MAX38888为超级电容备份调节器，设计用于在超级电容和系统电源轨之间高效传输电源。有主电池且主电源高于最低系统电源电压时，调节器对超级电容进行充电，充电电流可达500mA。超级电容充电之后，电路仅吸收2.5μA电流，同时超级电容保持在就绪状态。主电池移除后，调节器可防止系统下降到最低工作电压以下，以高达2.5A的速率对超级电容进行放电。MAX38888可通过外部编程设置超级电容最小和最大电压、最低系统电压、最大充电和放电电流。内部DC/DC转换器仅需要1μH电感。特性• 2.5V至5V系统输出电压• 0.8V至5V超级电容电压范围• 高达2.5A峰值放电电流• 可编程电压及电流门限• ±2%门限精度• 效率高达95%，包括充电或放电• 2.5μA就绪静态电流• 较小方案尺寸• 3mm x 3mm x 0.75mm TDFN封装应用• 手持式工业设备• 便携式计算机• 具有可拆卸电池的便携式设备
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2025/5/23 14:07:37
LTM4637 是一款完整的 20A 输出、高效率、开关模式、降压型 DC/DC μModule (微型模块) 稳压器。封装中内置了开关控制器、功率 FET、电感器和补偿组件。LTM4637 可在一个 4.5V 至 20V 的输入电压范围内运作，支持一个 0.6V 至 5.5V 的输出电压范围 (由单个外部电阻器来设定)。仅需少量的输入和输出电容器。电流模式操作实现了多达 4 个 LTM4637 稳压器的精准均流，以获得高达 80A 的输出。高开关频率和一种电流模式架构的运用提供了针对电压和负载变化的非常快之瞬态响应，而并未牺牲稳定性。该器件支持频率同步、多相 / 均流运作、突发模式操作以及用于电源轨排序的输出电压跟踪功能。可提供一个二极管连接的 PNP 晶体管，用作内部温度监视器。LTM4637 采用 15mm x 15mm x 4.32mm LGA 封装和 15mm x 15mm x 4.92mm BGA 封装。LTM4637 具有符合 SnPb (BGA) 或 RoHS 标准的引脚涂层。LTM4637 的引脚与 LTM4627 相兼容，后者是一款 15A DC/DC μModule 稳压器。特性• 完整的 20A 开关模式电源• 4.5V 至 20V 输入电压范围• 0.6V 至 5.5V 输出电压范围• ±1.5% 的总 DC 输出电压误差 (-40°C 至 125°C)• 差分远端检测放大器针对 VOUT ≤ 3.3V 实现精准调节• 电流模式控制 / 快速瞬态响应• 并联均流 (高达 80A)• 频率同步• 可选的脉冲跳跃或突发模式 (Burst Mode®) 操作• 软起动 / 电压跟踪• 效率高达 88% (12VIN、1.8VOUT)• 过流折返保护• 输出过压保护• 内部温度监视器• 过热保护• 15mm x 15...
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2025/5/23 14:01:15
LT3470是一款微功耗降压型DC/DC转换器，在薄型3mm × 2mm DD和ThinSOT™封装中集成了300mA电源开关、续流二极管和升压二极管。LT3470结合了突发工作和连续工作模式以便使用小型电感和电容，同时向高达200mA的负载提供低纹波输出。LT3470具有4V至40V的宽输入电压范围，可调节各种电源，从2节锂离子电池到未稳压的壁式变压器和铅酸电池。在典型应用中，处于稳压状态的静态电流仅为26µA，同时零电流关断模式可从输入源断开负载，从而简化电池供电系统中的电源管理。快速限流和迟滞控制可保护LT3470和外部器件免受短路输出的影响，甚至在40V输入电压下。特性• 低静态电流：26µA（12VIN至3.3VOUT）• 集成升压和续流二极管• 输入范围：4V至40V• 低输出纹波：• • 输出电压：1.25V至16V• 输出电流：200mA• 迟滞模式控制• 低纹波突发工作模式(Burst Mode®)（轻负载下）• 在较高负载下连续工作应用• 汽车电池调节• 便携式产品电源• 分布式电源调节• 工业电源• 壁式变压器调整
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2025/5/23 13:58:16
ADM1185是一款集成式、4通道、电压监控和时序控制器件，采用2.7 V至5.5 V电源，通过VCC引脚供电。四个精密比较器监控四个电压轨。所有比较器均有一个0.6 V基准电压源，最差精度为0.8%。VIN1、VIN2、VIN3和VIN4引脚外的电阻网络可设置受监控供电轨的跳变点。数字内核则解读比较器输出的状态。内部时间延迟可以用来控制由各输出先后启用的各电源的启动时序。同时还能检测超出范围的电源，进而禁用相应的输出。ADM1185具有四路开漏输出。在典型配置中，用OUT1至OUT3实现电源使能，而PWRGD则为共用的电源正常信号输出，指示所有受监控电源的状态。ADM1185采用10引脚超小型封装(MSOP)。特性• 采用2.7 V至5.5 V电源，通过VCC引脚供电• 具有内部超时的逻辑内核提供电源时序控制和故障保护• 利用分阻器可以对4路输入进行编程，以监控不同的电平应用监控和报警功能电源排序电信和数据通信设备个人电脑/服务器
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2025/5/23 13:54:56
英飞凌发布SiC沟槽型超结技术（TSJ），通过融合沟槽栅结构与超结设计，将碳化硅功率器件的性能边界推向新高度。该技术首次应用于ID-PAK封装的1200V功率器件，支持最高800kW功率的电动汽车牵引逆变器，较传统方案功率密度提升40%，主逆变器电流承载能力增强25%，为现代汽车等客户提供更高效、紧凑的动力系统解决方案。随着全球电动车市场向800V高压架构加速转型，英飞凌以技术迭代抢占SiC赛道制高点，目标2030年占据30%市场份额。技术突破：结构优化与工艺创新1. 沟槽栅+超结协同设计：通过三维沟槽结构优化载流子路径，开关损耗降低25%，支持高频化运行（100kHz+）；超结技术减少寄生电容，R DS(on)*A指标较平面型SiC MOSFET降低40%。2. 封装热管理升级：采用.XT互连技术，结温较前代下降25℃，支持175℃持续工作；ID-PAK封装兼容水冷/风冷，功率密度达50W/cm³（行业平均30W/cm³）。3. 可靠性强化：通过100%雪崩测试，短路耐受能力提升15%；循环寿命超100万次，适配车规级AEC-Q101认证。行业价值：能效与成本双赢1. 电动汽车领域：支持800V平台电驱系统，续航提升7%（现代汽车实测）；逆变器体积缩小30%，助力车企实现轻量化设计。2. 工业能源：光伏逆变器效率突破99%，LCOE（平准化度电成本）降低0.5美分/kWh；储能系统响应速度提升至微秒级，充放电循环寿命延长20%。3. 经济性突破：● 系统并联需求减少50%，BOM成本降低15%；● 8英寸晶圆量产（2027年）后，器件单价预计下降30%。技术难题与突破路径挑战：高频工况下的热管理与材料缺陷● 传统方案局限：平面型SiC器件开关损耗高，散热依赖复杂液冷系统；● 英飞凌创新：▶ 沟槽栅刻蚀工艺：缺陷密度降低至0.1/cm²（行业平...
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2025/5/23 13:49:41
AOS推出的AOTL66935采用自主研发的100V AlphaSGT™ MOSFET技术，通过沟槽工艺实现1.95mΩ超低导通电阻（RDS(ON)），同时结合宽范围安全工作区（SOA）设计，显著提升器件在48V热插拔场景下的峰值电流承载能力与可靠性。该技术有效抑制浪涌电流冲击，降低系统并联器件需求，简化电源拓扑。产品功能：性能与封装双优化● 电气性能：支持最大连续漏极电流360A（25℃），瞬态电流达1440A，适用于高浪涌场景2。● 封装创新：采用TO-Leadless（TOLL）封装，占板面积较传统D2PAK封装缩小30%，兼容自动化光学检测（AOI），并计划推出更紧凑的LFPAK8x8封装。● 认证与可靠性：生产工厂通过IATF 16949认证，确保车规级品质标准。AI服务器中的 48V 热插拔应用需要 MOSFET 兼具大电流处理能力，同时还要提供卓越的 SOA 稳健性和高可靠性。我们推出的AOTL66935 正是针对这些严苛的应用需求而设计，其低导通电阻不仅能降低功率损耗，还可减少并联器件数量。行业价值：破解高密度电源设计痛点● 能效提升：低导通电阻减少功率损耗，系统能效提升5%-8%，助力AI服务器降低运营成本。● 空间压缩：TOLL封装节省30%PCB面积，适配高密度电源模块设计。● 可靠性增强：宽SOA特性支持严苛工况下长期稳定运行，MTBF提升至10万小时以上。技术难题与解决方案● 浪涌电流冲击：通过优化栅极结构和SOA设计，限制瞬态电流峰值，减少并联器件数量。● 散热瓶颈：TOLL封装采用顶部散热路径设计，降低FR4基板的热阻，温升控制＜25℃。● 制造一致性：沟槽工艺结合AOI检测技术，确保器件良率与批次稳定性。应用场景与市场前景● 核心场景：AI服务器48V热插拔、通信基站电源、工业设备缓启动模块。● 市场预测：2025年服务器电源MOSFET市场...
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2025/5/23 13:46:47
SDP-1R3G+是一种低通+高通组合器件。低通端口设计用于直流至600 MHz，高通端口设计用于710至1300 MHz。这种屏蔽外壳封装提供了非常低的通带插入损耗和出色的同信道抑制，使其适用于国防和其他无线通信系统等高性能应用。特性•插入损耗低• 50Ω 阻抗•低通和高通滤波器的组合•微型屏蔽封装应用•防御•发射器/接收器
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2025/5/22 15:14:27
BFHKI-8501+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高阻带抑制带通滤波器，通带为7.5至8.8GHz，支持多种应用。当安装在共面波导布局上时，该模型实现了高达25GHz的33dB典型阻带抑制。该滤波器采用4.95mm乘3.65mm的小型陶瓷外形，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。BFHKI系列集成了插入板，可以使用自动化制造设备安装到PCB布局上。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了3.6dB的典型插入损耗。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性带集成插入板的LTCC带通滤波器典型宽阻带抑制。33dB高达25GHz屏蔽结构应用测试和测量设备雷达卫星通信点对点无线电
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2025/5/22 15:00:51
Mini-Circuits的CY3-223+是一款超宽带MMIC频率倍增器，可将3.33至7.33 GHz的输入频率转换为10至22 GHz的输出频率。其宽输出范围使该型号适用于宽带系统以及各种窄带应用。利用GaAs HBT技术，该乘法器采用4x4mm 24L MCLP封装，具有出色的可重复性、低电感和良好的热效率。特性超宽带，输出范围为10至22 GHz宽输入功率范围，+12至+18 dBm低转换损耗，典型值为17 dB。良好的基波和谐波抑制：F1+34 dBc；F2＞+45 dBc；F4+50 dBc微小尺寸，4 x 4mm 24L应用5G MIMO和回程无线电系统卫星通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/5/22 14:57:58
TPCG-1852+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）50欧姆传输线，通过18.5GHz具有低插入损耗，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.5dB的典型插入损耗。传输线采用微小的0805陶瓷形状，带有可检查的环绕式端子，是密集信号链PCB布局的理想选择，它补充了MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性低插入损耗，典型值0.5dB。回波损耗，典型值13dB。0805表面安装占地面积用于小型电路LTCC滤波器的多功能“灯座”功率处理：8.5W应用测试和测量设备通信、电子战、雷达和电子对抗防御系统5G MIMO和回程无线电系统卫星通信
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2025/5/22 14:54:49
ZHFG-K4000+是一款内置于宽带连接器封装中的50欧姆高通滤波器。这些单元覆盖4500-18000 MHz带宽，在通带内具有良好的匹配性，在阻带内具有很好的抑制性。ZHFG-K4000+具有低插入损耗和出色的功率处理能力。它可处理高达3 W的射频输入功率，并提供从-55°C到125°C的宽工作温度范围。特性低插入损耗，典型值1.2 dB。回波损耗，典型值12dB。阻带抑制，典型值45dB。宽带连接包。功率处理：3瓦应用测试和测量设备。军事应用。电信和宽带无线系统。5G低于6 GHz。WiFi 6E和X波段雷达
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2025/5/22 14:50:58
BFHKI-6751+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高阻带抑制带通滤波器，通带为5.9至6.9GHz，支持多种应用。当安装在共面波导布局上时，该型号实现了高达20GHz的37dB典型阻带抑制。该滤波器采用4.95mm乘3.65mm的小型陶瓷外形，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。BFHKI系列集成了插入板，可以使用自动化制造设备安装到PCB布局上。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了4.3dB的典型插入损耗。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性带集成插入板的LTCC带通滤波器典型宽阻带抑制。37dB高达20GHz屏蔽结构应用测试和测量设备雷达卫星通信点对点无线电
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2025/5/22 14:33:37
BFHKI-9901+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高阻带抑制带通滤波器，通带为8.6至10.9GHz，支持多种应用。当安装在共面波导布局上时，该模型实现了高达23.4GHz的35dB典型阻带抑制。该滤波器采用4.95mm乘3.65mm的小型陶瓷外形，是密集信号链PCB布局的理想选择，与MMIC的尺寸和性能相辅相成。BFHKI系列集成了插入板，可以使用自动化制造设备安装到PCB布局上。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了3.7dB的典型插入损耗。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性带集成插入板的LTCC带通滤波器典型宽阻带抑制。高达23.4GHz的35dB屏蔽结构应用测试和测量设备雷达卫星通信点对点无线电
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2025/5/22 14:24:32
Mini-Circuits品牌型号SYPS-3-72-75+是75Ω 3-0˚表面安装分路器/合路器，覆盖5至700 MHz频率范围，支持通信系统和设备以及其他宽带应用的带宽要求。该模型可以作为分路器处理高达1W的RF输入功率，并提供低插入损耗、高隔离度和低相位和幅度不平衡。它采用微型8引脚塑料封装（0.38 x 0.50 x 0.25英寸），带有环绕式端子，具有出色的可焊性和镀金镍板端子表面。特性低插入损耗0.9 dB典型值。隔离良好，典型值为24 dB。宽频带，5至700 MHz，可用5-1000 MHz低振幅不平衡，典型值为0.2 dB。低相位不平衡，典型值为1.3度。应用有线电视甚高频/超高频通信系统
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2025/5/22 14:15:50
全球半导体市场正迎来结构性分化，在传统DRAM价格波动之际，高端HBM内存价格创下惊人涨幅。据产业链消息，英伟达为Blackwell Ultra AI加速器配备的SK海力士12层HBM3E内存，定价较8层HBM3E版本高出60%以上，单GB价格突破12美元，达到DDR4内存的15倍。地缘政治催生超级订单此次涨价直接诱因源于英伟达与沙特阿拉伯签订的史诗级合约。消息人士透露，该订单涉及数十万片H100/H200级AI加速器，要求今年上半年交付。为确保产能，英伟达不仅将Blackwell Ultra发布时间提前三个月，更接受SK海力士的溢价条款。这种非常规操作在供应链引发连锁反应，美光科技HBM3E产品同步提价45%，形成行业性涨价潮。技术垄断铸就定价权SK海力士在HBM领域的统治地位愈发巩固。据TrendForce集邦咨询预测，2025年其HBM出货量将达137亿Gb，其中英伟达采购量占比超70%。这种供需格局下，SK海力士12层HBM3E良率虽仅62%，仍获得苹果、AMD等巨头超额预订。更值得关注的是，其24层HBM4研发进度超前，样品已送交微软Azure数据中心测试。产业变革进行时HBM涨价潮折射AI产业深层变革。单颗AI加速器HBM容量正以每年40%的速度攀升，从H100的80GB跃升至B200的192GB，直接推动单机柜算力密度突破1PFLOPS。这种技术跃迁在金融领域产生奇妙反应，高盛测算显示，训练GPT-5所需HBM成本已占硬件总投入的38%，较2023年提升23个百分点。中国力量悄然崛起在高端内存战场，中国存储厂商正突破技术封锁。长江存储宣布其12层HBM3E通过客户认证，尽管单价比SK海力士产品低25%，仍获阿里巴巴、字节跳动等互联网厂商测试订单。这种价格优势在东南亚市场尤为明显，腾讯云新加坡节点已批量采用长鑫存储HBM产品，较国际品牌节省18%采购成本。这场由...
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2025/5/22 14:05:56
瑞萨电子（Renesas）RZ/V2N视觉AI微处理器。该芯片集成专用AI加速引擎，支持实时图像处理与边缘推理，在保持1.4TOPS算力的同时优化成本结构，为智能摄像头、服务机器人、后装行车记录仪等场景提供高性价比解决方案。RZ/V2N采用紧凑型封装，适配空间受限的嵌入式系统，显著降低开发门槛，助力中小型企业快速部署AI视觉应用。Renesas RZ/V2N MPU采用专有的AI加速器，可提供10 TOPS/W的能效和高达15 TOPS的AI接口性能。该MPU还具有一个1.8 GHz四核Arm® Cortex®-A55、一个用于低功耗管理的200 MHz Cortex-M33，以及一个可选的图像信号处理器 (ISP)。RZ/V2N MPU无需额外的冷却系统，从而降低了物料清单 (BOM) 成本，可打造体积更小、重量更轻、电池续航能力更强的终端产品。RZ/V2N MPU具有两个4通道MIPI® CSI-2®摄像头接口，可同时处理多个捕获的图像。与单摄像头系统相比，双摄像头系统还提高了空间识别能力，可进行更精确的人体运动分析和跌倒检测。RZ/V2N MPU 采用高速LPDDR4/4X内存接口，具有1个32位ECC，可提供12.8 GB/s的吞吐量和更好的数据完整性。此MPU采用15 mm x 15 mm BGA封装，适用于各种紧凑型嵌入式应用。RZ/V2N MPU的综合性能实现了以前只有高端型号才能实现的AI功能，为高性价比人工智能解决方案开辟了新的机遇。
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2025/5/22 14:00:26
AOS第三代1200V aSiC MOSFET通过三维材料改性技术实现双重突破：在25℃条件下，15mΩ典型导通电阻较传统硅器件降低62%，而在175℃高温工况下仍能保持85%的初始导通性能。更值得关注的是其开关品质因数（FOM=Rds(on)*Qg）优化至155mΩ·nC，较行业平均水平提升30%。这项突破源于对沟槽栅结构的创新优化——采用非对称梯度掺杂技术，使栅极电荷量（Qg）降低至145nC，同时保持100V/ns的优异di/dt耐受能力。核心技术：● 开关品质因数（FOM）提升30%，高频工况损耗降低18%● 导通电阻（Rds(on)）温度系数改善40%，保障高负载稳定性● HV-H3TRB耐受时长延长至2000小时（行业标准3倍）● 栅极氧化层厚度缩减至50nm，开关速度提升至150V/ns产品功能业价值1. 电动汽车领域：支持800V平台主驱逆变器，系统体积缩减25%，续航提升7%2. 数据中心供电：满足48V转12V高密度电源需求，PUE值优化至1.05以下3. 可再生能源系统：光伏逆变器MPPT效率突破99%，LCOE降低0.8美分/kWh技术难题与突破路径挑战：碳化硅材料缺陷导致的可靠性衰减● 传统方案：牺牲开关速度换取可靠性● AOS创新路径：▶ 原子层钝化技术（界面态密度降低60%）▶ 双区外延生长（击穿电压均匀性提升35%）▶ 动态栅极补偿电路（抗串扰能力增强3倍）技术亮点● 通过汽车级 AEC-Q101 认证● 栅极驱动电压兼容范围广（+15V 至 +18V）● 开关品质因数（FOM）提升高达 30%● 符合增强型高湿高压反偏（HV-H3TRB）测试标准● 优化雪崩耐量（UIS）与短路耐受能力AOS第三代1200V αSiC MOSFET通过材料工艺协同创新，在高压、高频、高可靠性维度建立新标杆。该技术将加速800V电气架构在新能源汽车与...
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2025/5/22 13:59:20
Nexperia创新推出CFP2-HP封装技术，通过铜夹片设计与外露式散热器实现2.65×1.3×0.68mm超微型封装，相较传统SMA/B/C封装体积缩减60%，同时热损耗（Ptot）降低35%。该技术突破平面肖特基二极管的物理极限，为多层PCB设计提供高密度布局可能。行业价值1. 汽车电子革新：支持48V轻混系统DC-DC模块空间压缩30%，助力OEM实现紧凑型ECU设计2. 工业4.0适配：满足伺服驱动器高频续流需求，提升能效比至95%+3. 成本优化：通过器件集成减少PCB层数需求，单板制造成本下降15%技术难题与突破路径挑战：微型化与散热效率的物理矛盾● 传统方案：依赖增大封装尺寸提升散热能力● Nexperia方案：▶ 三维铜夹片结构优化电流路径（降低20%导通损耗）▶ 外露式散热器直连PCB铜层（热传导效率提升3倍）▶ 晶圆级薄型化工艺（厚度减少至100μm）应用场景与市场前景未来展望Nexperia计划将CFP封装技术扩展至双极晶体管领域，2024年Q3推出首款CFP封装IGBT产品。通过铜带键合与银烧结工艺结合，目标实现：● 开关损耗降低25%● 功率密度提升至50W/mm³● 车规级产品线覆盖率突破80%结语CFP2-HP封装技术标志着功率半导体进入高密度集成时代。Nexperia通过材料创新与工艺升级，为汽车电子和工业系统提供兼具微型化、高可靠、低成本的解决方案，预计将推动全球功率器件市场在2026年前实现17.3%的年复合增长。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/22 13:48:24