PE42820是一款HaRP™技术增强型高功率反射SPDT射频开关，专为移动无线电、继电器更换和其他高性能无线应用而设计。该开关是PE42510A的引脚兼容升级版本，具有更宽的频率和电源范围，以及外部负极电源选项。它在30 MHz至2.7 GHz的范围内保持了出色的线性度和功率处理能力。PE42820还具有低插入损耗、高功率处理的特点，并采用32引脚5×5mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT最小频率:30 MHz最大频率:2.7 GHz介入损耗:0.7 dB关闭隔离—典型值:24 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT单位重量:3 g点击购买：PE42820B-X特性•高功率处理•出色的线性•插入损耗低•2.3–5.5V的宽电源范围•+1.8V控制逻辑兼容•ESD性能•外部负电源选项•封装：32引脚5×5mm QFN引脚图
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2025/1/17 13:31:54
PE42562是一款HaRP™技术增强型吸收SP6T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42562提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP6T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:1.148 g点击购买：PE42562A-X特性•高隔离度：6 GHz时为35 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•210 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：24引脚4×4mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/17 13:27:10
株式会社村田制作所推出了1210尺寸静噪元件共模扼流线圈“DLM11CN_HH2系列”新产品，适用于汽车中的LVDS、SerDes、USB、HDMI等高速差分接口——其中LVDS(Low Voltage Differential Signaling)是液晶面板用接口，SerDes(Serializer/Deserializer)则用于串行和并行信号互换的电路。本新产品已从2024年12月起开始批量生产。在汽车市场，随着高级驾驶辅助系统(ADAS)和自动驾驶(AD)的发展，汽车周围检测用相机、以及通过激光束检测车辆周围障碍物的系统的LiDAR(Light Detection and Ranging）等传感设备、环视显示器、平视显示器、智能后视镜、液晶速度仪表等使用显示器的设备也不断增加。此类设备的图像数据需要通过LVDS/SerDes来传输。此外，车辆内座位上还配备了多个USB端口，用作与智能手机和个人电脑联动的接口，用于USB端口的小型产品的需求也随之不断增长。此类差分接口的共模静噪对策至关重要，因此需要适用于高速信号的小型共模扼流圈。为此，村田基于自主研发的层压技术，成功研发了相较原有的2012尺寸更小型的1210尺寸产品。主要规格AEC-Q200是汽车电子协会（AEC，Automotive Electronics Council）制定的一项标准。文章来源：Murata村田中国免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/17 13:21:01
市场调查机构Canalys的最新数据显示，PC市场在2024年第四季度实现连续5个季度的增长，台式电脑、笔记本和工作站的总出货量达到6740万台，增长4.6%。笔记本（包括移动工作站）的出货量为5370万台，增长6.2%，而台式机（包括台式工作站）的出货量则下降1.4%，为1370万台。Canalys分析师Kieren Jessop表示：“2024年是PC市场小幅回暖并回归传统季节性的一年，全年出货量增长3.8%（达2.55亿台）。在第四季度，增长小幅提升，出货量同比增长4.6%。”按品牌来看，2024年第四季度，联想引领全球市场，全球出货量高达1690万台，与2023年第四季度强劲的出货量相比，同比增长4.9%；惠普紧跟其后，位居第二，全球出货量达到1370万台，同比下降1.6%；戴尔稳居第三，但其出货量在全年各季度均呈下滑趋势，第四季度降幅达0.2%；苹果位居第四，出货量为590万台，年增长率达到3.1%；而华硕同比增长率为21.6%，成为前五大厂商中增幅最快的厂商。展望未来，Canalys预计，2025年将是加速增长的一年，因为微软会在10月终止Windows 10的系统支持，迫使数亿PC用户更新设备。Canalys首席分析师Ishan Dutt表示：“展望未来，受商用需求的推动，PC市场将加速增长，企业正为Windows 10系统结束做准备。CES 2025上展示的进步表明，PC市场正致力于将AI PC打造成明星类别，这引发消费者开始关注更广泛的机型进行探讨。鉴于CPU和PC厂商的产品路线图开始在各类别、各价格区间和各地区中应用端侧AI，我们预计2025年AI PC将占全球出货量的35%。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/17 13:18:01
PE42512是一款HaRP™技术增强型吸收SP12T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42512提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP12T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:2.4 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42512A-X特性•高隔离度：6 GHz时为39 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.3 dB•232 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：32引脚5×5mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/16 14:20:15
PE42424是一款HaRP™技术增强型反射式50ΩSPDT射频开关，专为高功率和高性能WLAN 802.11 a/b/g/n/ac/ax和Wi-Fi 6E应用而设计，如运营商和企业Wi-Fi产品以及支持高达8.5 GHz带宽的超宽带应用。该交换机具有出色的端口到端口隔离、快速切换速度和高功率处理能力，所有这些都在一个紧凑的1.5×1.5 mm封装中。PE42424还具有高线性度，在整个电源范围内保持不变。此外，该器件具有强大的ESD和温度性能，不需要隔直电容器或任何外部匹配组件。规格参数开关配置:SPDT最小频率:100 MHz最大频率:8.5 GHz介入损耗:1.08 dB关闭隔离—典型值:26 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42420F-Z特性•802.11 a/b/g/n/ac/ax、Wi-Fi 6E和超宽带•（UWB）支持•卓越的隔离•快速切换•高功率处理•在整个供电范围内具有高线性•兼容1.8V控制逻辑•105°C工作温度•高ESD耐受性•包装：6芯1.5×1.5毫米DFN引脚图
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2025/1/16 14:14:13
PE42420是一款HaRP™技术增强型吸收SPDT射频开关，专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。它非常适合传输路径切换、RF和IF信号路由、AGC环路和滤波器组切换应用。这种通用交换机由两个对称的射频端口组成，具有高达6 GHz的出色端口间隔离。集成CMOS解码器有助于实现双引脚低压CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:50 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买:PE42420F-Z特性•增强了HaRP™技术•高线性•高度隔离•支持+1.8V控制逻辑•+105°C工作温度•高ESD耐受性引脚图
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2025/1/16 14:06:55
PE42359 UltraCMOS®RF开关设计用于覆盖从10 MHz到3 GHz的广泛应用。这种反射开关将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，可以使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称3V电源电压，可以实现33.5 dBm的典型输入1 dB压缩点。PE42359还符合汽车应用的质量和性能标准，并获得了AEC-Q100 2级认证。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:1.1 dB关闭隔离—典型值:13 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42359SCAA-Z特性•AEC-Q100 2级认证•支持高达+105°C的工作温度•单引脚或互补CMOS逻辑控制输入•插入损耗低•1000 MHz时隔离度为30 dB•2kV HBM的高ESD耐受性•典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm•最低电源电压1.8V•包装：6导联SC‐70引脚图
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2025/1/16 13:59:35
PE43650是一款高线性、5位RF数字步进衰减器（DSA）。这种高度通用的DSA以0.5 dB的步长覆盖15.5 dB的衰减范围。PE43650 50ΩRF DSA提供多个CMOS控制接口。它在频率和温度上保持高衰减精度，并表现出非常低的插入损耗和低功耗。由于板载稳压器，性能不会随VDD而变化。此pSemi DSA采用4×4 mm 24引脚QFN封装。规格参数衰减:15.5 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:5 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB介入损耗:2.4 dB最大工作温度:+ 85 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:3.3 V, 5 V点击购买：PE43650A-Z特性•衰减：0.5 dB至15.5 dB•高线性度：典型+58 dBm IP3•出色的低频性能•编程模式：直接并行、锁存并行和串行•CMOS兼容•不需要隔直电容器•封装：24芯4×4×0.85毫米QFN应用•3G/4G无线基础设施▪ 射频/中频增益控制▪ 基站（BTS）和远程无线电头端（RRH）▪ 光学和射频中继器▪ 分布式天线系统（DAS）•陆地移动无线电系统•点对点通信系统引脚图
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2025/1/16 13:53:06
KAT-4+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达2W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。规格参数衰减:5 dB最大频率:43.5 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel衰减器步长:4 dB最大 VSWR:1.9商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C功率额定值:1.7 W单位重量:155.489 mg点击购买：KAT-4+产品特点•小包装，2x2 MCLP™•超宽带，DC-43.5 GHz•出色的驻波比，典型值为1.2:1。•高功率处理，1.7W典型应用•5G•测试和测量•雷达•沟通•防御尺寸图
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2025/1/16 13:44:58
LFCN-1325+是Mini-Circuits的一款低通陶瓷滤波器，最小5节，最大5节，中心或截止频率（fo/fc）为1560MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针。规格参数产品:Low Pass Filters频率:DC to 1325 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206 (3216 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C介入损耗:1.3 dB安装:Board Mount点击购买：LFCN-1325+特性出色的功率处理能力，9W尺寸小5个部分温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用尺寸图
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2025/1/16 13:41:21
2025 年 1 月 14 日，中国— 意法半导体STSPIN32系列集成化电机驱动器新增八款产品，满足电动工具、家用电器、工业自动化等应用的低成本、高性能要求。意法半导体STSPIN32电机驱动器集成STM32通用微控制器 (MCU) 和功能丰富的三相栅极驱动器，可简化电机控制系统设计，节省 PCB电路板面积，加快终端产品上市时间。新推出的八款 STSPIN32G0产品集成了45V、250V 和 600V额定电压 的栅极驱动器，适合从电池供电的无线家电和电动工具到工业自动化、机器人、暖通空调系统、有线家用电器的各种应用场景。新产品集成了基于 Arm® Cortex®-M0+ 内核的 STM32G031 微控制器，算力可以处理市场上热度很高的电机控制算法，包括六步控制和矢量控制 (FOC)。FOC可以是用一个、两个或三个电流检测电阻实现的有传感器或无传感器电机控制算法。为帮助开发者简化系统设计，新产品还集成了其他功能，包括 12 位 ADC模数转换器、内部参考电压、高级电机控制定时器，以及 I2C、USART、SPI等数字接口。多达 32 个通用 I/O引脚 (GPIO)、64KB 闪存和 8KB SRAM 让开发人员能够灵活地运行复杂的应用程序和创新的增值功能。四种低压新产品基于功能丰富的 45V 栅极驱动器，适用于锂电池或最高36V有线电源供电的家电和工具，例如，便携式电动工具及家用电器、无线吸尘器、机器人、风扇和电泵。四款低压产品为用户提供不同的模拟传感器输入、GPIO管脚和专用模拟参考电压引脚组合，全都具有 600mA 拉/吸电流驱动能力，集成 3.3V DC/DC 转换器和 12V 线性稳压器，能够为内部电路和外设供电，无需外接电源。四款高压产品为用户提供了 250V 或 600V 额定驱动电压和 200mA/350mA 或 1.0A/0.85...
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2025/1/16 13:28:56
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创新产品的终端设备将广泛应用于电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心及不间断电源（UPS）等多个领域。瑞萨开发的全新MOSFET晶圆制造工艺（REXFET-1）使新产品的导通电阻（MOSFET导通时漏极与源极之间的电阻）大幅降低30%；更低的导通电阻有助于显著降低客户系统设计中的功率损耗。REXFET-1工艺还使新型MOSFET的Qg特性（向栅极施加电压所需的电荷量）降低10%，Qgd（在“米勒平台”阶段需要注入栅极的电荷量）减少40%。除了优秀的电气特性外，瑞萨的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET还采用行业标准TOLL和TOLG封装，与其它制造商的器件引脚兼容，且封装尺寸比传统TO-263封装小50%。TOLL封装还具备wettable flanks，便于光学检测。Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示：“多年来，瑞萨在MOSFET领域积累了丰富的经验和技术优势，凭借我们强大的制造能力和多个高产能工厂的供货保障，瑞萨致力于为客户提供卓越的产品和服务。”成功产品组合瑞萨将全新MOSFET与其产品组合中的众多器件相结合，推出多种“成功产品组合”方案，包括48V电动平台和三合一电动汽车单元（逆变器、车载充电器、DC/DC转换器）等。这些方案基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经验证的系统架构并带来经优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵...
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2025/1/16 13:25:25
根据市调机构Counterpoint Research初步结果显示，全球智能手机市场在经历了连续两年的年度下滑后，于2024年重回增长轨道。2024年全球智能手机销量同比增长4%，结束了2023年智能手机销量为十年最低的状况。市场研究总监Tarun Pathak在评论市场动态时表示：“2024年是继艰难的2023年之后的一年复苏和正常化。市场从2023年第四季度开始显现复苏迹象，并已连续五个季度实现增长。几乎所有市场都实现了增长，其中以欧洲、中国和拉丁美洲为首。”2024年，三星凭借其S24系列和A系列产品线的强劲需求，市场份额继续领跑。作为首款定位为AI设备的手机，S24系列表现优于前代产品。苹果以18%的市场份额位居第二。苹果的iPhone 16系列反响不一，部分原因是发布时苹果智能功能的缺乏。然而，苹果在其非核心市场如拉丁美洲、非洲和亚太其他地区的增长依然强劲。小米在2024年五大品牌中增长最快，得益于其产品组合调整、高端市场推动和积极的扩张活动。OPPO排名第四，尽管同比有所下降，但年底势头更猛。vivo凭借在印度和中国的强劲表现，位列第五，并在年底成为中国市场排名第一的原始设备制造商（OEM）。前五名与2023年相同，但部分市场份额被华为、荣耀和摩托罗拉等快速增长的品牌所侵蚀，这三家是十大品牌中增长最快的OEM。Counterpoint预计，2025年智能手机收入增长将继续超过销量增长，收入将同比增长8%，而销量增长为4%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/16 13:18:16
PE42641是基于UltraCMOS®工艺技术开发的HaRP™增强型SP4T射频开关。该交换机包含四个相同的符合WEDGE/CDMA标准的TX路径，可用于各种GSM和WCDMA移动应用以及高达3000 MHz的其他无线应用。它也适用于蜂窝和非蜂窝移动应用的天线频带切换和可切换匹配网络。它将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，不需要隔直电容器。此符合RoHS标准的零件采用标准的3×3×0.75mm QFN封装。规格参数开关配置:SP4T最小频率:100 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:0.55 dB关闭隔离—典型值:27.5 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel特性•对称、高功率SP4T：所有端口均符合WEDGE/CDMA标准•插入损耗极低：1000 MHz时为0.45 dB，2000 MHz时为0.6 dB•HaRP™-增强技术，实现无与伦比的线性•极高隔离度：900 MHz时为35 dB，1900 MHz时为29 dB•极高的ESD耐受性•用于2针控制的集成解码器•4.5欧姆串联导通电阻低•不需要隔直电容器•封装：16引脚3×3×0.75mm QFN应用
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2025/1/15 14:29:23
PE42582是一款HaRP™技术增强型吸收SP8T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42582提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP8T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:2.442 g点击购买：PE42582A-X特性•高隔离度：6 GHz时为41 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•227 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：24引脚4×4mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/15 14:15:44
PE4251是一款HaRP™增强型吸收式SPDT射频开关，适用于一般交换应用和移动基础设施。该器件提供3.3/5V的灵活电源电压、单引脚或互补引脚控制输入和4000V ESD容差。它为pin二极管和机械继电器开关提供了一种简单的替代解决方案。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10 MHz最大频率:4 GHz介入损耗:1 dB关闭隔离—典型值:37 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel点击购买：PE4251MLI-Z特性•增强了HaRP™技术•低插入损耗：1000 MHz时为0.60 dB•高隔离度：1000 MHz时为62 dB•P1dB典型值：+30.5 dBm•IIP3典型值：+59 dBm•快速切换时间：150 ns•灵活的电源电压：3.3V±10%或5.0V±10%电源•卓越的ESD保护：4000V HBM•不需要隔直电容器•单针或互补控制输入引脚图
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2025/1/15 14:10:10
PE42442是一款HaRP™技术增强型吸收SP4T射频开关，专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。该开关是PE42451的引脚兼容四掷版本，具有更宽的频率和电源范围。它由四个对称的射频端口组成，具有高达6 GHz的极高隔离度。集成CMOS解码器便于使用两针或三针1.8V CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SP4T最小频率:30 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:1.9 dB关闭隔离—典型值:32 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42442A-Z特性•四个对称、可吸收的射频端口•高度隔离•高线性•兼容1.8V控制逻辑•105°C工作温度•255 ns的快速切换时间•两针或三针CMOS逻辑控制•外部负电源选项•高ESD耐受性引脚图
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2025/1/15 14:06:29