随着汽车结构向混动和电动车型过渡，传统电池系统越来越多地被48 V电源补充或取代。由于12 V和24 V电网系统已达到极限，这一转变有望成为未来电动汽车的新标准。48 V系统可提供功能，并通过降低电流和简化线束复杂性，从而提高效率。而且一级和二级配电系统中的传统继电器和保险丝已无法满足电气化需求，因此需要更换。为推动这一电气化进程，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出Power PROFET™ + 24/48V开关系列，该系列专为满足现代汽车功率系统的要求而开发。Power PROFET™ + 24/48V 开关系列采用紧凑型TO无引线封装，并且包含两个高边开关型号BTH50030-1LUA（RDS(ON) 为 3.0 mΩ）和 BTH50015-1LUA （RDS(ON) 为 1.5 mΩ），可在大电流应用中大幅降低功率损耗。该系列产品非常适合满足当今汽车电气系统、商用车和混合动力汽车，以及下一代电动汽车的严格要求，创造更加安全、环保和舒适的驾驶体验。Power PROFET™ + 24/48V开关系列的主要优点在于高效率和节省空间，不但高度集成化，还拥有可复位和诊断功能。该系列专为在严苛环境中实现更佳的性能设计，导通电阻仅1.5 mΩ，非常适合大电流应用，而且稳健耐用，可承受高温客舱和发动机舱环境。其可开关次数超过100万次，远超传统继电器的平均 20万次，具有极高的可靠性。产品内置保护和诊断功能，如短路、过流和过热保护，确保设备安全。诊断信号可进行高级故障检测，并通过防止供电网络中的故障模式提高整车的可靠性。开关采用8引脚TO无引线封装，与热性能相近的D2PAK封装相比，占用空间减少23%。校准后的负载电流检测精度为 ±5%，可通过读取IS引脚上的模拟电压轻松确定。此外，该系列开关还达到PRO-SIL™ ISO 26262开关标准，并...
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2025/4/21 13:35:22
全球半导体行业风向标台积电（TSMC）最新财报引发市场震动：2024年一季度营收达255.26亿美元（约8392.54亿新台币），同比激增35.3%，创下历史同期最高纪录。这一表现远超市场预期，但较2023年四季度268.84亿美元的峰值环比微降5.1%，显示出半导体行业周期性调整的持续影响。AI狂潮推动业绩狂飙在全球AI算力军备竞赛白热化的背景下，台积电凭借3nm/5nm制程的绝对优势，持续收割高端芯片订单。据产业链消息，英伟达H100、AMD MI300系列AI加速器，以及苹果A18、高通骁龙8 Gen4等旗舰移动芯片的订单，成为拉动营收增长的核心动力。尤其值得关注的是，台积电在财报电话会议中透露，AI相关芯片营收占比已突破10%，且未来三年年均增速预计将达50%。消费电子拖累环比表现尽管同比数据亮眼，但环比5.1%的降幅暴露出行业隐忧。智能手机、PC等消费电子终端需求持续疲软，导致7nm/6nm等成熟制程产能利用率下滑至75%-80%。不过，随着联发科天玑9400、高通骁龙8 Gen4等新一代5G旗舰芯片进入量产阶段，业界预计二季度相关产能将回升至85%以上。技术军备赛持续升级在技术布局方面，台积电3nm制程（N3E）良率已突破80%，月产能突破10万片，为即将发布的iPhone 16系列和M4芯片提供保障。更值得关注的是，2nm制程（N2）研发取得突破性进展，计划2025年下半年量产，目前已获得苹果、英伟达等头部客户的预付款锁定产能。全球半导体格局生变对比主要竞争对手，三星电子半导体部门一季度运营利润虽同比扭亏为盈，但晶圆代工业务营收仅为台积电的1/3；英特尔代工业务（IFS）尽管获得美国《芯片法案》巨额补贴，但18A制程客户拓展仍显缓慢。行业分析师指出，台积电在制程领域已形成3-5年的技术代差，其资本开支规模（2024年预计320-360亿美元）相当于三星与英特尔...
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2025/4/21 13:33:26
美国当地时间4月14日，全球半导体大厂安森美（ON Semiconductor）正式宣布终止对芯片企业Allegro MicroSystems的收购计划，并撤回此前提出的每股35.1美元、总价约69亿美元的现金收购要约。此次交易终止或对汽车芯片与工业电源市场格局产生深远影响。官方声明核心要点交易终止原因：安森美在公告中强调，尽管两家公司业务高度互补，但Allegro董事会未就收购条款展开实质性协商，导致“无可行路径完成交易”。资本策略调整：安森美CEO Hassane El-Khoury表示，公司将坚持严谨的资本分配原则，优先投资于内生增长与股东价值最大化。对Allegro评价：声明中仍肯定Allegro的技术能力与团队价值，称其“尊重对方领导层与员工基础”。市场反应与行业分析股价波动：截至发稿，Allegro盘后股价下跌X%（需补充实时数据），安森美股价微幅震荡。行业影响：分析师指出，Allegro在汽车磁传感器领域的市场份额（约34%）与安森美的功率芯片业务原可形成协同效应，此次收购失败或延缓汽车芯片市场集中化进程。替代可能性：部分机构猜测，安森美可能转向其他并购标的，或加大在SiC（碳化硅）等关键技术领域的自主投入。未来动向预测业界将持续关注：Allegro是否启动独立扩产计划以应对竞争压力；安森美在汽车电气化领域的下一步战略布局；其他半导体巨头会否介入竞购Allegro。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/4/21 13:26:56
TS7225FK是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7225FK在10MHz至6GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的射频开关。TS7225FK采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.35dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：10MHz至6GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●小细胞●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/18 17:03:17
TS86436P是第二代对称反射单极双掷（SP4T）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86436P覆盖30MHz至1300MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86436P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。TS86436P采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.09dB@30 MHz•高隔离度：30 MHz时为70 dB，1 GHz时为36 dB•200W连续波功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30 MHz至1320 MHz应用私人移动和军用无线电公共安全手机蜂窝基础设施LTE中继和微蜂窝卫星终端
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2025/4/18 17:02:08
TS86236P是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86236P覆盖30MHz至1000MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86236P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。TS86236P封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装中。特性•低插入损耗：0.08dB@30 MHz•高隔离度：30 MHz时为70 dB，1 GHz时为38 dB•200W连续波功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30 MHz至1400 MHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 14:14:59
TS86246P是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86246P覆盖1MHz至600MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86246P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。TS86246P封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装中。特性•低插入损耗：0.08dB@1 MHz•高隔离度：1 MHz时为58 dB，30 MHz时为49 dB•200W连续波功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：1 MHz至1000 MHz应用•私人移动和战术高频无线电•公共安全高频手机•火腿收音机•MRI机器•机械继电器更换•高频天线调谐
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2025/4/17 13:57:08
TS8043N是第二代对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8043N可以覆盖30M至1.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8043N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。TS8043N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.37dB@1GHz•高隔离度：400MHz时为45dB，1GHz时为36dB•100W CW，200W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至1.0GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•Small cells•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:54:00
TS8023N是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8023N可以覆盖30M至3.5GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8023N是一款出色的开关，适用于所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小封装应用。TS8023N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.5dB@4GHz•高隔离度：1.0GHz时为42dB，3.5GHz时为27dB•100W CW，200W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至3.5GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:49:41
TS8541L是一种对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8541L在30MHz至3.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。部分也可以在30MHz以下使用，同时降低功率处理。TS8541L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：800MHz时为0.25dB●高隔离度：800MHz时45dB●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●多功能2.6-5.5V电源应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●Small cells
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2025/4/17 13:44:59
TS8022L是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8022L可以覆盖30M至6GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8022L是一款出色的开关，适用于所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小封装应用。TS8022L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性低插入损耗：0.5dB@4GHz高隔离度：0.8GHz时为42dB，4GHz时为20dB50W CW，125W峰值功率射频线路上没有外部隔直电容器所有射频端口均处于关闭状态多功能2.6-5.25V电源工作频率：30MHz至6GHz应用私人移动和军用无线电公共安全手机蜂窝基础设施小细胞LTE中继和微型蜂窝卫星终端
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2025/4/17 13:41:46
TS8021N是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8021N可以覆盖30M至4GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8021N是一款出色的开关，适用于所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小封装应用。TS8021N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.5dB@4GHz•高隔离度：0.8GHz时为42dB，4GHz时为20dB•50W CW，125W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至4GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:36:53
TS8441L是一种对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8441L在30MHz至4.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离和小封装尺寸内高线性的应用的优秀开关。TS8441L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：800MHz时为0.2dB•高隔离度：800MHz时38dB•30W CW功率处理能力•射频线路上没有外部隔直电容器•工作频率：30MHz至4.0GHz•多功能2.6-5.25V电源应用•私人移动无线电手机•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:32:33
TS8423K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS8423K在30MHz至5.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离和小封装尺寸内高线性的应用的优秀开关。TS8423K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性•低插入损耗：800MHz时为0.2dB•高隔离度：800MHz时45dB•高CW功率处理能力20 W•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至5.0GHz应用•私人移动无线电手机•公共安全手机•蜂窝基础设施•小电池（3×3mm QFN封装）•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:29:21
TS8242FK是一种对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8242FK在30 MHz至5.0 GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离和小封装尺寸内高线性的应用的优秀开关。TS8242FK封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装中。特性•低插入损耗：0.2@800MHz•低插入损耗：0.3@2700MHz•高隔离度：40@800MHz•高隔离度：25@2700MHz•40dBm CW，45dBm峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30 MHz至5.0 GHz应用私人移动无线电手机公共安全手机蜂窝基础设施小细胞LTE中继和微蜂窝卫星终端
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2025/4/17 13:26:51
AD7739是一款高精度、高吞吐量模拟前端，可实现真16位峰－峰值分辨率及250 µs总转换时间（4 kHz通道切换），非常适合高分辨率多路复用应用。AD7739采用Σ-Δ架构，具有最高24位无失码性能。用户可通过简易数字接口对该器件进行配置，从而平衡噪声性能与数据吞吐量，实现最高15.4 kHz的转换速率。该模拟前端可配置为8个单端输入或4个全差分输入通道，输入范围包括单极性或双极性625 mV、1.25 V和2.5 V，以及从AGND+200 mV至AVDD-300 mV的共模输入电压。此款ADC支持按通道进行系统校准选项。数字串行接口可配置用于三线式操作，并且与微控制器和数字信号处理器兼容。所有接口输入均为施密特触发式。该器件的额定温度范围为扩展工业温度范围：–40°C至+105°C，采用24引脚TSSOP封装。特性• 高分辨率ADC：- 24位无失码- ±0.0015%非线性度• 优化快速通道开关：- 18位峰－峰值分辨率（21位有效位、500 Hz）- 16位峰－峰值分辨率（19位有效位、4 Hz）- 片内按通道系统校准• 可配置输入：8个单端输入或4个全差分输入应用PLC/DCS多路复用应用过程控制工业仪表
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2025/4/16 11:37:38
AD7940 是一款14位、快速、低功耗、逐次逼近型ADC，采用2.50 V至5.5 V 单电源供电，最高吞吐速率可达100 kSPS。该器件内置一个低噪声、宽带宽采样保持放大器，可处理7 MHz以上的输入频率。 转换过程和数据采集过程通过/CS和串行时钟进行控制，从而为器件与微处理器或DSP接口创造了条件。输入信号在 的下降沿进行采样，而转换同时在此处启动。该器件无流水线延迟。AD7940 采用先进的设计技术，可在高吞吐速率的情况下实现极低的功耗。该器件基准电压从 VDD获得，从而为ADC提供最宽的动态输入范围；因此，其模拟输入范围为 0V 至 VDD。转换速率取决于SCLK频率。 该器件具有一个标准逐次逼近型ADC，通过CS输入和一次性转换控制可实现对采样时间的精确控制。特性• 高吞吐速率：100 kSPS• 额定电压（V DD）：2.5 V至5.5V• 低功耗：- 4 mW（典型值，100 kSPS、3 V电源）- 17 mW（典型值，100 kSPS、5 V电源）• 宽输入带宽：信噪比81 dB（10 kHz输入频率）• 灵活的功耗/串行时钟速度管理应用电池供电系统个人数字助理医疗器械移动通信仪表和控制系统远程数据采集系统
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2025/4/16 11:31:17
uPFC IR1155功率因数校正IC基于IR专有的“单周期控制”（OCC）技术，提供高PF、低THD和出色的直流母线调节，同时与传统解决方案相比，可以大幅减少元件数量、PCB面积和设计时间。该IC设计用于在连续导通模式下运行Boost PFC转换器，在85-264VAC输入线电压范围内具有平均电流模式控制。根据具体应用要求，开关频率可编程为48kHz至200kHz之间的任何频率。此外，IR1155还提供了几种先进的系统启用和保护功能，如用于过压保护的专用引脚、逐周期峰值电流限制、开环保护、Vcc UVLO、软启动和IC电流消耗小于200μA的微电源启动/睡眠模式。通过将OVP/EN引脚拉低来调用睡眠模式，可以满足能源之星、绿色电力、蓝色天使等法规规定的待机电源要求。具备的优势:• PFC IC 具有 IR 专有“单周期控制”• 临界传导模式升压型 PFC• 可编程开关频率(50k-200kHz)• 平均电流模式控制• 输入过电压保护• 开路保护• 逐周期峰值电流限制• VCC 欠压锁定• 可编程软启动• 微功率启动• 用户发起式微功率“睡眠模式”• OVP/EN 引脚内部滤波，抗噪声能力更强• 1.5A 峰值栅极驱动• 锁定抗扰度和 ESD 保护常见的应用• PFC
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2025/4/16 11:12:55