Mini-Circuits的XLF-73+无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的电源处理能力温度数据，最高+105°C尺寸小，3 x 3毫米应用谐波抑制人造卫星雷达军事与太空
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2025/5/27 11:11:29
Mini-Circuits的XHF-252+无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的电源处理能力温度稳定，高达105°C尺寸小，3 x 3毫米应用无线传输系统全球微波接入互操作性微波无线电军事与太空
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2025/5/27 10:57:55
BFTC-500+LTCC带通滤波器覆盖400至600 MHz的通带，具有25 dB的上/下阻带抑制。该型号可处理高达4W的射频输入功率，并提供-40至+85°C的宽工作温度范围。利用LTCC多层结构，该滤波器实现了出色的性能可重复性，并采用微小的陶瓷封装，在密集的PCB布局中节省了空间。特性•电压驻波比1.5（典型值）良好。@通带•体积小•密封•温度稳定•LTCC结构应用•测试和测量•谐波抑制•发射器/接收器
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2025/5/27 10:53:01
ADCH-1220+系列射频扼流圈实现了从5到1220 MHz的非常宽的带宽。扼流圈用AWG32线缠绕，使最大连续电流为200mA DC。出色的插入损耗、良好的VSWR（典型值1.1:1）、平坦度和坚固的结构使这些型号成为非常宽频率范围内射频扼流圈应用的理想解决方案。这些单元支持广泛的系统和测试应用。特性•低寄生电容，典型值为0.1pf。•有效并联电阻，典型值为Rch 800欧姆。•可水洗应用•偏置放大器•激光二极管偏置•有源天线的偏置
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2025/5/27 10:49:56
ROS-200-719R+是一种压控振荡器，设计用于军事和航空电子应用，工作频率为144至200 MHz。ROS-200-719R+封装在金属外壳（尺寸为.500“x.500”x.180“）中，以屏蔽不需要的信号和噪声。特性•低相位噪声，典型值为-122 dBc/Hz。@10kHz偏移•高功率输出，典型值+9 dBm。•低拉力，典型值为0.1 MHz。•低推力，典型值为0.1 MHz/V。•可水洗应用•军事和航空电子•PMR/PAMR•移动卫星
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2025/5/27 10:40:47
ERA-5+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在Micro-X封装中。ERA-5+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTTF为940年。特性•DC-4 GHz•单电压电源•内部匹配50欧姆•无条件稳定•性能随温度变化较小•瞬态保护•可水洗应用•蜂窝/PCS/3G基站•有线电视、有线调制解调器和DBS•固定无线和WLAN•微波无线电和测试设备
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2025/5/26 14:28:34
Mini-Circuits PMA2-43LN+是一款基于E-PHEMT*的超低噪声MMIC放大器，具有低噪声和高IP3的独特组合，使其成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。该设计在单个+5V电源上运行，与50Ω 系统，并采用小巧、低调的封装，适应密集的电路板布局。特性超低噪声系数，典型值0.46 dB。1.9 GHz高IP3，+33 dBm典型值。1.9 GHz高Pout，典型值P1dB+19.9 dBm。1.9 GHz尺寸小，2 x 2 x 1毫米应用基站基础设施便携式无线长期演进技术全球定位系统全球移动通信系统机载雷达
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2025/5/26 14:25:53
Mini-Circuits GVA-91+（符合RoHS标准）是一种采用GaAs HBT技术制造的宽带放大器，在应用频带内提供高增益和出色的功率输出，并具有出色的功率附加效率。它具有可重复的性能，并采用SOT-89封装，具有非常好的热性能。特性高功率，典型值29.5 dBm。920兆赫高增益，典型值20.4 dB。高功率附加效率高P1dB，920 MHz时为29.5 dBm，2140 MHz时为27.4 dBm应用基站基础设施LTEWCDMA
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2025/5/26 14:22:46
ERA-51SM+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在Micro-X封装中。ERA-51SM+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在+85°C的外壳温度下，预计MTTF为450年。特性直流至4 GHz单电压电源内部匹配50Ω无条件稳定性能随温度变化低瞬态保护可水洗应用蜂窝/PCS/3G基站有线电视、有线调制解调器和DBS固定无线和WLAN微波无线电和测试设备
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2025/5/26 14:16:46
GALI-59+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。GALI-59+的设计坚固耐用，适用于ESD和电源开启瞬态。特性•微型SOT-89封装•频率范围，直流至5 GHz•内部匹配50欧姆•输出功率，典型值17.6dBm。•散热性能极佳，金属底部外露•可水洗应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器
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2025/5/26 14:11:08
MNA-2A+是一款基于PHEMT的宽带MMIC放大器，具有高有源指向性。MNA将整个匹配网络和封装内的大部分偏置电路集成在一起，减少了对复杂外部电路的需求。这种方法使MNA放大器的使用非常简单。该设计在单个2.8至5V电源上运行，与50Ω 并且采用小巧、薄型的3x3mm 8引脚MCLP封装，可容纳密集的电路板布局。MNA-2A+属于MNA系列模具和封装形式的型号。特性集成匹配、直流块和偏置电路出色的主动指向性，典型值为+22 dB。2 GHz和5V电源电压选择，+2.8V至+5V微型尺寸.120“X.120”输出功率，典型值+17.9 dBm。2 GHz和5V可水洗应用缓冲放大器蜂窝基础设施通信卫星防守
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2025/5/26 14:08:01
MAV-11BSM+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在一个塑料模制的包装中。MAV-11BSM+采用达林顿配置，并采用硅技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTBF为270年。特性•类似于安捷伦MSA-1105和微型电路MAV-11SM+•高IP3，典型值为34 dBm。•出色的驻波比，典型值为1.2:1。•中等增益•输出功率，典型值为18 dBm。•可水洗应用•蜂窝•UHF/VHF接收器/发射器
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2025/5/26 14:05:03
MAR-8A+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在Micro-X封装中。MAR-8A+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。 特性•高增益，0.1 GHz时为31.5 dB，减少了组件数量•内部匹配50欧姆•高功率输出，典型值+12.5 dBm。•低噪音•提高稳定性•防止电源瞬变应用•蜂窝•PCN和仪表
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2025/5/26 14:02:21
Mini-Circuits PSA-5453+是一款基于E-PHEMT*的超低噪声MMIC放大器，工作频率为50 MHz至4 GHz，具有低噪声和高IP3的独特组合，使该放大器成为敏感接收器应用的理想选择。该设计在单个3V电源上仅以60mA运行，内部匹配为50欧姆。特性单正电源电压，+3V，Id=60mA超低噪声系数，典型值为0.7 dB。0.5GHz高IP3，典型值35 dBm。1GHz增益，典型值19.6dB。1GHz输出功率，典型值高达+19.5 dBm。微型SOT-363封装可水洗应用蜂窝ISMGSMWCDMALTEWiMAX无线局域网UNII和HIPERLAN
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2025/5/26 13:58:16
GALI-52+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTTF为14000年。GALI-52+的设计坚固耐用，适用于ESD和电源开启瞬态。特性•InGaP HBT微波放大器•微型SOT-89封装•内部匹配50欧姆•频率范围，直流至2 GHz•输出功率，典型值15.5 dBm。•散热性能极佳，金属底部外露•低热阻，可靠性高•可水洗应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器
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2025/5/26 13:55:11
据半导体行业消息，三星电子正加速推进第6代10nm级DRAM（1c DRAM）产能布局，继平泽P4工厂启动每月3万片产能试产线后，计划2025年底前在华城工厂追加投资，将1c DRAM月产能提升至7万片规模。这一扩产计划标志着三星在HBM4高带宽存储器领域发起关键攻坚。业内人士指出，三星此次技术路线选择颇具战略深意。当前主流HBM4厂商多采用1b DRAM（第五代10nm级）作为基础架构，而三星选择直接跨越至1c DRAM，旨在通过更制程工艺实现能效比突破。测试数据显示，1c DRAM在相同功耗下可提供20%以上的带宽提升，这对AI服务器等高负载场景意义重大。产能布局呈现"双核驱动"特征：平泽P4工厂作为主力基地，将承担技术验证与初期量产任务；华城工厂则通过改造现有17号线（原生产1z DRAM），实现快速产能转换。值得注意的是，三星同步推进15/16号生产线升级，将传统DRAM产能向1b DRAM转移，形成"新旧产能梯次配置"的竞争策略。市场分析机构TechInsights认为，三星此举折射出存储行业技术竞赛新态势。随着HBM4标准争夺进入白热化，制程工艺正成为决定话语权的关键变量。SK海力士虽占据HBM3市场七成份额，但其HBM4产品仍基于1b DRAM架构，这为三星提供了弯道超车契机。不过三星也面临产能爬坡挑战。行业专家警告，1c DRAM量产良率较1b DRAM低约15个百分点，若要实现规模化供应，需在2026年前将良率提升至70%以上。与此同时，美光科技已宣布2026年量产1γ DRAM（第七代10nm级）的计划，存储芯片代际更迭速度持续加快。在这场存储技术军备竞赛中，三星正以"制程跃迁+产能碾压"的双轮战略抢占先机。随着华城平泽双基地进入设备导入阶段，2026年HBM4市场格局或将迎来重大变局。免责声明...
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2025/5/26 13:43:37
Mini-Circuits的LFCG-630+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到630 MHz，支持各种应用。该模型提供了1.6 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达3.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特性•低损耗，典型值为1.6 dB•高抑制，典型值为45 dB•良好的功率处理能力，3.5W•尺寸极小的0805（2.0mm x 1.25mm）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•军用雷达应用•测试和测量•电信和宽带无线应用•卫星通信调制解调器
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2025/5/23 14:43:09
Mini-Circuits的EP2RKU+是一款MMIC双向0°分路器/合路器，专为直流至18 GHz的宽带操作而设计，支持许多需要在宽频范围内高性能的应用，包括通过WiMax和WiFi的所有LTE频段，以及仪器仪表等。该型号在微小的5 x 5mm QFN封装中提供了高达0.6W的出色功率处理（作为分路器/合路器），具有良好的隔离性和低相位和幅度不平衡性。EP2RKU+采用GaAs IPD技术制造，不仅具有可重复的性能，而且具有高水平的ESD保护。特性超宽带，直流至18 GHz高隔离，典型值20dB。12 GHz出色的振幅不平衡，典型值为0.1 dB。至18GHz相位不平衡良好，典型值为3.3度。12 GHz尺寸小，5x5毫米可水洗应用宽带无线接入ISM仪表雷达无线局域网卫星通信长期演进技术
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2025/5/23 14:34:59