为满足各行各业对高性能、数学密集型应用日益增长的需求，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）正式发布PIC32A系列MCU。该产品进一步扩充了公司强大的32位MCU产品线，专为汽车、工业、消费、人工智能/机器学习（AI/ML）及医疗市场提供高性价比、高性能的通用型解决方案。32位PIC32A MCU采用200 MHz CPU，集成高速模拟外设，旨在大幅减少对外部元件的需求。其特性包括高达40 Msps的12位ADC、5纳秒高速比较器和100 MHz增益带宽积（GBWP）运算放大器，适用于智能边缘传感。这些特性结合高性能CPU，可在单一MCU上实现多任务处理，优化系统成本和物料清单（BOM）。此外，集成的硬件安全功能包括闪存和RAM的纠错码（ECC）、内存内置自测试（MBIST）、I/O完整性监控、时钟监控、不可变安全启动及闪存访问控制，旨在为嵌入式控制系统应用中的软件代码提供安全的执行环境。PIC32A MCU内置64位浮点单元（FPU），可高效处理数据密集型数学运算，支持模型化设计快速部署。这些MCU可助力开发者在传感器接口和数据处理等计算密集型应用中实现加速执行。Microchip 负责MCU业务部的副总裁Rod Drake 表示：“PIC32A系列面向智能传感与控制应用，通过平衡成本效益、性能与模拟外设，扩充了我们现有32位产品组合。高速外设与其他集成功能减少了对特定外部组件的需求，在降低系统复杂度的同时提供高性能解决方案。” 开发工具 PIC32A MCU由MPLAB® XC32编译器、MPLAB Harmony嵌入式软件开发框架以及dsPIC33A Curiosity 平台开发板（EV74H48A）和PIC32AK1216GC41064通用DIM（EV25Z08A）提供支持。为支持功能扩展，Cu...
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2025/3/18 13:17:01
LEE-29+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在一个3X3mm的MCLP模制塑料包装中。在85°C的外壳温度下，预计MTBF为2000年。规格参数工作频率:0 Hz to 8 GHz工作电源电压:3.6 V工作电源电流:40 mA增益:10.6 dBNF—噪声系数:5.5 dB类型:Gain Block Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-4技术:InGaPP1dB - 压缩点:11.5 dBmOIP3 - 三阶截点:25.5 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:17.5 dB通道数量:1 Channel产品类型:RF Amplifier特性•DC-8 GHz•输出功率，典型值为10.6 dBm。•内部匹配50欧姆•散热性能极佳，金属底部外露•输出功率平坦至10 GHz•可水洗应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器•卫星通信，军事尺寸图
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2025/3/17 14:19:07
LEE-59+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在一个3X3mm的MCLP模制塑料包装中。规格参数工作频率:0 Hz to 5 GHz工作电源电压:4.8 V工作电源电流:65 mA增益:7.6 dBNF—噪声系数:4.5 dBP1dB - 压缩点:11.5 dBmOIP3 - 三阶截点:33 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 85 C系列:LEE封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:14 dB通道数量:1 Channel产品类型:RF Amplifier特性•DC-5 GHz•输出功率，典型值17.3 dBm。•内部匹配50欧姆•散热性能极佳，金属底部外露•输出功率平坦至10 GHz•可水洗•低附加相位噪声，通常为-171 dBc/Hz@10 KHz偏移应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器•卫星通信，军事•适用于低相位噪声应用尺寸图
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2025/3/17 14:13:30
Mini-Circuits PMA2-43LN-D+是一款基于E-PHEMT的超低噪声MMIC放大器芯片，具有低噪声和高IP3的独特组合，使该放大器成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。该设计在单个5V电源上运行，与50Ω系统非常匹配。特性•超低噪声系数，1.5 GHz时为0.5 dB•高IP3，典型值32.3 dBm。1.5 GHz•高磅，P1dB，典型值20.4 dBm。1.9 GHz应用•基站基础设施•便携式无线•LTE•全球定位系统•GSM•机载雷达尺寸图
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2025/3/17 14:08:28
Mini-Circuits PMA2-33LN-D+是一款基于E-PHEMT的超低噪声MMIC放大器芯片，具有低噪声和高IP3的独特组合，使该放大器成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。该设计在单个3V电源上运行，与50Ω系统非常匹配。特性•超低噪声系数，0.9 GHz时为0.47 dB•高IP3，典型值为34 dBm。在0.9 GHz时，3 GHz时为+39 dBm•高磅，P1dB，典型值17.6 dBm。0.9 GH应用•基站基础设施•便携式无线•LTE•全球定位系统•GSM•机载雷达尺寸图
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2025/3/17 14:01:12
PMA2-252LNA+是一款E-PHEMT放大器，工作频率为1500至2500 MHz。放大器具有0.8 dB的低噪声系数，同时提供17.6 dB的增益、+30 dBm的OIP3和+17.8 dBm的P1dB，+4V电源消耗57 mA时的典型回波损耗为18 dB。通过改变外部反馈电阻器R1，可以在整个工作带宽内调节增益。放大器采用行业标准的2x2mm SMT封装，RF端口内部匹配为50Ω，便于轻松集成到微波系统PC板中。规格参数工作频率:1.5 GHz to 2.5 GHz工作电源电压:4 V工作电源电流:57 mA增益:17.6 dBNF—噪声系数:0.8 dB类型:Low Noise Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SMT-8技术:SiP1dB - 压缩点:7.8 dBmOIP3 - 三阶截点:30 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C特性噪声系数，典型值0.8 dBVS=+4V时的可调增益，典型值。14.5至17.6分贝OIP3，典型+30 dBmP1dB，典型值+17.8 dBm2x2mm 8引脚SMT封装可用作MGA-632P8a、b的替代品应用基站基础设施卫星通信（国际海事卫星组织）全球定位系统战术空中导航尺寸图
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2025/3/17 13:55:58
Mini-Circuits PMA2-162LN-D+是一款基于E-PHEMT的超低噪声MMIC放大器芯片，具有低噪声和高IP3的独特组合，使该放大器成为灵敏的高动态范围接收器应用的理想选择。该设计在单个4V电源上运行。特性•低噪声系数，1 GHz时为0.5•高IP3，典型值为30dBm。1 GHz•可调增益，典型值19.7-23.5 dB。1 GHz•高磅，P1dB 20 dBm典型值。1 GHz应用•基站基础设施•便携式无线•LTE•全球定位系统•GSM•机载雷达尺寸图
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2025/3/17 13:36:57
半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分满足市场对于嵌入式存储解决方案日益增长的需求，成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能应用的理想选择。 GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供电电压为1.8V，IO接口电压为1.2V，支持单通道、双通道、四通道、双沿四通道模式，最高时钟频率为STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的写入时间典型值为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，其与常规1.2V单电压供电的Flash解决方案相比，数据读取性能提升了20%，写入速度提升60%，擦除时间缩短30%。凭借这些技术优势，GD25NE系列成为新兴嵌入式应用的卓越之选。为进一步满足能耗敏感型应用的需求，GD25NE系列采用超低功耗设计。其深度睡眠功耗电流低至0.2µA，在双沿四通道104MHz频率下的读取电流低至9mA，擦写电流低至8mA。与传统的1.8V Flash解决方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%。这一优化的电源架构不仅显著提升了能效，还保持了Flash器件的高性能表现，同时简化了SoC的系统设计。“GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，实现了高性能与超低功耗的完美平衡，”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“凭借显著降低的功耗、更快的读取速度以及更高的擦写效率，GD25NE系列能够满足新一代1.2V SoC持续演进的需求。未来，兆易创新还将不断拓展双...
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2025/3/17 13:28:28
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST） 宣布，ST87M01 NB-IoT地理定位模块新增更多功能，现已完成德国电信 (DT) 入网全部测试审批手续。ST87M01模块在一个小封装内整合网络连接和地理定位功能，通过了物联网连接标准 NB-IoT 15版认证，符合 3GPP和欧盟无线电设备指令 (RED) 等区域标准，内置符合GSMA标准的嵌入式 SIM卡及安全单元和GNSS卫星接收器，其中，嵌入式 SIM卡是可选配置。在产品最近更新后，ST87M01现在增加了Wi-Fi定位功能，在GNSS卫星信号不好的环境内，例如，室内和高密度城区，Wi-Fi 定位功能可提高地理定位的可靠性和准确度。在整合了意法半导体的ST4SIM-300嵌入式SIM卡后，ST87M01模块还适合远程SIM卡开通应用场景。远程 SIM卡开通支持GSMA SGP.32标准，让移动网络用户无需更换实体SIM卡就能换网。成功通过德国电信认证测试是意法半导体与多家移动网络运营商进行一系列芯片功能演示活中的最新捷报，证明ST87M01符合技术标准对网络性能和效率的严格要求。意法半导体专用产品部总经理Domenico Arrigo表示：“获得德国电信入网许可证是我们的 NB-IoT地理定位模块区别于其他竞品的一个重要特性，这个许可证准许我们为整个欧洲地区的客户提供服务，同时证明该模块的网络性能和行为达到了很高水平，并实现了很高的网络连接效率。”德国电信物联网设备与服务主管Uday Patil表示：“我们严格按照专有标准和行业标准测试意法半导体ST87M01模块，这些标准的制定是为了确保网络具有很高的安全性、可靠性和高效率。测试结果证明，这款 NB-IoT模块适用于在德国电信网络上大规模部署的物联网项目，并且已获得全部入网许可。”ST87M01模块还...
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2025/3/17 13:24:10
随着智能手机和个人电脑等IT设备需求的复苏，内存半导体市场正在经历重大转变。这种复苏推动了DRAM和NAND闪存等关键部件的价格上涨，与去年的供应过剩和价格下跌形成鲜明对比。这种转变主要归因于全球人工智能（AI）热潮和经济状况的改善，这些因素重新点燃了消费者对高性能半导体的兴趣。去年，半导体行业面临两难境地。尽管用于AI服务器的高性能半导体（例如高带宽存储器 HBM）需求旺盛，但由于经济衰退和消费者支出放缓，个人电脑和智能手机中使用的通用存储器供应过剩。这导致10月和11月NAND闪存价格下跌近30%。然而，今年年初市场开始出现复苏迹象，128Gb多层单元（MLC）NAND闪存的固定交易价格在1月份上涨至2.18美元，2月份上涨至2.29美元。据DRAMeXchange 3月13日的数据，通用型DRAM DDR4 8Gb产品现货均价为1466美元，自3月7日以来已连续5天上涨。同样，16Gb DDR5产品现货均价在3月12日较上月上涨逾6%，至5068美元。预计这一上涨趋势将持续，SanDisk（闪迪）计划在4月1日将产品价格上调逾10%，因市场预期需求将很快超过供应。美国市场研究公司Gartner的预测也进一步支持了这一预期，该公司预测今年人工智能电脑的市场规模将从去年的4302万台激增165.5%，达到1.1422亿台。这一增长预计将提振对内存半导体的需求，如果价格继续上涨，三星电子和 SK海力士等主要企业将考虑扩大通用产品的生产。三星证券研究员李钟郁对此进行分析，“第二季度继DDR5之后，低功耗DRAM（LPDDR5）也存在上涨的可能性”，“预计第二季度通用产品的悲观情绪将朝着更加乐观的方向发展”。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/17 13:20:23
继存储芯片厂商闪迪（SanDisk）宣布自4月1日起全渠道产品涨价超10%后，国内领先存储厂商长江存储旗下品牌致态亦计划于同期上调渠道提货价格，涨幅或超10%。此外，美光等厂商已明确表示将同步调高经销商拿货价。这一系列动作标志着存储行业正从供给过剩转向价格修复阶段。2024年以来，为缓解库存压力，三星、SK海力士等头部存储芯片厂商陆续宣布15%-25%的产能收缩计划，行业供给端持续收紧。减产策略与提价动作形成合力，反映出原厂对稳定市场价格、改善盈利能力的迫切诉求。历史经验表明，头部厂商的调价往往带动产业链上下游跟进，推动合约价与现货价同步上行。市场数据已印证这一趋势：今年2月，小容量eMMC及部分渠道SSD价格率先反弹，部分低价资源快速出清。截至当前，DDR5（16GB）现货价较年初上涨6.8%，部分SSD型号亦出现小幅回升。机构分析指出，现货市场的提前反应表明下游对涨价预期已形成共识。随着库存去化接近尾声，2024年存储芯片销售情况显著改善。中商产业研究院预测，2025年中国半导体存储器市场规模将突破4580亿元。值得注意的是，AI技术正成为驱动存储需求的新变量。AI服务器、AI手机及AIPC的“三重需求组合”有望在2025年形成共振，其中AI服务器对NAND Flash的需求量或将激增。据测算，2025年全球企业级SSD的存储容量需求（bit需求量）至少增长30%。面对行业上行周期，国内存储模组厂商正积极调整策略。凭借低价库存优势与快速市场响应能力，国产厂商有望在价格传导过程中率先兑现利润弹性。机构预计，NAND Flash价格或于2025年二季度启动上涨，DRAM价格则将在下半年企稳回升。这一轮周期中，国内企业的成本管控与产能灵活性将成为关键竞争力。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请...
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2025/3/17 13:16:17
PMA2-162LNA+是一款E-pHEMT*放大器，工作频率为700至1600 MHz。该放大器具有典型的0.5 dB的低噪声系数，同时提供22.7 dB的增益、+30 dBm的OIP3和+20 dBm的P1dB，在+4V和55mA DC功率下具有18 dB的典型回波损耗。增益可在19.7 dB至23.5 dB之间调节。放大器采用行业标准的2x2mm SMT封装，RF端口内部匹配为50Ω，便于轻松集成到微波系统PC板中。规格参数工作频率:700 MHz to 1.6 GHz工作电源电压:4 V工作电源电流:55 mA增益:24.5 dBNF—噪声系数:0.81 dB安装风格:SMD/SMTP1dB - 压缩点:20 dBmOIP3 - 三阶截点:30 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:20 dB隔离分贝:34.2 dBPd-功率耗散:550 mW产品类型:RF Amplifier特性噪声系数，典型值0.5 dB典型可调增益。19.7分贝至23.5分贝1B级HBM ESD（500V）OIP3，典型+30 dBmP1dB，典型值+20 dBm2x2mm 8引脚SMT封装可用作MGA-631P8a、b的替代品应用基站基础设施便携式无线LTE全球定位系统GSM机载雷达尺寸图
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2025/3/14 14:55:07
Mini-Circuits的LFCG-3800+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到3900 MHz，支持各种应用。该模型提供了1.3 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达4.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters频率:DC to 3900 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C介入损耗:1.3 dB安装:Board Mount单位重量:1 g特性•低损耗，典型值为1.3 dB•典型高抑制50 dB•出色的功率处理能力，4.5W•尺寸极小的0805（2.0毫米x 1.25毫米）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•军用雷达应用•测试和测量•电信和宽带无线•公共安全沟通•卫星通信调制解调器尺寸图
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2025/3/14 14:52:42
Mini-Circuits的LFCG-1800+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到1800 MHz，支持各种应用。该模型提供了1.1 dB的典型通带插入损耗，并且由于战略性地构建了布局，组件之间的相互作用最小，因此提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达5.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters频率:DC to 1800 MHz阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:LFCG封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.1 dB特性•低损耗，典型值为1.1 dB•典型高抑制50 dB•出色的功率处理能力，5.5W•尺寸极小的0805（2.0毫米x 1.25毫米）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•军用雷达应用•测试和测量•电信和宽带无线尺寸图
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2025/3/14 14:38:07
PSA-14+（符合RoHS标准）是一种采用GaAs HBT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内具有出色的增益平坦度。此外，PSA-14+在该频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配组件。铅饰面为哑光锡。规格参数工作频率:10 MHz to 10 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:47 mA增益:16.5 dBNF—噪声系数:3.9 dB安装风格:SMD/SMTP1dB - 压缩点:16.3 dBmOIP3 - 三阶截点:29.4 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:PSA封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits特性•增益，典型值16.5 dB。2 GHz•出色的回波损耗，典型值为19dB。输入，典型值35dB。输出应用•基站基础设施•测试仪器•MMDS和无线局域网•LTE•卫星通信•航空电子设备尺寸图
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2025/3/14 14:32:18
NCS2-33+是Mini-Circuits的一款射频变压器芯片，其最小截止频率最小为1500MHz，最大为3100MHz，符合ROHS标准。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Baluns频率:2.3 GHz带宽:1600 MHz阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:NCS2封装:Reel封装:MouseReel商标:Mini-Circuits介入损耗:1 dB安装:Board Mount特性宽带，1500至3100 MHz低相位不平衡，5度，振幅不平衡，典型值0.6 dB。微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸LTCC结构成本低可水洗应用无线局域网WIMAX，WIBROMMDSWCDMA尺寸图
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2025/3/14 14:24:06
ERA-50SM+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在Micro-X封装中。ERA-50SM+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTTF为450年。规格参数工作频率:0 Hz to 2 GHz工作电源电压:4.4 V工作电源电流:60 mA增益:17.6 dBNF—噪声系数:3.4 dBP1dB - 压缩点:15.9 dBmOIP3 - 三阶截点:31 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:24 dB隔离分贝:23 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:451 mW产品类型:RF Amplifier单位重量:2 g特性•DC-2 GHz•单电压电源•内部匹配50欧姆•无条件稳定•温度下性能变化低•瞬态保护•可水洗应用•蜂窝/PCS/3G基站•有线电视、有线调制解调器和DBS•固定无线和WLAN•微波无线电和测试设备尺寸图
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2025/3/14 14:19:34
LFCN-400D+是Mini-Circuits的一款陶瓷LPF滤波器，最小7节，最大7节，中心或截止频率（fo/fc）为560MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针。规格参数产品:Low Pass Filters频率:DC to 400 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:LFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1 dB安装:Board Mount特性出色的功率处理能力，8.5W尺寸小7节温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机尺寸图
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2025/3/14 14:06:38