AD8317 是一款六级解调对数放大器，专为频率高达 10 GHz 的射频测量和功率控制应用而设计。框图如下图所示。AD8317 与 AD8318 对数检波器/控制器共享大部分设计，在 50 dB 范围内保持严格的截距可变性 vs 温度特性。相比 AD8318 的额外改进包括：RF 突发响应时间缩短至 6 ns 至 10 ns电源电流降低至 22 mA电路板空间需求仅为 2 mm × 3 mm这些特性增加了 AD8317 的低成本和高性能优势。采用专有高速 SiGe 工艺的全差分设计扩展了高频性能。INHI 接收标称 500 Ω 并联 0.7 pF 的低频阻抗信号。±1 dB 对数一致性误差的最大输入通常为 0 dBm（参考 50 Ω）。输入的噪声谱密度参考为 1.15 nV/√Hz，相当于在 10.5 GHz 带宽内电压为 118 µV rms，或噪声功率为 -66 dBm（参考 50 Ω）。该噪声谱密度设定了动态范围的下限。然而，AD8317 的低端精度通过对解调传递特性进行特殊整形来增强，以部分补偿内部噪声引起的误差。共模引脚 COMM 为印刷电路板（PCB）接地提供高质量的低阻抗连接。封装焊盘内部连接到 COMM 引脚，也必须接地到 PCB，以减少从芯片到 PCB 的热阻抗。对数函数通过六级联增益级以分段方式近似。（有关对数近似的更全面解释，请参阅 AD8307 数据手册。）每级具有标称 9 dB 的电压增益和 10.5 GHz 的 3 dB 带宽。通过精密偏置，增益在温度和电源变化范围内保持稳定。由于增益级的级联特性，总增益很高。包含一个失调补偿环路，以校正级联单元内的失调。在每个增益级的输出端，使用平方律检波器单元对信号进行整流。RF 信号电压被转换为波动的差分电流，其平均值随信号电平增加而增加。除六级增益级和检波器单元外，AD83...
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2026/2/6 10:00:37
一、定义AD8336是一款低噪声、单端、线性dB、通用型可变增益放大器，可以在较大的电源电压范围内工作。它内置一个非专用前置放大器，可用增益范围为6 dB至26 dB。VGA增益范围为0 dB至60 dB，绝对增益限制为−26 dB至+34 dB。当前置放大器增益调整为12 dB时，前置放大器与VGA的合并3 dB带宽为100 MHz，该放大器在80 MHz内完全可用。采用±5 V电源时，最大输出摆幅为7 V 峰峰值。由于采用X-AMP®架构，因此在VGA的整个增益范围内保持良好的频率响应。差分增益控制接口在−55°C至+125°C温度范围内可提供精确的50 dB/V线性dB增益调整，且可方便地与各种外部源接口。较大电源电压范围使得AD8336适合工业、医疗应用和视频电路。双电源工作支持双极性输入信号，如光电二极管或光电倍增管所产生的输入信号。完全独立的电压反馈前置放大器同时支持反相和同相增益拓扑结构。通过在6 dB与26 dB之间选择前置放大器增益，并选择适当的反馈电阻，便可以在−14 dB至+60 dB额定增益范围内使用AD8336。对于4倍标称前置放大器增益，总增益范围为−14 dB至+46 dB。二、特征低噪声电压噪声：3 nV/√Hz电流噪声：3 pA/√Hz小信号带宽：115 MHz大信号带宽：2 V p-p=80 MHz转换速率：550 V/µs，2 V p-p增益范围（指定）−14 dB至+46 dB0 dB至60 dB增益缩放：50 dB/V直流耦合单端输入和输出电源：±3 V至±12 V温度范围：-55°C至+125°CPower150 ±3 V、-55°CT+125°C时的毫瓦84 ±3 V时的mW，PWRA=3 V三、应用...
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2026/2/6 9:37:27
Microchip宣布推出MCPF1525 Power Module，这是一款高度集成的设备，配备16V Vin降压转换器，每个模块可提供25A电流，可叠加至200A。MCPF1525实现了同一机架空间内更高的功率输出，并结合了可编程的PMBus™和I2C控制。该设备旨在驱动最新一代PCIe®交换机和AI部署所需的高性能计算MPU应用。并且采用创新的垂直结构设计，最大化板面空间效率，与其他方案相比，板面面积可减少多达40%。紧凑的电源模块尺寸约为6.8毫米 x 7.65毫米 x 3.82毫米，是空间有限的AI服务器的理想解决方案。Microchip为提高可靠性，MCPF1525包含多项PMBus™报告的诊断功能，包括过热、过电流和过电压保护，以最大限度减少未检测到的故障。采用热增强封装，该器件设计用于在-40°C至+125°C的工作结温度范围内工作。 板载嵌入式EEPROM允许用户编程默认的开机配置。该MCPF1525采用定制集成电感，实现低传导和辐射噪声，提升信号完整性、数据准确性和高速计算可靠性，帮助减少浪费宝贵系统功耗和时间的重复数据传输Microchip提供多种直流-直流功率模块，输入电压范围从5.5V到70V，采用超紧凑、坚固且热增强的封装，旨在提升高功率密度。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/6 9:28:29
英特尔发布全新英特尔® 至强® 600 系列工作站处理器，这是对英特尔高端工作站平台（采用英特尔® W890 芯片组）的一次全面升级。对比上一代产品：最新一代英特尔工作站处理器在多个方面均实现显著提升，包括核心数量的大幅增加、PCIe 连接性的增强、对更高内存速度的支持，以及前所未有的能效表现。产品优势全新英特尔® 至强® 600 系列工作站处理器为数据科学/AI 开发、工程模拟/可视化，以及媒体和娱乐内容创作等带来了诸多优势。与上一代处理器相比，新一代平台实现了多线程性能的显著跃升，强化了I/O 功能，进一步提升有线和无线连接性能，并为高级 AI 训练和推理工作负载提供了更广泛、高效的支持。英特尔® 至强® 600 系列工作站处理器采用 Intel 3 制程技术和 Redwood Cove+ 核心架构，产品线全系列型号的核心数量均获得提升——在相同功耗下，86 核的至强 698X 与上一代 64 核的 至强W3595X相比，多线程性能提升高达 61%¹。平台规格英特尔® 至强® 600 系列工作站处理器拥有多达 86 个内核，睿频频率高达 4.8 GHz，与上一代英特尔处理器相比，单线程性能提升高达 9%，多线程性能提升高达 61%²。在英特尔® AMX 中增加了对 FP16 数据类型的支持，显著提升 AI 训练和推理工作负载的性能——在 AI 和机器学习工作负载中，性能比上一代英特尔处理器提升高达 17%³。支持多达 128 个 CPU PCIe 5.0 通道，为多 GPU、SSD 和网卡提供强大的平台连接性，以满足用户的工作流程需求。支持多达八通道的 DDR5 RDIMM，速度高达 6400 MT/s——高于上一代平台的 4800 MT/s...
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2026/2/6 9:16:57
Vishay推出了四款新型功率电感，分别为2.0毫米×1.6毫米×1.2毫米0806和3.2毫米×2.5毫米×1.2毫米1210机箱尺寸。商用IHLL-0806AZ-1Z和IHLL-1210AB-1Z以及汽车级IHLP-0806AB-5A和IHLP-1210ABEZ-5A在11%（1210）和64%（0806）的体积中，实现了与次小竞争电感器相同的性能，同时提供更高的工作温度、更宽的电感值范围以及更低的DCR以提高效率。IHLL-0806AZ-1Z和IHLL-1210AB-1Z的端子仅在底部镀层，电感强度从0.24 μH到4.70 μH，典型DCR低至6.6 mΩ，实现更小的焊点布局，实现更紧凑的板间距。IHLP-0806AB-5A 和 IHLP-1210ABEZ-5A 的端子底部和侧面均镀有电镀，可形成焊锡圆片，增强对高机械冲击的安装强度，同时简化焊点检查。AEC-Q200 认证的器件在 +165 °C 以下提供可靠性能，比最近的复合电感高出 10 °C，典型的 DCR 最低可达 15.0 mΩ。这四款设备相比铁氧体技术性能更优，采用坚固的粉末铁体，完全封装绕组——消除气隙并磁性屏蔽，防止与附近元件的串扰——同时其软饱和曲线在整个工作温度和额定电流范围内保持稳定。该电感采用100%无铅（Pb）屏蔽复合材料结构，将杂音降至极低水平，具备高抗热冲击、防潮和机械冲击能力，能应对高瞬态电流尖峰而不饱和免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/6 9:08:07
容纳 AD9834 的印刷电路板（PCB）应设计为将模拟部分和数字部分分开，并限制在电路板的特定区域。这有助于使用可以轻松分离的地平面。最小蚀刻技术通常是地平面的最佳选择，因为它提供最佳屏蔽。数字地和模拟地平面应仅在一个点连接。如果 AD9834 是唯一需要 AGND 到 DGND 连接的器件，地平面应在 AD9834 的 AGND 和 DGND 引脚处连接。如果 AD9834 处于需要多个器件进行 AGND 到 DGND 连接的系统中，连接应仅在一个点进行，建立尽可能靠近 AD9834 的星形接地点。避免在器件下方走数字线，因为这些线会将噪声耦合到芯片上。模拟地平面应允许在 AD9834 下方运行以避免噪声耦合。AD9834 的电源线应使用尽可能大的走线，以提供低阻抗路径并减少电源毛刺的影响。快速开关信号（如时钟）应使用数字地进行屏蔽，以避免将噪声辐射到电路板的其他部分。避免数字和模拟信号交叉。电路板两侧的走线应相互垂直运行，以减少贯穿电路板的馈通效应。微带技术是最佳选择，但对于双面电路板并不总是可行。在这种技术中，电路板的元件侧专用于地平面，信号放置在另一侧。良好的去耦很重要。AD9834 的模拟和数字电源是独立的，并分别引出以最小化器件模拟部分和数字部分之间的耦合。所有模拟和数字电源应分别对 AGND 和 DGND 进行去耦，使用 0.1 µF 陶瓷电容与 10 µF 钽电容并联。为了达到去耦电容的最佳性能，应将它们尽可能靠近器件放置，理想情况下紧贴器件。在系统中，如果使用公共电源为 AD9834 的 AVDD 和 DVDD 供电，建议使用系统的 AVDD 电源。该电源应在 AD9834 的 AVDD 引脚和 AGND 之间具有推荐的模拟电源去耦，以及在 DVDD 引脚和 DGND 之间具有推荐的数字电源去耦电容。比较器的正常工作需要良好的布局策略...
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2026/2/5 13:32:04
AD9834是一款75 MHz、低功耗DDS器件，能够产生高性能正弦波和三角波输出。其片内还集成一个比较器，支持产生方波以用于时钟发生。当供电电压为3 V时，其功耗仅为20 mW，非常适合对功耗敏感的应用。 AD9834提供相位调制和频率调制功能。频率寄存器为28位；时钟速率为75 MHz，可以实现0.28 Hz的分辨率。同样，时钟速率为1 MHz时，AD9834可以实现0.004 Hz的分辨率。影响频率和相位调制的方法是通过串行接口加载寄存器，然后通过软件或FSELECT/PSELECT引脚切换寄存器。AD9834通过一个三线式串行接口写入数据。该串行接口能够以最高40 MHz的时钟速率工作，并且与DSP和微控制器标准兼容。该器件采用2.3 V至5.5 V电源供电。模拟和数字部分彼此独立，可以采用不同的电源供电；例如，AVDD可以是5 V，而DVDD可以是3 V。AD9834具有掉电引脚(SLEEP)，支持从外部控制掉电模式。器件中不用的部分可以掉电，以将功耗降至低点。例如，在产生时钟输出时，可以关断DAC。该器件采用20引脚TSSOP封装。那么AD9834低功耗DDS器件都具备哪些特征？• 窄带SFDR 72 dB• 电源电压范围：2.3 V至5.5 V 电源供电• 输出频率最高达37.5 MHz• 正弦波输出/三角波输出• 片上集成比较器• 式SPI接口• 扩展温度范围：−40°C至+105°C• 掉电选项• 功耗：20 mW（3 V时）• 20引脚TSSOP
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2026/2/5 13:23:30
一、定义AD7192是一款适合高精密测量应用的低噪声完整模拟前端。它集成一个低噪声、24位Σ-Δ型模数转换器(ADC)。片内低噪声增益级意味着可直接输入小信号。这款器件可配置为两路差分输入或四路伪差分输入。片内通道序列器可以使能多个通道，AD7192按顺序在各使能通道上执行转换，这可以简化与器件的通信。片内4.92 MHz时钟可以用作ADC的时钟源；或者，也可以使用外部时钟或晶振。该器件的输出数据速率可在4.7 Hz至4.8 kHz的范围内变化。这款器件提供两种数字滤波器选项。滤波器的选择会影响以编程输出数据速率工作时的均方根噪声和无噪声分辨率、建立时间以及50 Hz/60 Hz抑制。针对要求所有转换均需建立的应用，AD7192具有零延迟特性。这款器件的工作电源电压为3 V至5.25 V，功耗为4.35 mA，采用24引脚TSSOP封装。二、特征• 均方根噪声：11 nV (4.7 Hz, G = 128)• 15.5位无噪声分辨率(2.4 kHz, G = 128)• 无噪声分辨率高达22位(G = 1)• 失调漂移：5 nV/°C• 增益漂移：1 ppm/°C• 稳定的时间漂移特性• 2个差分/4个伪差分输入通道• 自动通道序列器• 可编程增益（1至128）三、应用应变计传感器压力测量温度测量色谱法PLC/DCS模拟输入模块数据采集医疗和科学仪器
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2026/2/5 13:16:46
一、定义AD5160是一款适合256位调整应用的2.9 mm x 3 mm紧凑型封装解决方案，可实现与机械电位器或可变电阻器相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。游标设置可通过SPI兼容型数字接口控制。游标与固定电阻任一端点之间的电阻值，随传输至RDAC锁存器中的数字码呈线性变化。该器件采用2.7 V至5.5 V电源供电，功耗小于5 µA，适合电池供电的便携式应用。二、特征端到端电阻：5kΩ、10kΩ、50kΩ、100kΩ紧凑型SOT-23-8（2.9毫米×3毫米）封装SPI兼容接口开机预设为中等规模单电源：2.7 V至5.5 V低温系数：45 ppm/°C低功耗，IDD=8μA宽工作温度：-40°C至+125°C三、应用新设计中的机械电位计更换压力、温度、位置、化学和光学传感器的传感器调节射频放大器偏置增益控制和偏移调整
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2026/2/5 11:53:09
布局对所有开关稳压器都很重要，但对于高开关频率的稳压器尤为重要。为了实现高效率、良好的调节性能、良好的稳定性和低噪声，需要精心设计的 PCB 布局。设计 PCB 时请遵循以下准则：输入旁路电容将输入旁路电容 CIN 尽可能靠近 PVIN1 引脚、PVIN2 引脚和 PVINSYS 引脚将每个引脚单独布线至该电容的焊盘，以最小化功率输入之间的噪声耦合，而不是在器件处将三个引脚连接在一起可在 PVINSYS 引脚上使用单独的电容以获得最佳噪声性能高电流路径使高电流路径尽可能短。这些路径包括：CIN1、L1、L2、D1、D2、COUT1、COUT2 和 PGND 之间的连接它们与 ADP5071 的连接接地处理在电路板顶层将 AGND 和 PGND 分开。这种分离可避免 AGND 被开关噪声污染不要将 PGND 连接到顶层布局上的 EPAD通过过孔将 AGND 和 PGND 都连接到电路板地平面理想情况下，将 PGND 连接到电路板上输入和输出电容之间的某一点将其 EPAD 通过过孔单独连接到该接地层，并尽可能靠近 CVREF 和 CVREG 电容之间的位置连接 AGND其他关键准则使高电流走线尽可能短而宽，以最小化寄生电感（会导致尖峰和电磁干扰 EMI）避免在任何连接到 SW1 和 SW2 引脚的节点附近或电感 L1 和 L2 附近布置高阻抗走线，以防止辐射开关噪声注入将反馈电阻尽可能靠近 FB1 和 FB2 引脚放置，以防止高频开关噪声注入将上部反馈电阻 RFT1 和 RFT2 的顶端，或从 COUT1 和 COUT2 顶端到它们的走线尽可能靠近布置，以实现最佳输出电压检测将补偿元件尽可能靠近 COMP1 和 COMP2 放置。不要与反馈电阻共享到过孔地平面的过孔，以避免将高频噪声耦合到敏感的 COMP1 和 COMP2 引脚将 CVREF 和 CVREG 电容尽可能靠近 V...
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2026/2/5 11:41:53
ADP5071是一款双通道高性能DC-DC稳压器，可产生独立调节的正供电轨和负供电轨。2.85 V至15 V的输入电压范围支持各种应用。两个稳压器中的集成主开关可产生高达+39 V的可调正输出电压，以及低至输入电压以下−39 V的负输出电压。那么，它都具备哪些特征呢？• 宽输入电源电压范围：2.85 V至15 V• 产生调节良好的独立电阻可编程VPOS和VNEG输出• 升压调节器产生VPOS输出• 可调正输出至39 V• 集成2.0 A主开关• 可选单端初级电感转换器(SEPIC)配置用于自动升压/降压• 反相稳压器产生VNEG输出• 可调负输出至VIN − 39 V• 集成1.2 A主开关• 正输出和负输出均能真正关断• 1.2 MHz/2.4 MHz开关频率，可选外部频率同步范围为1.0 MHz至2.6 MHz• 电阻可编程软启动定时器• 压摆率控制，降低系统噪声• 各自独立的精确使能和灵活的启动序列控制支持对称启动、VPOS优先或VNEG优先• 错相工作• UVLO、OCP、OVP和TSD保护• 4 mm × 4 mm、20引脚LFCSP和20引脚TSSOP• 结温范围：-40°C至+125°C• ADIsimPower工具集支持因此常常被应用于保护功能双极放大器、ADC、DAC和多路复用器、电荷耦合器件（CCD）偏压电源、光学模块供应以及射频功率放大器（PA）偏置中。
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2026/2/5 11:36:52
LT3092 集成了多项保护功能，非常适合电池供电电路及其他应用。除正常的电路保护功能（如限流和热限流）外，LT3092 还能保护自身免受：反向输入电压反向输出电压反向 OUT 至 SET 引脚电压限流保护和热过载保护可防止 IC 在输出电流过载条件下受损。正常工作时，结温不要超过 125°C。热关断电路的典型温度阈值为 165°C，具有约 5°C 的迟滞。LT3092 的 IN 引脚可承受相对于 SET 和 OUT 引脚 ±40V 的电压。如果 OUT 大于 IN，反向电流流动小于 1 mA（通常低于 100 µA），保护 LT3092 和敏感负载。箝位二极管和 1 kΩ 限流电阻保护 LT3092 的 SET 引脚相对于 OUT 引脚电压。这些保护组件通常仅在瞬态过载条件下承载电流。这些器件的尺寸设计可处理 ±10V 差分电压和 ±15 mA 跨引脚电流，无需担心。
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2026/2/5 11:32:12
选择 RSET 和 ROUT在上图中，两个电阻 RSET 和 ROUT 共同决定输出电流的值。现在问题来了：虽然知道这两个电阻的比值，但每个电阻应该取什么值呢？首先选择 RSET。所选值应产生足够的电压，以最小化 SET 和 OUT 引脚之间失调引起的误差。一个合理的起始电平是 RSET 两端 200 mV 的电压（RSET 等于 20 kΩ）。由此产生的失调电压误差为百分之几。RSET 两端的电压越低，由失调引起的误差项就越大。从这一点出发，选择 ROUT 很容易，因为它是从 RSET 进行的直接计算。然而，需要注意的是，电阻误差也必须考虑在内。虽然 RSET 两端较大的电压降可以最小化失调引起的误差，但它们也会增加所需的工作裕量（headroom）。获得最佳温度系数并不需要使用昂贵的低 ppm 温度系数电阻。相反，由于 LT3092 的输出电流由 RSET 与 ROUT 的比值决定，这些电阻应具有匹配的温度特性。由相同材料制成的较便宜的电阻将提供匹配的温度系数。
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2026/2/5 11:28:46
将 LT3092 设置为两端电流源是一件简单的事情。来自 SET 引脚的 10 µA 参考电流与一个电阻配合使用，产生一个小电压，通常在 100 mV 至 1 V 范围内（200 mV 是一个有助于抑制失调电压、线性调整率和其他误差的电平，而不会过大）。然后将该电压施加到第二个电阻上，该电阻连接从 OUT 到第一个电阻。下图显示了连接方式和计算基本电流源配置的公式。使用 10 µA 电流源产生参考电压来设置输出电流时，进出 SET 引脚的泄漏路径可能会在参考电流和输出电流中产生误差。应使用高质量绝缘材料（例如 Teflon、Kel-F）。可能需要清洁所有绝缘表面以去除助焊剂和其他残留物。在高湿度环境中，可能需要表面涂层来提供防潮屏障。通过用保护环包围 SET 引脚和相关电路来最小化电路板泄漏，保护环的工作电位应接近其自身电位；将保护环连接到 OUT 引脚。需要保护电路板的两侧。体泄漏减少取决于保护环宽度。进出 SET 引脚及其相关电路的 10 nA 泄漏会产生 0.1% 的参考电流误差。这种幅度的泄漏，加上其他泄漏源，可能导致显著的失调电压和参考电流漂移，尤其是在可能的工作温度范围内。
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2026/2/5 11:26:03
PWM 功率级布局指南PWM 功率级由一对 MOSFET 组成，形成开关模式输出，将电流从 PVIN 通过 LC 滤波器切换至负载。PVIN 引脚上的纹波电压是由 PWM 侧 MOSFET 开关的不连续电流引起的。这种快速开关会导致 PVIN 输入端形成电压纹波，必须使用旁路电容进行滤波。在尽可能靠近 PVIN 引脚的位置放置一个 10 µF 电容，将 PVIN 连接到 PGNDS。由于 10 µF 电容有时体积较大且具有较高的 ESR 和 ESL，通常还会并联使用一个 100 nF 去耦电容，放置在 PVIN 和 PGNDS 之间。由于去耦是脉动电流环路的一部分，该环路承载高 di/dt 信号，走线必须短而宽，以最小化寄生电感。因此，该电容通常放置在电路板与 ADN8834同一侧，以确保连接短捷。如果布局要求 10 µF 电容必须放在 PCB 的另一侧，应使用多个过孔来降低过孔阻抗。SW 节点周围的布局也至关重要，因为它在 PVIN 和地之间快速切换，使该节点成为强 EMI 源。保持连接 SW 节点到电感的铜皮面积尽可能小，以最小化 SW 节点与其他信号走线之间的寄生电容。这有助于减少 SW 节点因过量电荷注入而产生的噪声。然而，在大电流应用中，可以合理增加铜皮面积以提供散热并维持大电流。将 LC 滤波器中电容的接地端尽可能靠近 PGNDS 连接，以最小化返回路径中的 ESL。
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2026/2/5 11:15:55
信号流ADN8834 集成了两个自动归零放大器，分别定义为 Chopper 1 放大器和 Chopper 2 放大器。两个放大器都可以作为独立放大器使用，因此温度控制的实现方式可以有所不同。下图 展示了 ADN8834 的信号流，以及使用 Chopper 1 放大器和 Chopper 2 放大器实现温度控制环路的典型方案。在上图 中，Chopper 1 和 Chopper 2 放大器分别配置为：Chopper 1：热敏电阻输入放大器Chopper 2：PID 补偿放大器工作流程如下：步骤功能1热敏电阻输入放大器放大热敏电阻电压2输出至 PID 补偿放大器3PID 补偿放大器在频域上补偿环路响应补偿环路在 OUT2 的输出被馈送至线性 MOSFET 栅极驱动器。LDR 端的电压与 OUT2 一起被馈送至 PWM MOSFET 栅极驱动器。包括内部晶体管在内，差分输出部分的增益固定为 5。
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2026/2/5 11:07:00
上电软启动ADN8834 内置软启动电路，在上电期间产生一个典型 150 ms 的斜坡波形，以最小化浪涌电流。建立时间和 TEC 两端的最终电压取决于控制电压环路所需的 TEC 电压。TEC 电压越高，建立所需的时间越长。上电启动过程当 ADN8834 首次上电时，线性侧首先释放任何预偏置电压的输出。一旦预偏置消除，软启动周期开始。在软启动周期内，PWM 和线性输出都跟踪内部软启动斜坡，直到达到中点电平（此时控制电压 V_C 等于偏置电压 V_B）。从中点电压开始，PWM 和线性输出由 V_C 控制，并彼此分离，直到：TEC 两端建立所需的差分电压，或差分电压达到电压限值TEC 两端产生的电压取决于该时刻控制电压所对应的 V_C 点。下图展示了制冷模式下软启动的示例。注意事项需要注意的是，随着 LDR 和 SFB 电压随软启动斜坡增加并接近 V_B，斜坡会减慢，以避免在 TEC 电压开始建立的时刻可能出现的电流过冲。
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2026/2/5 11:01:02
ADN8834 是一款单片 TEC 控制器，用于设定和稳定 TEC 的温度。施加到 ADN8834 输入端的电压对应于连接到 TEC 的目标物体的温度设定点。ADN8834 控制一个内部 FET H 桥，通过 TEC 的电流方向可以是：正向（制冷模式）：将热量从连接到 TEC 的物体泵出负向（加热模式）：将热量泵入连接到 TEC 的物体温度通过连接到目标物体的热敏传感器测量，感应温度（电压）被反馈回 ADN8834，以完成 TEC 的闭环热控制。为获得最佳的整体稳定性，应将热敏传感器靠近 TEC 安装。在大多数激光二极管模块中，TEC 和 NTC 热敏电阻已经安装在同一封装内，用于调节激光二极管温度。TEC 采用 H 桥配置差分驱动。ADN8834 驱动其内部 MOSFET 晶体管来提供 TEC 电流。为了提供良好的电源效率和零交叉质量，H 桥只有一侧使用 PWM 驱动器。只需一个电感和一个电容即可滤除开关频率。H 桥的另一侧使用线性输出，无需任何额外电路。这种专有配置使 ADN8834 的效率达到 90%。对于大多数应用，使用以下参数可在 TEC 上保持小于 1% 的最坏情况输出电压纹波：1 µH 电感10 µF 电容2 MHz 开关频率电压和电流限制TEC 两端的最大电压和流过 TEC 的电流通过 VLIM/SD 和 ILIM 引脚设置。可以独立设置最大制冷和加热电流，以允许不对称的加热和制冷限值。
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2026/2/5 10:56:16