全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布推出业界全新蓝牙芯片——DA14533。该芯片将射频收发器、Arm® M0+微控制器、存储器、外设和安全功能集成在一个紧凑的片上系统（SoC）设计中。作为瑞萨低功耗蓝牙®SoC产品家族中首款通过车规认证的器件，DA14533具备的电源管理功能，可简化系统集成并降低功耗。凭借经认证的蓝牙核心规范5.3软件栈和扩展温度支持，开发人员可以快速开展包括轮胎压力监测、无钥匙门禁，无线传感器和电池管理系统在内的多样化应用开发项目。优化的设计，实现能效基于瑞萨在低功耗蓝牙SoC（SmartBond Tiny产品家族）的前沿地位以及行业低功耗技术，全新DA14533融合业内电源管理功能：该产品内置集成式DC-DC降压转换器，可根据系统需求精确调节输出电压；工作状态下，其系统功耗较市场同类产品显著降低，传输时仅需3.1mA，接收时更降至2.5mA；在休眠模式下，电流更是极低至500nA。这些电源管理和节能特性有助于显著延长小型电池供电系统的使用寿命，并轻松满足轮胎压力监测系统任务配置中对功耗的严苛要求。通过AEC-Q100车规级认证，配备最新安全功能DA14533作为符合AEC-Q100 2级标准的产品，意味着其已通过严格测试，确保在极端车载环境中保持卓越品质及可靠性。此外，该产品的扩展温度范围（-40至+105°C）可进一步保证在严苛条件下的可靠性能，使之成为汽车、工业等领域对稳定性、耐用性有着极高要求系统的理想之选。该产品符合蓝牙核心规范5.3，包含最新的安全功能，可保护连接设备免受各种威胁。Chandana Pairla, VP of Connectivity Solutions Division at Renesas表示：“我们的SmartBond Tiny SoC产品家族在工业市场上取得了显著成功，迄今出货量已突破1...
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2025/3/28 11:49:09
Mini-Circuits的KFR-KM50+是一款直角2.92 mm-F至2.92 mm-M适配器，支持从直流到40 GHz的广泛应用。该模型提供了出色的VSWR、低插入损耗和平坦的频率响应。KFR-KM50+采用钝化不锈钢结构和镀金铍铜结构中心触点。规格参数射频系列:2.92 mm侧1性别:Female侧1极性:Normal侧2性别:Male侧2极性:Normal阻抗:50 Ohms最大频率:40 GHz主体类型:Right Angle触点电镀:Gold封装:Bulk商标:Mini-Circuits触点材料:Beryllium Copper最小频率:DC安装风格:Bulkhead方向:Right Angle产品类型:RF Adapters - In Series系列:KFR侧1射频系列:2.92 mm侧2射频系列:2.92 mm特性超宽带，直流至40 GHz扁平响应低插入损耗，典型值0.12 dB出色的驻波比，典型值为1.07:1应用射频电缆和设备的互连尺寸图
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2025/3/27 14:09:59
Mini-Circuits的TTRM-50+是一种宽带50Ω终端，能够吸收从直流到6000 MHz的高达2W的信号。该模型在其整个工作频率范围内提供了出色的回波损耗，有效地以最小的信号反射耗散功率。该装置具有TNC公接头，结构坚固，使用寿命长，采用CuSn-Zn镀黄铜外壳，直径仅为1.10（l）x 0.48英寸。规格参数产品:Connectors射频系列:TNC型式:Pin (Male)阻抗:50 Ohms最大频率:6 GHz端接类型:Crimp方向:Straight极性:Standard安装风格:Cable Mount / Free Hanging封装:Bulk主体类型:Straight商标:Mini-Circuits频率:0 Hz to 6 GHz最大工作温度:+ 100 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 55 C特性TNC公连接器y出色的回波损耗，26dBy输入功率处理高达2W应用蜂窝通信卫星通信测试设置尺寸图
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2025/3/27 14:01:56
HFCN-650+是Mini-Circuits的一款陶瓷滤波器电子元件芯片，最小7节，最大7节，其中心或截止频率（fo/fc）为650MHz，并且符合ROHS标准，可放心进行使用，HFCN-650+菜用了HERMETIC密封，陶瓷，外壳FV1206，4针。规格参数频率:1.6 GHz带宽:1780 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206 (3216 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:HFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.89 dB安装:Board Mount单位重量:369.800 mg特性成本低尺寸小7节温度稳定LTCC结构出色的功率处理能力，7W密封应用次谐波抑制发射器/接收器实验室使用尺寸图
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2025/3/27 13:49:50
PMA3-83LNW+是一款基于PHEMT的宽带低噪声MMIC放大器，具有低噪声、高IP3和宽带平坦增益的独特组合，使其成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。该设计在单个5V或6V电源上运行，与50Ω非常匹配，采用小巧、低剖面的封装（3 x 3 x 0.89mm），可适应密集的电路板布局。规格参数工作频率:400 MHz to 8 GHz工作电源电压:6 V工作电源电流:75 mA增益:19 dBNF—噪声系数:2.2 dB类型:Low Noise Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-12技术:SiP1dB - 压缩点:18.1 dBmOIP3 - 三阶截点:29 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C系列:PMA3封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:7 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:950 mW特性宽带平坦增益，0.4至8 GHz低噪声系数，2 GHz时为1.2 dB高IP3，在2 GHz时高达+37 dBm高磅，P1dB，典型值21.7 dBm。2 GHz和6V优异的增益平坦度，在0.4至7 GHz和6V范围内为±0.6 dB应用无线网络无线局域网UMTSLTEWiMAXS波段雷达C波段卫星通信尺寸图
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2025/3/27 13:42:03
PMA3-83MP+是一款基于GaAs PHEMT的宽带低噪声MMIC放大器，在宽带上具有低噪声、高IP3和高输出功率的独特组合，使其成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。该设计在+8V的单电源上运行，与50Ω匹配良好，采用小巧、低剖面的封装（3 x 3 mm-12引线），可适应密集的电路板布局。规格参数工作频率:400 MHz to 8 GHz工作电源电压:7.6 V to 8.4 V增益:20.5 dBNF—噪声系数:3.3 dB类型:Power Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DQ1225-12技术:SiP1dB - 压缩点:25.3 dBmOIP3 - 三阶截点:38.6 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:PMA3封装:Reel封装:Cut Tape特性高功率输出，0.5 W至2 GHz高IP3，典型值+37.9 dBm。低噪声系数，3.1 dB典型值。小型3x3 mm包装应用无线网络无线局域网LTE/WCDMA/EDGEL、S和C波段雷达C波段卫星通信尺寸图
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2025/3/27 13:37:13
PHA-13HLN+（符合RoHS标准）是一款采用E-PHEMT*技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，PHA-13HLN+在宽频范围具有良好的输入和输出回波损耗。PHA-13HLN+封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:1 MHz to 1 GHz工作电源电压:8 V工作电源电流:234.1 mA增益:20.4 dBNF—噪声系数:1.4 dB类型:CATV Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-4技术:SiP1dB - 压缩点:27.4 dBmOIP3 - 三阶截点:42.2 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 95 C系列:PHA封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:10.5 dB隔离分贝:26.3 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:3.3 W特性超高IP3，典型值+43dBm中等功率，+28.7dBm典型值出色的噪声系数，典型值为1.1 dB应用基站基础设施有线电视蜂窝尺寸图
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2025/3/27 13:31:11
Mini-Circuits PHA-11+是一款采用E-PHEMT*技术制造的双匹配宽带放大器，提供高动态范围（高IP3和低NF），适用于50和75欧姆的应用。在宽带50和75欧姆放大器评估板上已经证明了极高的IP2。将其与低噪声系数相结合，使其适用于超高动态范围放大器。规格参数工作频率:50 MHz to 3 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:146 mA增益:12 dBNF—噪声系数:2.7 dB类型:CATV Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-8技术:SiP1dB - 压缩点:20.4 dBmOIP3 - 三阶截点:41.8 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:PHA封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:4.5 dB通道数量:2 ChannelPd-功率耗散:1 W特性一个封装中有两个匹配的放大器高IP3，推挽配置下0.8 GHz时为+44 dBm电源电压低，+3至+5V噪声系数，0.8 GHz时为1.8增益，典型值16dB。0.8 GHzP1dB，典型值+22 dBm。0.8 GHz可用作WJ AH11a、b的替代品高IP2，推挽配置下0.8时为+78 dBm应用有线电视FTTH光网络基站基础设施平衡放大器75欧姆推挽式平衡放大器尺寸图
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2025/3/27 13:21:33
意法半导体的 VIPerGaN65D 反激式转换器采用SOIC16封装，可以用于设计体积较小的高性价比电源、适配器和 USB-PD (电力输送) 快速充电器，最大输出功率可达65W，输入电压为通用电网电压。这款准谐振离线变换器集成一个700V GaN (氮化镓) 晶体管和优化的栅极驱动器及典型的安全保护功能，降低了利用宽带隙技术提高功率密度和能效的技术门槛。GaN功率晶体管的最高开关频率为240kHz，开关损耗极小，可以搭配使用小体积的反激式变压器和无源元件，以及价格低廉的小电路板。VIPerGaN65D采用较传统的SO16n窄体封装，而VIPerGaN系列其他成员则采用5mm x 6mm DFN封装。该变换器采用零电压开关技术，可以调整谷底同步延迟，确保 GaN 晶体管导通时间始终是在漏极谐振谷底。该转换器还具有动态消隐时间功能，在输入电压上升时可保持能效，并自适应任何线路和负载条件，以最大限度地提高整体能效。此外，在输入电压范围内，前馈补偿可最大限度地减少输入峰值功率变化。VIPerGaN65D的极限电流为3.5A，当设计采用85V至265V的通用输入电压时，变换器最大输出功率可达65W，如果把输入电压提高到185V-265V，最大额定输出功率可达85W。待机功率不到30mW，符合最新国际能效标准的要求。VIPerGaN65D可用于设计小巧又便宜的快速充电器和适配器，并可用作洗衣机、洗碗机、咖啡机、电视机、机顶盒、数码相机、便携式音频播放器、无线剃须刀等设备的辅助电源。它还用于台式电脑和服务器、楼宇和家庭自动化设备、电表、家用和建筑照明以及空调的辅助电源。VIPerGaN65D集成了一个 SENSEFET晶体管 (电流检测功率 MOSFET) ，为优化能效和触发系统安全保护机制提供精确的电流检测功能，最大限度减少物料清单成本。内置安全功能包括过流保护、输出过压保护、输入...
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2025/3/27 13:15:17
Nexperia今日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。Nexperia此次发布的E-mode GaN FET新产品包括新型低压40 V双向器件(RDSon<12 mΩ)，以便支持过压保护(OVP)、负载切换和低压应用，如移动设备和笔记本电脑中的电池管理系统(BMS)。此外，此次发布还推出了100 V和150 V器件(RDSon<7mΩ)，这些器件适用于消费电子设备的同步整流(SR)电源、数据通信和电信设备中的DC-DC转换器、光伏微型逆变器、D类音频放大器，以及电动自行车、叉车和轻型电动车(LEV)中的电机控制系统。而在高压领域，新产品包括700 V器件(RDSon>140 mΩ)（用于支持LED驱动器和功率因素校正(PFC)应用），以及650 V器件(RDSon>350 mΩ)（适用于AC/DC转换器）。Nexperia E-mode GaN FET技术凭借其超低的QG和QOSS值，提供了出色的开关性能。这些新器件提供了业界领先的品质因数(FOM)，因此非常适合用于高效电源解决方案。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/27 13:08:13
全球半导体制造龙头台积电今日确认，将于4月1日正式开放2nm制程晶圆订单预订，标志着半导体工艺正式迈入2纳米时代。据供应链消息，2nm制程的市场需求远超预期，多家国际科技巨头已提前排队锁定产能，竞争态势激烈。台积电披露，为应对2nm制程的强劲需求，公司同步在高雄和宝山两大工厂加速产能部署。其中，高雄工厂将于3月31日举办扩产启动仪式，首批2nm晶圆将于4月底前运抵位于新竹的宝山超级晶圆厂进行后续加工。业内人士分析，这种"双厂联动"模式将显著提升2nm制程的量产效率。首批获得2nm产能配额的客户名单备受关注。苹果公司不出意外地占据首位，其订制的A20仿生芯片将采用该制程技术，预计搭载于2026年下半年发布的iPhone 18系列。该芯片在能效比和晶体管密度上较3nm工艺将有显著提升，为新一代iOS设备带来更强的运算性能和更持久的续航能力。除苹果外，AMD、英特尔、博通及亚马逊AWS等科技巨头也在积极争取2nm产能。台积电表示，已规划到2025年底实现每月5万片2nm晶圆的产能目标，届时高雄和宝山工厂将全面释放产能。不过，2nm制程的高昂成本同样引人注目——每片晶圆报价预计突破3万美元大关，较3nm工艺上涨约30%。为帮助客户分摊研发成本，台积电将于4月前推出创新的"CyberShuttle"服务。该技术允许客户在单一测试晶圆上完成多组芯片设计验证，通过共享测试资源有效减少流片次数，从而降低整体研发支出。分析师指出，这项服务对于中小IC设计企业而言具有特别价值，有望降低制程的准入门槛。随着2nm制程的量产推进，台积电在半导体制程领域的领先地位进一步巩固。该制程技术采用GAAFET（环绕栅极晶体管）架构，相比FinFET在功耗控制、性能提升及面积优化上均有重大突破，将成为未来高性能计算、AI加速及5G通信等领域的关键基础设施。免责声明：本文...
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2025/3/27 11:58:47
PHA-23HLN+（符合RoHS标准）是一种采用E-PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，PHA-23HLN+在宽频范围具有良好的输入和输出回波损耗。PHA-23HLN+封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:30 MHz to 2 GHz工作电源电压:8 V工作电源电流:235 mA增益:19.5 dBNF—噪声系数:1.9 dB类型:CATV Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-4技术:SiP1dB - 压缩点:27.8 dBmOIP3 - 三阶截点:42.5 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 95 C系列:PHA封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:9.5 dB隔离分贝:27.5 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:3.3 W产品类型:RF Amplifier特性超高IP3，典型值+44.4 dBm。中等功率，典型值+28.4 dBm。出色的噪声系数，典型值为1.4 dB。高功率，1 GHz时P1dB+28.4 dBm应用基站基础设施有线电视蜂窝尺寸图
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2025/3/26 13:37:02
Mini-Circuits PHA-22H+是一款采用E-PHEMT*技术制造的双匹配宽带放大器，提供高动态范围（高IP3和低NF），适用于50和75欧姆的应用。在宽带50和75欧姆放大器评估板上已经证明了极高的IP2。将其与低噪声系数相结合，使其适用于超高动态范围放大器。规格参数技术:Si系列:PHA封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits产品类型:RF Amplifier特性用于推挽和平衡放大器的双匹配放大器高IP2和IP3结温低增益，典型值16dB。0.8 GHzP1dB，典型值+22 dBm。0.8 GHz低噪声系数，典型值2.0 dB。0.8 GHz应用有线电视FTTH光网络基站基础设施平衡放大器75欧姆推挽式平衡放大器尺寸图
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2025/3/26 13:32:49
Mini-Circuits PHA-22+是一款采用E-PHEMT*技术制造的双匹配宽带放大器，提供高动态范围（高IP3和低NF），适用于50和75欧姆的应用。在宽带50和75欧姆放大器评估板上已经证明了极高的IP2。将其与低噪声系数相结合，使其适用于超高动态范围放大器。规格参数工作频率:50 MHz to 1.5 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:146 mA增益:15.4 dBNF—噪声系数:2 dB类型:CATV Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-8技术:SiP1dB - 压缩点:22.5 dBmOIP3 - 三阶截点:42.9 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:PHA封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:11.7 dB通道数量:2 ChannelPd-功率耗散:1 W产品类型:RF Amplifier特性用于推挽和平衡放大器的双匹配放大器高IP2和IP3增益，典型值16dB。0.8 GHzP1dB，典型值+22 dBm。0.8 GHz低噪声系数，典型值为1.8 dB。0.8 GHz一个封装中有两个匹配的放大器可用作WJ AH22a、b的替代品应用有线电视FTTH光网络基站基础设施平衡放大器75欧姆推挽式平衡放大器尺寸图
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2025/3/26 13:28:49
PHA-23LN+（符合RoHS标准）是一种采用E-PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频率范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，PHA-23LN+在宽频范围内具有良好的输入和输出回波损耗。PHA-23LN+封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:30 MHz to 2 GHz工作电源电压:3 V to 5 V工作电源电流:141.7 mA增益:18.9 dBNF—噪声系数:1.6 dB类型:CATV Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-4技术:SiP1dB - 压缩点:23.3 dBmOIP3 - 三阶截点:35.6 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C系列:PHA封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:8.9 dB隔离分贝:27.2 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:3.3 W产品类型:RF Amplifier特性超高IP3，典型值+37.4 dBm。1 GHz电源电压低，+3至+5V出色的噪声系数，典型值为1.2 dB。1 GHz增益，1 GHz时为21 dB应用基站基础设施有线电视蜂窝尺寸图
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2025/3/26 13:23:35
Mini-Circuits的LFCG-1000+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到1000 MHz，支持各种应用。该模型提供了0.8 dB的典型通带插入损耗，并由于组件之间相互作用最小的战略性布局而提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达5.5W的射频输入功率，并提供从-55°C到125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters频率:DC to 1000 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:0805 (2012 metric)最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:LFCG封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:0.8 dB安装:Board Mount特性•低损耗，典型值为0.8 dB•高抑制，典型值为45 dB•出色的功率处理能力，5.5W•尺寸极小的0805（2.0mm x 1.25mm）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•实验室使用尺寸图
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2025/3/26 13:17:01
ADE-30W+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器，其工作频率最小300MHz，最大4000MHz，最大9.8dB转换损耗，符合ROHS标准，外壳CD542，6针。规格参数射频:300 MHz to 4 GHz转换损失——最大:9.8 dBLO频率:300 MHz to 4 GHz中频:DC to 950 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:12 dBm封装:Reel封装:Cut Tape产品类型:RF Mixer特性•转换损耗低，典型值为6.8 dB。•出色的L-R隔离，典型值为35 dB。•低调的包装•可水洗应用•蜂窝•PCN•仪器仪表•ISM尺寸图
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2025/3/26 11:49:37
GALI-55+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。GALI-55+的设计坚固耐用，适用于ESD和电源开启瞬态。规格参数工作频率:0 Hz to 4 GHz工作电源电压:4.3 V工作电源电流:50 mA增益:15.7 dBNF—噪声系数:3.3 dB类型:Gain Block Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-4技术:InGaPP1dB - 压缩点:15 dBmOIP3 - 三阶截点:28.5 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 85 C系列:GALI封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:16.5 dB通道数量:1 Channel特性•InGaP HBT微波放大器•微型SOT-89封装•内部匹配50欧姆•频率范围，直流至4 GHz•输出功率，典型值15.0 dBm。•散热性能极佳，金属底部外露•低热阻，可靠性高•可水洗应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器尺寸图
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2025/3/26 11:29:24