全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出基于Arm®Cortex®-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列PSOC™ Control。在ModusToolbox™系统设计工具和软件的支持下，这款综合全面的解决方案使开发人员能够轻松创建高性能、高效率且安全的电机控制和功率转换系统。PSOC™ Control C3分为入门级和主流级产品，提供了兼具扩展性与兼容性的各种性能、功能和存储选项。电机控制专用MCU（C3M）和功率转换专用MCU（C3P）可满足重点应用的需求，例如：家用电器、工业驱动器、机器人、轻型电动车（LEV）、太阳能和HVAC系统。英飞凌科技工业和物联网微控制器高级副总裁Steve Tateosian表示：“新一代工业电机和功率转换应用采用宽禁带功率器件提高系统效率，需要更快的回路控制。我们致力于提供一流的系统解决方案和设计环境，帮助开发者充分利用英飞凌新推出的PSOC™ Control创新的模拟和数字技术。”英飞凌的新型PSOC™ Control C3 MCU能对需要以低延迟和低利用率响应实时事件的系统进行实时控制。这个新型MCU系列搭载强大的Arm® Cortex®-M33，最高运行频率达到180 MHz，并且配备数字信号处理器（DSP）、浮点单元（FPU）和坐标旋转数字计算机（CORDIC，一种用于加速控制回路计算的数学函数硬件加速器）。该系列MCU配备了丰富的外设、片上存储器，以及各种接口和脉宽调制（PWM）架构。PSOC™ Control入门级 MCU（C3P2 和 C3M2）使用高分辨率和高精度A/D转换器和计时器，而主流级MCU（C3P5 和 C3M5）则使用高分辨率 PWM（HRPWM），使高性能系统能够以更小的延迟响应实时事件。这四个系列均支持功率和电机控制回路的执行，其中主流级MCU...
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2025/2/5 13:29:35
LUPS40-24F-N是金升阳一款具备电池充放电管理功能、无内置电池的不间断电源。其性能可靠、功能丰富，60℃可满载，采用数字化控制，可远程关断，输入输出-机壳间耐压1KVAC，具备防反接保护、48H防盐雾、过流/过压/温度异常保护、双面三防漆、卡扣正反双面安装、充放电多档位选择等优势。具有高性价比、高效率、高可靠性、安全隔离等优点。一、产品优势（1）性能强大① 宽输入电压范围：18-30VDC② 效率高达98%③ 工作温度范围：-40℃ to +75℃（60℃可满载）④ 冷启动功能：检修或户外携带等无输入供电使用场景，可通过旋转旋钮使电池包直接给输出负载供电⑤ 待机模式：UPS与电池包组装连接后，在待机情况下，电池包给UPS供电电流极小，可有效延长电池包供电时长⑥ 输入防反接：导轨接线式产品，输入反接风险大，增加输入防反接功能，有效规避应用反接风险（2）安全可靠① 安全隔离：输入输出-机壳间耐压1000VAC② 远程关断：可远程关断电池缓冲放电③ 信号警告功能④ 保护特性：过流/过压/温度异常保护⑤ 高防护：双面三防漆，48H盐雾，可应用于极端恶劣环境（如海边）及复杂控制系统二、产品应用LUPS40-24F-N可搭配金升阳导轨电源、电池包一起使用，为后端负载提供不间断供电，广泛适用于对可靠性要求严苛的应用场景，如工控、电力、安防、风电、通讯、智能家居等，为其提供高稳定、高抗扰、高可靠的不间断电源。三、产品特点● 输入电压范围：18-30VD● 工作温度范围：-40℃ to +75℃（60℃可满载）● 输出过流、输入过压保护● 电池温度异常保护● 电池缓冲放电时间选择● LED信号与指示● 基板涂覆三防漆● ANSI/ISA71.04-2013G3等级防腐测试免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问...
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2025/2/5 13:25:37
据《MarketWatch》周五(25 日) 报导，华尔街一直在寻找英伟达(Nvidia)( NVDA-US ) 的潜在替代者，而一名分析师提到了一间在这方面较少被讨论的重量级公司：Alphabet( GOOGL-US )。根据DA Davidson 分析师Gil Luria，Alphabet 悄然拥有「对英伟达GPU 最具吸引力的替代方案」。Alphabet 生产的张量处理单元(TPU) 是其专为机器学习任务设计的加速器版本。Luria 写道，TPU 是英伟达GPU 的可行甚至可能更优秀的替代方案，例如苹果( AAPL-US ) 就选择它们来训练模型。尽管Luria 对Alphabet 的芯片技术给予高度评价，但他对Alphabet 股票的看法却相对保守，给出中立评级。他在最新报告中对Alphabet 提出了批评，认为该公司在估计达4 万亿美元的硬体市场中未能积极把握机会。Luria 在周五写道，该公司「似乎并未积极追求这项机会」，并指出Alphabet「一贯让外部开发者难以接触和有效利用TPU，这形成了一个瓶颈，限制了它们的商业可行性。」相比之下，他认为英伟达拥有一个「强大的」开发者生态系统。除了对4 万亿美元硬件市场机会的讨论，Luria 也提到了其他一些大数字。例如，他估算Alphabet 的TPU 业务与Google DeepMind 人工智能业务的价值加总可能达到7,000 亿美元。作为对比，英伟达的市值约达3.5 兆美元，而英伟达的竞争对手AMD生产GPU 但没有内部类似DeepMind 的业务，其市值约为2,000 亿美元。在Luria 看来，Alphabet 的TPU 业务未能充分发挥潜力，不仅仅是因为开发者策略。他认为该公司应考虑分拆业务，以更好地实现其多个生态系统的价值。根据Luria 的分类加总估值(SOTP) 模型，Alphabet 的总价值为3....
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2025/2/5 13:22:24
韩媒报道，存储大厂三星将第六代10纳米级1c DRAM制程开发延后6个月，到6月才完成。三星之前宣称第六代10纳米级1c DRAM制程2024年底开发完并量产。但良率没有提升，导致时程再延后半年，这会使预定下半年量产的第六代HBM4一并延后。市场人士称，三星第六代10纳米级1c DRAM制程遇到困难。尽管市场在2024年底左右，获得了三星送交的第一个测试芯片。但因为无法达到预期的良率，因此将预定开发完成的时间延后六个月。而在这六个月中，三星预计将良率提升到约70%。根据过往业界的经验，每一代制程的开发周期通常落在18个月左右。但是，三星于2022年12月开发出第五代10纳米级1b DRAM制程，并于2023年5月宣布量产之后，就一直没有1c DRAM状况的消息。如果第六代10纳米级1c DRAM 制程从开发完成到量产的时间约为正常的6个月时间，则三星实际量产的时间预计将在2025年底。而这样的时程，几乎也影响了三星当前正面临生死关头的HBM产品的发展。以1c DRAM制程为例，其核心产品是以DDR5内存为主，而HBM则是其衍生产品，开发时间会落后核心产品的时间。这代表着一旦核心产品延后到2025年底量产，HBM量产可能会在2025年之后进行。这相较于三星先前宣布将于2025年下半年将1c DRAM制程用于HBM4、并量产的情况有所改变，也影响三星HBM市场竞争力。三星计划上半年全力投入六代10纳米级1c DRAM制程，以尽快提高良率。由于竞争对手SK海力士选择稳定方法，第五代10纳米级1b DRAM制程用于HBM4。但三星展现大跃进决心，以快速提高性能和能效。而要达成目标，最重要的就是尽快量产。韩国半导体产业人士指出，三星正在修改1c DRAM部分设计。另外，三星电子为应对其12nm级DRAM内存产品在良率和性能上的双重挑战，已决定在改进现有1b nm工艺的同时，从头设计新...
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2025/2/5 13:19:48
1月23日，韩国存储芯片大厂SK海力士发布截至2024年12月31日的第四季及2024年财报。受益于2024年存储芯片需求回暖及价格上涨，SK海力士全年业绩创下了历史新高。具体来说，SK海力士2024年第四季的营收金额为19.7670万亿韩元，环比增长12%，同比增长75%；营业利润为8.0828万亿韩元，环比增长15%，同比增长2236%；营业利润率为41%；净利润为8.0065万亿韩元，环比增长39%，去年同期则为亏损1.3795亿韩元，净利润率为41%。整个2024年度的营收为66.1930万亿韩元，同比（2023年度营收为32.7657万亿韩元）暴涨102%；营业利润为23.4673万亿韩元（去年同期亏损9.1375万亿韩元），营业利润率为35%；净利润为19.7969万亿韩元，净利润率为30%，营收金额较2022年的历史新高还高出了21万亿韩元以上，为历年营收的新高，其营业利润也超越了2018年存储芯片市场超繁荣期的业绩。HBM成为业绩增长最大驱动力由于全球经济持续低迷，智能手机、PC等主流IT产品需求持续低迷，这也使得通用（传统）存储芯片需求复苏延迟，但是面向AI的存储芯片需求坚挺，主要加速了存储芯片需求两极分化。与三星电子不同，SK海力士利用其在HBM市场的技术优势及居于领导地位的市场份额，推动了其整体业绩的增长。业界表示，HBM的平均售价（ASP）比通用DRAM高出3至5倍。此前三星电子预计，该公司去年第四季度的营业利润为6.5万亿韩元，而SK海力士去年四季度营业利润则高达8.1万亿韩元，首次超过了三星电子。SK 海力士表示，在针对AI的半导体內存需求强劲的情况下，凭借业界的HBM技术实力和以盈利为主的经营活动，实现了年度历史最高业绩。其中，2024年第四季呈现高成长趋势的HBM，占了整个DRAM销售金额的40%以上（三季度为30%），企业级固态硬盘（eSS...
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2025/2/5 13:16:59
AD679是一个完整的、多用途的14位单片模数转换器，由采样保持放大器（SHA）、微处理器兼容总线接口、电压参考和时钟生成电路组成。AD679用于交流（或动态）参数，如S/N+D比、THD和IMD，这些参数在信号处理应用中很重要。此外，AD679K、B和T等级完全指定用于测量应用中重要的直流参数。在两次读取操作（8+6）中访问14个数据位，并进行左对齐。单极模式的数据格式为直接二进制，双极模式的数据形式为二进制补码。输入的满标度范围为10V，全功率带宽为1MHz，全线性带宽为500kHz。高输入阻抗（10 MQ）允许直接连接到无缓冲源，而不会降低信号质量。转换可以在微处理器控制下或通过与系统时钟异步的外部时钟启动。该产品采用ADI公司的BiMOS工艺制造，将低功耗CMOS逻辑与高精度、低噪声双极电路相结合；激光微调薄膜电阻器提供高精度。该转换器利用递归子测距算法，该算法包括纠错和闪存转换器电路，以实现高速和高分辨率。AD679在+5 V和±12 V电源下工作，功耗为560 mW（典型值）。该部件有28引脚塑料DIP、陶瓷DIP和44 J引脚陶瓷表面安装封装。规格参数分辨率:14 bit通道数量:1 Channel接口类型:Parallel采样比:128 kS/s输入类型:Single-Ended结构:Pipeline模拟电源电压:0 V to 10 V最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C增益误差:0.11 %FSR高度:4.95 mmINL - 积分非线性:+/- 2.5 LSB输入电压:10 V, +/- 5 V长度:39.75 mmADC 输入端数量:1 Input转换器数量:1 Converter工作电源电压:5 V, 12 VPd-功率耗散:745 mW功耗:560 mW特性交流和直流特性和规定（K、B、T级）每秒128k转换1 MHz全功率带宽...
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2025/1/24 14:01:19
AD7847为完整的双通道、12位乘法数模转换器，在CMOS单芯片上集成输出放大器，无需用户进行外部调整便可实现全部额定性能。两款器件均与微处理器兼容，并配有高速数据锁存器和接口逻辑。AD7847接受12位并行数据，数据通过WR输入和各DAC单独的芯片选择(Chip Select)输入载入相应的DAC锁存器。输出放大器能在一个2 kΩ负载上产生±10 V电压。二者采用内部补偿，由于在晶圆水平上进行激光调整，因此输入失调电压较低。在AD7847上，放大器反馈电阻在内部与VOUT相连。规格参数分辨率:12 bit安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-24封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Analog Devices单位重量:1.098 g特性• 两个12位MDAC，内置输出放大器• 0.3"、24引脚DIP和24引脚SOIC封装，节省空间应用自动测试设备函数生成波形重建可编程电源同步应用引脚图
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2025/1/24 13:52:51
BFHK-6251+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。5.35–6.7 GHz的通带损耗低至3.2 dB，典型的阻带抑制在76 dB到15.5 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。规格参数频率:6.1 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:BFHK封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Mini-Circuits特性超高阻带抑制结构——典型值为76 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构，防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试和测量航空航天和国防信号调节尺寸图
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2025/1/24 13:37:59
Mini-Circuits的BBFCG2-672+是一款阻抗比为1:2的微型陶瓷RF平衡-不平衡转换器滤波器，适用于6375至7175 MHz的各种无线通信应用。该型号具有低插入损耗、低相位不平衡（相对于180°）和低振幅不平衡。该装置采用LTCC技术制造，采用小巧坚固的陶瓷封装（0.079英寸x 0.049英寸x 0.037英寸），适用于恶劣的工作环境。特性紧凑型设计，将巴伦和过滤器集成在一个包装中典型低通带插入损耗。1.9分贝杰出的CMRR，典型。29分贝小0805表面安装占地面积应用5G Sub-6 GHz MIMO无线基础设施系统卫星通信尺寸图
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2025/1/23 14:37:03
BAT-10+是一种宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs半导体工艺制造。该型号在直流至60 GHz范围内运行，实现了出色的衰减精度和平坦度，同时在整个频带内保持了出色的回波损耗。该型号可以处理高达2 W的输入功率，使其成为测试与测量、卫星通信、雷达、电子战、ECM防御系统、电信基础设施和5G等广泛应用的理想选择。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，2 W典型的出色回波损耗。22分贝 1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施 5G低于6 GHz和毫米波尺寸图
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2025/1/23 14:29:23
BAT-15+是一种宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs半导体工艺制造。该型号在直流至60 GHz范围内运行，实现了出色的衰减精度和平坦度，同时在整个频带内保持了出色的回波损耗。该型号可以处理高达1.4 W的输入功率，使其成为测试与测量、卫星通信、雷达、电子战、ECM防御系统、电信基础设施和5G等广泛应用的理想选择。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，1.4 W典型的出色回波损耗。20分贝 1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施 5G低于6 GHz和毫米波尺寸图
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2025/1/23 14:14:30
BAT-5+是一种宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs半导体工艺制造。该型号在直流至60 GHz范围内运行，实现了出色的衰减精度和平坦度，同时在整个频带内保持了出色的回波损耗。该型号可以处理高达1.5 W的输入功率，使其成为测试与测量、卫星通信、雷达、电子战、ECM防御系统、电信基础设施和5G等广泛应用的理想选择。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，1.5 W典型的出色回波损耗。23分贝 1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施 5G低于6 GHz和毫米波尺寸图
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2025/1/23 14:10:36
BAT-7+是一种宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs半导体工艺制造。该型号在直流至60 GHz范围内运行，实现了出色的衰减精度和平坦度，同时在整个频带内保持了出色的回波损耗。该型号可以处理高达1.5 W的输入功率，使其成为测试与测量、卫星通信、雷达、电子战、ECM防御系统、电信基础设施和5G等广泛应用的理想选择。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，1.5 W典型的出色回波损耗。22分贝1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施5G低于6 GHz和毫米波尺寸图
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2025/1/23 14:06:32
BAT-30+是一种宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs半导体工艺制造。该型号在直流至60 GHz范围内运行，实现了出色的衰减精度和平坦度，同时在整个频带内保持了出色的回波损耗。该型号可以处理高达0.9 W的输入功率，使其成为测试与测量、卫星通信、雷达、电子战、ECM防御系统、电信基础设施和5G等广泛应用的理想选择。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，0.9 W典型的出色回波损耗。21分贝1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施5G低于6 GHz和毫米波尺寸图
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2025/1/23 14:00:48
英飞凌科技股份公司推出专为有刷直流电机应用设计的全桥/H桥集成电路（IC）产品系列——MOTIX™ Bridge BTM90xx。新型BTM90xx 全桥IC不仅丰富了英飞凌的产品阵容，还补充了从驱动器IC到高度集成化系统级芯片（SoC）解决方案的MOTIX™低压电机控制IC产品组合。随着汽车行业的不断发展，曾经的高端功能如今已成为标配。因此，智能低压电机在塑造未来汽车用户体验方面将发挥日益重要的作用。汽车制造商正在寻求更加可靠、节能、经济，同时在恶劣条件下也能正常工作的半导体解决方案。为满足这一需求，英飞凌科技股份公司推出专为有刷直流电机应用设计的全桥/H桥集成电路（IC）产品系列——MOTIX™ Bridge BTM90xx。新型BTM90xx 全桥IC不仅丰富了英飞凌的产品阵容，还补充了从驱动器IC到高度集成化系统级芯片（SoC）解决方案的MOTIX™低压电机控制IC产品组合。BTM90xx系列的用途包括但不限于车门、后视镜、座椅、车身、区域控制模块等汽车应用，并针对这些应用专门进行了优化。另外，由于附有安全文档，该系列还可用于安全相关应用。BTM90xx 系列的强大功能可以实现智能和微型电机控制解决方案。该系列的正常工作电压范围为7 V至18 V（扩展后为4.5 V至40 V），可提供多种保护和诊断功能，例如过热、欠压、过流、交叉电流或短路检测等。BTM90xx 系列可测量高边和低边开关的电流，适用于电流限制至少为10 A（BTM901x）或 20 A（BTM902x）的汽车应用，使PWM的最高频率可以达到20 kHz。BTM9011EP 和 BTM9021EP是适用于SPI的型号，支持减少引脚数量的菊花链功能，有助于降低整体系统成本。BTM9021还集成了看门狗功能。BTM90xx 采用微型TSDSO-14（4.9 x 6.0 mm）封装，减少了所需的PCB板总空...
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2025/1/23 13:41:52
Pentronic推出了一款热电偶，专门用于测量表面温度，其测量端头装有自粘聚酰亚胺薄膜。这款热电偶适用于在平面或管道上进行临时或长期的温度测量。其应用领域广泛，常见于研发工作。扁平的测量端头和直径仅0.25毫米的细线，确保了极快的响应时间——仅需数秒即可。新款传感器型号也已研发成功，其设计更加灵活多变，能更好地满足客户对电缆长度及连接器样式的多样化需求。聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK推出16位单通道、高精度、全集成数模转换器（DAC） TPC2201，产品支持HART通信协议输入，可实现单通道0mA~20mA电流输出及±10V的电压输出。同时，TPC2201支持菊花链模式，可广泛应用在工业自动化和过程控制等领域。TPC2201产品优势高精度电压输出在AVDD±15V供电、DVDD内部LDO和内部基准条件下，经过两点校准测量，TPC2201电压输出精度表现出色，常温下误差极低，精度可达0.0025% FSR。高精度电流输出在相同的供电和校准条件下，TPC2201电流输出精度同样表现出色，常温下误差极低，精度可达0.0035% FSR。低温漂TPC2201在全温范围内（-40℃ ~ 125℃）同样表现出色。在电流输出方面，TPC2201输出温漂仅为±5.5ppm FSR/°C，最大总不可调整误差为0.125% FSR（Typ.）。在电压输出方面，TPC2201输出温漂仅为±1.5ppm FSR/°C，最大总不可调整误差为±0.02% FSR（Typ.）。温升性能卓越在负载电阻为0Ω，工作电流为24mA，24V电源的测试环境下。TPC2201在无自适应电源的条件下，温升约为23℃；在自适应电源的条件下，温升约为15℃。TPC2201产品特性16位精度电流输出支持多种电流输出范围：4mA~...
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2025/1/23 13:36:48
根据由希捷委托Recon Analytics进行的一项全球调查显示，AI的采用将在未来几年内推动数据生成的爆炸性增长。由于现有的本地存储可能不足以满足AI生成数据的存储需求，云存储已成为各行业企业的首选。调查显示，未来三年的存储需求将增加一倍。调查显示，AI的采用已广泛普及，72%的受访企业已经在使用这项技术，28%的企业计划在未来三年内采用。云存储已成为处理AI驱动数据增长的首选媒介，预计到2024年，65%的AI相关数据将存储在云端，到2028年这一比例将增至69%。报告指出，在存储容量方面，情况颇为有趣：在使用超过100PB存储容量的组织中，87%的企业将AI训练检查点保存在云环境或硬盘和固态硬盘的组合中。频繁的检查点保存是常见做法，28%的公司每天保存，43%的公司每周保存，这增加了对存储的需求。企业也在优先考虑延长AI训练数据的保留期限，这被认为是提高模型精度的关键，调查显示。有90%的受访者认为，延长保留期限能带来更好的AI结果。存储每日检查点的公司中，32%的企业将数据保留超过12个月，而29%的企业保留6至12个月。这种对数据长期保存的重视反映了历史数据在优化AI模型中的日益重要性。在基础设施优先级方面，安全被视为最关键的部分，25%的受访者将其列为首要任务。同时，认为存储容量为最优先事项的受访者仅占18%。其他值得注意的基础设施关注点包括数据管理、计算资源、网络容量和法规合规。企业也在积极适应AI采用带来的不断增长的存储需求。在采取的措施中，61%的企业采用了可扩展的云存储解决方案，56%的企业实施了的数据管理软件，55%的企业升级了现有基础设施。此外，49%的企业利用数据压缩技术来管理不断增加的AI生成数据量。这些策略凸显了对可扩展和高效解决方案的关注，以适应指数级的存储增长。数据复制已成为确保数据完整性和优化AI结果的另一策略。大约80%的受访者认为复...
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2025/1/23 13:33:35
在当今的通信技术领域，射频前端设计至关重要，它是实现无线信号收发的关键环节，其性能直接影响着通信设备的质量和用户体验。射频前端设计公司由于产品具有技术密集、更新换代快等特性，需要持续的高研发投入来保持竞争力。射频前端芯片产品涉及多种复杂技术，如滤波器、功率放大器、低噪声放大器等的设计与制造工艺。这些技术不仅要满足不断提升的通信标准，如从 4G 到 5G 乃至未来 6G 的演进，还要适应各类终端设备小型化、多功能化的需求。每一次技术的升级和应用场景的拓展，都要求对产品进行重新设计和优化，需要不断投入开发新的芯片设计方案以满足变化的市场需求，这无疑需要大量的研发资源投入。国内外射频前端厂商研发投入存在巨大差距然而，目前国内射频前端设计厂商在研发投入水平上与国外领先厂商存在显著差距。像 Skyworks、Qorvo、Murata 等海外巨头，长期以来都将大量资金投入到研发中，可以说，在研发投入层面，海外老牌射频前端厂商展现出压倒性优势。例如，Skyworks、Qorvo、Murata等海外老牌射频前端厂商，每年研发投入在40亿~60亿人民币，是国内射频前端厂商投入的10倍还多，这个水平的投入动辄已经超过国内射频厂商卓胜微的营业收入规模。如此巨额资金，为其技术创新与产品迭代构筑坚实根基。相较而言，国内厂商受限于资金规模与营收体量，研发投入捉襟见肘。这使得国内厂商在前沿技术探索、基础研究突破方面面临重重困难，技术追赶之路漫长而艰辛。此外，不同定位射频厂商的研发支出占比也存在一些规律性差异。据笔者统计，主攻发射侧的Qorvo和唯捷创芯的研发支出占营收的比重常年在15%以上，慧智微更是达到50%以上，猜测在国际一线品牌客户大规模出货的昂瑞微这一比例也不低。而相比之下，差异化定位于开关、接收侧产品的卓胜微，其2017-2022年研发比重基本在10%以下，直到近两年才逐步加大投入，这种转变或...
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2025/1/23 13:29:10