Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或 TVS 元件。TPSMB 非对称 TVS 二极管系列为 SiC MOSFET 栅极驱动器提供卓越的保护，与传统硅基 MOSFET 或 IGBT 相比，SiC MOSFET 栅极驱动器的开关速度更快，因此容易发生过压故障。TPSMB 系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在使用 SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能，这些应用包括：车载充电器 (OBC)电动汽车牵引逆变器输入/输出接口Vcc 总线这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护(OVP)，以确保最佳性能、寿命和效率。Littelfuse 保护业务产品管理总监 Charlie Cai 在强调该产品为汽车工程师带来的价值时表示：“TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新解决方案，无需使用多种元件，简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键汽车电源系统免受过压故障的影响，为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。”TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极管具有以下主要特性和优点：单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护：取代多个齐纳或TVS二极管，简化设计并减少元件数量；非对称栅极驱动器电压保护：专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要...
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2025/1/8 16:20:36
TC4-1W+是Mini-Circuits的一款射频变压器，其工作频率最小3MHz，最大800MHz，1:2，符合ROHS标准。规格参数频率范围:3 MHz to 800 MHz初级线圈阻抗:50 Ohms次级线圈阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C长度:3.81 mm宽度:3.81 mm高度:4.06 mm最大直流电流:30 mA功率额定值:250 mW点击购买：TC4-1W+特性宽带，3-800MHz良好的退货损失带引线的塑料底座可水洗应用阻抗匹配推挽式放大器尺寸图
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2025/1/3 11:37:57
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或 TVS 元件。TPSMB 非对称 TVS 二极管系列为 SiC MOSFET 栅极驱动器提供卓越的保护，与传统硅基 MOSFET 或 IGBT 相比，SiC MOSFET 栅极驱动器的开关速度更快，因此容易发生过压故障。TPSMB 系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在使用 SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能，这些应用包括：车载充电器 (OBC)电动汽车牵引逆变器输入/输出接口Vcc 总线这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护(OVP)，以确保最佳性能、寿命和效率。Littelfuse 保护业务产品管理总监 Charlie Cai 在强调该产品为汽车工程师带来的价值时表示：“TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新解决方案，无需使用多种元件，简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键汽车电源系统免受过压故障的影响，为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。”TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极管具有以下主要特性和优点：单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护：取代多个齐纳或TVS二极管，简化设计并减少元件数量；非对称栅极驱动器电压保护：专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要...
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2025/1/3 11:21:35
MASW-007107是一款采用无铅2毫米8引脚PDFN封装的宽带GaAs pHEMT MMIC SPDT开关。典型的应用是WLAN IEEE 802.11a+b/g和MIMO。其他应用包括需要超快开关速度的测试设备。该SPDT开关专为低插入损耗而设计，可保持高达8.0 GHz的低损耗。MASW-007107是使用0.5微米栅极长度的GaAs pHEMT工艺制造的。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。规格参数开关配置:SPDT最小频率:0 Hz最大频率:8 GHz介入损耗:0.75 dB关闭隔离—典型值:20 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PDFN-8技术:GaAs空闲时间—最大值:35 ns运行时间—最大值:35 ns工作电源电流:1 uA电源电压-最大:8.5 V单位重量:47 mg特性802.11a+b/g和MIMO应用测试和测量以及高达8.0 GHz的低/中功率电信应用宽带性能：DC-8.0 GHz低插入损耗：2.0-6.0 GHz范围内为0.5 dB高隔离度：2.0-6.0 GHz范围内为30 dB快速沉降以满足低闸门滞后要求无铅2毫米8导联PDFN封装铜上100%亚光镀锡无卤素“绿色”模塑料符合RoHS标准*和260°C回流兼容功能图
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2025/1/2 15:05:38
MACOM的ETC4-1-2是一款1:4射频通量耦合升压变压器，该电子元器件采用低成本表面贴装封装。非常适合大容量蜂窝和无线应用。典型应用包括单模式到平衡模式转换和阻抗匹配。零件用胶带和卷轴包装。规格参数端接类型:SMD/SMT频率范围:2 MHz to 800 MHz初级线圈阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 85 C长度:3.81 mm宽度:2.79 mm高度:2.79 mm封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:MACOM最大直流电流:30 mA功率额定值:250 mW (1/4 W)单位重量:230 mg特性·1:4阻抗比·提供磁带和卷轴包装·二级CT·表面安装应用·ISM功能图
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2025/1/2 14:44:03
MADL-011021是一种无铅1.5 x 1.2 mm TDFN表面贴装塑料封装，该电子元器件可提供10 MHz至6 GHz的低信号频率和高信号频率操作。PIN限制器和肖特基二极管的反并联布置提供了宽带性能，消除了对分流线圈作为直流回路的需求。该器件非常适合用于需要更高性能表面安装二极管组件的高频和低平面泄漏限制器微波电路应用。规格参数Vr - 反向电压 :30 V最大二极管电容:100 pF最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 125 C最小工作频率:10 MHz最大工作频率:6 GHz配置:Anti-Parallel产品类型:PIN Diodes单位重量:657.857 mg特性·3端LPF宽带分流结构·符合RoHS标准·260°C回流兼容·无铅1.5 x 1.2毫米6导联TDFN封装·2.5 W峰值和CW功率处理·10 MHz至6 GHz宽带频率应用·ISM功能图
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2025/1/2 14:39:20
MACOM的MAAVSS0006是一款采用无铅SOT-25表面贴装塑料封装的GaAs MMIC电压可变吸收衰减器电子元器件。MAAVSS0006非常适合在需要可变衰减、微调和极低功耗的情况下使用。典型应用包括无线电、蜂窝、GPS设备和自动增益/电平控制电路。MAAVSS0006采用成熟的1微米GaAs MESFET工艺制造。该工艺具有全芯片钝化功能，可提高性能和可靠性。规格参数封装 / 箱体:SOT-25-5衰减:25 dB最大频率:2.5 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel最大 VSWR:3商标:MACOM介入损耗:4.2 dB长度:2.9 mm最大工作温度:+ 85 C最小频率:DC最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:3 V功率额定值:21 dBm单位重量:488.500 mg特性·单电压控制：0至-3伏·符合RoHS标准的AT-255版本·260°C回流兼容·无卤素“绿色”模塑料·铜上镀100%哑光锡·无铅SOT-25封装·低直流功耗·0.9 GHz时的25 dB衰减范围应用·主义·无线网络和通信功能图
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2025/1/2 14:26:10
MABA-011082是一款1:1平衡-不平衡变压器电子元器件，采用低成本表面贴装封装。非常适合2G、3G、4G、LTE、WiFi、WiMax、宽带放大器、混频器和调制器。规格参数频率:5 MHz to 8 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:1.7 dB单位重量:715.250 mg特性·宽带·适用于所有电信频段·卓越的射频性能和温度稳定性·表面安装封装·提供磁带和卷轴·符合RoHS标准且无铅·260°C回流兼容应用·4G蜂窝基础设施和Wi-Fi应用·TD-LTE基站·UMTS、3G、WLAN、WiMAX·无线基础设施·无线网络和通信功能图
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2025/1/2 14:22:19
MACOM的MACP-010250-C808A0是一款8dB宽带耦合器电子元器件，采用低成本表面贴装封装。它具有低损耗、良好的隔离、良好的输入/输出匹配和出色的耦合可重复性。非常适合大容量有线电视/宽带应用。规格参数率:5 MHz to 1.218 GHz阻抗:75 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:MACOM特性·表面安装·在大温度范围内稳定·提供磁带和卷轴·符合RoHS标准·260°C回流兼容·典型耦合8dB·无铅应用·有线宽带功能图
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2025/1/2 14:15:46
MACOM的MABAES0060是一款符合RoHS标准的设备，相当于ETC1-1T变压器电子元器件。该设备是一个低成本、表面贴装封装的1:1射频通量耦合变压器。非常适合大容量蜂窝和无线应用。典型应用包括单模式到平衡模式转换和阻抗匹配。MABAES0060变压器采用SM-22表面贴装封装，设计用于标准回流焊和高温焊接。规格参数频率范围:300 kHz to 200 MHz初级线圈阻抗:75 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C长度:3.81 mm宽度:3.81 mm高度:2.67 mm最大直流电流:500 mA功率额定值:500 mW (1/2 W)单位重量:505.850 mg特性·表面安装·提供磁带和卷轴包装·符合RoHS标准的ETC1-1T版本·二级CT·1:1阻抗比应用·无线网络和通信功能示意图
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2025/1/2 14:09:29
MACOM的MABA-009180-500MHZ是一款符合RoHS标准的1:1射频磁通耦合变压器电子元器件，采用低成本表面贴装封装。非常适合大容量蜂窝和无线应用。典型应用包括单模式到平衡模式转换和阻抗匹配。MABA-009180-500MHZ变压器采用SM-22表面贴装封装，设计用于标准回流焊和高温回流焊。特性·表面安装·提供磁带和卷轴包装·二级CT·1:1阻抗比·符合RoHS标准的1:1变压器应用·无线网络和通信尺寸图
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2025/1/2 14:03:29
MACOM的MABA-007159-000000是一款符合RoHS标准的1:1射频传输线变压器电子元器件，采用低成本表面贴装封装。MABA-007159-000000的绕组焊接到封装基板上，以提高可靠性并消除铅含量。非常适合大容量蜂窝和无线应用。零件用胶带和卷轴包装。规格参数频率范围:4.5 MHz to 3 GHz初级线圈阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C长度:3.81 mm宽度:3.81 mm高度:2.67 mm最大直流电流:30 mA功率额定值:250 mW (1/4 W)单位重量:1 g特性·表面贴装·符合RoHS标准·260°C回流兼容·1:1阻抗·频率范围广·无铅·提供磁带和卷轴应用·无线网络和通信尺寸图
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2025/1/2 13:57:31
圣邦微电子推出 SGM8431-1Q，一款高输出电流、轨至轨输入/输出、单 CMOS 车规级运算放大器。该器件可广泛应用于汽车应用中的多种场景，包括但不限于振荡器激励驱动器、电机驱动器、扬声器驱动器，以及 4mA 至 20mA 传输器。SGM8431-1Q 是一款专为汽车领域设计的单通道、轨至轨输入/输出、高电压和高输出驱动能力的 CMOS 运算放大器。这款器件针对 4.5V 至 36V 的单电源高压工作环境进行了特别优化，能够提供至少 400mA 的峰峰输出电流。针对混合动力汽车和电动汽车中电机驱动器的旋转变压器励磁需求，SGM8431-1Q 以其高电压和高输出电流的特性，特别适合于这些应用。在这些应用中，SGM8431-1Q 能够有效替代传统的由运算放大器和功率晶体管组成的复杂旋转变压器励磁驱动器，简化系统设计。经过 AEC-Q100 认证的 SGM8431-1Q，确保了其在汽车应用中的可靠性和耐用性。该器件采用符合环保理念的 TO-252-5 封装，并且能够在 -40℃ 至 +125℃ 的宽温度范围内稳定工作，满足汽车行业对高性能运算放大器的严苛要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/2 13:41:20
据SemiAnalysis报道，英伟达已经完成升级版Blackwell GPU，即B300芯片的流片，并透露了改进版的Grace-Blackwell组件，即GB300。报告指出，B300设计目标与B100和B200使用的相同，即台积电的4NP 4nm标称制造工艺。然而，对设计的调整使得其FLOPS性能比B200高出多达50%。B300 GPU还使用12层HBM3E DRAM，使得每块GPU的内存容量增加到288GB，尽管内存带宽仍保持在每块GPU 8TB/s。英伟达于2024年3月推出B100、B200 Blackwell GPUs和GB200组件，后者配备一个基于ARM的CPU加上两个GPU。原始Blackwell部件的推出因服务器机架中GPU过热而蒙上阴影。然而，机架的设置、液冷的使用，内部热监控以及性能管理技术都很复杂，需要超大规模客户和机架供应商进行大量配置和迭代的工作。运行温度更高SemiAnalysis表示，B300系列Blackwell部件的热设计预算增加到每CPU 1.2kW——相比之下B200 为1kW，并且具有更大的内存容量，非常适合推理应用。制造芯片的前沿晶圆通常在生产线上花费约三个月的时间，加上晶圆级测试、封装和组件测试的时间，通常决定了从流片到芯片发货的最低周期为六个月。据SemiAnalysis称，B300在封装上与B200/GB200有一些不同。据报道，英伟达将仅提高“SXM Puck”模块上的B300和BGA封装中的Grace CPU，让客户在计算板上采购更多组件。推荐的主机管理控制器 (HMC) 来自初创公司 Axiado，第二层内存是LPCAMM模块，可能来自美光。英伟达CEO黄仁勋将于2025年1月7日在拉斯维加斯举行的消费电子展上发表主题演讲，届时他可能会借此机会确认B300。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版...
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2025/1/2 13:36:36
看来英特尔准备在新一代产品中进一步提升VRAM容量，有消息称英特尔计划明年推出一款24GB Battlemage GPU。泄露的清单表明BMG-G21芯片上采用翻盖设计，理论上可容纳12个16Gb GDDR6模块。由于该报告声称这款GPU面向专业人士，因此它很可能是英特尔的Pro系列或Flex系列的指定产品。英特尔12月正式向主流市场推出Battlemage系列，包括Arc B580和即将发布的Arc B570。在这些GPU中，B580受到热烈欢迎；需求持续超过供应，以至于英特尔现在承诺每周补货以保持库存。传闻称英特尔至少准备了三种Battlemage芯片：BMG-G31、BMG-G21和BMG-G10。BMG-G21为Arc B580提供支持，包括192位接口和20个Xe2核心。业内人士称，英特尔计划在2025年推出一款配备24GB VRAM的专业GPU。所谓“专业”表明这款GPU并非针对主流市场；很可能是基于Alchemist的Flex系列或Pro系列的继任者。该GPU的目标用户群体包括数据中心、边缘计算、科学研究和个人开发。发货记录显示，英特尔一直在运送一款基于BMG-G21的GPU，采用翻盖配置的内存进行测试。作为参考，英特尔目前在Arc Pro系列中的旗舰产品Arc Pro A60拥有12GB VRAM。显存容量在训练AI模型和LLM（大语言模型）推理中起着巨大作用。当前竞争对手的容量高达48GB，比如AMD的Radeon W7000 GPU和英伟达的Ada Lovelace工作站卡。值得注意的是，英特尔BMG-G21是与英伟达RTX 4060竞争，而不是RTX 4090或RTX 6000 Ada。而且更现实的竞争对手可能是配备16GB的英伟达RTX 2000 Ada或配备8GB内存的AMD Radeon Pro W7600。3免责声明：本文为转载文章，转载此文目...
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2025/1/2 13:34:47
QPA3358是一款混合封装的GaAs pHEMT/MESFET 75欧姆推挽式射频放大器，具有34 dB的平坦增益和低噪声。该IC设计用于使用单个24V电源支持高达1218MHz的DOCSIS 3.1应用。QPA3358以仅消耗6.8W的高效率提供低噪声和低失真。规格参数工作频率:47 MHz to 1.218 GHz工作电源电压:24 V工作电源电流:290 mA增益:34 dBNF—噪声系数:4 dB最小工作温度:- 30 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:20 dB通道数量:2 Channel点击购买：QPA3358特性•增益：1218 MHz时为34 dB•47-1218MHz带宽•47 dBmV/ch虚拟1.2 GHz•低噪音：4.0 dB噪音系数•出色的复合失真•pHEMT/MESFET技术•功耗：24 V，290 mA（6.8 W）应用•47–1218 MHz有线电视放大器系统•DOCSIS 3.1应用程序功能图
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2024/12/31 10:29:03
Qorvo的TQP3M9041是一款4x4 mm封装的高线性、超低噪声系数双器件放大器。在1.95 GHz的平衡配置下，LNA提供18.4 dB的增益、20 dBm的IIP3和0.80 dB的噪声系数。该部件不需要负电源即可工作，并且可以对漏极电流和电压进行偏置调节。该设备采用符合绿色/RoHS行业标准的QFN封装。TQP3M9041由单个单片GaAs E-pHEMT管芯组成，集成了偏置电路和关闭功能，使LNA可用于FDD和TDD应用。TQP3M9041针对2.4-6.0 GHz频段进行了优化，但也可以在频段外使用。Qorvo为0.7-1.0 GHz频段（TQP3M9039）和1.5-2.3 GHz（TQP3M3040）提供引脚兼容的双LNA。平衡放大器针对无线基础设施中的高性能接收器进行了优化，可用于基站收发器或塔式放大器。规格参数工作频率:2.3 GHz to 6 GHz工作电源电压:2 V to 5 V工作电源电流:57 mA增益:18.4 dBNF—噪声系数:0.8 dB安装风格:SMD/SMTP1dB - 压缩点:22.5 dBmOIP3 - 三阶截点:38.2 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C电源电压-最大:5 V电源电压-最小:2 V测试频率:2.6 GHz单位重量:57.100 mg点击购买：TQP3M9041特性•2.3-6.0 GHz工作带宽•超低噪声系数，0.33 dB NFmin（单通道）•高增益，在2.6 GHz时增益为18.4 dB•高线性度，+20 dBm输入IP3（平衡配置）•集成关闭偏置功能•只需要正向供应•偏差可调•引脚兼容0.5-1.5 GHz TQP3M9039和1.5-2.3 GHz TQP3M 9040•4x4mm 16针QFN封装应用•3G/4G无线基础设施•FDD/TDD•塔式放大器•WCDMA/L...
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2024/12/31 10:25:10
Qorvo的TGA2535-SM是一款X波段封装功率放大器。TGA2535-SM的工作频率为10至12 GHz，采用Qorvo的功率pHEMT生产工艺设计。TGA2535-SM通常在20 dBm Pout/Tone下提供43 dBm的TOI，在1dB增益压缩下提供33 dBm的输出功率，以及25 dB的小信号增益。TGA2535-SM采用低成本、表面安装的24引脚5 x 5 QFN封装，非常适合点对点无线电和x波段通信。该部件无铅，符合RoHS标准。评估板可应要求提供。规格参数工作频率:10 GHz to 12 GHz工作电源电压:6 V工作电源电流:1.3 A增益:24 dBNF—噪声系数:10 dBP1dB - 压缩点:33 dBmOIP3 - 三阶截点:43 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C产品类型:RF Amplifier单位重量:1 g点击购买：TGA2535-SM特性•频率范围：10至12 GHz•TOI:43 dBm•功率：34.5 dBm Psat，33 dBm P1dB•增益：25 dB•回波损耗：15dB•集成功率检测器•偏压：Vd=6 V，Id=1.3 A，Vg=-0.55 V（典型值）•包装尺寸：5.0 x 5.0 x 0.85毫米应用•点对点无线电•X波段通信功能图
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2024/12/31 10:21:17