Mini-Circuits的HFHK-6010+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为6600至17000 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.5 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征典型插入损耗。1.5分贝阻带抑制，典型。74分贝典型通带回波损耗。11分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/7/21 14:08:40
TSS-23ULN+是一款基于pHEMT的宽带、超低噪声MMIC放大器，具有高P1dB、高IP3和电压控制关断功能。该放大器工作频率范围为10至2000 MHz，典型噪声系数为0.4 dB，增益为20 dB，P1dB为+20.3 dBm，OIP3为+37.3 dBm。这些特性组合使其成为灵敏接收机应用的理想选择。TSS-23ULN+采用单+5 V供电，采用小型、低矮的2x2 mm QFN封装，便于集成到密集的电路板布局中。特征低噪声系数，典型值0.4 dB高增益，典型值20 dB高OIP3，典型值+37.3 dBm快速关闭功能，7.5纳秒单电源电压，70.6 mA时为+5 V2x2毫米8引脚QFN型封装应用蜂窝基础设施卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/21 14:04:42
Bourns最新推出的BTN02G与BTN04G系列表贴式NTC热敏电阻，以±1%的电阻公差和±1%的B值公差重新定义温度传感精度标准。该系列采用EIA 0402（BTN04G）及0201（BTN02G）超小型封装，支持-40°C至+125°C工业级工作温度范围，专为应对行动装置、多节锂电池组、LCD显示器等紧凑型电子设备的热管理挑战而设计。通过半导体陶瓷与内部电极的创新结构，实现在宽温区内阻值平稳线性变化，为高敏感度电子系统提供可靠温度补偿。核心作用在电池管理、显示驱动等关键系统中，BTN02G/BTN04G通过三重核心功能实现热安全管理：●精准温感：±1%电阻公差实现±0.5℃测量精度，预防锂电池热失控●实时补偿：快速响应温度变化（τ<1s），动态校正LCD显示色偏●系统简化：直接表贴设计取代外置探头，降低BOM成本30%以上产品关键竞争力●精度领跑：行业顶尖的±1%电阻公差（竞品普遍≥±2%）●超微尺寸：BTN04G仅0402封装（1.0×0.5mm），比上一代缩小60%●环境适应性：-40℃~125℃宽温区性能，满足汽车电子Grade 2标准●合规优势：无卤素材料+RoHS认证，出口设备免检适配实际应用场景1. 锂电池热安全管理在16串锂电池组（67.2V）中直接贴装于电芯表面，通过±1%阻值变化精准预警热失控风险，响应速度比传统热电偶提升5倍。2. LCD显示色温补偿集成于电视/手机显示屏驱动板，实时校正背光LED因温升导致的色偏，补偿精度达98%。3. 快充适配器过热保护在GaN快充模块中监测变压器热点温度，触发温度阈值可设定为±1℃精度。4. 物联网传感器节点为BLE模组提供0.1mA级超低功耗温度传感，延长钮扣电池寿命50%。Bourns BT...
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2025/7/21 13:52:03
恩智浦半导体全球首发BMx7318/7518系列18通道锂电池电芯控制器，专为高压电动车电池系统、工业储能及48V混动平台打造。该芯片采用革命性全通道独立ADC架构，实现汽车ASIL-C与工业SIL-2双认证，通过集成网关功能与模拟前端，削减50%外围元件，为新能源系统提供高性价比安全中枢。核心作用三重维度重构BMS标准：●安全升级：专用硬件告警引脚实现μs级过流响应，比软件方案快100倍●寿命延伸：-40℃~125℃宽温域运行，匹配10年电池生命周期●系统集成：单芯片整合电芯监控+电池接线盒+通信网关，PCB面积缩小60%产品关键竞争力●BMx7318：支持SPI2TPL桥接协议，适用分布式储能架构●BMx7518：集成I-sense电流检测，优化车规级系统●共有优势：▶ 18通道灵活拓扑，支持非对称电池组▶ 300mA峰值均衡电流（单通道）▶ 跨型号引脚兼容，设计迁移零成本实际应用场景●800V超充电池包：18通道独立监控1000V系统，精度±2mV●电网级储能系统：支持8192节电芯级联，减少通信延迟90%●深海能源设备：5μA休眠模式保障12个月海底储能●混动汽车48V系统：单芯片实现启停电池智能管理BMx7318/7518系列标志着恩智浦在电气化领域的战略突破——以中国研发速度响应全球新能源需求。其全通道隔离架构不仅解决多电芯采样世纪难题，更通过50%系统降本加速储能商业化进程。随着该芯片导入头部车企800V平台，将推动电动车安全标准进入μs级响应新时代。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/21 13:46:52
面对2025年人工智能（AI）芯片需求持续攀升及全球宏观经济波动，台积电近日宣布加速全球扩张战略，重点推进美国亚利桑那州工厂建设，同时通过多元化对冲策略应对汇率风险。公司表示，尽管面临新台币升值等挑战，仍将谨慎规划资本支出，以满足Meta、谷歌等科技巨头对数据中心芯片的旺盛需求。AI需求驱动：亚利桑那州工厂提速，2纳米产能30%落地美国作为全球最大芯片代工厂，台积电正以亚利桑那州为关键支点，布局未来AI芯片产能。根据规划，其位于该州的第二家工厂将于2027年提前数季度启动量产，主要生产2纳米及更制程芯片；第三家工厂的建设也可能因客户需求加速推进。最终，亚利桑那州将承担台积电约30%的2纳米及更高端工艺产能，成为其全球最制程的重要基地。台积电同步上调2025年全年销售额增长预期至30%，进一步印证市场对AI基础设施投资的乐观预期。Meta、谷歌等科技巨头持续扩大数据中心建设，直接拉动对高性能AI芯片的需求，为台积电的扩张提供支撑。美国政策助推：供应链回流挑战与机遇并存美国政府推动芯片制造业回流的政策，是台积电加速在美布局的另一背景。2025年，美国商务部长霍华德·卢特尼克在国会听证会上重申，目标是将整条芯片供应链从亚洲迁回美国。台积电亚利桑那州项目（总投资1650亿美元）被视为这一战略的核心举措。不过，台积电高管指出，复制台湾成熟的芯片生态系统难度极大。台湾经过数十年积累，形成了数百家原材料和服务供应商的网络，而美国因文化差异、成本差距及人才缺口，短期内难以构建同等规模的配套体系。台积电已向美方提出，需在许可证、人才引进等方面为小型供应商提供激励，以加速生态形成。汇率波动应对：多策略对冲新台币升值压力除地缘政策外，汇率波动是台积电2025年面临的另一挑战。2025年以来，新台币兑美元汇率累计升值超11%，直接压缩以美元计价的利润空间。为此，台积电采取多元化对冲策略：...
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2025/7/21 13:41:45
ADM1176是一款集成式热插拔控制器，通过一个片内12位模数转换器(ADC)提供数字电流和电压监控，通信采用I2C 接口进行。内部电流检测放大器通过VCC引脚和SENSE引脚，可检测电源路径中检测电阻上的电压。ADM1176通过GATE引脚控制电源路径中一个外部N-沟道FET的栅极电压，从而限制流经该检测电阻的电流。检测电压（因而涌入电流）保持在最大预设值以下。ADM1176限制最大电流流经该FET的时间，进而保护外部FET。这一电流限制周期通过选择TIMER引脚上连接的电容来设置。此外，该器件还能防范热插拔完成时可能会发生的过流情况。当发生短路时，检测电阻中的电流超过过流跳闸阈值，FET将立即拉低GATE引脚而切断。12位ADC可以测量检测电阻中的电流以及VCC引脚上的电源电压。利用工业标准I2C 接口，控制器可以从ADC读取电流和电压数据。测量可以通过I2C 指令启动。或者，ADC也可以连续运行，用户可以在需要的任何时候读取最新转换数据。根据A0和A1引脚的连接方式，最多可以创建16个唯一的I2C 地址。ADM1176采用10引脚MSOP封装。特征• 能够将电路板安全地插入带电背板或拔出• 控制电源电压范围：3.15 V至16.5 V• 精密电流检测放大器• 精密电压输入• 12位ADC用于电流和电压回读• 为外部N-沟道FET提供电荷泵栅极驱动• I2C 快速模式兼容接口（最大400 kHz）• 可调模拟电流限值，带断路器• ±3% 精确热插拔电流限值• 快速响应限制峰值故障电流• 电流故障时自动重试或自锁• 可通过TIMER引脚编程设置热插拔时序• 高电平有效ON引脚• 2 个地址引脚允许16个器件共用同一总线• 10引脚MSOP封装应用电力监控/电力预算中心办公设备电信和数据通信设备个人电脑/服务器
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2025/7/18 14:32:19
LTM8001 是一款具有一个 5 输出可配置 LDO 阵列的 36VIN、5A 降压型 μModule®稳压器。LTM8001 降压型稳压器可在一个 6V 至 36V 的输入电压范围内运作，支持 1.2V 至 24V 的输出电压范围。位于降压稳压器之后的是一个由 5 个 1.1A 线性稳压器构成的阵列，这些线性稳压器的输出可进行并联连接以适应多种负载组合。这些 LDO 中有 3 个连接至降压稳压器的输出端，而另外 2 个则共同连接至一个非专用的输入。由于采用了扁平的封装 (高度仅 3.42mm)，因而可以利用 PC 板底部上的未用空间，以实现高密度负载点调节。LTM8001 采用耐热性能增强型的紧凑 (15mm x 15mm) 和扁平 (高度仅 3.42mm) 模压树脂球栅阵列 (BGA) 封装，适合采用标准的表面贴装设备来进行自动化装配。LTM8001 具有符合 SnPb (BGA) 或 RoHS 标准的引脚涂层。特征完整的降压开关模式电源，配备可配置的五个LDO阵列降压开关电源可调10%精确输出电流限制恒流、恒压运行宽输入电压范围：6V至36V1.2V至24V输出电压可配置输出LDO阵列五个1.1A并行输出输出可在0V至24V之间调节低输出噪声：90μVRMS（100Hz至1MHz）15mm×15mm×3.42mm表面贴装BGA封装应用• FPGA、DSP、ASIC 和微处理器电源• 服务器和存储设备• RF 收发器
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2025/7/18 14:27:44
LT3502/LT3502A 是电流模式 PWM 降压型 DC/DC 转换器，具有一个内部 500mA电源开关，采用纤巧型 8 引脚 2mm x 2mm DFN 和 10 引脚 MS10 封装。3V 至 40V 的宽输入电压范围使得 LT3502/LT3502A 很适合对来自各种电源的功率进行调节，包括 24V 工业电源和汽车电池。其高工作频率允许使用纤巧、低成本的电感器和电容器，因而实现了一款非常小巧的解决方案。高于 AM 频段的恒定频率避免了对无线电接收的干扰，从而使 LT3502A 特别适合于汽车应用。 逐周期电流限制和频率折返提供了针对短路输出的保护作用。软起动和频率折返消除了启动期间的输入浪涌电流。DA 电流检测在故障条件下提供了进一步的保护。一个内部升压二极管减少了元件数目。特征• 3V 至 40V 输入电压范围• 500mA 输出电流• 开关频率：2.2MHz (LT3502A)、1.1MHz (LT3502)• 800mV 反馈电压• 抗短路性能强• 软起动• 低停机电流：< 2μA• 内部补偿• 内部升压二极管• 耐热增强型 2mm x 2mm 8 引脚 DFN 和 10 引脚 MS10 封装应用汽车系统电池供电设备壁式变压器调节分布式供应监管
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2025/7/18 14:23:34
面对低地球轨道（LEO）卫星部署的爆发式增长，意法半导体近日推出LEOPOL1点负载降压转换器，以抗辐射加固设计与汽车级制程控制，为新兴航天市场提供高可靠、低成本的电源解决方案。该产品兼容意法半导体LEO系列器件，助力卫星开发者应对严苛的太空环境。私营企业主导的新太空产业链正在赋能新型服务，例如，通过研制发射成本效益好的低地球轨道卫星提供数据通信和地球观测服务。LEOPOL1 是意法半导体 LEO功率、模拟和逻辑 IC系列的最新产品，主打降低客户的拥有成本，提供产品质量保证，优化抗辐射性能，是低地球轨道卫星的首选解决方案，同时借鉴包括统计过程控制方法在内的汽车行业最佳实践。LEOPOL1 采用辐射固化设计方法和意法半导体久经太空市场检验的BCD6-SOI(绝缘体上硅)技术，能够耐受低地球轨道 (LEO) 环境中的辐射危害。关键抗辐射参数：总电离剂量(TID) 50 krad(Si)，总非电离剂量 (TNID) 3.1011质子/平方厘米，单粒子效应 (SEE) 性能高达 62 MeV.cm²/mg。LEOPOL1 提供丰富、灵活的功能，包括异相均流，通过并联多个LEOPOL1 转换器，将输出至负载的电流提高几倍。此外，同步功能可以给有多条电压轨的设备轻松设置上电顺序。该转换器的最高输出电流为7A，输入对地电压为12V，在 62 MeV.cm²/mg辐射强度和6V电压下，输出电流为5A。现在，随着 LEOPOL1 的推出，意法半导体的 LEO 系列能够满足各种电路设计需求。该产品组合还包括深受市场欢迎的逻辑门和缓冲器、LVDS收发器、8 通道12位ADC和低压差稳压器 (LDO)。所有器件均符合意法半导体专为 LEO 应用开发的专有技术规范，包括性能参数，以及制程控制、产品认证，并附带合格证书 (CoC)。意法半导体LEOPOL1的推出，标志着低轨卫星电源...
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2025/7/18 14:13:51
Bourns最新推出的SRF1209U4系列片式共模电感器，专为解决高速信号传输中的电磁干扰（EMI）问题而设计。该系列采用超薄封装结构（厚度仅1.2mm），在有限空间内实现高频噪声高效过滤，显著提升USB4、Thunderbolt等高速接口的信号完整性。核心作用在USB4（40Gbps）、HDMI2.1（48Gbps）等高速传输场景中：●抑制共模噪声达20dB以上●降低误码率约35%●保持信号上升沿完整性●阻断电源线高频干扰关键竞争力●空间效率：行业最薄方案（较竞品薄0.3mm）●频响特性：100MHz频点阻抗提升40%●兼容能力：支持Thunderbolt4/USB4最新协议●可靠性：通过1500次温度循环测试典型应用场景●8K影音传输：HDMI2.1接口EMI滤波●移动工作站：Thunderbolt4接口噪声抑制车载娱乐系统：USB-C高速数据传输●工业相机：Camera Link接口保护在高速数字接口全面普及的背景下，Bourns SRF1209U4系列通过突破性的薄型化设计和高频阻抗特性，为消费电子、工业设备及车载系统提供了更优的EMI解决方案。其兼容未来协议的扩展能力，将持续赋能下一代高速传输技术发展。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/18 14:10:46
2025年7月17日，台积电发布第二季度财报，数据显示，当季净利润达3983亿新台币（约合893亿元人民币），同比大幅增长60.7%，创下历史新高，这也是其连续五个季度保持两位数增长，业绩表现超出市场预期。业绩亮点：营收、净利润双增长，毛利率维持高位财报显示，台积电Q2合并营收为9337.9亿新台币（约合2280亿元人民币），同比增长38.6%；稀释每股收益同步增长60.7%。盈利能力方面，毛利率达58.6%，营业利润率49.6%，净利润率42.7%，核心盈利指标均保持行业水平。与第一季度相比，营收环比增长11.3%，净利润增长10.2%，延续了自2024年以来的增长态势。核心驱动：AI与高性能计算需求爆发，制程占比超7成台积电本季业绩的核心支撑来自人工智能（AI）和高性能计算（HPC）芯片需求的持续走强。相关业务占Q2整体营收的60%，较去年同期的52%进一步提升，覆盖了AI算力基础设施、5G应用等高增长领域。从制程结构看，工艺（7nm及以下）贡献了74%的晶圆收入，其中：●3nm制程出货量占晶圆总营收的24%；●5nm制程占比36%，为第一大收入来源；●7nm制程占比14%。目前，台积电正为英伟达、苹果等全球头部企业提供AI芯片代工服务，受益于全球AI算力基础设施的扩张浪潮。未来展望：Q3预期乐观，尖端工艺需求持续支撑业务台积电对第三季度业绩保持乐观，预计：●营收在318亿至330亿美元之间（基于1美元兑29.0新台币汇率）；●毛利率55.5%至57.5%；●营业利润率45.5%至47.5%。台积电资深副总经理兼首席财务官黄文德表示：“第二季度业务得益于AI和高性能计算的强劲需求，展望第三季度，尖端工艺技术的需求将持续支撑业务增长。”2025年Q2，台积电凭借AI与高性能计算领域的深度布局，再次交出亮眼成绩单，制程已成为其核心收入来源。在全球半导体行业向AI时代转型的背...
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2025/7/18 14:02:39
英伟达消费级PC CPU的发布计划再生变数。据行业媒体SemiAccurate最新报道，原定于2025年推出的N1/N1X处理器因“关键硬件缺陷”需重新设计芯片，发布时间被推迟至2026年。这一消息与此前英伟达在重要展会上的沉默形成呼应，也揭示了其进军消费级CPU市场面临的技术挑战。发布计划多次调整：从2025到2026的波折2023年，英伟达曾传出计划在2025年推出基于Windows的消费级PC CPU的消息，引发市场关注。然而，进入2025年后，其动作却与预期存在偏差——3月的GTC 2025大会上，英伟达仅发布了与联发科合作的GB10芯片（主打紧凑型AI工作站），未提及任何消费级CPU进展；5月的台北国际电脑展（Computex 2025）上，N1/N1X处理器同样未现身，市场猜测其发布节奏已放缓。硬件缺陷成主因：从“可修复”到“需重设计”此次推迟的核心矛盾在于硬件问题。早期消息称，英伟达曾通过固件或微码更新解决了部分缺陷，将发布时间从2026年晚些时候提前至2026年初。但SemiAccurate最新指出，就在几天前，未发布的N1/N1X芯片又暴露出“关键硬件缺陷”，必须进行芯片级的重新设计（即修订芯片版本）。重新设计周期：4nm制程的调整难度业内分析，4nm工艺下的芯片重新设计通常需3-6个月，具体时间取决于缺陷位置和修改幅度：若仅涉及上层金属层的细微调整，可能数周至数月完成；但若涉及底层逻辑电路或布局的重大修改，周期可能延长至半年甚至更久。这意味着，即使“快速”调整，N1/N1X的发布时间也可能从原计划的2026年初推迟至2026年中后期。市场影响：消费级CPU进程滞后，AI工作站先行值得注意的是，英伟达在CPU领域的布局并未完全停滞——其与联发科合作的GB10芯片已进入工作站市场，主打紧凑型AI设备。但消费级PC CPU作为更大众化的产品，需兼顾性能、功耗与...
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2025/7/18 13:58:26
MASW-003103-1364是一款Surmount™宽带单片SP3T开关，使用串联和并联的硅PIN二极管。该部分设计用于在高达20 GHz的应用中用作中等信号、高性能开关。这种表面贴装芯片级配置针对宽带性能进行了优化，具有最小的相关寄生效应，通常与混合MIC设计相关，该设计包含需要芯片和导线组装的束引线和PIN二极管。MASW-003103-1364是使用MACOM的专利HMIC™（异质微波集成电路）工艺（美国专利5268310）制造的。该工艺允许将硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中，形成串联和分流二极管或通孔。通过在元件之间使用小间距，硅和玻璃的这种组合使HMIC™器件在低毫米频率下具有低损耗和高隔离性能。选择性背面金属化被应用于生产表面安装器件。顶部完全用氮化硅封装，并有一个额外的聚合物层用于划痕和冲击保护。这些保护涂层可防止在搬运和组装过程中损坏接头和阳极空气桥。特征·从50 MHz到20 GHz指定·聚合物防刮擦保护·氮化硅钝化·+25°C时高达+38 dBm C.W.功率处理1·玻璃封装结构·坚固耐用，完全单片·符合RoHS标准的Surmount™封装·低寄生电容和电感·高隔离度·低插入损耗·可用频率高达26 GHz应用·航空航天与国防·ISM
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2025/7/17 15:25:15
MAPS-010164是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器，采用4mm PQFN塑料表面贴装封装，集成CMOS驱动器。步长为5.6°，以5.6°的步长提供从0°到360°的相移。该设计已经过优化，以尽量减少相移过程中衰减的变化。MAPS-010164非常适合在需要高相位精度和相移范围内最小损耗变化的情况下使用。4 mmPQFN封装提供了比通常具有内部驱动器的数字移相器更小的占地面积。典型应用包括通信天线和相控阵雷达。特征6位数字移相器360º覆盖，LSB=5.6°集成CMOS驱动器串行或并行控制低直流功耗相移范围内衰减变化最小50 Q阻抗耳朵99无铅4mm 24导联PQFN封装符合RoHS标准引脚配置图
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2025/7/17 15:21:35
MAAD-011021是一款覆盖直流至30 GHz的宽带6位数字振荡器。衰减位值为0.5 dB LSB（最低有效位）、1、2、4、8和16 dB，总衰减为31.5 dB。衰减误差通常小于+/-0.5 dB，RMS相位误差在20 GHz时小于5度，典型插入损耗在15 GHz时为7.2 dB。在所有频率和衰减状态下，回波损耗通常为12dB。衰减器集成了一个逆变器，可以对串联/并联衰减进行单一控制。逆变器需要-5V电源（Vcc）和17mA典型电流，逻辑为0V/+5V。特征.6位，0.5 dB LSB，31.5 dB范围直流至30 GHz操作集成TTL 0/+5V控制+/-0.5 dB典型比特误差低均方根相位4.3@20 GHz无铅3mm 16引脚PQFN封装所有控制和偏压的ESD保护引脚配置
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2025/7/17 15:18:30
MACP-010573属于一系列小型、易用、宽带、定向探测器。通过集成低损耗定向耦合器和内置温度补偿电路，这些探测器提供了一种简单的方法来监测沿传输线在特定方向传播的信号的功率。探测器装在一个微型、表面贴装、无铅塑料包装中。它们需要少量的偏差才能正常运行。总偏置电流小于0.5mA。典型应用包括点对点无线电、IMS、雷达、VSAT、电子战和航空航天与国防系统中的功率监测和调平。表面贴装封装很小，但可以用标准的拾取和放置组装设备进行处理和放置。探测器是在成熟的GaAs工艺上制造的，该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。特征集成定向耦合器低插入损耗：0.40 dB@20 GHz最小可检测功率：-18 dBm@20 GHz内置温度补偿无铅1.5 x 1.2毫米6导联TDFN塑料封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准，兼容260°C回流应用·航空航天与国防·EW·IMS·点对点无线电·雷达·VSAT
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2025/7/17 15:15:45
HFCN-1810+是Mini-Circuits品牌的一款陶瓷HPF滤波器芯片，最小7节，最大7节，中心或截止频率（fo/fc）为1810MHz，符合ROHS标准，陶瓷密封，外壳FV1206，4针。特征成本低尺寸小7节温度稳定LTCC结构出色的功率处理能力，7W密封应用次谐波抑制发射器/接收器实验室使用
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2025/7/17 14:15:26
MAAM-011206是一款通用的DC-15 GHz达林顿放大器，在最大电流下具有14.5 dB的典型增益和20.5 dBm的输出功率。输入和输出完全匹配到50O，典型回波损耗>15dB。三阶线性度（OIP3）通常为29 dBm，反向隔离度>21 dB。通过+3V至+5V的单个偏置电压VDD实现功能操作。特征·增益：14.5 dB@5 GHz·无卤素“绿色”模塑料·无铅1.5 x 1.2毫米6导联TDFN塑料封装·可调电流·单偏压操作·噪声系数：4 dB@5 GHz·输出P1dB:5GHz时为20.5dBm·符合RoHS标准应用·A&D·测试与测量·VSAT/SATCOM·无线通信
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2025/7/17 14:10:00