BFHK-3142+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。28-36GHz的通带损耗低至2.8dB，典型的阻带抑制在75dB到54GHz和40dB到67GHz。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Bandpass Filters频率:31.7 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1812 (4532 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:BFHK封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits安装:Board Mount特性超高阻带抑制结构——典型值为75 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构，防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节尺寸图
浏览次数：
12
2025/3/31 14:01:36
BFHK-4951+LTCC带通滤波器利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。4.3-5.3 GHz的通带损耗低至3.2 dB，典型的阻带抑制在73 dB到12.3 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。规格参数产品:Bandpass Filters频率:4.8 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1812 (4532 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:BFHK封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits安装:Board Mount特性超高阻带抑制结构——典型值为73 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构，防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节尺寸图
浏览次数：
8
2025/3/31 13:55:15
TSY-172LNB+（符合RoHS标准）是一种低压、低电流、低噪声宽带旁路放大器，采用GaAs E-PHEMT技术制造，在宽频范围内提供极高的动态范围。它具有集成开关，使用户能够绕过放大器。TSY-172LNB+封装在8芯2 x 2 mm MCLP封装中，具有良好的热性能。规格参数工作频率:30 MHz to 1.7 GHz工作电源电压:2.7 V工作电源电流:7.7 mA增益:10.1 dBNF—噪声系数:1.9 dB类型:General Purpose Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-8技术:GaAsP1dB - 压缩点:17.4 dBmOIP3 - 三阶截点:22.4 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:TSY封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:6 dB通道数量:2 ChannelPd-功率耗散:200 mW特性非常宽带，30 MHz至1.7 GHz整个频带内的低NF，1.4 dB低电流和低电压（2.7V和7.7mA）内部旁路切换适用于低相位噪声应用P1dB:典型值+17.5 dBm。应用无线基站系统测试和测量系统多频带接收机尺寸图
浏览次数：
17
2025/3/31 13:48:40
LVA-123+（符合RoHS标准）是一款采用GaAs HBT技术制造的超宽带放大器，在宽频范围内具有出色的增益平坦度。此外，LVA-123+在该频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配组件。铅饰面是镍上的锡银。它在不同批次之间具有可重复的性能，并封装在3x3 mm的8引脚封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:10 MHz to 12 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:52 mA增益:8.1 dBNF—噪声系数:5.9 dB类型:Gain Block Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-8技术:GaAs InGaPP1dB - 压缩点:5.3 dBm OIP3 - 三阶截点:15.5 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:LVA封装:Reel封装:Cut Tape特性•出色的增益平坦度，±0.6 dB，0.05-6 GHz•增益，典型值17.3 dB。2 GHz•出色的输入回波损耗，典型值为20dB。2 GHz应用•基站基础设施•测试仪器•MMDS和无线局域网•LTE•卫星通信•航空电子设备尺寸图
浏览次数：
14
2025/3/31 13:43:03
SXLP-27+是Mini-Circuits的一款低通滤波器芯片，其中心或截止频率（fo/fc）为30MHz，符合ROHS标准，外壳HF1139，8针。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters端接类型:SMD/SMT系列:SXLP封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits安装:Board Mount特性•高拒绝率•锋利的切割•屏蔽包装•可水洗•成本低应用•国防通信•接收器/发射器•谐波抑制尺寸图
浏览次数：
24
2025/3/31 13:16:38
PHA-102+（符合RoHS标准）是一款采用PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围，并具有出色的增益平坦度。此外，PHA-102+在较宽的频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗。PHA-102+封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:50 MHz to 6 GHz工作电源电压:9 V工作电源电流:192 mA增益:14.6 dBNF—噪声系数:6.7 dB类型:General Purpose Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-3技术:SiP1dB - 压缩点:26.1 dBmOIP3 - 三阶截点:44.8 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:PHA封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:14 dBPd-功率耗散:3.18 W特性超宽带，50 MHz至6 GHz在0.05-3GHz范围内具有出色的增益平坦度14.3±0.3dB高线性，0.9 GHz时为+26.4 dBm P1dB和+50 dBm OIP3可用作AH102a、b的替代品应用无线网络无线局域网LTEWiMAXS波段雷达尺寸图
浏览次数：
38
2025/3/31 11:55:58
Mini-Circuits的EP2-5G+是一款MMIC双向0°分路器/合路器，设计用于24至30 GHz的宽带操作，支持许多需要在宽频率范围内高性能的应用，包括相控阵雷达、5G应用以及仪器仪表等。该型号在2 x 2 mm 6引脚QFN封装中提供了高达0.5W的出色功率处理（作为分路器/合路器），具有良好的隔离性和低相位和幅度不平衡性。EP2-5G+采用GaAs IPD技术制造，不仅提供可重复的性能，而且具有高水平的ESD保护。规格参数产品:Splitters/Combiners频率:24 GHz to 30 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:MC1630-1最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:EP2封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.3 dB单位重量:28.350 mg特性宽带，24至30 GHz高隔离，典型值24dB。27GHz适用于5G应用的低成本分路器振幅不平衡性极佳，典型值为0.1 dB。27GHz相位不平衡良好，27GHz时为4°尺寸小，2x2毫米可水洗应用5克相控阵仪器雷达卫星通信简单示意图
浏览次数：
25
2025/3/31 11:49:28
Mini-Circuits的EP2-28+是一款MMIC双向0°分路器/合路器，设计用于25至35 GHz的宽带操作，支持许多需要在宽频率范围内高性能的应用，包括相控阵雷达、5G应用以及仪器仪表等。该型号在2 x 2 mm 6引脚QFN封装中提供了高达0.63 W的出色功率处理（作为分路器/合路器），具有良好的隔离性和低相位和幅度不平衡性。EP2-28+采用GaAs IPD技术制造，不仅具有可重复的性能，而且具有高水平的ESD保护。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Splitters/Combiners频率:25 GHz to 35 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:MC1630-1最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:EP2封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:0.8 dB安装:Board Mount特性宽带，25至35 GHz高隔离，典型值35dB。29 GHz适用于5G应用的低成本分路器振幅不平衡性极佳，典型值为0.02 dB。29 GHz相位不平衡良好，29 GHz时为2°尺寸小，2x2毫米可水洗应用5G相控阵仪器雷达卫星通信简单示意图
浏览次数：
23
2025/3/31 11:41:52
ADIS1657x 是ADI(亚德诺)品牌的精密微机电系统 (MEMS) 惯性测量单元 (IMU) 模块。ADIS1657x MEMS IMU具有坚固耐用的三轴陀螺仪和加速度计，适用于导航、稳定、仪表、工厂和自主工业自动化、建筑设备、智慧农业以及无人和自主工业机器人应用。ADI ADIS1657x MEMS IMU模块包含一个三轴陀螺仪和一个三轴加速度计，并集成了信号调节功能，可在极具挑战的条件下优化动态性能。ADIS1657x具有2000g的机械冲击耐受性，并经过出厂校准，可通过动态补偿公式增强每个传感器的灵敏度、偏置和对准，因此可在-40°C至105°C的工作温度范围内提供精确的传感器测量。ADIS1657x模块采用紧凑的铝模块封装 (24.30 × 22.40 × 13.70 mm3)，并带有一个14引脚连接器接口，具有多种功能，包括定制的可编程操作、SPI兼容数据通信、三轴角度增量角和速度增量输出、自动和手动偏置校正控制、用于同步数据采集的数据就绪指示器、外部数据同步采样和处理、惯性传感器按需自检、闪存、持续实时检测SRAM和传感器的健康状况，以及最多可容纳512个样本、采样率为4 kHz的FIFO。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
15
2025/3/31 11:22:08
虽然最近的报告显示台积电的2纳米试生产进展稳定，但分析师提醒，实际良率将因芯片设计而异。这意味着像苹果、英伟达和AMD这样的客户的准备时间表会有所不同。消息称，台积电在其2纳米工艺试生产中已经达到了约60%的良率，这是基于三个月前的评估。普遍认为近几个月良率已经有所提高，增加了大规模量产的可能性。随着台积电2纳米生产良率的提升，预计到2025年底，这家纯代工晶圆厂将实现每月80,000片晶圆的2纳米产能。但根据分析师的说法，台积电2纳米生产线的良率将因生产的产品而异。芯片尺寸越大，良率越低。例如，对于苹果的iPhone处理器，生产线上试生产产品的良率通常必须达到至少70-80%，才能开始量产。对于英伟达的数据中心AI GPU芯片，良率要求为50-60%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
27
2025/3/31 11:19:08
随着存储芯片市场的持续回暖，继此前存储芯片厂商Sandisk、长江存储致态相继被曝将对存储产品涨价之后，近日另一家存储芯片大厂美光也宣布将涨价。3月26日消息，随着存储芯片市场的持续回暖，继此前存储芯片厂商Sandisk、长江存储致态相继被曝将对存储产品涨价之后，近日另一家存储芯片大厂美光也宣布将涨价。在网络上曝光的一份发给渠道商的涨价函中，美光指出，最近的市场动态表明，整个DRAM和NAND Flash市场已经开始复苏，并预计2025年和2026年都将实现增长。同时，美光认为，该公司在各个业务领域的需求都在增加。为了应对这些变化，美光正在提高定价。“对于AI相关用例和相关技术的需求正在不断增长，除其他因素外，还反映了人们对我们产品组合的兴趣日益浓厚，因为我们的产品为每个用例提供了基本功能。作为一种持续的做法，我们的定价考虑了我们的产品为这些和其他用例提供的价值，以及我们为开发和维护行业领先的产品组合而进行的大量投资所需的投资回报率（ROl），以及满足市场需求的必要制造能力。为了帮助确保供应的可用性和连续性，我们鼓励客户和渠道合作伙伴提供长期预测可见性，并将积压需求纳入该预测中。”美光在涨价函中解释道。不过，美光并未在该文件中公布具体的涨价幅度，仅表示，其已经在3月25日当天发布的一份备忘录中，概述了其在整个渠道网络中采取的具体定价行动。值得注意的是，在3月初，Sandisk（闪迪）就被曝将于4月1日起对所有面向渠道和消费者客户的产品涨价超过10%。Sandisk认为，存储芯片行业很快将过渡到供不应求状态，再加上近期的关税变化，将影响供应的可用性并增加Sandisk的业务成本。因此决定从4月1日起开始实施价格上涨，涨幅将超过10%，并适用于所有面向渠道和消费者客户的产品。随后在3月中旬，又有传闻显示，长江存储也将于4月起对渠道上调旗下零售品牌致钛的提货价格，涨价幅度或将超过...
浏览次数：
14
2025/3/31 11:13:27
Mini-Circuits的LVA-6183PN+是一种基于GaAs HBT工艺制造的超低相位噪声分布式MMIC放大器。该放大器工作频率为6至18 GHz，具有高动态范围和超低相位噪声，增益为19.9 dB，P1dB为+19.6 dBm，OIP3为+28.7 dBm，噪声系数为4.1 dB。LVA-6183PN+非常适合与低噪声信号源和高灵敏度收发器信号链一起使用，用于商业、工业和国防应用。规格参数工作频率:6 GHz to 18 GHz工作电源电压:6 V增益:19.9 dBNF—噪声系数:5.7 dB类型:Low Noise Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24P1dB - 压缩点:19.6 dBOIP3 - 三阶截点:28.7 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 105 C系列:LVA封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:20 dB隔离分贝:41.3 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:1.27 W产品类型:RF Amplifier特性宽带，6至18 GHz超低相位噪声，典型-10 kHz偏移时为165 dBc/Hz输出P1dB，典型值+19.6 dBm输出IP3，典型+28.7 dBm4x4 mm 24引脚QFN型封装应用测试与测量雷达、电子战和电子对抗防御系统5G MIMO和回程无线电系统信号分配网络尺寸图
浏览次数：
38
2025/3/28 14:08:31
TDA5200接收器芯片是一款功耗极低的单芯片ASK单转换接收机，适用于868-870 MHz和433-435 MHz的接收频带。IC提供了高度的集成，只需要几个外部组件。该设备包含低噪声放大器（LNA）、双平衡混频器、完全集成的VCO、PLL合成器、晶体振荡器、带RSSI发生器的限幅器、数据滤波器、数据比较器（限幅器）和峰值检测器。此外，还有一个断电功能，可以节省电池寿命。规格参数类型:Receiver工作频率:870 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C封装 / 箱体:TSSOP-28安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape商标:Infineon Technologies频率范围:433 MHz to 435 MHz, 868 MHz to 870 MHz湿度敏感性:Yes产品类型:RF Receiver系列:TDx5200特性•低电源电流（868 MHz时I s=4.8 mA，434 MHz时I s=4.6 mA）•电源电压范围5 V±10%•电源电流极低的断电模式（典型值为50 nA）•完全集成的VCO和PLL合成器•射频输入灵敏度•可选择的频率范围约为868-870 MHz和433-435 MHz•可选择的参考频率•具有RSSI生成功能的限制器，工作频率为10.7 MHz•带外部电容器的二阶低通数据滤波器•具有自调节阈值的数据切片器应用•无钥匙进入系统•远程控制系统•报警系统•低比特率通信系统引脚配置图
浏览次数：
30
2025/3/28 13:53:52
ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦，能够利用高端本振注入，在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现较佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm)，以及出色的互调性能。在手机应用中，带内阻塞信号可能会导致动态性能下降，ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度，非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用，ADL5367能在低至3V的电压下工作，并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模转换器，来优化应用的互调或噪声性能。本振电流可以通过外部电阻进行设置，以将与期望性能等级相当的直流电流降到较低。额外的逻辑引脚能够在需要时关断(ADL5367基于BiCMOS高性能IC工艺制造， 采用5 mm × 5 mm 20引脚LFCSP封装，工作温度范围为-40°C至+85°C，现可提供评估版。规格参数射频:500 MHz to 1.7 GHz转换损失——最大:7.7 dBNF—噪声系数:8.3 dB最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LFCSP-20商标:Analog Devices开发套件:ADL5367-EVALZ最大工作频率:1.7 GHz湿度敏感性:Yes工作电源电流:97 mA工作电源电压:3.3 V, 5 V封装:Reel特新• IF频率范围：DC至450 MHz• 10 dBm阻塞单边带噪声指数：17 dB• 输入P1dB ：25 dBm• 本振驱动：0 dBm(典型值)• 单端50Ω RF与本振输入端口• 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关• 单电源电压：3.3至5 V...
浏览次数：
42
2025/3/28 13:47:21
KAT-8+是一种采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造的吸收式固定衰减器。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达1.2W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。规格参数封装 / 箱体:MCLP-6衰减:9 dB最大频率:43.5 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel衰减器步长:8 dB最大 VSWR:1.7商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape功率额定值:1.2 W特性•小包装，2x2 MCLP™•超宽带，DC-43.5 GHz•出色的VSWR，典型值为1.12:1•高功率处理，1.2W应用•5G•测试和测量•雷达•沟通•防御尺寸图
浏览次数：
25
2025/3/28 13:39:38
KAT-12+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达1.1W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。规格参数封装 / 箱体:MCLP-6衰减:13 dB最大频率:43.5 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel衰减器步长:12 dB最大 VSWR:1.8商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape功率额定值:1.1 W产品类型:Attenuators系列:KAT特性•小包装，2x2 MCLP™•超宽带，DC-43.5 GHz•出色的驻波比，典型值为1.16:1•高功率处理，1.1W应用•5G•测试和测量•雷达•沟通•防御尺寸图
浏览次数：
27
2025/3/28 13:31:19
TCW1-2700+是Mini-Circuits的一款射频放大器芯片，其截止频率最低为700MHz，具备2dB的插入损耗，并且需要在-55℃到100℃之间进行工作。规格参数频率:1.7 GHz带宽:2000 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:0603 (1608 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:TCW1封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.4 dB安装:Board Mount特性宽带，700至2700 MHz微型尺寸0603（1.6x0.8mm）LTCC结构成本低可水洗应用无线局域网A/D转换无线网络发射器和接收器蜂窝尺寸图
浏览次数：
33
2025/3/28 13:22:45
Mini-Circuits的EP2RCW+是一款MMIC双向0°分路器/合路器，专为直流至8.0 GHz的宽带操作而设计，支持许多需要在宽频范围内高性能的应用，包括通过WiMax和WiFi的所有LTE频段，以及仪器仪表等。该型号在微小的5 x 5mm QFN封装中提供了高达0.6W的出色功率处理（作为分路器/合路器），具有低插入损耗、良好的隔离以及低相位和幅度不平衡。EP2RCW+采用GaAs IPD技术制造，不仅具有可重复的性能，而且具有高水平的ESD保护。规格参数频率:DC to 8 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:DG1677-2最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:EP2封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:4.3 dB特性•宽带，直流至8.0 GHz•出色的隔离性能，典型值为21dB。4 GHz•出色的振幅不平衡，典型值为0.1 dB。至8 GHz•相位不平衡良好，典型值为1.0度。4 GHz•尺寸小，5x5毫米•可水洗应用•WIMAX•ISM•仪器仪表•雷达•无线局域网•卫星通信•LTE
浏览次数：
11
2025/3/28 13:16:34