TR0329M是一个高线性、超低噪声的2级增益块放大器模块，其内部50欧姆的输入输出与集成到产品第二级的旁路模式功能相匹配。在3.6 GHz下，放大器在高增益模式下通常提供34 dB增益、+35 dBm OIP3和0.5 dB噪声系数，同时从+5 V电源汲取90 mA电流。该组件还在低增益模式下提供高性能，增益为15 dB，噪声系数为0.5 dB，OIP3为+22 dBm，同时消耗50 mA电流。 TR0329M采用紧凑、低成本的四方扁平无引线（QFN）3.5 x 3.5 x 0.75 mm、20针塑料封装。特性● 3600 MHz时的小信号增益：34 dB（高增益模式）@3600 MHz：15 dB（低增益模式）● NF@3600 MHz：0.5 dB（高增益模式）@3600 MHz：0.5 dB（低增益模式）● 3600 MHz时的P1dB:20 dBm（高增益模式）@3600 MHz：10.5 dBm（低增益模式）● 5 V典型工作电压● 工作频率：2.0至4.2 GHz应用● 4G/5G基础设施无线电● 小细胞和细胞中继器● 相控阵雷达● SDARS
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2025/4/27 14:00:25
TL0374J是一款宽带超低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。通过简单的输入和输出匹配，该LNA可以针对针对LTE（小型蜂窝和基础设施）的不同频带以及需要低噪声、高增益和线性的任何其他应用进行调谐。对于3 GHz的频带，可以考虑TL0375J。 TL0374J采用紧凑、低成本的双扁平无引线（DFN）2 x 2 x 0.75 mm、8针塑料封装。特性● 1800 MHz时的小信号增益：21.5 dB● 1800 MHz时的噪声系数：0.35 dB● 1800 MHz时的OP1dB:18.5 dBm● 1800 MHz时的OIP3dB:35 dBm● 5 V典型工作电压● 工作频率：0.03至3.0 GHz应用● 4G/5G基础设施无线电● 小细胞和细胞中继器● 相控阵雷达● 卫星数字音频无线电服务
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2025/4/27 13:54:46
TS63410K是一种反射式开放式单极四掷（SP4T）开关，专为需要高RF峰值电压处理的天线或滤波器调谐应用而设计。TS63410K适用于1MHz至3GHz的频率范围。TS63410K具有非常低的1.1Ω 导通电阻和截止电容为0.21pF。此开关最多可以选择16个独立状态。 TS63410K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● Rds在1.1Ω ● Coff 0.21pF● 100V射频峰值电压处理● 4-BIT 16可能的独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 直流电源：Vdd=2.6~5.5V● 1.2~5.0V GPIO总线应用● 可调射频滤波器、动态匹配和天线调谐● 私人移动无线电手机● 公共安全手机● 蜂窝基础设施和卫星终端● 生物医学仪器和植入设备充电
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2025/4/27 13:50:26
TS63421K是一种反射式开放式单极四掷（SP4T）开关，专为需要高RF峰值电压处理的天线或滤波器调谐应用而设计。TS63421K适用于1MHz至3GHz的频率范围。TS63421K的导通电阻非常低，为1.1Ω，截止电容为0.21pF。此开关最多可以选择16个独立状态。内部电荷泵也已禁用，以消除电荷泵杂散。Vcp引脚上需要一个干净的-18V直流电源来实现超低杂散。TS63421K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● Rds在1.1Ω ● Coff 0.21pF● 100V射频峰值电压处理● 4-BIT 16可能的独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 直流电源：Vdd=2.6~5.5V，Vcp=-18V● 1.2~5.0V GPIO总线● 超低杂散选项需要-18V外部电源应用● 可调射频滤波器、动态匹配和天线调谐● 私人移动无线电手机● 公共安全手机● 蜂窝基础设施和卫星终端● 生物医学仪器和植入设备充电
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2025/4/27 13:45:48
TS64210L是一种反射式开放式单极双掷（SP2T）开关，专为需要高RF峰值电压处理的天线或滤波器调谐应用而设计。TS64210L适用于1MHz至3GHz的频率范围。TS64210L的下限为1.1Ω 导通电阻和截止电容为0.28pF。此开关最多可以选择4个独立状态。 TS64210L采用紧凑的四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性● 低1.1Ω 导通电阻● 0.28pF-Coff● 120V射频峰值电压处理● 每个州都可以独立控制● 4 独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 多功能2.6~5.5V电源● 1.2~5.0V数字控制应用● 滤波器和天线调谐● 动态匹配● 私人移动无线电手机● 公共安全手机
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2025/4/27 13:42:14
TS7029N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS7029N可以覆盖700M至2.7GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS7029N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。 TS7029N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性● 低TX插入损耗：0.40dB@800MHz● 高隔离度：50dB@800MHz● 631W峰值功率处理● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：700MHz至2.7GHz应用● 蜂窝基础设施● 小细胞● 宏单元● ADS-B、敌我识别系统
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2025/4/27 13:38:45
TS7529N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7529N在700M至4GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。 TS7529N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm、32引脚塑料封装。特性低插入损耗（TX路径）：0.65dB@2.7GHz高隔离（RX路径）：2.7GHz时为45dB316W峰值功率处理射频线路上没有外部隔直电容多功能2.6-5.25V电源应用蜂窝基础设施小细胞LTE中继和微蜂窝卫星终端
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2025/4/27 13:35:09
TS7329K是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7329K在500MHz至5GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。 TS7329K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗（TX/RX）：2600MHz时为0.4/0.6dB●高隔离度（RX路径）：2600MHz时40dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：500MHz至5GHz应用●4G、5G系统●RX保护●蜂窝基础设施●小细胞●LTE中继和微蜂窝●雷达
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2025/4/27 13:30:43
TS8729N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8729N可以覆盖500MHz至2.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。 TS8729N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性●低TX插入损耗：800MHz时为0.19dB●高隔离度：40dB@800MHz●550W 20%占空比2.0ms脉冲宽度●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：500MHz至2.0GHz应用● L波段雷达● TBD
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2025/4/27 13:25:25
在全球半导体产业竞逐埃米级制程的硝烟中，台积电再次抛出技术震撼弹。在6月12日举行的2025北美技术研讨会上，这家芯片代工巨头首次披露A14制程量产时间表——计划于2028年投入生产，这标志着其技术路线图已突破传统纳米尺度命名体系，剑指1nm以下物理极限。制程迭代上演“三线作战”根据最新技术蓝图，台积电正在构建覆盖多个技术代际的立体化制程布局：N3P制程：作为3nm家族的第三代成员，已于2024年Q4如期量产，主要服务于需要性能增强但保留3nm IP设计的数据中心与HPC客户。N3X制程：预计2026年登场，承诺在相同功耗下性能较N3P再提升5%，或在同频下功耗降低7%，专攻高性能计算领域极限需求。A16/A14制程：采用全新架构的A16制程锁定2026年底试产，而更具颠覆性的A14制程将在2028年落地，其晶体管密度与能效比将超越当前规划的2nm技术。值得关注的是，台积电首次将“埃米级制程”纳入官方路线图。尽管未透露具体技术细节，但业界推测A14可能采用CFET（互补式场效应晶体管）或2D材料等突破性技术，以应对1nm以下量子隧穿效应带来的物理挑战。3nm家族榨出最后性能红利在制程成本飙升的背景下，台积电正通过技术微创新深挖3nm潜力。N3P制程通过优化器件结构与引入新型高迁移率材料，使逻辑密度较初代N3E提升4%，同时维持设计兼容性。而即将推出的N3X通过后端金属堆叠优化，可将信号传输延迟降低15%，这对追求超高时钟频率的AI加速器芯片至关重要。“我们的3nm技术生命周期将超越行业预期。”台积电研发副总裁柯安迪在研讨会现场表示，“从N3E到N3P再到N3X，每个节点都带来可观的PPA（性能、功耗、面积）提升，这为客户提供了灵活的成本效益选择。”万亿美元野望背后的AI赌局面对半导体市场周期性波动，台积电展现出罕见激进姿态——2025年资本支出维持400亿美元高位，其中80...
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2025/4/27 13:17:34
HFCW-6010+是一款高通滤波器，通带范围为6400 MHz至20000 MHz，支持多种应用。由于战略性地构建了布局，该模型在宽带上提供了良好的插入损耗。该滤波器采用微小的0603陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数产品: High Pass Filters 频率: 6.4 GHz to 20 GHz 阻抗: 50 Ohms 端接类型: SMD/SMT 封装 / 箱体: JC0603C 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 系列: HFCW 封装: Reel 封装: Cut Tape 商标: Mini-Circuits 介入损耗: 2 dB特性•很好的抑制，典型值为45 dB。•小尺寸0603（0.063英寸X 0.032英寸X 0.024英寸）•温度稳定•LTCC结构应用•测试和测量•军事应用•电信和宽带无线系统尺寸图
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2025/4/25 13:58:20
TS8728N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8728N可以覆盖500MHz至4.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。 TS8728N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm2 32引脚塑料封装。TS8728N可替代型号：MASW-011120（MACOM）特性•切换时间：0.75s•低TX插入损耗：0.39dB@3550MHz•高隔离度：3550MHz时为38dB•400W 20%占空比2.0ms脉冲宽度•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：500MHz至4.0GHz应用●L波段雷达●S波段雷达
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2025/4/25 13:53:46
TS8029N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8029N可以覆盖700MHz至5.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8029N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。TS8029N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。TS8029N可替代型号：MASW-000936（MACOM）特性● 低TX插入损耗：0.20dB@800MHz● 高隔离度：800MHz时为51dB● 631W峰值功率处理● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：700MHz至5.0GHz应用● 蜂窝基础设施● ADS-B、敌我识别系统● 低功率的无线接入节点● 宏单元
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2025/4/25 13:48:34
TS8028N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8028N可以覆盖700MHz至5.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8028N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。 TS8028N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性● 低TX插入损耗：800MHz时为0.21dB● 高隔离度：800MHz时为52dB● 500W峰值功率处理● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：700MHz至5.0GHz应用●蜂窝基础设施●无线接入节点●可编程逻辑宏单元●ADS-B、敌我识别系统
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2025/4/25 13:44:06
TS8329K是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS8329K在500MHz至8.5GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS8329K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● 低插入损耗（TX/RX）：0.4/0.5dB@3000MHz● 高隔离度（RX路径）：3000MHz时38dB● 高峰值功率处理能力● 射频线路上没有外部隔直电容器● 所有射频端口均处于关闭状态● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：500MHz至8.5GHz应用● 4G、 5G系统● RX保护● 蜂窝基础设施● 小细胞● LTE中继和微蜂窝● Radar
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2025/4/25 13:39:54
TS72421K是一款基于尖端GaN技术的对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带和高功率开关应用而设计。TS72421K在700MHz至3.8GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。4条控制线可以独立选择多达16个可能的位置。TS72421K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.45dB@800MHz●高线性功率处理●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换功能●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：700MHz至3.8GHz应用●ADS-B系统●蜂窝基础设施●小细胞●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/25 13:34:13
TS72461K是一款基于尖端GaN技术的对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带和高功率开关应用而设计。TS72461K在400MHz至3.8GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。4条控制线可以独立选择多达16个可能的位置。 TS72461K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● 低插入损耗：0.40dB@800MHz● 高线性功率处理● 射频线路上没有外部隔直电容器● 40dBm CW热切换功能● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：400MHz至3.8GHz应用● 蜂窝基础设施● 小细胞● LTE中继和微蜂窝● 卫星终端
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2025/4/25 13:31:13
TS72420K是一款对称反射式单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS72420K在10MHz至3GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。Vcp引脚上需要-17V电源。 TS72420K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● 低插入损耗：0.45dB@800MHz● 高隔离度：40dB@800MHz● 高线性功率处理能力● 射频线路上没有外部隔直电容器● 40dBm CW热切换能力● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：10MHz至3GHz应用● 私人移动无线电手机● 公共安全手机● 蜂窝基础设施● 小细胞● LTE中继和微蜂窝● 卫星终端
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2025/4/25 13:27:40