INA21x 为电压输出、分流监控器（也称作电流感测放大器）。该器件通常可针对系统优化提供过流保护和精密电流测量，还常用于闭环反馈电路。该系列器件可感测分流电阻在 –0.3V 至 26V 共模电压范围内的压降，与电源电压无关。共有 6 种固定增益可供选用：50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。该系列器件采用零漂移架构，偏移较低，因此在进行电流感测时能够将分流电阻两端的最大压降保持在 10mV 满量程以下。该系列器件可由电压为 2.7V 至 26V 的单电源供电，最大电源流耗为 100µA。所有器件版本均在 -40°C 至 +125°C 的扩展运行温度范围内额定运行，采用 SC70 和 UQFN 封装。特性• 宽共模电压范围：-0.3V 至 26 V• 偏移电压：±35µV（最大值，INA210）（可实现低至 10mV 满量程的分流压降）• 精度：• 增益误差（最大过热误差）：• ±0.5%（版本 C）• ±1%（版本 A 和 B）• 0.5µV/°C 偏移漂移（最大值）• 10ppm/°C 增益漂移（最大值）• 增益选择：• INA210：200 V/V• INA211：500 V/V• INA212：1000 V/V• INA213：50 V/V• INA214：100 V/V• INA215：75 V/V• 静态电流：100µA（最大值）• SC70 和薄型 UQFN 封装：所有型号应用• 笔记本电脑• 手机• 电信设备• 电源管理• 电池充电器
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2025/5/7 14:00:00
LV314 系列单通道、双通道和四通道运算放大器代表了新一代的低功耗、通用运算放大器。该系列器件具有轨到轨输入和输出摆幅 (RRIO)、低静态电流（5V 时的典型值为 150µA/通道）以及 3MHz 的高带宽等特性。 对于电池供电应用而言，一般要求性能和成本良好均衡， 此类放大器非常具有吸引力。此外，TLV314 系列架构可实现低至 1pA 的输入偏置电流，因此适用于 源阻抗 高达兆欧姆级别的应用。TLV314 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用：单位增益稳定，具有 RRIO 和集成的 RF/EMI 抑制滤波器，容性负载最高达 300 pF，在过驱情况下不出现反相，并且带有高静电放电 (ESD) 保护（4kV HBM）。此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。TLV314（单通道）采用 5 引脚 SC70 和小外形尺寸晶体管 (SOT)-23 封装。TLV2314（双通道）采用 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和超薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装。四通道 TLV4314 采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。特性• 低偏移电压：0.75mV（典型值）• 低输入偏置电流：1pA（典型值）• 宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V• 轨到轨输入和输出• 增益带宽：3MHz• 低 IQ：250µA/通道（最大值）• 低噪声：1kHz 时为 16nV/√Hz• 内部射频 (RF) / 电磁干扰 (EMI) 滤波器• 扩展温度范围： -40°C 至 +125°C常见应用• 白色家电• 手持测试设备• 便携式血糖仪• 远程感测• 有源滤波器...
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2025/5/7 13:56:37
全球晶圆代工龙头台积电近日官宣启动亚利桑那州第三座制程工厂建设，标志着其北美战略进入新阶段。根据规划，该项目将形成包含6座晶圆厂和2座封装厂的产业集群，预计总投资额将突破1600亿美元，创下美国制造业史上最大外资单体投资纪录。此次扩产正值全球半导体产业格局调整关键期。据行业数据显示，台积电当前承担着全球55%以上的制程芯片代工需求，其美国基地将重点承接5nm及以下尖端工艺产能。值得注意的是，在美国《芯片法案》补贴实施细则尚未明确背景下，该企业仍持续加码在美投入，凸显其应对供应链区域化变革的战略考量。产业观察人士指出，台积电的扩产计划或将重塑北美半导体生态。目前其凤凰城园区已吸引超20家上下游配套企业入驻，预计到2026年可创造超1.5万个技术岗位。随着三期工厂建设启动，美国本土芯片自给率有望从当前12%提升至2028年的28%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/7 13:44:25
ZHL-32A+是Mini-Circuits的一款宽带中等功率放大器，下面就一块来了解一下ZHL-32A+功率放大器的参数及特征吧！规格参数工作频率最大130 MHz工作频率最低0.05 MHz工作温度最高65°C工作温度最低-20°C电源24V特征中高功率，最小+29 dBm。高IP3，典型值为+38 dBm。应用高频/甚高频仪表通信系统实验室
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2025/5/6 15:16:22
JMS-1LH+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器芯片，其工作频率最小2MHz，最大500MHz，最大8dB转换损耗，符合ROHS标准，迷你型，外壳BH292，6针。下面就一块了解一下JMS-1LH+的参数及特征吧。规格参数射频:2 MHz to 500 MHz转换损失——最大:8 dBLO频率:2 MHz to 500 MHz中频:0 Hz to 500 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:7.11 mm x 7.87 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:16 dBm封装:Reel封装:Cut Tape产品类型:RF Mixer特征•转换损耗低，典型值为5.75 dB。•微型表面贴装•J引线用于消除应力和出色的可焊性应用•接收器和发射器的上下变频器•甚高频/超高频
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2025/5/6 14:57:48
LHA-23LN+（符合RoHS标准）是一款采用E-PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，LHA-23LN+在宽频范围具有良好的输入和输出回波损耗。LHA-23LN+封装在3mm x 3mm的12引线MCLP封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:30 MHz to 2 GHz工作电源电压:3 V to 5 V工作电源电流:146 mA增益:19.6 dBNF—噪声系数:1.5 dB类型:CATV Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-12技术:GaAs InGaPP1dB - 压缩点:23 dBmOIP3 - 三阶截点:34.6 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C系列:LHA封装:Reel封装:Cut Tape特征超高IP3，典型值+36.9 dBm增益，典型值21.2dB。1 GHz低噪声系数，1 GHz时为1.2 dB低电压，+5V和+3V应用基站基础设施有线电视蜂窝
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2025/5/6 14:54:22
GALI-51F+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTTF为15000年。GALI-51F+的设计坚固耐用，适用于ESD和电源开启瞬态。规格参数工作频率:0 Hz to 4 GHz工作电源电压:4.4 V工作电源电流:50 mA增益:13.3 dBNF—噪声系数:3.5 dB类型:Gain Block Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-4技术:InGaPP1dB - 压缩点:15.9 dBmOIP3 - 三阶截点:32 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 85 C系列:GALI封装:Reel封装:Cut Tape特性•InGaP HBT微波放大器•微型SOT-89封装•内部匹配50欧姆•频率范围，直流至4 GHz•输出功率，典型值15.9 dBm。•散热性能极佳，金属底部外露•低热阻，可靠性高•可水洗应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器
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2025/5/6 14:50:44
MDA4-752H+是一个多芯片模块，将混频器（InGap-HBT）、LO放大器（InGap HBT）和IF放大器（E-PHEMT）芯片集成在单个封装中。它在宽频率范围内具有平坦的转换增益，并且具有高IP3。此外，MDA4-752H+在宽频范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配组件。它被包装在一个4x4毫米的微型MCLP包装中。规格参数工作频率:2.2 MHz to 7.5 MHz工作电源电压:5.5 V增益:9.7 dBNF—噪声系数:9.9 dB类型:General Purpose Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-24技术:InGaP最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:MDA4封装:Reel封装:Cut Tape特征•宽带2200至7500 MHz•高L-I隔离，典型值61 dB。4 GHz•低LO功率工作，0 dBm•小尺寸4毫米x 4毫米x 1毫米•可水洗应用•卫星下变频器•国防雷达和通信•VSAT•航空
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2025/5/6 14:46:12
EQY-9-453+是一种吸收式增益均衡器，采用高度重复的GaAs IPD MMIC工艺制造，包含具有负插入损耗斜率的电阻器、电容器和电感器。EQY-9-453+的标称衰减斜率为9.1 dB，采用2 x 2 mm的6引脚微型MCLPTM封装。规格参数安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-6产品:Equalizers最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:EQY封装:Reel封装:Cut Tape特征直流至45 GHz的9.1 dB斜率小包装2 x 2 mm MCLP出色的回波损耗，典型值为20dB应用蜂窝基础设施5G宽带通信测试仪器防守
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2025/5/6 14:40:40
EQY-8-453+是一种吸收式增益均衡器，采用高度重复的GaAs IPD MMIC工艺制造，包含具有负插入损耗斜率的电阻器、电容器和电感器。EQY-8-453+的标称衰减斜率为8.2 dB，采用2 x 2 mm的6引脚微型MCLPTM封装。规格参数安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-6产品:Equalizers最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:EQY封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits产品类型:Equalizers特征从直流到45 GHz的8.2 dB斜率小包装2 x 2 mm MCLP出色的回波损耗，典型值为20dB应用蜂窝基础设施5G宽带通信测试仪器防御
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2025/5/6 14:35:40
SIM-153+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器，其工作频率最小3400MHz，最大15000MHz，最大10.4dB转换损耗，符合ROHS标准，陶瓷，外壳HV1195，8针。下面就一起简单了解一下它的特征及应用吧。规格参数射频:3.4 GHz to 15 GHz转换损失——最大:10.4 dBLO频率:3.4 GHz to 15 GHz中频:DC to 4 GHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:HV1195-8商标:Mini-Circuits封装:Reel封装:Cut Tape产品类型:RF Mixer特征•宽带，3400至15000 MHz•转换损耗低，典型值为6.8 dB。•高L-R隔离，典型值为36 dB。•出色的中频带宽，直流至4000 MHz•LTCC双平衡混频器•尺寸小，轮廓低，0.08英寸•可用作上下变频器•可水洗应用•卫星上下变频器•国防雷达和通信•视线链接•联邦固定服务•无线网络•蓝牙•VSAT•ISM
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2025/5/6 14:25:26
ZX60-2510MA-S+是Mini-Circuits的一款宽带低功率放大器。下面就详细了解一下其参数、特征及应用吧！规格参数工作频率最大2500 MHz工作频率最低500 MHz工作温度最高85°C工作温度最低-40°C电源2.8/5VRF/微波器件类型宽带低功率特征•从2.8V到5V操作•宽带，500至2500 MHz•高有源方向性•输出功率，典型值为18 dBm。2 GHz和5V应用•缓冲放大器•混频器用LO放大器•蜂窝•PCN
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2025/5/6 14:19:49
SIM-14LH+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器，其工作频率最小3700MHz，最大10000MHz，最大8.9dB转换损耗，符合ROHS标准，陶瓷，外壳HV1195，8针。规格参数射频:3.7 GHz to 10 GHz转换损失——最大:8.9 dBLO频率:3.7 GHz to 10 GHz中频:DC to 4000 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:12 dBm封装:Reel封装:Cut Tape产品类型:RF Mixer特征•宽带，3700至10000 MHz•低转换损耗，典型值为6.7 dB。•高L-R隔离，典型值为38 dB。•出色的中频带宽，直流至4000 MHz•LTCC双平衡混频器•尺寸小，轮廓低，0.08英寸•可用作上下变频器•可水洗应用•卫星上下变频器•国防雷达和通信•视线链接•联邦固定服务•无线网络•蓝牙•VSAT•ISM
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2025/5/6 14:15:22
国际半导体产业协会（SEMI）最新数据显示，2024年全球半导体材料市场营收规模攀升至675亿美元，较上一年度增长3.8%。这一增长主要得益于全球半导体市场的整体复苏，以及高性能计算（HPC）和高带宽内存（HBM）等制程对高端材料需求的持续攀升。从细分领域来看，晶圆制造材料与封装材料均呈现出不同程度的增长。其中，晶圆制造材料营收达到429亿美元，同比增长3.3%；封装材料营收则为246亿美元，同比增长4.7%。这一增长趋势反映出半导体产业链上下游的协同发展，以及市场对封装技术的日益重视。值得注意的是，随着制程技术的不断推进，如DRAM、3D NAND Flash及逻辑IC等复杂制程的广泛应用，化学机械平坦化（CMP）材料和光阻剂等关键材料的需求实现了两位数的强劲增长。这些材料在半导体制造过程中发挥着至关重要的作用，其需求的增长直接反映了制程技术的快速发展和市场对高性能芯片的迫切需求。然而，并非所有半导体材料都呈现出增长态势。受产业链持续去库存的影响，尤其是成熟制程领域，硅晶圆的需求依然疲软。2024年，硅晶圆营收同比下降7.1%，成为半导体材料市场中为数不多的下滑品类。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/6 13:50:57
在半导体存储领域，三星电子与SK海力士的竞争从未停歇。近日，三星宣布了一项雄心勃勃的计划，旨在通过量产垂直通道晶体管（VCT）DRAM，重新夺回在DRAM市场的地位。然而，三星方面回应称，具体的DRAM产品蓝图尚未确定，这为市场增添了几分悬念。据三星内部人士透露，公司原计划在2026年第四季度量产基于4F2VCT创新结构的0a纳米级内存，但这一计划已被推迟至2028年。若VCT DRAM最终实现商业化，相关的新技术和设备投入将至少延续到2029年。这一变动无疑给市场带来了新的期待与猜测，也反映了三星在技术研发上的谨慎态度。VCT DRAM技术通过垂直排列晶体管，实现了更高的存储密度和容量，被视为存储技术的“游戏规则改变者”。然而，该技术的开发难度极大，不仅需要突破传统DRAM制程的限制，还需采用过去未曾使用过的先进封装技术。三星电子在决定下一代DRAM工艺方向时，曾在1e nm和VCT DRAM两种方案之间犹豫不决，最终选择了后者这一被认为具有“颠覆性”潜力的技术路径。这一选择，无疑彰显了三星在技术创新上的决心和勇气。与此同时，三星电子在DRAM市场的竞争对手SK海力士也在积极规划其未来技术路径。据透露，SK海力士的大致规划是从1d nm技术过渡到0a nm技术，并最终实现其所谓的VG DRAM（即3D DRAM）的商业化。这一规划显示出SK海力士在DRAM技术领域的持续创新和进取，也预示着未来DRAM市场的竞争将更加激烈。当前，三星电子正面临来自SK海力士在HBM市场的巨大压力。SK海力士已成功实现HBM3E产品的快速市场供应，并借此取得了亮眼的业绩。与之形成鲜明对比的是，三星电子的HBM3E产品却迟迟未能在市场上实现销售。此外，三星电子在DRAM市场的份额也已被SK海力士超越，这对其市场地位构成了严重威胁。为了重拾市场领导者地位，三星电子正加速将产能向HBM与DDR5产...
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2025/4/30 13:25:56
Mini-Circuits的TCO2-532+是一种阻抗比为1:2的微型陶瓷RF平衡-不平衡变压器，适用于4600至5900 MHz的各种无线通信应用。该型号具有低插入损耗、低相位不平衡（相对于180°）、低振幅不平衡和高达2W的射频输入功率处理能力。该装置采用LTCC技术制造，采用小巧坚固的陶瓷封装，适用于恶劣的工作环境。特性•微型尺寸0402（0.039英寸[1.0毫米]x 0.020英寸[0.5毫米]x 0.015英寸[0.37毫米•LTCC结构•可水洗应用•WLAN/Wi-Fi•5G低于6 GHz
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2025/4/29 11:37:38
Mini-Circuits BLGE4-252R+是一款微型陶瓷RF平衡-不平衡变压器，阻抗比（次级/初级）为1:4。该型号覆盖2400至2500 MHz频段，并针对蓝牙、Zigbee和低频段Wi-Fi应用进行了性能优化。该型号提供低插入损耗、低幅度不平衡和高达2W的RF输入功率处理。它采用LTCC技术制造，采用微型封装（0.08 x 0.05 x 0.04英寸）。特性•低相位不平衡，4度，振幅不平衡，典型值为0.4 dB。•微型尺寸0805（2.0x1.2毫米）•LTCC结构•成本低•可水洗应用•ISM频段•WLAN/Wi-Fi•蓝牙•Zigbee
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2025/4/29 11:34:54
TX4-62HP+是一款高功率、表面安装的平衡传输线变压器，具有覆盖20至600 MHz频带的高阻抗比（4:1）。它实现了10W的功率处理，插入损耗低，相位和幅度不平衡良好（分别为4˚、0.7 dB）。该模型非常适合放大器阻抗匹配、推挽放大器等应用。该装置采用无引线底座上的芯线结构，镀金镍板端接，尺寸仅为0.31 x 0.25 x 0.20“，非常适合密集的电路板布局。特性•高功率/高直流电流•宽带20至600 MHz•高阻抗比4:1•无引线表面安装应用•放大器的阻抗匹配•推挽式放大器•VHF/UHF接收器/转换器
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2025/4/29 11:17:48