据知情人士透露，软银集团及其持有多数股权的Arm正在探索收购Ampere Computing的交易。匿名知情人士表示，甲骨文支持的半导体设计公司Ampere在探索战略选择时引起了Arm的收购兴趣。不过，谈判仍有可能破裂。Ampere也有可能最终被另外公司收购。Ampere设计使用Arm技术的半导体，在2021年日本软银提出的一项少数股权投资中，其估值达到80亿美元。尚不清楚Ampere的最新估值是多少。2024年9 月报道称，Ampere一直在与财务顾问合作，以帮助其争取收购意向。这家总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的公司有意与业内一家大型企业达成交易，这表明该公司认为首次公开募股（IPO）的道路并不轻松。Ampere的早期支持者还包括凯雷投资集团（Carlyle Group）。此次交易将加入一波希望利用人工智能（AI）支出热潮的芯片公司浪潮。甲骨文去年表示，它拥有这家初创公司29%的股份，并可以行使未来的投资选择权，从而控制这家芯片制造商。尽管Ampere将从持续的AI热潮中受益，但市场竞争愈演愈烈，几家大型科技公司争相开发与Ampere相同类型的芯片。随着数据中心行业为迎接AI时代而进行重组，人们对关键部件的控制权产生了浓厚的兴趣，但与规模更大的竞争对手英特尔和AMD公司一样，Ampere也不得不应对从中央处理器（CPU）向英伟达加速器芯片的支出转移。Ampere使用Arm技术为数据中心设备制造处理器。Arm正逐渐从基本标准和基本蓝图的授权者转变为更完整的芯片制造商。Ampere工程师的加入可能会为Arm CEO Rene Haas进军该市场增添专业知识和动力，其中许多人曾在英特尔的服务器芯片部门工作。Ampere创始人兼CEO、前英特尔高管Renee James曾考虑让Ampere上市。该公司于2022年4月表示，已秘密申请美国IPO，当时芯片需求正在激增。Ampere的...
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2025/1/15 13:42:30
英伟达CEO黄仁勋在CES 2025上揭开了RTX 5090、RTX 5080和RTX 5070系列的神秘面纱，前两款产品将于1月30日上市，而RTX 5070系列则计划在2月推出。为了符合美国出口限制，该公司还宣布了一款中国独有的RTX 5090D，这款产品保留了其全球版本的大部分规格——除了人工智能（AI）性能方面。RTX 5090采用英伟达Blackwell架构，搭载旗舰级GB202芯片，启用170个流式多处理器，拥有21760个CUDA核心。英伟达将VRAM容量从24GB提升至32GB，同时采用更快、更新的GDDR7内存，带宽达到1.792TB/s。美国贸易制裁规定，任何TPP（总处理能力）超过4800的GPU不得在中国销售。基于Ada架构的RTX 4090略微超出这一限制10%，迫使英伟达为中国市场推出定制版RTX 4090D。据英伟达称，RTX 5090D的规格几乎与全球版RTX 5090相同，甚至包括基础频率和加速频率。唯一的差异在于AI性能，RTX 5090的3352 AI TOPS被降低到RTX 5090D的2375 AI TOPS，降幅为29%。据报道，RTX 5090D的TPP为4750，仅比限制门槛低50。Blackwell架构为FP4数据类型提供了硬件支持，同时在每个张量核心的计算性能上带来显著提升。借助RTX 50系列独有的DLSS 4多帧生成功能，完全禁用SM级别上某些数据类型的支持似乎不太可能。尽管存在明显的不足，但RTX 5090D的AI TOPS性能仍比RTX 5080高出31%。因此，预计在使用AI加速技术（如帧生成）时，RTX 5090D与RTX 5090之间的性能差异会成为大问题。总的来说，原始光栅性能不太可能受到影响。英伟达尚未澄清RTX 5090D如何满足出口法规的具体细节。RTX 5090D计划于1月30日在中国零售市场开售，...
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2025/1/15 13:40:38
PE43705是一款50Ω、HaRP™技术增强的7位射频数字步进衰减器（DSA），专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。该DSA是PE43703的引脚兼容升级版本，具有更高的功率处理能力和更宽的频率、控制电压和工作温度范围。集成数字控制接口支持衰减的串行和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。它以0.25 dB、0.50 dB或1 dB的步长覆盖31.75 dB的衰减范围，从50 MHz到8 GHz保持单调的阶跃响应。PE43705还具有安全的衰减状态转换功能，采用32引脚5×5mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在0V直流电，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31.75 dB最大频率:8 GHz阻抗:50 Ohms位数:7 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.25 dB商标:pSemi最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel产品类型:Attenuators点击购买：PE43705B-Z特性•衰减选项：覆盖0.25 dB、0.5 dB或1.0 dB步长的31.75 dB范围•安全衰减状态转换•高功率处理•高线性度：+58 dBm IIP3•兼容1.8V控制逻辑•105°C工作温度•编程模式：直接并行、锁存并行、串行和串行可寻址•通电时的高衰减状态（PUP）•ESD性能•封装：32引脚5×5mm QFN引脚图
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2025/1/14 14:23:39
PE4312是一款50Q、HaRPTM技术增强型6位射频数字步进衰减器（DSA），专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。该DSA是PE4302的引脚兼容升级版本，具有更高的线性度、更高的衰减精度和更快的切换速度。集成数字控制接口支持衰减的串行和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。它以0.5 dB的步长覆盖31.5 dB的衰减范围，从1 MHz到4 GHz保持高线性和低功耗。PE4312还具有外部负极电源选项，采用20引脚4×4 mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在O VDC，则不需要外部隔直电容器。PE4312采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是蓝宝石基板上绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体。Peregrine的HaRPTM技术增强提供了高线性度和出色的谐波性能。这是UltraCMOS工艺的一个创新特征，它提供了GaAs的性能，同时具有传统CMOS的经济性和集成性。规格参数衰减:31.5 dB最大频率:4 GHz阻抗:50 Ohms位数:6 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB介入损耗:2.1 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:1 MHz最小工作温度:- 55 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:2.3 V to 5.5 V点击购买：PE4312C-Z特性衰减：0.5 dB阶跃至31.5 dB安全衰减状态转换单调性：0.5 dB至4 GHz高衰减精度±（0.10+1%x Atten）@1 GHz±（0.15+2%x Atten）@2.2 GHz±（0.15+8%x Atten）@4 GHz高线性度：+59 dBm IIP32.3–5.5V的宽电源范围1.8V控制逻辑兼容105°C工作温度编程模式直接并联锁紧平行序列号独特的加电状态选择...
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2025/1/14 14:17:03
PE42542是一款HaRP™技术增强型吸收SP4T射频开关，专为测试/ATE、微波和其他无线应用而设计。这种宽带通用开关在9 kHz到18 GHz的范围内保持了出色的射频性能和线性。PE42542具有低插入损耗、高隔离性能和快速稳定时间。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP4T最小频率:9 kHz最大频率:18 GHz介入损耗:3.9 dB关闭隔离—典型值:26 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42542B-X特性•HaRP技术得到增强•插入损耗低•高度隔离•ESD性能引脚图
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2025/1/14 14:12:00
PE42525是HaRP™技术增强型反射SPDT RF开关管芯，支持9 kHz至60 GHz的宽频率范围。这种宽带倒装芯片开关与PE42524和PE426525引脚兼容。它具有低插入损耗、快速切换时间和高隔离性能，使该设备成为测试和测量、微波回程、雷达和军事通信（mil-comm）应用的理想选择。在50 GHz时，PE42525的插入损耗为1.9 dB，隔离度为37 dB。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT最小频率:9 kHz最大频率:60 GHz介入损耗:2.7 dB关闭隔离—典型值:36 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel单位重量:325.667 mg点击购买：PE42525A-X特性•支持高达60 GHz的宽带•插入损耗低•8 ns的快速切换时间•端口间隔离度高•高线性度：IIP3为48 dBm•倒装芯片芯片，引脚对引脚兼容PE42524和PE426525应用•测试和测量•微波回程•雷达•军事通信引脚图
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2025/1/14 13:58:21
PE42521 SPDT吸收式射频开关专为测试/ATE和其他高性能无线应用而设计。这种宽带通用开关在9 kHz到13 GHz的范围内保持了出色的射频性能和线性。该开关是PE42552的引脚兼容升级版本，具有快速的开关时间和更高的功率处理能力，在50Ω@4 GHz下可处理36 dBm的连续波（CW）和38.5 dBm的瞬时功率。PE42521具有高隔离度、快速稳定时间，采用3 x 3 mm QFN封装。规格参数开关配置:SPDT最小频率:9 kHz最大频率:13 GHz介入损耗:1.85 dB关闭隔离—典型值:17 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C单位重量:308.167 mg点击购买：PE42521C-Z特性•增强了HaRP™技术•500 ns的快速切换时间•50Ω内4 GHz的高功率处理•高线性•插入损耗低•高度隔离•ESD性能•封装：16引脚3×3mm QFN引脚图
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2025/1/14 13:49:23
PE42520 SPDT吸收式射频开关专为测试/ATE和其他高性能无线应用而设计。这种宽带通用开关在9 kHz到13 GHz的范围内保持了出色的射频性能和线性。该开关是PE42552的引脚兼容升级版本，在50Ω@8 GHz下具有36 dBm连续波（CW）和38 dBm瞬时功率的更高功率处理能力。PE42520具有高隔离度、快速稳定时间，采用3×3mm QFN封装。规格参数开关配置:SPDT最小频率:9 kHz最大频率:13 GHz介入损耗:2 dB关闭隔离—典型值:18 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel单位重量:170.646 mg点击购买：PE42520C-Z特性•增强了HaRP™技术•高功率处理@8 GHz，50Ω•高线性•插入损耗低•高度隔离•ESD性能•封装：16引脚3×3mm QFN引脚图
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2025/1/14 13:45:29
PE42482是一款HaRP™技术增强型吸收SP8T射频开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为无线基础设施和高达8 GHz无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP8T最小频率:10 MHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:1.280 g点击购买：PE42482A-X特性•高隔离度：6 GHz时为41 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•227 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•封装：24引脚4×4mm QFN应用•无线基础设施•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/14 13:38:56
PE42426是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关，专为陆地移动无线电（LMR）和一般交换应用而设计。它在整个工作频带内提供高线性度和出色的谐波性能。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42426成为一般开关应用的理想选择。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:0.75 dB关闭隔离—典型值:20 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel点击购买：PE42426A-Z特性•跨频带最佳线性度•特殊谐波•低插入损耗和高隔离性能•3 kV HBM的高ESD性能•封装：12芯3×3×0.75mm QFN应用•陆地移动无线电（LMR）•通用开关应用引脚图
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2025/1/14 13:34:44
PE42441是一款HaRP™技术增强型吸收SP4T射频开关，设计用于跨越多个市场的各种交换应用，包括无线基础设施、宽带以及测试和测量。该交换机有四个对称的射频端口，具有低插入损耗和出色的隔离性能。片上CMOS解码逻辑有助于实现双引脚低压CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42441E-Z特性•四个对称的50Ω吸收端口•高度隔离•插入损耗低•高线性•兼容1.8V控制逻辑•ESD性能•封装：32引脚5×5mm LGA引脚图
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2025/1/14 13:25:30
随着半导体产业不断升级，智能电子产品也逐渐朝更高效、更智能，甚至更多元化拓展。虚拟现实（VR）、增强现实（AR）和基于前两者的混合现实（MR）逐渐进入大众视野，相对应的终端智能产品也以不同的产品形态被推广到市场供大众体验。相较成熟的智能手机市场，VR/AR/MR 未来有望成为智能产品市场一个新的增长点。现在用于头戴式 VR 设备的都是 LCD 显示屏。头戴式 VR 设备的 LCD 屏距离人眼非常近，如果要支持高速运作的运动场景，厂商需要解决视觉上的动态拖影，以减少动态模糊。黑帧插入（Black Frame Insertion）技术被广泛运用在 LCD 显示屏的 VR 设备上。黑帧插入，顾名思义，即在帧与帧之间插入黑帧，利用人眼的视觉暂留效应，掩盖住灰色拖影，减少视觉上的动态模糊。插黑后，LCD 屏的背光系统成了脉冲式负载，插黑时关闭所有 LED 背光通道，仅在每一帧画面的刚开始点亮背光通道。这种情况下，传统 DC/DC 电源在提供 LED 灯串阳极供电时，会面临输入电流冲击的问题。图 1 展示了传统 DC/DC 电源提供 LED 灯串阳极供电时，10% LED 点亮时间下的动态波形（测试条件：单节锂电池 3.6V 输入电压，30V 阳极电压输出，60Hz 刷新率，六通道，100mA 每通道）。图中波形可见，当背光点亮，负载等效为 30V 输出；0mA 到 600mA 的动态，等效到 3.6V 输入源，为接近 6A 直流电，需要以 60Hz、10% 的周期循环从电池抽取。在考虑实际 PCB 走线阻抗和电池内阻的情况下，插黑操作导致的输入电流脉冲显著降低了系统所能支持的最低工作电压。为此，圣邦微电子推出的插黑背光驱动芯片 SGM3791 采用了自主研发的专利技术，有效缓解了插黑过程中引起的输入电流冲击问题。SGM3791 典型应用原理图，如图 2 所示。SGM3791 具备输入...
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2025/1/14 13:16:03
PE42524是HaRP™技术增强型反射SPDT RF开关管芯，支持10 MHz至40 GHz的宽频率范围。这种宽带倒装芯片开关具有高隔离性能、出色的线性度和低插入损耗，使其成为测试和测量、微波回程、雷达和军事通信（mil-comm）应用的理想选择。在30 GHz时，PE42524表现出17 dB的有源端口回波损耗、47 dB的隔离和2.2 dB的插入损耗。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•支持高达40 GHz的宽带•端口间隔离度高•出色的线性性能•55 ns的快速射频三通/四通时间•插入损耗低•倒装芯片芯片应用•测试和测量•微波回程•雷达•军事通信引脚图
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2025/1/13 14:31:18
PE42543是一款吸收型SP4T射频开关，专为测试/ATE、微波和其他无线应用而设计。这种宽带通用交换机是PE42542的引脚兼容版本，具有更快的切换时间和稳定时间。它在9 kHz至18 GHz的频率范围内表现出低插入损耗、高隔离度和线性性能。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•500 ns的快速切换时间•插入损耗低•高度隔离•ESD性能•封装：29引脚4×4mm LGA引脚图
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2025/1/13 14:27:00
PE42723是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关，专为DOCSIS 3.0/1有线调制解调器、机顶盒和住宅网关等有线应用而设计。它在5-1794 MHz频带内提供高线性度和出色的谐波性能。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42723成为DOCSIS 3.1应用的理想选择。规格参数最小频率:5 MHz最大频率:1.794 GHz介入损耗:0.4 dB关闭隔离—典型值:34 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•支持DOCSIS 3.0/1要求•特殊谐波•2fo为-121 dBc，频率为17 MHz•3倍–140 dBc@17 MHz•跨频带最佳线性度•低插入损耗和高隔离性能•1218 MHz时插入损耗为0.3 dB•204 MHz时的隔离度为54 dB•3 kV HBM的高ESD性能•封装：12芯3×3mm QFN应用•宽带市场（DOCSIS 3.0/1）▪ 电缆调制解调器▪ 机顶盒▪ 住宅网关•过滤器组切换•DOCSIS 3.0和DOCSIS 3.1配置之间的中继替换引脚图
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2025/1/13 14:19:03
Mini-Circuits的HSWA4-63DR+是一款MMIC SP4T吸收开关，其内部驱动器设计用于30 MHz至6 GHz的宽带操作，支持许多需要在宽频率范围内高性能的应用。该型号在4x4mm 24引脚微型MCLP封装中提供了出色的隔离、快速的开关速度和高线性度。它采用独特的硅基CMOS工艺生产，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。HSWA4-63DR+提供高水平的ESD保护、MSL1湿度灵敏度等级和出色的可重复性。HSWA4-63DR+是一款具有集成CMOS驱动器的高隔离吸收SP4T开关，在消耗110µa典型电流的同时，以单正电源电压运行。它被设计用于非常宽带的操作。它采用4 x 4 x 0.9 mm的24导联微型封装，额定MSL1。规格参数最小频率:30 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:1.9 dB关闭隔离—典型值:32 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C高控制电压:3.6 V开关数量:Quad工作电源电流:110 uA产品类型:RF Switch ICs电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.3 V点击购买：HSWA4-63DR+特性•高隔离，典型值61 dB。0.9 GHz•插入损耗低，典型值为0.9 dB。0.9 GHz•高IP3，典型值58 dBm。•快速切换时间，典型值为255 ns。•低电流消耗，典型值为110µA。•对闭锁免疫应用•防御•测试和测量•开关矩阵尺寸图
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2025/1/13 14:10:44
Mini-Circuits新型90°功率分配器，型号：QCS-722+，提供工作带宽和尺寸组合；在微型EIA-0805外形尺寸中支持近一个倍频程。突出的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。规格参数频率:4 GHz to 7.2 GHz带宽:3200 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C介入损耗:0.8 dB安装:Board Mount点击购买：QCS-722+特性•插入损耗低，典型值为0.6 dB。•高隔离，典型值为17 dB。•微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸•LTCC结构•高功率应用•平衡放大器•移相器•调制器•衰减器•DCS、PCS、UMTS•点对点•WiMax•WiFi•ISM尺寸图
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2025/1/13 13:57:22
全球的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布，推出全新已通过车规级认证的超宽带（UWB）片上系统（SoC）——QPF5100Q，并面向主要客户提供样品。这款突破性 SoC 满足汽车行业对高精度、可靠 UWB 技术的需求，适用于诸如无钥匙车辆安全门禁、数字钥匙，以及儿童存在检测和运动感测等 UWB 雷达应用。Qorvo 全新的 UWB SoC 提供 UWB 功能和可配置软件，使汽车设计师能够定制独特的功能，从而提升产品性能并为最终用户的应用带来差异化优势。QPF5100Q 立足 Qorvo 超过 10 年的 UWB 创新技术积累，旨在满足严格的汽车行业标准。Qorvo 连接产品与传感器总裁 Eric Creviston 表示：“通过提供可配置软件，我们赋予客户更强的创新能力和竞争优势，满足汽车市场及下一代 UWB 应用的关键需求。Qorvo 致力于支持客户在汽车技术领域的创新，这也是这款全新 SoC 的核心所在。”QPF5100Q 目前正在与汽车制造商开展设计验证测试（DVT），预计将于今年晚些时候投入量产。这款创新的 SoC 彰显 Qorvo 致力于打造前沿车用 UWB 解决方案的承诺，其低功耗和高集成度特性助力客户实现“面向未来”的产品设计。基于稳健的产品路线图，Qorvo 的汽车 UWB 解决方案具备可扩展的系统架构和持续的技术进步，能够确保适应不断演变的行业标准和新兴应用。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/13 13:49:06