PE42512是一款HaRP™技术增强型吸收SP12T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42512提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP12T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:2.4 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42512A-X特性•高隔离度：6 GHz时为39 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.3 dB•232 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：32引脚5×5mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/16 14:20:15
PE42424是一款HaRP™技术增强型反射式50ΩSPDT射频开关，专为高功率和高性能WLAN 802.11 a/b/g/n/ac/ax和Wi-Fi 6E应用而设计，如运营商和企业Wi-Fi产品以及支持高达8.5 GHz带宽的超宽带应用。该交换机具有出色的端口到端口隔离、快速切换速度和高功率处理能力，所有这些都在一个紧凑的1.5×1.5 mm封装中。PE42424还具有高线性度，在整个电源范围内保持不变。此外，该器件具有强大的ESD和温度性能，不需要隔直电容器或任何外部匹配组件。规格参数开关配置:SPDT最小频率:100 MHz最大频率:8.5 GHz介入损耗:1.08 dB关闭隔离—典型值:26 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42420F-Z特性•802.11 a/b/g/n/ac/ax、Wi-Fi 6E和超宽带•（UWB）支持•卓越的隔离•快速切换•高功率处理•在整个供电范围内具有高线性•兼容1.8V控制逻辑•105°C工作温度•高ESD耐受性•包装：6芯1.5×1.5毫米DFN引脚图
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2025/1/16 14:14:13
PE42420是一款HaRP™技术增强型吸收SPDT射频开关，专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。它非常适合传输路径切换、RF和IF信号路由、AGC环路和滤波器组切换应用。这种通用交换机由两个对称的射频端口组成，具有高达6 GHz的出色端口间隔离。集成CMOS解码器有助于实现双引脚低压CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:50 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买:PE42420F-Z特性•增强了HaRP™技术•高线性•高度隔离•支持+1.8V控制逻辑•+105°C工作温度•高ESD耐受性引脚图
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2025/1/16 14:06:55
PE42359 UltraCMOS®RF开关设计用于覆盖从10 MHz到3 GHz的广泛应用。这种反射开关将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，可以使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称3V电源电压，可以实现33.5 dBm的典型输入1 dB压缩点。PE42359还符合汽车应用的质量和性能标准，并获得了AEC-Q100 2级认证。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:1.1 dB关闭隔离—典型值:13 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42359SCAA-Z特性•AEC-Q100 2级认证•支持高达+105°C的工作温度•单引脚或互补CMOS逻辑控制输入•插入损耗低•1000 MHz时隔离度为30 dB•2kV HBM的高ESD耐受性•典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm•最低电源电压1.8V•包装：6导联SC‐70引脚图
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2025/1/16 13:59:35
PE43650是一款高线性、5位RF数字步进衰减器（DSA）。这种高度通用的DSA以0.5 dB的步长覆盖15.5 dB的衰减范围。PE43650 50ΩRF DSA提供多个CMOS控制接口。它在频率和温度上保持高衰减精度，并表现出非常低的插入损耗和低功耗。由于板载稳压器，性能不会随VDD而变化。此pSemi DSA采用4×4 mm 24引脚QFN封装。规格参数衰减:15.5 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:5 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB介入损耗:2.4 dB最大工作温度:+ 85 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:3.3 V, 5 V点击购买：PE43650A-Z特性•衰减：0.5 dB至15.5 dB•高线性度：典型+58 dBm IP3•出色的低频性能•编程模式：直接并行、锁存并行和串行•CMOS兼容•不需要隔直电容器•封装：24芯4×4×0.85毫米QFN应用•3G/4G无线基础设施▪ 射频/中频增益控制▪ 基站（BTS）和远程无线电头端（RRH）▪ 光学和射频中继器▪ 分布式天线系统（DAS）•陆地移动无线电系统•点对点通信系统引脚图
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2025/1/16 13:53:06
KAT-4+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达2W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。规格参数衰减:5 dB最大频率:43.5 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel衰减器步长:4 dB最大 VSWR:1.9商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C功率额定值:1.7 W单位重量:155.489 mg点击购买：KAT-4+产品特点•小包装，2x2 MCLP™•超宽带，DC-43.5 GHz•出色的驻波比，典型值为1.2:1。•高功率处理，1.7W典型应用•5G•测试和测量•雷达•沟通•防御尺寸图
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2025/1/16 13:44:58
LFCN-1325+是Mini-Circuits的一款低通陶瓷滤波器，最小5节，最大5节，中心或截止频率（fo/fc）为1560MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针。规格参数产品:Low Pass Filters频率:DC to 1325 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206 (3216 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C介入损耗:1.3 dB安装:Board Mount点击购买：LFCN-1325+特性出色的功率处理能力，9W尺寸小5个部分温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用尺寸图
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2025/1/16 13:41:21
2025 年 1 月 14 日，中国— 意法半导体STSPIN32系列集成化电机驱动器新增八款产品，满足电动工具、家用电器、工业自动化等应用的低成本、高性能要求。意法半导体STSPIN32电机驱动器集成STM32通用微控制器 (MCU) 和功能丰富的三相栅极驱动器，可简化电机控制系统设计，节省 PCB电路板面积，加快终端产品上市时间。新推出的八款 STSPIN32G0产品集成了45V、250V 和 600V额定电压 的栅极驱动器，适合从电池供电的无线家电和电动工具到工业自动化、机器人、暖通空调系统、有线家用电器的各种应用场景。新产品集成了基于 Arm® Cortex®-M0+ 内核的 STM32G031 微控制器，算力可以处理市场上热度很高的电机控制算法，包括六步控制和矢量控制 (FOC)。FOC可以是用一个、两个或三个电流检测电阻实现的有传感器或无传感器电机控制算法。为帮助开发者简化系统设计，新产品还集成了其他功能，包括 12 位 ADC模数转换器、内部参考电压、高级电机控制定时器，以及 I2C、USART、SPI等数字接口。多达 32 个通用 I/O引脚 (GPIO)、64KB 闪存和 8KB SRAM 让开发人员能够灵活地运行复杂的应用程序和创新的增值功能。四种低压新产品基于功能丰富的 45V 栅极驱动器，适用于锂电池或最高36V有线电源供电的家电和工具，例如，便携式电动工具及家用电器、无线吸尘器、机器人、风扇和电泵。四款低压产品为用户提供不同的模拟传感器输入、GPIO管脚和专用模拟参考电压引脚组合，全都具有 600mA 拉/吸电流驱动能力，集成 3.3V DC/DC 转换器和 12V 线性稳压器，能够为内部电路和外设供电，无需外接电源。四款高压产品为用户提供了 250V 或 600V 额定驱动电压和 200mA/350mA 或 1.0A/0.85...
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2025/1/16 13:28:56
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创新产品的终端设备将广泛应用于电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心及不间断电源（UPS）等多个领域。瑞萨开发的全新MOSFET晶圆制造工艺（REXFET-1）使新产品的导通电阻（MOSFET导通时漏极与源极之间的电阻）大幅降低30%；更低的导通电阻有助于显著降低客户系统设计中的功率损耗。REXFET-1工艺还使新型MOSFET的Qg特性（向栅极施加电压所需的电荷量）降低10%，Qgd（在“米勒平台”阶段需要注入栅极的电荷量）减少40%。除了优秀的电气特性外，瑞萨的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET还采用行业标准TOLL和TOLG封装，与其它制造商的器件引脚兼容，且封装尺寸比传统TO-263封装小50%。TOLL封装还具备wettable flanks，便于光学检测。Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示：“多年来，瑞萨在MOSFET领域积累了丰富的经验和技术优势，凭借我们强大的制造能力和多个高产能工厂的供货保障，瑞萨致力于为客户提供卓越的产品和服务。”成功产品组合瑞萨将全新MOSFET与其产品组合中的众多器件相结合，推出多种“成功产品组合”方案，包括48V电动平台和三合一电动汽车单元（逆变器、车载充电器、DC/DC转换器）等。这些方案基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经验证的系统架构并带来经优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵...
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2025/1/16 13:25:25
根据市调机构Counterpoint Research初步结果显示，全球智能手机市场在经历了连续两年的年度下滑后，于2024年重回增长轨道。2024年全球智能手机销量同比增长4%，结束了2023年智能手机销量为十年最低的状况。市场研究总监Tarun Pathak在评论市场动态时表示：“2024年是继艰难的2023年之后的一年复苏和正常化。市场从2023年第四季度开始显现复苏迹象，并已连续五个季度实现增长。几乎所有市场都实现了增长，其中以欧洲、中国和拉丁美洲为首。”2024年，三星凭借其S24系列和A系列产品线的强劲需求，市场份额继续领跑。作为首款定位为AI设备的手机，S24系列表现优于前代产品。苹果以18%的市场份额位居第二。苹果的iPhone 16系列反响不一，部分原因是发布时苹果智能功能的缺乏。然而，苹果在其非核心市场如拉丁美洲、非洲和亚太其他地区的增长依然强劲。小米在2024年五大品牌中增长最快，得益于其产品组合调整、高端市场推动和积极的扩张活动。OPPO排名第四，尽管同比有所下降，但年底势头更猛。vivo凭借在印度和中国的强劲表现，位列第五，并在年底成为中国市场排名第一的原始设备制造商（OEM）。前五名与2023年相同，但部分市场份额被华为、荣耀和摩托罗拉等快速增长的品牌所侵蚀，这三家是十大品牌中增长最快的OEM。Counterpoint预计，2025年智能手机收入增长将继续超过销量增长，收入将同比增长8%，而销量增长为4%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/16 13:18:16
PE42641是基于UltraCMOS®工艺技术开发的HaRP™增强型SP4T射频开关。该交换机包含四个相同的符合WEDGE/CDMA标准的TX路径，可用于各种GSM和WCDMA移动应用以及高达3000 MHz的其他无线应用。它也适用于蜂窝和非蜂窝移动应用的天线频带切换和可切换匹配网络。它将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，不需要隔直电容器。此符合RoHS标准的零件采用标准的3×3×0.75mm QFN封装。规格参数开关配置:SP4T最小频率:100 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:0.55 dB关闭隔离—典型值:27.5 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel特性•对称、高功率SP4T：所有端口均符合WEDGE/CDMA标准•插入损耗极低：1000 MHz时为0.45 dB，2000 MHz时为0.6 dB•HaRP™-增强技术，实现无与伦比的线性•极高隔离度：900 MHz时为35 dB，1900 MHz时为29 dB•极高的ESD耐受性•用于2针控制的集成解码器•4.5欧姆串联导通电阻低•不需要隔直电容器•封装：16引脚3×3×0.75mm QFN应用
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2025/1/15 14:29:23
PE42582是一款HaRP™技术增强型吸收SP8T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42582提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP8T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:2.442 g点击购买：PE42582A-X特性•高隔离度：6 GHz时为41 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•227 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：24引脚4×4mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/15 14:15:44
PE4251是一款HaRP™增强型吸收式SPDT射频开关，适用于一般交换应用和移动基础设施。该器件提供3.3/5V的灵活电源电压、单引脚或互补引脚控制输入和4000V ESD容差。它为pin二极管和机械继电器开关提供了一种简单的替代解决方案。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10 MHz最大频率:4 GHz介入损耗:1 dB关闭隔离—典型值:37 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel点击购买：PE4251MLI-Z特性•增强了HaRP™技术•低插入损耗：1000 MHz时为0.60 dB•高隔离度：1000 MHz时为62 dB•P1dB典型值：+30.5 dBm•IIP3典型值：+59 dBm•快速切换时间：150 ns•灵活的电源电压：3.3V±10%或5.0V±10%电源•卓越的ESD保护：4000V HBM•不需要隔直电容器•单针或互补控制输入引脚图
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2025/1/15 14:10:10
PE42442是一款HaRP™技术增强型吸收SP4T射频开关，专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。该开关是PE42451的引脚兼容四掷版本，具有更宽的频率和电源范围。它由四个对称的射频端口组成，具有高达6 GHz的极高隔离度。集成CMOS解码器便于使用两针或三针1.8V CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SP4T最小频率:30 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:1.9 dB关闭隔离—典型值:32 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42442A-Z特性•四个对称、可吸收的射频端口•高度隔离•高线性•兼容1.8V控制逻辑•105°C工作温度•255 ns的快速切换时间•两针或三针CMOS逻辑控制•外部负电源选项•高ESD耐受性引脚图
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2025/1/15 14:06:29
PE42421 UltraCMOS®RF开关设计用于覆盖从10 MHz到3 GHz的广泛应用。这种反射开关将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，可以使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称3V电源，可以实现+33.5dBm的典型输入1dB压缩点。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10兆赫最大频率:3 GHz介入损耗:0.5分贝关闭隔离—典型值:20分贝最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT点击购买：PE42421SCAA-Z特性•单引脚或互补CMOS逻辑控制输入•低插入损耗：1000 MHz时为0.35 dB，2000 MHz时为0.5 dB•1000 MHz时隔离30 dB，2000 MHz时隔离20 dB•典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm•最低电源电压1.8V•SC-70包装引脚图
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2025/1/15 14:01:22
PE43713是一款50Ω、HaRP™技术增强型7位RF数字步进衰减器（DSA），支持9 kHz至6 GHz的宽频范围。它具有无毛刺衰减状态转换功能，支持1.8V控制电压，包括扩展至+105°C的工作温度范围和可选的VSS_EXT旁路模式，以提高杂散性能，使该设备成为测试和测量（T&M）的理想选择。PE43713是PE43703的引脚兼容升级版本。集成数字控制接口支持衰减的串行可寻址和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。PE43713覆盖了0.25 dB、0.5 dB和1 dB步长的31.75 dB衰减范围。它能够在4 GHz内保持0.25 dB单调性，在5 GHz内保持0.50 dB单调性和在6 GHz内保持1 dB单调性。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:7 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:1 dB介入损耗:2.45 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:2.3 V to 5.5 V单位重量:5.058 g点击购买：PE43713B-Z特性•0.25 dB、0.5 dB和1 dB的灵活衰减步长，最高可达31.75 dB•无故障衰减状态转换•单调性：0.25 dB至4 GHz，0.5 dB至5 GHz，1 dB至6 GHz•工作温度延长至+105°C•具有串行寻址能力的并行和串行编程接口•封装——32引线5×5mm QFN应用•测试和测量（T&M）•通用射频衰减器引脚图
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2025/1/15 13:56:52
AD9681是一款8通道、14位、125 MSPS模数转换器(ADC)，内置片内采样保持电路，专门针对低成本、低功耗、小尺寸和易用性而设计。该产品的转换速率模数转换器最高可达125 MSPS，具有杰出的动态性能与低功耗特性，适合比较重视小封装尺寸的应用。 该ADC要求采用1.8 V单电源供电以及LVPECL/CMOS/LVDS兼容型采样速率时钟信号，以便充分发挥其工作性能。无需外部基准电压源或驱动器件即可满足许多应用需求。AD9681会自动倍乘采样速率时钟，以便产生合适的LVDS串行数据速率。它提供数据时钟输出（DCO±1、DCO±2），用于在输出端捕获数据，以及帧时钟输出（FCO±1、FCO±2）用于发送新输出字节信号。支持独立关断各通道；禁用所有通道时，器件典型功耗低于2 mW。该ADC内置多种功能特性，可使器件的灵活性达到较佳、系统成本较低，例如可编程时钟与数据对准、生成可编程数字测试码等。可获得的数字测试码包括内置固定码和伪随机码，以及通过串行端口接口(SPI)输入的用户自定义测试码。采用符合RoHS标准的144引脚CSP-BGA封装。额定温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围。该产品受美国专利保护。规格参数安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:BGA-144分辨率:14 bit通道数量:8 Channel接口类型:SPI采样比:125 MS/s输入类型:Differential结构:Pipeline模拟电源电压:1.7 V to 1.9 V数字电源电压:1.7 V to 1.9 VSNR – 信噪比:74.8 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C转换器数量:8 Converter工作电源电压:1.8 V输出类型:CMOS/LVDS/TTLPd-功率耗散:988 mW电源电压-最...
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2025/1/15 13:48:48
节能系统电源及传感解决方案供应商Allegro MicroSystems, Inc.今天宣布推出两款全新电流传感器IC - ACS37030MY和ACS37220MZ。凭借Allegro的尖端传感技术，这些IC提供低内部导体电阻、高工作带宽和可靠的性能，适用于各种汽车、工业和消费类应用。“Allegro持续推动传感器IC技术的创新前沿，我们很高兴推出最新的电流传感器IC，”Allegro MicroSystems全球营销和应用副总裁Ram Sathappan表示，“我们最新的传感器树立了精度和可靠性的新标杆，助力客户克服设计和效率标准的重重挑战，同时也生动地展示了我们的技术如何驱动一个更智能、更高效的未来。”Allegro的新型电流传感器IC专为在紧凑耐用的封装中进行精确电流传感而设计。ACS37030MY和ACS37220MZ采用宽体设计，与市面上现有的16引脚封装相比，尺寸缩小40%，隔离度更高。新的创新设计还降低了电阻，有助于减少功耗。ACS37030MY是一款完全集成的电流传感器IC，具有快速的响应时间，可保护宽带隙GaN器件。它结合了霍尔效应和感应线圈信号路径，可在宽频率范围内感测电流。这种创新的封装产品不仅比现有解决方案快5倍，而且尺寸缩小了40%。ACS37030也提供窄体封装，适用于隔离要求较低的应用。ACS37220MZ是一款完全集成的霍尔效应电流传感器，具有150 kHz带宽和故障引脚。该器件专为经济型电流传感应用而设计，是广受欢迎的ACS724/5系列产品的后续产品。ACS37220MZ的新封装解决方案尺寸缩小了40%，电阻更低，功耗更低。关于Allegro MicrosystemsAllegro MicroSystems, Inc.利用三十多年的磁传感和电源IC专业知识，通过提高效率、性能和可持续性的解决方案来推动汽车、清洁能源和工业自动化向前发展。...
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2025/1/15 13:44:41