TDK株式会社（TSE：6762）进一步扩大了其车载等级CA 系列MEGACAP（带金属框架）电容器产品阵容。该系列产品于2024年9月开始量产。车载等级直插式MEGACAP电容器，符合AEC-Q200车载标准通过优化金属框架材料实现低电阻产品阵容包括99 nF/1000 V（1类电介质）和47 μF/100 V（2类电介质）产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK株式会社（TSE：6762）进一步扩大了其车载等级CA 系列MEGACAP（带金属框架）电容器产品阵容。该系列产品于2024年9月开始量产。近年来，混合动力汽车（HEV）和纯电动汽车（BEV）等电动动力系统汽车以及高效充电技术的发展取得了显著进展，两者都有助于减少温室气体排放。在这些应用场景中，逆变器、车载充电器（OBC）及无线电力传输（WPT）系统等子系统的功耗不断增加，因此，MLCC必须处理大电流并具有大电容。为了满足上述需求，TDK推出了CA系列——业内最大*的3层堆叠配置、带金属框架的MLCC（6.00 x 5.60 x 6.40毫米）。由此，TDK现可提供广泛的产品阵容，包括99 nF/1000 V（1类电介质）和47 μF/100 V（2类电介质）。为了处理大电流，TDK通过优化金属框架的材料，在原产品的基础之上进一步降低了等效串联电阻（ESR）。这有助于减少组件数量并促进设备小型化。今后，TDK将继续扩大其产品阵容，以满足客户需求。* 截至2024年9月, 根据 TDK主要应用电源线路的平滑和去耦车载充电器（OBC）和无线电力传输（WPT）等子系统中的谐振电路逆变器中的缓冲电路主要特点与优势通过优化金属框架材料实现低电阻通过采用多个MLCC实现大电容，以助力减少组件数量，促进设备小型化高可靠性，符合AEC-Q200车载标准型号免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信...
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2024/9/13 11:18:20
2024年9月11日，美国北卡罗来纳州达勒姆市、中国上海市讯 — 全球碳化硅（SiC）技术 Wolfspeed, Inc.于近日宣布推出最新 2300 V 无基板碳化硅模块。这一碳化硅解决方案经过优化设计，可带来效率、耐用性、可靠性、可扩展性的提升，将助力推动可再生能源、储能、高容量快速充电等领域的变革。这款 2300 V 无基板碳化硅模块针对 1500 V 直流母线应用开发，并采用了 Wolfspeed 的 200 mm 碳化硅晶圆。Wolfspeed 2300 V 无基板碳化硅模块针对 1500 V 直流母线应用开发，并采用了 Wolfspeed 的 200 mm 碳化硅晶圆。Wolfspeed 同时宣布了与 EPC Power 公司达成合作。EPC Power 公司是北美地面电站逆变器制造商。EPC Power 将在其地面电站光伏与储能系统中采用 Wolfspeed 模块，籍以实现可扩展性的高功率转换系统和高性能控制与系统冗余。Wolfspeed 高级副总裁兼功率半导体总经理 Jay Cameron 表示：“太阳能市场依旧是可再生能源产业增长最为快速的领域。作为碳化硅企业，我们致力于开发出合适的解决方案，开启现代能源新时代的大门。能效、可靠性、可扩展性是我们客户最为关注的。包括 EPC Power 在内的客户群充分认可 Wolfspeed 碳化硅带来的巨大优势。”EPC Power 公司总裁兼首席产品官 Devin Dilley 表示：“碳化硅器件开启了逆变器性能和可靠性跨越式发展的大门。我们致力于在新型 ‘M’ 逆变器中实现极高的可靠性、性能和安全性，同时与关键供应商达成深度商业合作关系。Wolfspeed 无疑是最好的选择。”随着全球各地对于可再生能源的投资不断扩大，预计到 2032 年，太阳能的市场市值将达到 3000 亿美元。根据国际能源署 IEA 的预测，2...
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2024/9/13 11:02:44
低温共烧陶瓷 （LTCC） 衬底技术是 Mini-Circuits 研发投资的主要领域之一。目前，表面贴装毫米波滤波器通常使用氧化铝上的薄膜技术设计。薄膜在所需的通带中取得了良好的性能，但尺寸比 LTCC 大得多，成本更高。氧化铝过滤器上的典型薄膜可能具有四分之一平方英寸的占地面积，这对于离散功能来说，会大大牺牲电路板空间。薄膜滤波器通常对周围环境也非常敏感，这使得它们在组装到通道化电路板布局上后容易失谐，这在 5G 小基站架构中很常见。Mini-Circuits 为毫米波应用开发了一种独特的 LTCC 技术，该技术具有一系列功能，可实现低成本、小尺寸和最先进的滤波器频率响应，而无需调谐。这些过滤器将启用以前由于大小限制而无法实现的应用程序。
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2024/9/12 17:10:23
表面贴装毫米波滤波器通常使用氧化铝上的薄膜技术设计。薄膜在所需的通带中取得了良好的性能，但尺寸比LTCC大得多，成本更高。氧化铝过滤器上的典型薄膜可能具有四分之一平方英寸的占地面积，这对于离散功能来说，会大大牺牲电路板空间。薄膜滤波器通常对周围环境也非常敏感，这使得它们在组装到通道化电路板布局上后容易失谐，这在5G小基站架构中很常见。相比之下，LTCC滤波器尺寸非常小、成本低且坚固耐用，不会因环境因素而出现类似的性能偏差风险。Mini-Circuits的LTCC技术在滤波器内具有专有的内部屏蔽结构，可防止滤波器在组装后失谐，而无需额外的屏蔽。这些产品还采用专有的导电浆料和分布式滤波器拓扑结构，以在更高的频率下实现与薄膜工艺相当的可重复性。LTCC的优势仅限于较低频率的应用，通常低于10GHz。这种看法在很大程度上仍然存在于市场上，导致毫米波系统对小型、经济、坚固的表面贴装滤波器的需求未得到满足。Mini-Circuits通过许多创新解决了这一需求。首先，设计团队开发了专有的材料系统，可实现更光滑的表面基板，从而减少高频下的损耗和不规则阻抗转换。此外，用于在LTCC基板上印刷导体的光刻工艺比传统的丝网印刷技术对线宽的公差要严格得多。这使得在LTCC衬底上能够以更小的尺寸实现更精细、更复杂的结构。这些LTCC材料增强功能既增加了相对介电常数，又降低了损耗角正切。此外，Mini-Circuits还开发了一种专有的外壳样式，有助于实现更好的性能和防止调音，尤其是在较高频率下。打包的过滤器还支持标准共面启动，从而最大限度地减少。随频率变化的过渡不连续性。这些进步使LTCC能够在性能方面与氧化铝衬底技术竞争，同时在尺寸、成本和可制造性方面提供明显的优势。Mini-Circuits毫米波5G带通和低滤波器的表面贴装（SMT）封装选项如图1所示。Mini-Circuits在资格认证中采用了...
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2024/9/12 17:00:56
Mini-Circuits的可编程衰减器产品线为自动化信号电平控制、模拟信号衰落的影响和许多其他有用功能提供了多功能解决方案。可编程衰减器即使在最高衰减设置和高达67 GHz的宽频率范围内也能提供出色的精度。这些设备可以单独使用，也可以集成到多通道系统中，用于更高容量的设置。特点单通道和多通道型号支持高达67 GHz的应用衰减范围高达120dBUSB、以太网、RS232和SPI控制选项包括用户友好的GUI和API菊花链式模型Mini-Circuits可编程衰减器常见型号BW-20N100W+BW-30N100W+BW-40N100W+BW-E1-1W653+BW-E2-1W653+BW-E3-1W653+BW-E6-1W653+BW-E10-1W653+BW-E20-1W653+BW-E30-1W653+BW-K1-2W44+BW-K2-2W44+BW-K3-2W44+BW-K4-2W44+BW-K5-2W44+BW-K6-2W44+BW-K10-2W44+BW-K20-2W44+BW-KM3-2W44+BW-KM6-2W44+BW-KM10-2W44+BW-KM20-2W44+BW-N1W5+BW-N2W5+BW-N3W20+BW-N3W5+BW-N4W5+BW-N5W5+BW-N6W20+BW-N6W5+
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2024/9/12 16:53:28
Mini-Circuits LDPQ LTCC SMT双工器采用小型1008封装尺寸，占地面积为2.5mm x 2mm。这些无源器件具有温度稳定性、50Ω阻抗和LTCC结构。频率范围涵盖直流至3000MHz（直流至1280MHz、1550MHz至3000MHz）。迷你电路LDPQ陶瓷双工器的工作温度范围为-55°C至+125°C。典型的应用包括通信系统、GSM系统、军事、GPS和物联网（IoT）。特征1008 SMT封装2.5mm x 2mm 1008 SMT封装温度稳定LTCC结构50Ω阻抗 直流至3000MHz（直流至1280MHz和1550MHz至3000MHz）频率范围符合RoHS标准规格0.4dB至1dB典型通带插入损耗15dB至37dB典型阻带隔离/抑制2W至4W功率处理工作温度范围为-55°C至+125°C型号LDPQ-132-33+LDPQ-550-252+功能图
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2024/9/12 16:38:03
台积电3nm需求强劲，产能吃紧，海内外同步动起来扩产。法人预期，截至今年底，保守估计台积电3nm月产能至少达8万片以上，后续进一步扩增到10万片；未来也会在美国与日本厂区另各建置每月1.5万片3nm产能，等于未来3nm制程在海内外厂区月产能合计将达13万片左右。针对外传的3nm制程扩产进度与计划，台积电对此表示，不评论市场传闻，有关相关产能说明，依法说会所述为主。台积电先前于7月的法说会中提到，在今年第2季时，公司观察到客户对AI与高端智慧型手机相关需求，比第1季更加强大，这使得其领先业界的3nm与5nm制程技术的整体产能利用率，将于下半年提升。台积电先前已公布，该公司于策略上转换部分5nm设备以支援3nm产能。而其3nm制程于今年扩增三倍，但仍供不应求。法人认为，因应客户端强劲的需求，后续台积电3nm制程产能若想尽快从8万片提升为10万片，关键就在于具备2万片产能的厂区从何而来，新建厂区在时程上肯定来不及，所以目前研判应当就是如上所述，把部分5nm制程设备挪来使用，增加3nm制程产能。台积电先前提到，该公司从2020到2024年，在3、5、7nm制程的产能复合成长率达25％。台积电3nm Q4接单再冲一波 预期全年业绩大增34%苹果预计台北时间10日发布iPhone 16新机，搭载台积电3nm打造的A18系列处理器，引爆台积电3nm第一波出货高潮之后，高通、联发科最新5G旗舰芯片接棒于10月问世，加上英伟达（NVIDIA）、AMD也将接力导入3nm，引领台积电3nm第4季起再冲一波，挹注营运可期。台积电向来不评论单一客户与接单动态。法人看好，台积电3nm接单热转，不仅本季美元营收拼再超标，全年业绩年增幅可望由原预估的26%至29%，上调为31%至34%。手机处理器与高效能运算（HPC）相关芯片是台积电3nm两大应用，苹果为最先导入的客户，用于新机的A18与A18 Pro处...
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2024/9/12 16:14:50
美光推出适用于下一代人工智能（AI）GPU的量产版12层HBM3E芯片，内存堆栈容量高达36GB，速度超过9.2Gb/s。美光表示，目前正在将可供制造的（production-capable）12层第五代HBM（HBM3E）送交给AI产业链重要合作伙伴，以进行验证程序。美光9月9日正式宣布推出12层堆栈的HBM3E内存。新产品具有36GB容量，旨在用于AI和HPC（高性能计算）工作负载的前沿处理器，例如英伟达的H200和B100/B200 GPU。美光的12层HBM3E内存堆栈拥有36GB容量，比之前的8层版本（24GB）高出50%。容量增加使数据中心能够在单个处理器上运行更大的AI模型。此功能消除了频繁卸载CPU的需要，减少了GPU之间的通信延迟，加快了数据处理速度。在性能方面，美光的12层HBM3E堆栈可提供超过1.2TB/s的内存带宽，数据传输速率超过9.2Gb/s。据美光称，该公司的HBM3E不仅提供的内存容量比竞争对手高出50%，功耗也低于8层HBM3E堆栈。美光的12层HBM3E包含一个完全可编程的内存内置自检（MBIST）系统，以确保为客户提供更快的产品上市时间和可靠性。该技术可以全速模拟系统级流量，从而对新系统进行全面测试和更快的验证。美光的HBM3E内存设备与台积电的CoWoS封装技术兼容，该技术广泛用于英伟达的H100和H200等AI处理器封装中。据悉，美光已开始开发其下一代内存解决方案，包括HBM4和HBM4E。这些即将推出的内存类型将继续满足AI处理器（包括基于Blackwell和Rubin架构的英伟达GPU）对高级内存日益增长的需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/9/12 16:10:24
PHA-13LN+（符合RoHS标准）是一款采用E-PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频率范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，PHA-13LN+在宽频范围内具有良好的输入和输出回波损耗。相对较低的电源电压使该型号在低功耗方面具有优势。PHA-13LN+封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。特性超高IP3，标准+39dBm。电源电压低，3至5V出色的噪声系数，典型值为0.9dB应用基站基础设施有线电视Cellular甚高频/超高频简化原理图和引脚描述特性测试/推荐应用电路点击购买：PHA-13LN+
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2024/9/11 14:07:23
HMC8411LP2FE 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.01 GHz 至 10 GHz。HMC8411LP2FE 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪声指数和 34 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3)，只需要 55 mA 电流，5 V 电源电压。19.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI公司众多平衡式同相/正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。HMC8411LP2FE 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出，使得该器件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。HMC8411LP2FE 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。特性• 低噪声系数：1.7 dB（典型值）• 单正电源（自偏置）• 高增益：15.5 dB（典型值）• 高OIP3：34 dBm（典型值）• 6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP应用• 测试仪器仪表• 军事通信功能框图引脚配置和功能描述点击购买：HMC8411LP2FE
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2024/9/11 14:00:09
AD9361是一款面向3G和4G基站应用的高性能、高集成度的射频(RF)Agile Transceiver™捷变收发器。该器件的可编程性和宽带能力使其成为多种收发器应用的理想选择。该器件集RF前端与灵活的混合信号基带部分为一体，集成频率合成器，为处理器提供可配置数字接口，从而简化设计导入。AD9361接收器LO工作频率范围为70 MHz至6.0 GHz，发射器LO工作频率范围为47 MHz至6.0 GHz，涵盖大部分特许执照和免执照频段，支持的通道带宽范围为200 kHz以下至56 MHz。两个独立的直接变频接收器拥有首屈一指的噪声系数和线性度。每个接收(RX)子系统都拥有独立的自动增益控制(AGC)、直流失调校正、正交校正和数字滤波功能，从而消除了在数字基带中提供这些功能的必要性。The AD9361还拥有灵活的手动增益模式，支持外部控制。每个通道搭载两个高动态范围模数转换器(ADC)，先将收到的I信号和Q信号进行数字化处理，然后将其传过可配置抽取滤波器和128抽头有限脉冲响应(FIR)滤波器，结果以相应的采样率生成12位输出信号。发射器采用直接变频架构，可实现较高的调制精度和超低的噪声。这种发射器设计带来了行业较佳的TX误差矢量幅度(EVM)，数值不到−40 dB，可为外部功率放大器(PA)的选择留出可观的系统裕量。板载发射(TX)功率监控器可以用作功率检测器，从而实现高度精确的TX功率测量。特性• 集成12位DAC和ADC的RF 2 × 2收发器• TX频段：47 MHz至6.0 GHz• RX频段：70 MHz至6.0 GHz• 支持TDD和FDD操作• 可调谐通道带宽：• 实时监控和控制信号用于手动增益• 独立的自动增益控制• 双发射器：4路差分输出• 高线性度宽带发射器• TX EVM：≤−40 dB• TX噪声：≤−157 dBm/Hz本底噪声• T...
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2024/9/11 13:49:47
TCM1-83X+是Mini-Circuits的一款射频变压器芯片。其截至频率最小是10MHz，最大为8000MHz。并且需要在-40到85摄氏度之间进行作业。特性•超宽带10至8000 MHz•一个型号覆盖所有电信频段•扁平插入损耗•良好的回波损耗•可水洗应用•差分调制器/解调器和有源混频器•宽带推挽放大器•LTE、蜂窝、PCS、UMTS、WiFi、WiMAX产品标记外形尺寸图点击购买：TCM1-83X+
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2024/9/11 13:38:30
GP2S1+是Mini-Circuits的一款功分器芯片，其工作频率最小500MHz，最大2500MHz，并且具备最大1.8dB插入损耗，符合ROHS标准，外壳DQ1225，12针。特性•带宽非常宽，500至2500MHz•出色的隔离性能，典型值为20dB。•出色的振幅不平衡，典型值为0.02dB。•相位不平衡度极佳，典型值为0.9度。•尺寸小，0.118英寸x0.118英寸x0.035英寸•高ESD水平•可水洗应用•cellular•GPS•雷达•WCDMA•GSM•KoreaPCS产品标记外形尺寸图点击购买：GP2S1+
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2024/9/11 11:48:02
ADRF5720是一款硅、6位数字衰减器，以0.5dB步长提供31.5dB的衰减控制范围。该器件的工作频率范围为9kHz至40GHz，提供优于4.5dB的插入损耗和出色的衰减精度。在所有状态下，ADRF5720的ATTIN端口具有27dBm（平均值）和30dBm（峰值）的射频(RF)输入功率处理能力。ADRF5720需要+3.3V和−3.3V双电源电压供电。该器件具有串行外设接口(SPI)、并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。ADRF5720与ADRF5730（快速切换版本）引脚兼容，工作频率范围为100MHz至40GHz。ADRF5720RF端口设计用于匹配50Ω的特征阻抗。对于宽带应用，RF传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗、回波损耗和衰减精度特性。ADRF5720采用符合RoHS标准的24引脚、4mm×4mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。特性•超宽带频率范围：9kHz至40GHz•衰减范围：0.5dB步进至31.5dB•具有阻抗匹配的低插入损耗•2.0dB，最高为18GHz•2.8dB，最高为26GHz•4.5dB，最高为40GHz•具有阻抗匹配的衰减精度•±(0.20+1.0%)的衰减状态，最高18GHz•±(0.20+1.5%)的衰减状态，最高26GHz•±(0.40+3.0%)的衰减状态，最高40GHz•具有阻抗匹配的典型步进误差•±0.25dB，最高为26GHz•±0.65dB，最高为40GHz应用•工业扫描仪•测试和仪器仪表•蜂窝基础设施：5G毫米波•军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)•微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)功能框图引脚图点击购买：ADRF5720BC...
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2024/9/11 11:45:31
LFCN-80+是一款陶瓷滤波器，最小7段，最大7段，中心或截止频率(fo/fc)为145MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针。特性出色的功率处理能力，8.5W尺寸小7节温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机典型频率响应功能示意图外观尺寸图点击购买：LFCN-80+
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2024/9/11 11:38:25
Mini-CircuitsEP2C+是一款MMIC分路器/合路器，设计用于1800至12500MHz的宽带工作。该型号在微型设备封装（4x4x1mm）中提供了出色的额定功率，具有高达1.85W的功率处理（作为分流器）和高达0.4A的直流电流处理。它采用GaAsIPD技术制造，提供高水平的ESD保护和出色的可靠性。特性•宽带，1800至12500MHz•出色的振幅不平衡，典型值为0.2dB。•相位不平衡良好，典型值为6度。•尺寸小，4x4毫米•高ESD水平*•可水洗•直流通电应用•WIMAX•ISM•仪器仪表•雷达•无线局域网•卫星通信•LTE外观尺寸图简化电气原理图点击购买：EP2C+
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2024/9/11 11:27:09
RLM-63-2W+是一款限制器芯片，其工作频率最小30MHz，最大6000MHz，符合ROHS标准，TT1224，6针。特性•宽带，30至6000 MHz•低插入损耗，典型值为0.3 dB。•恢复时间快，典型值为10nsec。•出色的驻波比1.2:1。•低输出功率，典型值为11.5 dBm。应用•军事、高可靠性应用•稳定发电机输出•减少振幅变化•保护低噪声放大器和其他设备免受ESD或输入电源损坏外形图及尺寸电气规格表点击购买：RLM-63-2W+
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2024/9/11 11:12:40
PMA3-83LN+是一款基于PHEMT的宽带低噪声MMIC放大器，具有低噪声、高IP3和宽带平坦增益的独特组合，使其成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。该设计在单个+5V或+6V电源上运行，与50Ω非常匹配，采用小巧、低剖面的封装（3 x 3 x 0.89mm），可适应密集的电路板布局。特性宽带增益平坦低噪声系数，2 GHz时为1.3 dB高IP3，2 GHz时为+35 dBm高功率，P1dB 20.7 dBm，2 GHz和+6V适用于低相位噪声应用应用无线网络无线局域网UMTSLTEWiMAXS波段雷达C波段卫星通信简化原理图和焊盘描述推荐应用和特性测试电路点击购买：PMA3-83LN+
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2024/9/11 10:57:46