLB 必须直流接地。建议使用的耦合电容为 47 nF、陶瓷 0402 封装电容器，适用于 1 MHz 至 10 GHz 的输入频率。耦合电容应尽量靠近 INHA、INHB 和 INLA、INLB 引脚安装。增大耦合电容值可降低输入级高通截止频率。高通截止角频率由输入耦合电容与内部 10 pF 高旁路电容共同设定。INHA、INHB 和 INLA、INLB 上的直流电压约为比电源电压低一个二极管压降。虽然输入可以进行电抗匹配，但通常不需要严格的电阻匹配。如文中图片所示，在输入耦合电容的信号侧并联一个外部 52.3 Ω 分流电阻，结合相对较低的高频输入阻抗，可在宽频带内实现良好的 50 Ω 匹配。耦合时间常数（50 × Cc / 2）形成一个高通转角频率，其 -3 dB 衰减点为：f_HP = 1 / (2π × 50 × Cc)其中 C1 = C2 = C3 = C4 = Cc。若采用典型值 47 nF，则该高通转角频率约为 -68 kHz。在高频应用中，f_HP 应尽可能大，以最小化不需要的低频信号的耦合。在低频应用中，出于类似原因，可在输入端添加一个简单的 RC 网络...
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2026/2/27 14:05:09
ADL5519 是一款双路解调对数放大器，内部集成两个 AD8317。它可将射频（RF）输入信号精确转换为对应的分贝刻度输出。ADL5519 为两个 RF 测量通道提供精确缩放、相互独立的对数输出电压。该器件还设有两个额外输出端口 OUTP 和 OUTN，用于提供 OUTA 与 OUTB 通道测量值之间的差值。芯片内通道匹配设计使对数放大器输出不受温度和工艺变化的影响。温度传感器引脚提供一个与器件工作温度范围内温度成比例的缩放电压。ADL5519 在 1 MHz 至 8 GHz 频率范围内保持精确的对数 conformity，并可在高达 10 GHz 的频率下有效工作。其 ±3 dB 动态范围典型值为 62 dB，±1 dB 动态范围大于 50 dB（相对于 50 Ω）。该器件响应时间为 6 ns / 8 ns（下降时间/上升时间），支持检测脉冲重复频率高于 50 MHz 的 RF 突发信号。在环境温度变化条件下，该器件提供前所未有的对数截点稳定性。并且该器件供电电压范围为 3.3 V 至 5.5 V。典型功耗为 60 mA，禁用时电流降至低于 1 mA。该器件可同时执行四路对数放大器测量。OUTA 和 OUTB 提供线性-in-dB 测量输出，具有 convenient 的 -22 mV/dB 缩放斜率。OUTA 与 OUTB 之间的对数差值可通过 OUTP 和 OUTN 以差分或单端信号形式输出。施加于 VLVL 引脚的可选电压可为 OUTP 和 OUTN 提供共模参考电平，使其高于地电位。宽带输出引脚可支持多种系统解决方案。ADL5519 的任意输出引脚均可配置为向可变增益放大器（VGA）提供控制电压。设计上特别注重最小化输出引脚的宽带噪声，使其适用于控制器应用。ADL5519 电子元器件主要采用 SiGe 双极 IC 工艺制造，封装为 5 mm ...
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2026/2/27 13:57:33
TA9010K 是一款宽带 GaN 功率晶体管电子元件，可在 20 MHz 至 5.0 GHz 频段内提供 2 W 连续波输出功率。其输入和输出端口可针对目标频段进行匹配，以实现最佳功率与效率。该特罗半导体 GaN 射频晶体管可直接使用 28 V 电源供电，无需额外增加 12 V 电源轨，从而简化功率放大器驱动级的设计。封装方式TA9010K 电子元件采用紧凑、低成本的无引线四方扁平封装（QFN），尺寸为 3.0 × 3.0 × 0.75 mm³，共 8 引脚塑料封装。特性2 W GaN 驱动级典型工作电压：28 V频率范围：20 MHz 至 5.0 GHz小信号增益 @ 1000 MHz：20 dBP₃dB 点增益 @ 1000 MHz：15 dBP₃dB 点功率附加效率（PAE）@ 1000 MHz：45%应用领域专用移动与国防无线电设备公共安全手持终端蜂窝网络基础设施卫星终端数据链路系统
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2026/2/27 13:45:51
TS63430D 是一款基于 GaN 技术的全集成 HF/VHF/UHF/L 波段 4 路调谐开关，专为高功率可调天线和滤波器应用设计。特罗半导体的该器件支持从 30 MHz 至 1 GHz 的应用频段，在小封装尺寸下提供低导通电阻（RON）和高线性度。TS63430D 支持 50 W 连续波（CW）功率，峰值电压能力达 100 V，适用于对低插入损耗、高隔离度和高线性度有要求的应用场景。TS63430D 采用标准单电源供电 VDD，无需额外负电压或高压。封装类型TS63430D 电子元件封装于紧凑的无引线四方扁平封装（QFN），尺寸为 6.0 × 3.0 mm²，共 32 引脚塑料封装。特性全集成解决方案，单电源供电 VDD = 2.6…5.25 V频率范围：30 MHz 至 1000 MHz导通电阻 RON ≈ 0.5 Ω50 W 连续波功率峰值电压 VPEAK = 100 V相比 SOI 技术，无突发电压击穿风险开关时间 = 5.9 μs，无功率降额低功耗，小于 1 mW无需提供负电压应用领域战术无线电可调滤波器天线调谐医疗 – 超声波医疗 – 磁共振成像（MRI）
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2026/2/27 13:40:25
TS63560D 是一款基于 GaN 技术的全集成 HF/VHF/UHF/L 波段 4/5 路调谐开关，专为高功率可调天线和滤波器应用设计。该器件支持从 30 MHz 至 1 GHz 的应用频段，在小封装尺寸下提供低导通电阻（RON）和高线性度。特罗半导体TS63560D 支持 50 W 连续波（CW）功率，峰值电压能力达 100 V，适用于对低插入损耗、高隔离度和高线性度有要求的应用场景。TS63560D 采用标准单电源供电 VDD，无需额外负电压或高压。封装类型TS63560D 电子元器件封装于紧凑的无引线四方扁平封装（QFN），尺寸为 6.0 × 3.0 mm²，共 32 引脚塑料封装。特性全集成解决方案，单电源供电 VDD = 2.6…5.25 V频率范围：30 MHz 至 1000 MHz导通电阻 RON ≈ 0.5 Ω50 W 连续波功率峰值电压 VPEAK = 100 V相比 SOI 技术，无突发电压击穿风险开关时间 = 7.2 μs，无功率降额低功耗，小于 1 mW无需提供负电压常见应用•战术无线电•可调滤波器•天线调谐•医疗-超声波•医学-MRI
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2026/2/27 13:31:40
TS8223K 是一款特罗半导体第三代对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为中等功率切换应用设计。TS8223K 覆盖 300 MHz 至 8.5 GHz 的带宽，在小封装尺寸下提供低插入损耗、高隔离度和高线性度。该器件支持 10 W 连续波（CW）功率，峰值功率能力达 50 W，适用于对低插入损耗、高隔离度和高线性度有要求的应用场景。电子元器件封装类型TS8223K 封装于紧凑的无引线四方扁平封装（QFN），尺寸为 3.0 × 3.0 mm²，共 16 引脚塑料封装。特性频率范围：300 MHz 至 8.5 GHz低插入损耗：0.35 dB @ 2.0 GHz0.40 dB @ 4.0 GHz0.45 dB @ 6.0 GHz高隔离度 S₂₁：46 dB @ 2.0 GHz34 dB @ 4.0 GHz28 dB @ 6.0 GHz10 W 连续波功率，50 W 峰值功率快速开关时间：120 ns低功耗，小于 1 mWRF 线路无需外部直流隔直电容所有射频端口在关断状态下均处于开路状态兼容宽电压电源：2.6…5.25 V无需提供负电压常见应用•无人机数据链•私人移动和国防无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•数据链路
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2026/2/27 13:23:02
TSX221K 是一款基于 GaN 技术的 X 波段全集成单刀双掷（SPDT）开关，专为高功率切换应用设计。特罗半导体TSX221K 覆盖 500 MHz 至 12.0 GHz 的带宽，在小封装尺寸下提供低插入损耗、高隔离度和高线性度。该器件支持 10 W 连续波（CW）功率，峰值功率能力达 50 Wp，适用于对低插入损耗、高隔离度和高线性度有要求的应用场景。TSX221K 采用标准单电源供电 VDD = 2.6…5.25 V，无需额外负电压或高压。TSX221K 电子元器件封装于紧凑的无引线四方扁平封装（QFN），尺寸为 3.0 × 3.0 mm²，共 16 引脚塑料封装。特性全集成解决方案，单电源供电 VDD = 2.6…5.25 V频率范围：500 MHz 至 12.0 GHz10 W 连续波功率，50 Wp 峰值功率相比 SOI 技术，无突发电压击穿风险低插入损耗：0.3 dB @ 1.0 GHz0.5 dB @ 8.0 GHz0.8 dB @ 12.0 GHz高隔离度：20 dB @ 10.0 GHz开关时间 = 50 ns，无功率降额低功耗，小于 1 mW无需提供负电压常见应用•X波段雷达•C波段雷达•蜂窝基础设施•卫星终端•数据链路
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2026/2/27 13:16:18
金升阳针对市场需求，正式推出全新高效非隔离升降压电源KUB系列（10-50A）。该系列能够支持9-60V/9-90V宽范围输入电压，输出电流阶梯覆盖0-50A，输出电压灵活可调，并具备恒流模式与全面保护功能。并且其采用100%国产元器件，在功率密度与整体性能上实现显著提升，兼具高性价比与高可靠性，在机器人、电池管理系统、视觉光源等应用提供真正意义上的“国产最优解”。产品特点宽域可调，多元适配该系列支持超宽电压范围9-60V/9-90V，可兼容多种母线电压（12/24/28/48V）；0-60V/0-90V可调输出电压范围（支持电压/电阻调节），适配多种应用场合的电源需求，实现选型归一化。性能通过自主研发的控制策略，使效率得到新的突破，高达98.5%，较竞品提升0.5%至4.5%，温升表现优异，为客户提供降该增效的解决方案。恒流可调及Sense双模式可选该系列产品支持恒流可调版该及Sense版该，客户可根据应用需求进行选型。在机器人作业时，常易发生堵转的情况，以致产生较大的反向电动势，极易过流，为应对此问题，该系列产品具备恒流模式（限流点按需调节）及防反灌功能，可有效阻断反向电流对电源该身的冲击，确保在电机突然制动或堵转时电源仍稳定工作。内置输出防倒灌，支持4pcs并联/冗余为满足更大功率的应用需求，该系列 KUB9090HB-30AG及KUB6060HB-50AG支持4模块并联，均流精度可达±5%；简单的并机设置+内置防倒灌电路，便捷且安全。民用标准全国产化、兼容替代该系列采用国际标准砖类封装，功能、引脚可与市面上同类产品进行兼容，可满足即插即用；在优性能的前提下，所有下阶元器件均来源于I类国产品牌，满足全国产化。产品应用该系列产品主要应用于以下场景：①工业机器人及自动化设备（为控制器、驱动器负载点供电）②电池供电设备（高效利用电池能量）③视觉（视觉光源）、管道等...
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2026/2/27 11:39:51
TDK重磅推出新型B3292xU/V系列电容器，进一步扩展其X2安全薄膜电容器产品组合。新系列元件支持更高的工作电压，提供更紧凑的引线间距（15 mm至22.5 mm），覆盖47 nF至1.8 µF的电容范围，额定电压为350 VAC，可承受高达2.5 kV的峰值电压脉冲（符合IEC 60384-14标准），专门设计用于在恶劣且空间狭窄的工业及汽车环境中与电源串联以实现干扰抑制应用。典型应用包括车载充电器 (OBC)、电动汽车充电系统、光伏逆变器、电表及电容式电源等。新元件的引线间距为15 mm至52.5 mm不等，电容范围为47 nF至20 µF，并且通过了THB（温度、湿度及偏压）测试（在温度为+85 °C、相对湿度为85%及额定电压条件下连续运行1000小时），满足III级测试B的要求。同时，产品符合AEC-Q200标准，具备优异的自愈性，最高工作温度可达+110 °C，可确保在恶劣工况下长期可靠运行。凭借紧凑的外形尺寸与高直流测试电压（1505 V，2 s），B3292xU/V系列很好地兼顾了性能和尺寸，为下一代工业驱动器与汽车电力电子提供了高效且节省空间的EMI抑制解决方案。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/27 11:28:32
STSPIN9P系列75V电机驱动集成电路加速了坚固工业驱动的开发。这些12 STSPIN9P设备适合在48V等流行总线电压下运行，用户方便地根据不同电机类型和功率等级调整设计，最高可达500W。新的STSPIN9P1半桥和STSPIN9P2全桥器件扩展了STSPIN系列，帮助开发者确保电机控制应用快速启动，以便进行测试和微调。其宽广的工作电压范围和最高可达10安培的输出电流额定，使得工业自动化和机器人技术，以及家用电器、舞台灯光、泵、风扇和纺织机械等设备都能使用。IC完全由主总线供电，电压范围为7V至75V，从而简化了系统设计和PCB布局。集成调节器为内部电路提供电源，包括控制逻辑和栅极驱动器，而高侧则由电荷泵提供电源，实现100%占空比运行。还包括模拟前端电路，包括一个与外部并联电阻工作的电流感应放大器和一个在达到电流限制阈值时触发的比较器。阈值可由用户通过施加参考电压进行配置。在STSPIN9P具有内部限流功能的变体中，比较器信号直接连接到集成电路的控制逻辑。该选项允许用户通过外部引脚选择衰减策略，根据电机、负载和所需行为选择固定关断时间或PWM修剪。还有一个引脚用于选择门极驱动器开机的切换速率，使开发者能够快速且经济地优化能效和电磁排放。关闭时间始终尽可能快，这使得全桥设备能获得最短的死区时间。在提供强大且灵活的功能外，所有STSPIN9P集成电路对低压、过压、过电流和过热等危害的保护，每个MOSFET都配备了热传感器。此外，在动力级禁用时进行的开载检测会检查电机是否正确连接，然后才启动。为协助开发者，EVLSPIN9P1-3PH参考设计将三STSPIN9P12半桥驱动器合并为BLDC/PMSM电动机的三相驱动器。该板设计支持三分流或单分流电流传感拓扑。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如...
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2026/2/27 11:17:06
MIS2DU12MEMS加速度计结合了超低功耗、信号处理和适用于可穿戴和植入医疗应用的超低矮型。该MIS2DU12采用生物相容材料和制造工艺生产，具备20nA的停电能力和低于1μA的有源模式，以延长心脏监护仪和起搏器等植入设备的工作包线。它仅有0.74毫米高，2毫米乘2毫米，使皮肤贴片变得极其纤薄、轻盈且佩戴舒适。在血糖监测仪和其他生物参数传感器等皮肤贴片中，MIS2DU12的传感器融合确保即使在宏观运动和环境压力下也能保持精确。这些应用受益于高微运动灵敏度和功耗效率。专用的内部运动处理引擎可检测自由落体、唤醒、单点/双重触控、活动/非活动，并计算6D/4D方向。此外，还内置了自测和内置温度传感器。该MIS2DU12集成了事件检测和唤醒运动处理，内置抗锯齿滤波器以最大化输出数据质量。通过去除带外振动源，该滤波器卸载主应用处理器，帮助降低系统功耗。传感器在超低功耗主动模式下（输出1.6Hz数据率）仅耗电0.47μA，正常工作时启用抗锯齿滤波器时耗电为5.6μA。MIS2DU12具备用户可选择的完整音阶，范围为±2g/±4g/±8g/±16g，输出数据速率为1.6Hz至800Hz，运行温度范围为-40°C至+85°C。 集成的128级FIFO缓冲区提供了充足的数据存储和额外的灵活性，以节省系统功耗。为了快速评估，STEVAL-MKI255A适配器板内置MIS2DU12传感器，并采用标准的DIL24针脚配置，用于STEVAL-MKI109D评估板。该板集成高性能32位微控制器，并可与ST的MEMS Studio GUI配合使用。该MIS2DU12采用2.0mm x 2.0mm x 0.74mm塑料地面网格阵列（LGA）包装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视...
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2026/2/27 11:14:51
下变频混频器上图展示了一个典型的下变频应用电路，其中 AD8343 被配置为接收机混频器电子元器件。输入端的单端到差分转换通过一个 1:1 传输线巴伦 实现。输入匹配网络位于巴伦与输入引脚之间，而输出则直接从一个 4:1 阻抗比（即 2:1 匝数比）变压器取出。本振振荡信号在 –12 dBm 至 –3 dBm 的电平范围内，通过第二个 1:1 巴伦 输入。R1A 和 R1B 设置核心偏置电流为每侧 18.5 mA。L1A 和 L1B 提供所需的射频扼流，以避免对信号形成旁路。Z1、Z2A 和 Z2B 构成一个典型的输入匹配网络，其设计目的是将 AD8343 的差分输入阻抗匹配至巴伦的差分输出阻抗。中频（IF）输出通过一个 4:1（阻抗比）变压器 取出，该变压器向集电极反射出 200 Ω 差分负载。这种输出耦合 arrangement 具有较宽的带宽特性，但在某些情况下，用户可能希望考虑在集电极之间增加一个谐振 tank 电路，以提供一定程度的中频选择性。铁氧体磁珠（FB）串联在输出变压器的中心抽头上，用于解决共模稳定性问题。在此电路中，PWDN 引脚显示接地（GND），使能混频器工作。若要进入关断模式并节省功耗，必须将 PWDN 引脚电压拉至距 VPOS 不超过 500 mV 的范围内。DCPL 引脚需通过约 0.1 μF 电容旁路到地；若未这样做，会导致器件输出端噪声电平升高。
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2026/2/26 15:17:19
AD8343 电子元器件要求使用差分负载，原因与输入端需要差分源以获得最佳器件性能相同。此外，差分负载可提供最佳的本振（LO）到输出隔离度，以及最佳的输入到输出隔离度。在低输出频率下，通常不建议在器件输出与负载之间安排共轭匹配，即使这样做可以最大化小信号变频增益。这是因为低频时输出阻抗非常高（高电阻与小电容并联）。可参考上图，其中绘制了在器件引脚处测得的差分输出阻抗随频率变化的曲线。若使用高阻抗负载，则即使在相对较低的输出电平下，也会因足够的输出电压摆幅而导致输出削波，从而造成动态范围损失。每个输出引脚的线性电压摆幅约为 ±1 V（相对于电源电压 VPOS）。一个良好的折衷方案是在所需输出频率下，在两个输出引脚之间提供约 200 Ω 至 500 Ω 的负载阻抗（基于每路 15 mA 至 20 mA 的偏置电流）。在低于 500 MHz 的输出频率下，通过采用较低的负载阻抗，可在出现严重削波前获得更高的输出功率；但此时增益和低端失真性能可能会有所下降。在镜像频率处，输出负载阻抗也必须保持合理偏低，以避免产生显著的额外电压摆幅，否则会降低动态范围。如果不需要维持良好的输出回波损耗，可使用 4:1 至 8:1（阻抗比） 的磁通耦合变压器，为器件呈现合适的负载，并通过中心抽头提供集电极偏置，如图上图所示。除最低输出频率外，通常建议在输出引脚间连接一个电感，以对 AD8343 的输出电容进行调谐。另一方面，若希望获得良好的输出回波损耗，则可通过在输出引脚间并联一个分流电阻来对输出进行阻性加载，从而设定输出阻抗的实部。通过适当选择变压器的阻抗比和所需的分流电阻值，可实现总负载阻抗约 –500 Ω，同时优化信号传输效率和输出回波损耗。在较高输出频率下，器件的输出电导会升高（参见第一张图片），因此在高于约 900 MHz 时，对负载与 AD8343 输出之间进行共轭匹配变得合适。...
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2026/2/26 15:12:47
单端到差分转换AD8343 电子元器件设计用于接收差分输入信号以获得最佳性能。虽然也可施加单端输入，但信号处理能力会降低 6 dB。此外，由于非线性输入阻抗引起的偶次阶失真无法被抵消，因此在失真敏感的应用场景中，有效信号处理能力会进一步下降——即互调截点（intermodulation intercepts）性能劣化。出于上述原因，强烈建议向 AD8343 的输入端提供差分信号。除了市售的巴伦（balun）外，还有多种分立元件或印刷电路网络可产生所需的平衡波形并实现阻抗匹配。这些替代电路可用于可能降低混频器组件成本和/或提升系统性能。采用传输线形式实现的巴伦（也称为共模扼流圈）适用于频率高达约 1 GHz 至 2 GHz 的应用，但在 AD8343 所能处理的更高频率下往往损耗过大。M/A-COM 公司制造此类巴伦，而 Murata 公司则生产真正的表面贴装型巴伦。Coilcraft® 和 Toko 也是射频巴伦的制造商。
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2026/2/26 15:09:46
RF 端口与巴伦当将 MAX2029 用作下变频器电子元件时，其 RF 输入在内部已匹配至 50Ω，无需外部匹配元件。由于输入通过片内巴伦在直流（DC）上短路到地，因此需要一个隔直电容。在整个 815MHz 至 1000MHz 的 RF 频率范围内，RF 回波损耗通常优于 15dB。当用作上变频器时，RF 端口为单端输出，同样匹配至 50Ω。LO 输入、缓冲器与巴伦MAX2029 针对低侧本振注入架构进行了优化，本振频率范围为 570MHz 至 900MHz。作为附加功能，MAX2029 内置一个 LO SPDT 开关，可用于跳频应用。该开关可选择两个单端 LO 端口中的一个，使外部振荡器能在切换前稳定于特定频率。LO 切换时间通常小于 50ns，足以满足几乎所有 GSM 应用需求。若不采用跳频功能，可将开关设置为任一 LO 输入。该开关由数字输入 LOSEL 控制：逻辑高电平选择 LO2，逻辑低电平选择 LO1。为避免损坏器件，在施加数字逻辑信号至 LOSEL 之前，必须先向 VCC 施加电压。LO1 和 LO2 输入均在内部匹配至 50Ω，每个输入端需外接一个 82pF 隔直电容。两级片内 LO 缓冲器允许较宽的 LO 驱动输入功率范围。所有保证规格均基于 -3dBm 至 +3dBm 的 LO 信号功率。片内低损耗巴伦配合 LO 缓冲器共同驱动双平衡混频器。从 LO 输入到 IF 输出的所有接口与匹配组件均已集成在芯片内部。高线性度混频器MAX2029 的核心是一个双平衡、高性能无源混频器。得益于片内 LO 缓冲器提供的大幅值 LO 摆幅，器件展现出卓越的线性度。差分中频（IF）MAX2029 混频器的中频频率范围为 直流至 250MHz。请注意，这些差分端口特别适合提升 IIP2 性能。对于单端 IF 应用，需使用一个 1:1 巴伦，将 50Ω 差分 IF 阻抗转换为...
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2026/2/26 14:59:42
MAX2029 是一款高线性度无源上变频或下变频混频器电子元器件，设计用于在 815MHz 至 1000MHz 射频（RF）频率范围内提供：+36.5dBm 输入三阶截点（IIP3）6.7dB 噪声系数（NF）6.5dB 变频损耗以支持 GSM/蜂窝基站发射机或接收机应用。凭借 570MHz 至 900MHz 的本振（LO）频率范围，该混频器特别适用于低侧本振注入架构。若需引脚兼容且专为高侧本振注入设计的混频器，请参考 MAX2031 数据手册。除了提供卓越的线性度和噪声性能外，MAX2029 还实现了高度集成。器件内部包含：一个双平衡无源混频核心一个双输入 LO 可选开关一个 LO 缓冲器片内集成的巴伦允许使用单端 RF 输入进行下变频（或单端 RF 输出进行上变频），以及单端 LO 输入。MAX2029 标称所需 LO 驱动功率为 0dBm，供电电流保证低于 100mA。引脚兼容性与系列扩展MAX2029 与以下系列器件引脚兼容：MAX2039、MAX2041、MAX2042、MAX2044（覆盖 1700MHz–2200MHz、2000MHz–3000MHz、3200MHz–3900MHz 的混频器）这使得整个无源上变频器/下变频器家族非常适合需要在同一印刷电路板（PCB）布局中支持多个频段的应用场景。封装与温度范围MAX2029 采用紧凑的 20 引脚薄型 QFN 封装（5mm × 5mm），带裸露焊盘（exposed paddle）。电气性能在扩展工作温度范围 –40°C 至 +85°C 内得到保证。因此常被适用于以下应用：蜂窝频带WCDMA和cdma2000®基站GSM 850/GSM 900 2G和2.5G EDGE基站TDMA和集成数字增强网络（iDEN®）基站PHS/PAS基站WiMAX基站和客户驻地设备预...
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2026/2/26 14:50:58
MAX2042A 是一款单通道、高线性度上变频/下变频混频器电子元器件，可提供高达 +33dBm 输入三阶截点（IIP3）、7.25dB 噪声系数 和 7.2dB 变频损耗，适用于 1600MHz 至 3900MHz 的 GSM/EDGE、CDMA、TD-SCDMA、WCDMA、LTE、TD-LTE、WiMAX™ 及 MMDS 无线基础设施应用。凭借超宽 1300MHz 至 4000MHz 的本振（LO）频率范围，该器件可用于几乎任何 1.7GHz 至 3.5GHz 的应用场景（采用低侧或高侧本振注入架构）除了提供卓越的线性度和噪声性能外，该 IC 还实现了高度集成。器件内部包含一个双平衡无源混频核心、一个 LO 缓冲器以及片内巴伦，支持单端 RF 和 LO 输入。该器件标称所需 LO 驱动功率为 0dBm，在 VCC = 5.0V 时典型供电电流为 140mA，在 VCC = 3.3V 时为 122mA。MAX2042A 引脚兼容 MAX2042（2000MHz 至 3000MHz 混频器），也与以下器件引脚相似：MAX2029 / MAX2031 / MAX2033（650MHz 至 1550MHz 混频器）MAX2039 / MAX2040 / MAX2041（1700MHz 至 3000MHz 混频器）MAX2044（2300MHz 至 4000MHz 混频器）这使得整个上变频器/下变频器系列非常适合需要在同一 PCB 布局中支持多个频段的应用。MAX2042A 采用紧凑的 20 引脚 TQFN 封装（5mm × 5mm），带裸露焊盘。电气性能在扩展温度范围 Tc = -40°C 至 +85°C 内得到保证。因此常被应用于：1.8GHz/1.9GHz GSM/EDGE/CDMA基站2.1GHz WCDMA/LTE基站2.3GHz TD-...
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2026/2/26 14:45:31
LTC5590 属于双通道、高动态范围、高增益下变频混频器系列电子元件，覆盖射频（RF）频率范围从 600 MHz 至 4.5 GHz。LTC5590 针对 600 MHz 至 1.7 GHz 的 RF 应用进行了优化。为获得最佳性能，本振（LO）频率必须落在 700 MHz 至 1.5 GHz 范围内。一个典型应用是 LTE 或 GSM 接收机，其 RF 输入频率为 700 MHz 至 915 MHz，并采用高侧本振（high-side LO）。LTC5590 的高变频增益和高动态范围特性，使其能够在高选择性接收机设计中使用损耗较大的中频（IF）滤波器，同时最大限度地降低整体解决方案成本、电路板占用面积以及系统级变异。该器件还提供低电流模式以实现额外节能，且每个混频器通道均具备独立的关断控制功能。那么LTC5590下混频器都具备哪些特征呢？转换增益：900MHz时为8.7dBIIP3:900MHz时为26dBm噪声系数：900MHz时为9.7dBn在5dBm阻塞下为15.6dB NF高输入P1dB900MHz时的53dB信道隔离3.3V时的功耗为1.3W低功耗模式，功耗0.8W为每个通道启用引脚50Ω单端射频和本振输入LO输入在所有模式下都匹配0dBm LO驱动电平小包装和解决方案尺寸–40°C至105°C操作
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