TSS-14252LN+是一款基于pHEMT的宽带、超低噪声MMIC放大器，具有高IP3、平坦增益和压控关断能力。该放大器的工作频率为1427至2570 MHz，具有典型的0.8 dB噪声系数、35.1 dB增益、+15.8 dBm P1dB和+27.9 dBm OIP3。这种特性组合使其成为敏感接收器应用的理想选择。该设备内部直流阻断，射频输入和输出端口存在直流接地路径，用于ESD保护。TSS-14252LN+在单个+3.3 V电源上运行，采用小型、低剖面、3x3 mm QFN式封装，便于集成到密集的电路板布局中。特性超低噪声系数，典型值。0.8分贝典型高P1dB。+15.8 dBmOIP3高，典型。+27.9 dBm高输入功率处理，最大+21 dBm停机功能单电源电压+3.3 V3x3 mm 12引线QFN型封装应用5G MIMO无线电系统卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/5/19 14:20:02
PGA-106R-75+（符合RoHS标准）是一款采用E-PHEMT技术制造的75欧姆放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围，具有低噪声系数和平坦增益。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。特性+5V/+3V操作高IP3，典型值+45 dBm。在2 GHz时，Vd=+5V低噪声系数，1 GHz时为0.6；2 GHz时为0.9 dB增益，典型值11.0 dB。2 GHz典型值P1dB+22.5dBm。频率为2 GHz，Vd=+5V应用有线电视返回路径
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2025/5/19 14:13:29
GALI-24+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTTF为3000年。GALI-24+的设计坚固耐用，适用于ESD和电源开启瞬态。特性•高增益，典型值25 dB。100 MHz•高IP3，典型值35 dBm。•高磅，P1dB，典型值19dBm。•内部匹配50欧姆•瞬态保护•出色的ESD保护•无条件稳定•可水洗应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网
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2025/5/19 14:09:44
PGA-122-75+（符合RoHS标准）是一种使用E-PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围，具有低噪声系数和平坦增益。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。特性高IP3，典型值+43dBm。0.5 GHz增益，典型值15.6 dB。0.5 GHz高POUT，典型值P1dB+73.1 dBmV。0.5 GHz低噪声系数，0.5 GHz时为2.9 dB可用频率超过5-2000 MHz应用有线电视，DOCSIS 3.1GPONMOCA数据库
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2025/5/19 14:05:52
金升阳LI10/20/40/60-20BxxPU系列导轨电源，通过一体化超薄塑壳设计（厚度仅95mm）与全球通用输入架构，实现了工业电源领域的双重突破。其核心技术亮点包括：1.微型化结构设计通过三维堆叠技术与磁芯优化方案，LI20-20BxxPU系列将体积压缩至22.5×85×95mm，较传统工业电源厚度减少38%，功率密度达0.43W/cm³（行业平均0.32W/cm³），首次实现60W级导轨电源的塑壳超薄化。2.宽域温度控制技术采用陶瓷基板与智能温控算法，在-30℃低温启动时间缩短至3秒（竞品需8秒），+70℃高温环境下持续工作寿命延长至10万小时（UL认证数据），突破工业级电源温度适应性瓶颈。3.电磁防护体系集成π型滤波电路与金属屏蔽层，通过±6kV接触静电（IEC 61000-4-2）和±4kV浪涌（IEC 61000-4-5）测试，电磁兼容性达到医疗设备级标准（CLASS B）。产品功能行业价值1. 空间革命：解决工业控制柜「线多箱满」痛点，设备布局效率提升30%；2. 能耗优化：90%转换效率推动碳中和目标，单台年减碳量达18.6kg；3.国产替代：4000VAC隔离耐压超越欧系竞品，打破高端电源进口依赖；4. 智能升级：恒流限制功能支持伺服电机/机械臂直接驱动，减少中间电路模块。技术难题与解决方案1. 散热瓶颈：● 难题：超薄结构导致散热面积减少60%；●突破：开发石墨烯导热膜+轴向散热风道，热阻降至1.2℃/W（行业平均2.5℃/W）。2. 电磁干扰：● 难题：塑壳屏蔽效能较金属外壳下降15dB；● 方案：植入纳米晶磁环与共模扼流圈，辐射骚扰测试余量达6dB（GB/T 9254标准）。应用场景与市场前景1. 核心场景：● 智能工厂（PLC控制柜/机械臂供电）● 轨道交通（车载控制系统电源）●新能源（...
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2025/5/19 13:57:01
2025年5月15日，台积电在台湾技术论坛宣布本年度将新建9座晶圆厂及封装设施，创下年度建厂数量新高。其中，台中晶圆25厂将于年底动工，计划2028年量产比2nm更的制程技术，标志着半导体工艺进入全新代际。全球产能布局加速台积电扩产节奏持续提速：2017-2020年平均年建3座厂，2021-2024年提升至5座/年，2025年更跃升至9座（含8座晶圆厂、1座封装厂）。新竹晶圆20厂与高雄晶圆22厂作为2nm核心量产基地，已于2022年动工，计划2025年内投产；高雄还将建设5座晶圆厂集群，覆盖2nm至A16（1.6nm）工艺。海外布局方面，美国亚利桑那州4nm厂已承接苹果、NVIDIA订单，日本熊本厂实现22nm量产，德国德累斯顿16/28nm厂正在建设中。台积电强调，海外工厂良率已追平台湾本土水平，验证全球化制造能力。技术代际突破与产能规划2nm工艺采用GAA晶体管架构，相较3nm性能提升15%、功耗降低30%，首批产能将优先供应苹果A20芯片及英伟达AI加速器。预计2025年底2nm月产能达5万片，2026年高雄厂投产后总产能将突破12万片/月。更激进的台中晶圆25厂将研发2nm以下技术，可能引入1.4nm节点或3D封装方案。台积电已采购65台EUV光刻机（含35台High-NA机型），支撑制程研发。封装成第二增长极为应对AI芯片需求爆发，台积电扩大封装产能：2022-2026年SoIC（系统整合芯片）产能年复合增长率超100%，CoWoS（晶圆级封装）增速达80%。嘉义新建的WMCM封装厂预计2026年量产，专供苹果iPhone 18的2nm芯片封装。行业影响与挑战●市场格局：TrendForce数据显示，台积电以61.7%市占率主导晶圆代工市场，2nm量产将扩大对三星、英特尔的代差优势；●成本压力：2nm晶圆成本高达3万美元/片，客户接受度成关键。苹果已推迟至202...
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2025/5/19 13:54:42
SYM-30DHW+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器，其工作频率最小5MHz，最大3000MHz，最大9.1dB转换损耗，符合ROHS标准，CASE TTT167，6针。规格参数射频:5 MHz to 3 GHz转换损失——最大:9.1 dBLO频率:5 MHz to 3 GHz中频:5 MHz to 1.5 GHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:29 dBm特性•宽带，5至3000 MHz•良好的L-R隔离，典型值为40 dB。•出色的L-I隔离，典型值为44 dB。•宽中频带宽，可用于3 GHz•高IP3，典型值为26 dBm。应用•CDMA•GSM•DCS•PCN
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2025/5/16 14:24:10
Mini-Circuits的PMA5-123-3W-D+是一款GaAs MMIC功率放大器，工作频率为8至12 GHz。内部匹配50Ω 放大器管芯提供29.8dB的增益、+35.5dBm的饱和输出功率和+40.2dBm的输出IP3，同时在+7V电源下工作并消耗1250mA的电流。此外，集成功率检测器允许无缝输出功率监测。这些特性使其非常适合需要高工作输出功率的微波无线电、卫星通信和雷达系统，同时保持非常低的失真特性。 特性高增益，典型。29.8分贝PSAT高，典型。+35.5 dBm优秀的PAE，典型。34.2%电源电压，+7 V@1250 mA集成功率检测器应用雷达、电子战和电子对抗防御系统MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小孔径终端
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2025/5/16 14:18:42
Mini-Circuits的MBDA-30-451HP+是一种高功率双向耦合器，可提供高达200 W的高功率处理和0.15 dB的主线损耗。24dB的高方向性提供了来自耦合端口的精确采样，30dB的回波损耗在整个频率范围内提供了出色的匹配。该型号覆盖225至450 MHz的频率，支持从功率放大器和天线馈电到各种数字通信等各种应用。耦合器设计为开放式印刷层压板（1.00“x 1.00”x 0.051“），带有环绕式端子，具有良好的可焊性和易于目视检查。特性高功率处理，高达200W出色的回波损耗，30dB低插入损耗，0.15 dB高指向性，24dB应用功率放大器天线馈源甚高频/超高频无线电国防和军事
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2025/5/16 14:14:25
Mini-Circuits的BDCH-15-272+是一种高功率双向耦合器，可提供高达150 W的高功率处理和0.25 dB的插入损耗。19dB的高方向性提供了来自耦合端口的精确采样，24dB的回波损耗在整个频率范围内提供了出色的匹配。该型号覆盖700至2700 MHz的频率，支持从功率放大器和天线馈电到各种数字通信等各种应用。耦合器设计为开放式印刷层压板（1.00“x 0.50”x 0.051“），带有环绕式端子，具有良好的可焊性和易于目视检查。特性高功率处理，高达150W出色的回波损耗，典型值为24 dB（所有端口）低插入损耗，典型值0.25 dB应用VHF/UHF大功率无线电传输信号监测天线反射监测无线发射机分布式天线系统（DAS）
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2025/5/16 14:09:43
Mini-Circuits的ZBT-K353-FT+是一款超宽带同轴偏置三通，覆盖10 MHz至35 GHz的频率，在整个频率范围内具有低插入损耗、优异的回波损耗和高直流到射频隔离。该型号能够处理高达+30 dBm（1W）的RF输入功率和高达400 mA的DC输入电流，非常适合偏置放大器、激光二极管、有源天线等应用。特性宽带频率范围，10 MHz至35 GHz低插入损耗，典型值为1.0 dB。 出色的回波损耗，典型值为15dB。出色的隔离性能，典型值为35 dB。高直流输入电流，最大400mA。
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2025/5/16 14:07:02
Mini-Circuits的表面贴装薄膜滤波器通过氧化铝基板上的薄膜实现了低插入损耗和高抑制，使用溅射工艺可以保证增强的Q值和可重复的性能。低通、高通和带通表面贴装薄膜设计可以通过这项技术以小尺寸实现高达40 GHz的频率，帮助客户实现SWaP目标。使用我们的高质量薄膜制造工艺，我们可以保证大批量过滤器的可重复性。特性1.3 dB典型低通带插入损耗。48 dB典型值的高抑制。16dB典型值的良好回波损耗。小尺寸，5.59 x 8.13 x 2.03毫米应用X波段雷达测试和测量
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2025/5/16 14:01:09
Mini-Circuits的表面贴装薄膜滤波器通过氧化铝基板上的薄膜实现了低插入损耗和高抑制，使用溅射工艺可以保证增强的Q值和可重复的性能。低通、高通和带通表面贴装薄膜设计可以通过这项技术以小尺寸实现高达40 GHz的频率，帮助客户实现SWaP目标。使用我们的高质量薄膜制造工艺，我们可以保证大批量过滤器的可重复性。特性0.7 dB典型低通带插入损耗。39 dB典型值的高抑制。典型值为15dB的良好回波损耗。小尺寸，5.59 x 8.13 x 2.03毫米应用Wi-Fi 6E测试和测量设备
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2025/5/16 13:57:28
PMA3-73-1W+是一款GaAs MMIC功率放大器，工作频率为300至7500 MHz。放大器提供20.1 dB的增益，+33.5 dBm的饱和输出功率，并在单个+12 V电源下工作时实现+37 dBm的输出IP3。此外，它内部匹配50欧姆，采用3x3毫米12引脚QFN式封装。这些特性使其非常适合需要高工作输出功率的宽带测试仪器和防御系统，同时保持非常低的失真特性。特性典型高P1dB。+31.7 dBmPSAT高，典型。+33.5 dBm典型低噪声系数。2.5分贝OIP3高，典型。+37 dBm单电源电压，+12V@190mA3x3 mm 12引线QFN型封装应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统5G Sub6，MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小孔径终端
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2025/5/16 13:52:28
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其D2TO35系列表面贴装厚膜功率电阻新增一款通过AEC-Q200认证的器件---D2TO35H，该器件具有更高的脉冲吸收能力，可达15 J/0.1 s。Vishay Sfernice D2TO35H采用TO-263（D2PAK）封装，在+25 °C壳温下功率耗散为35 W。日前发布的汽车级器件采用独特的设计，其能量吸收能力比标准D2TO35电阻高30%，从而增强对短瞬态脉冲的防护。因此，该器件在高压力环境下的运行更加稳定，在降低故障风险的同时，提高了整体系统可靠性，同时减少了所需的元件，这样不但节省占板空间，简化布局，而且降低了解决方案的总体成本。D2TO35H的工作温度高达+175 °C，电阻值范围从1 W至14 kW（公差低至± 2 %），热阻为4.28 °C/W。该器件可用作控制器、48 V板网、BMS、燃料电池以及混合动力汽车（HEV）、电动汽车（EV）和低速电动汽车车载充电器的主动放电、放电或预充电电阻；能量监控和计量系统；农用车辆和农用设备；工业电机驱动、焊接设备和电动工具等等。符合RoHS标准的电阻采用无电感设计，并且在270 °C/10 s条件下具有回流焊安全性。
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2025/5/16 13:48:43
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款采用表面贴装型SOP-4封装的全新工业级1 Form A固态继电器---VO1401AEF和VOR1003M4。Vishay VO1401AEF和VOR1003M4分别提供了550 mA和5 A的高连续负载电流，60 V和30 V的负载电压，3750 VRMS的隔离电压和小于1µA的典型低漏电流。凭借高电流能力，日前发布的器件非常适合采用非接触式光学继电器取代易受破坏性振动影响的机电继电器，因为非接触式光学继电器提供了坚固可靠的防振开关，具有更高的可靠性和更长的使用寿命。此外，由于高隔离电压，这些器件可在恶劣环境中使用。VO1401AEF的典型导通和关断时间为1.3 ms，和0.15 ms，VOR1003M4的典型导通和关断时间为0.5 ms和0.1 ms，能够为工业自动化系统和控制、安全系统、医疗器械以及广播设备提供快速切换。在这些应用中，这些器件的紧凑封装节省了占板空间，而其低漏电流有助于保持输出端的敏感负载关闭，从而实现更高的效率。 免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/16 13:45:58
英伟达Blackwell系列芯片的生产正加速向美国亚利桑那州转移，其与台积电、鸿海合作的4nm制程工厂代工成本较中国台湾地区高出18%，叠加物流与原材料价格上涨，单片芯片生产成本增加12%~15%。这一变动直接导致终端产品价格上浮，例如RTX 5090显卡售价从新台币9万元涨至10万元（涨幅超10%），H200/B200服务器芯片及模组价格同步上调10%~15%。政策冲击：H20芯片禁售引发55亿美元损失美国对华AI芯片出口管制升级，导致英伟达专为中国市场设计的“降规版”H20芯片被无限期禁售，公司被迫在2026财年第一季度计提55亿美元损失。尽管H20性能仅为旗舰产品H100的15%，但其曾贡献英伟达中国区80%的营收（约120亿~150亿美元）。为缓解冲击，CEO黄仁勋四个月内两次访华，试图通过技术合作与政策游说降低影响，但短期内市场缺口难以填补。供应链挑战：良率与交付周期拉高成本Blackwell系列芯片的CoWoS-L封装技术面临生产瓶颈，中介层制造良率仅60%（传统CoWoS-S良率超90%），石墨膜材料变形问题进一步拖累产能。尽管英伟达计划以性能略降的B200A芯片过渡，但供应链问题预计延续至2026年上半年，加剧成本压力。此外，美国厂区产能爬坡缓慢，交货周期从中国台湾的4周延长至12周，推高仓储与物流成本。市场反应：下游产业链承压，替代方案兴起涨价效应已传导至服务器厂商，戴尔、惠普等企业将整机报价上调10%~15%1。同时，下游客户加速转向替代方案：● 中国厂商：华为昇腾、寒武纪等国产芯片在部分场景实现性能替代，腾讯、阿里资本支出同比增长超250%，推动本土供应链崛起；● 国际竞争：AMD MI300X凭借性价比优势抢占市场份额，2025年出货量预期提升至40万~50万台。未来展望：技术迭代与成本博弈英伟达计划2026年推出Rubin架构GPU，性能较Blac...
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2025/5/16 13:43:35
Mini-Circuits的AVA-6183MPS+是一种宽带、中等功率MMIC放大器，采用GaAs pHEMT工艺制造，具有高输出功率和宽带增益。该放大器的工作频率为6至18 GHz，在单个+6 V电源下工作时，具有典型的+26 dBm P1dB、+28.5 dBm PSAT和20.9 dB增益。AVA-6183MPS+内部匹配50欧姆，采用5x5毫米32引脚行业标准QFN式封装。这些特性使其成为包括回程无线电、雷达和卫星通信在内的各种应用的理想驱动放大器。特性高饱和输出功率，典型。+28.5 dBm高增益，典型。20.9分贝单电源电压+6V，663mA5x5 mm 32引线QFN型封装应用5G MIMO和回程无线电雷达、电子战和电子对抗防御系统卫星通信测试和测量设备
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2025/5/15 14:41:53