LT7101是一款高效率、单芯片同步降压DC/DC转换器电子元器件，利用恒频、平均电流模式控制架构。该转换器在4.4V至105V的输入电压范围内工作并提供1V至VIN的可调稳压输出电压，同时提供高达1A的输出电流。LT7101采用高频工作和低较小导通时间，即使在极高降压比下也可缩小电感尺寸并支持恒频工作。此外，LT7101还可达到尽可能低的压差，并以较大占空比工作。在轻负载工作期间，可通过选择突发模式、跳脉冲或强制连续工作模式来优化转换器效率和输出纹波。LT7101内置精确的高速平均电流编程和监控功能，无需外部检测电阻。其他特性包括旁路LDO以较大程度地提高效率、固定或可调输出电压和环路补偿以及众多保护特性以增强可靠性。规格参数拓扑结构:Buck输出电压:1 V to 105 V输出电流:1 A输出端数量:1 Output输入电压 - 最小值:4.4 V输入电压 - 最大值:105 V静态电流:2 uA开关频率:200 kHz to 2 MHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C输入电压:4.4 V to 105 V电源电压-最小:4.4 V特性• 宽 VIN 范围：4.4V 至 105V（110V 绝对最大值）• 超低 EMI/EMC 发射：符合 CISPR 25 标准• 将 48VIN 调节到 3.3VOUT 时 IQ 为 2µA• 快速准确的输出电流设置和监控，无需外部 RSENSE• 砖墙式限流值• 最短接通时间低至：35ns• 宽 VOUT 范围：1V 至 VIN• 较大占空比操作• 可编程固定频率：200kHz 至 2MHz应用• 电池充电器和CC/CV电源• 汽车和军用系统• 工业、航空电子和重型设备• 医疗仪器和电信系统引脚图
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2025/1/9 14:11:59
AD737是一款低功耗、精密、单芯片真有效值直流转换器电子元器件。它经过激光调整，采用正弦波输入时最大误差为±0.2 mV ±读数的0.3%。此外，它能以高精度测量广泛的输入波形，包括可变占空比脉冲和三端双向可控硅（相位）控制的正弦波。这款转换器具有低成本和小尺寸特性，因而适合升级许多应用中的非均方根精密整流器性能。与这些电路相比，AD737能以相同或更低的成本提供更高的精度。AD737可以计算交流和直流输入电压的RMS值。增加一个外部电容时，它也可以交流耦合方式工作。这种模式下，即使存在温度或电源电压波动，AD737也能分辨100 μV rms或更低的输入信号电平。对于波峰因数为1至3的输入波形，也同样能保持高精度。此外，在200 mV满量程输入电平，波峰因数可以高达5（测量仅引入2.5%的额外误差）。AD737没有输出缓冲放大器，因而输出端的直流失调误差大大降低，这使它能够与高输入阻抗ADC高度兼容。其电源电流仅160 μA，并针对便携式万用表和其它电池供电应用进行了优化。在掉电模式下，待机电源电流典型值为25 μA。AD737同时提供高阻抗(1012 Ω) 和低抗阻输入。高阻抗FET输入可以直接与高源阻抗输入衰减器连接，低阻抗(8 kΩ)输入可以在±2.5 V的低电源电压下工作，同时接受0.9 V的均方根电压。两个输入可以采用单端或差分配置。AD737实现了1%的读数误差带宽，对于20 mV rms至200 mV rms的输入幅度，误差带宽超过10 kHz，功耗仅为0.72 mW。AD737按性能分为两种等级。AD737J和AD737K的工作温度范围为0°C至70°C商用温度范围。AD737JR-5在±2.5 V直流电源电压下进行过测试。AD737A的工作温度范围为−40°C至+85°C工...
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2025/1/9 14:04:37
AD694是一种单片电流变送器电子元器件，可接受高电平信号输入，以驱动标准4-20mA电流回路，用于控制阀门、执行器和过程控制中常用的其他设备。输入信号由输入放大器缓冲，该放大器可用于缩放输入信号或缓冲电流模式DAC的输出。通过简单的销钉捆扎选择0V至2V和0V至10V的预校准输入跨度；其他跨度可以用外部电阻器编程。输出级的顺应性扩展到Vs的2V以内，其特殊设计允许输出电压在双电源操作中扩展到低于正常值。警报警告4-20mA回路开路或输出级不符合要求。AD694薄膜电阻器的主动激光微调可实现高精度，无需额外的调整和校准。外部传输晶体管可与AD694配合使用，以降低功耗，从而扩大工作温度范围。AD694是需要抗噪声4-20mA信号传输来操作阀门、执行器和其他控制设备的系统以及压力、温度或流量等过程参数传输的理想构建块。它被推荐作为工业过程控制、工厂自动化和系统监控中各种应用中离散设计的替代品。AD694提供密封的16针CERDIP和塑料SOIC，适用于-40℃至+85℃的工业温度范围，以及16针塑料DIP，适用于0℃至+70℃的温度范围。规格参数CMRR - 共模抑制比:80 dBIb - 输入偏流:5 nAVos - 输入偏置电压 :150 uV电源电压-最大:36 V电源电压-最小:4.5 V工作电源电流:1.5 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C高度:2.35 mm (Max)输入类型:BufferIos - 输入偏置电流 :1 nA长度:10.5 mm (Max)最大输入电阻:5 MOhms工作电源电压:4.5 V to 36 V每个通道的输出电流:20 mA特性4-20mA、0-20mA输出范围预校准输入范围：0V至2V，0V至10V精密电压基准可编程为2.000 V或10.000 V单电源或双电源操作宽电源范围：4.5V至36V宽输出合规性输...
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2025/1/9 13:50:42
这款放大器具有超低失调、漂移和偏置电流特性。AD8628为宽带宽、自稳零放大器电子元器件，具有轨到轨输入和输出摆幅以及低噪声特性，采用2.7 V至5 V单电源供电。AD8628可提供以前只有昂贵的自稳零或斩波稳定放大器才具有的特性优势。这些零漂移放大器采用ADI公司的电路拓扑结构，将低成本与高精度、低噪声特性融于一体，且无需外部电容。AD8628的失调电压仅为1 µV，失调电压漂移小于0.005 μV/°C，噪声仅为0.5 µV p-p（0 Hz至10 Hz），因而适合不容许存在误差源的应用。这些器件在工作温度范围内的漂移接近零，对位置和压力传感器、医疗设备以及应变计放大器应用极为有利。许多系统都可以利用AD8628提供的轨到轨输入和输出摆幅能力，以降低输入偏置复杂度，并使信噪比达到较大。AD8628的额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。AD8628提供5引脚小型TSOT、5引脚SOT-23和8引脚窄体SOIC三种塑料封装。规格参数通道数量:1 ChannelGBP-增益带宽产品:2.5 MHzSR - 转换速率 :1 V/usVos - 输入偏置电压 :1 uVIb - 输入偏流:100 pA电源电压-最大:5 V, 2.5 V电源电压-最小:2.7 V, 1.35 V工作电源电流:1 mA每个通道的输出电流:30 mACMRR - 共模抑制比:140 dBen - 输入电压噪声密度:22 nV/sqrt Hz封装 / 箱体:SOT-23-5安装风格:SMD/SMT特性• 最低噪声自稳零放大器• 低失调电压： 1 μV• 输入失调漂移： 0.002 μV/°C• 轨到轨输入和输出摆幅• 5 V单电源供电• 高增益、高共模抑制比(CMRR)和高电源抑制比(PSRR)：130 dB应用汽车传感器压...
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2025/1/9 13:38:32
HFCN-1080+LTCC高通滤波器由12层构成，以实现微型尺寸和高重复性能。环绕式端子可最大限度地减少寄生效应引起的性能变化。这些电子元器件覆盖1140-4240MHz，具有低插入损耗和良好的抑制性能。规格参数频率:1.14GHzto4.24GHz带宽:3100MHz阻抗:50Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:-55C最大工作温度:+100C封装:Reel封装:CutTape封装:MouseReel特性成本低尺寸小7节温度稳定出色的功率处理能力，7W密封应用次谐波抑制发射器/接收器实验室使用尺寸图
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2025/1/9 13:18:16
新型高通滤波器HFCN-9700+是一种基于LTCC的滤波器电子元器件，它将现有HFCN系列的上限频率截止范围扩展到9.7 GHz。以前依赖大型分布式滤波器元件来支持这些较低频率的系统可以通过将HFCN-9700+集成到新设计中来节省空间和系统复杂性。这些滤波器以EIA 1206封装尺寸提供，典型的阻带抑制为32dB。规格参数频率:13.34 GHz带宽:7280 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT商标:Mini-Circuits介入损耗:27 dB特性小尺寸（0.12 x 0.06 x.04英寸）温度稳定出色的功率处理能力，7W密封成本低应用电子战激励器和接收机次谐波抑制发射器/接收器实验室使用尺寸图
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2025/1/9 11:56:53
GVA-81+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器电子元器件。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。规格参数工作频率:0 Hz to 6 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:103 mA增益:8.1 dBNF—噪声系数:8.3 dBP1dB - 压缩点:17.7 dBmOIP3 - 三阶截点:31.1 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:18.5 dB隔离分贝:20.8 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:855 mW特性增益，典型值为10dB。高磅，P1dB，典型值19.5 dBm。高IP3，典型值41 dBm。1 GHz坚固耐用的设计固定5V操作无条件稳定出色的ESD保护应用基站基础设施便携式无线有线电视和DBSMMDS和无线局域网LTE适用于低相位噪声应用尺寸图
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2025/1/9 11:53:31
随着各品牌厂家对知识产权（IP）和设备的附件配件的保护管理意识越来越高，安芯半导体推出基于SHA-3第三代安全散列算法(Secure Hash Algorithm 3)的新一代低成本高性能防复制加密芯片RJGT28E16。产品介绍RJGT28E16集成符合FIPS 202标准的SHA-3安全哈希算法引擎，支持符合FIPS 202标准的密钥哈希消息认证码（HMAC），集成256位安全EEPROM、递减计数器和唯一的64位ROM识别码(ROM ID)。系统框图详细介绍EEPROM的每页有读写保护配置，对于参与认证运算页的数据可配置为禁止外部读写，保证数据不被异常更改或被盗取。主密钥页任何时候都不能读出，可配置写入保护。递减计数器页写入初始之后，不可再次外部更改，只能递减。ROM ID可作为产品的电子序列号。在多器件1-Wire网络中，其ROM ID作为网络中的节点地址。RJGT28E16通过单触点1-Wire总线通信，极大简化了处理器与加密器件的连线或触点，采用CRC-16检验通信的正确性。RJGT28E16适配宽工作电压范围，2.4V-5.0V；工作温度范围：-40°C -+85°C。典型应用电路RJGT28E16参数如下产品应用免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/9 11:48:27
RCAT-05+（符合RoHS标准）是一种宽带固定衰减器电子元器件，具有出色的衰减精度和平坦度。它可以处理高达2W。由薄膜电阻器组成的集成电路被接合在优化的多层集成LTCC基板中，然后在受控的氮气气氛下用镀金盖和共晶AuSn焊料密封。这些衰减器能够满足MIL对总泄漏、精细泄漏、热冲击、振动、加速度、机械冲击和HTOL的要求。规格参数衰减:5 dB最大频率:2 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel最大工作温度:+ 125 C最小工作温度:- 55 C功率额定值:2 W典型衰减:5 dB特性•固定值吸收装置•宽带，DC-20 GHz•出色的衰减精度和平整度•微型尺寸2.25毫米x2.25毫米x1.1毫米•陶瓷、密封、充氮•可水洗典型应用•蜂窝•个人电脑•通信•雷达•宽带军事•测试和测量设备尺寸图
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2025/1/8 17:17:40
RMS-1MH+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器电子元器件，其工作频率最小2MHz，最大500MHz，最大8dB转换损耗，6.35 X 7.87 MM，5.08 MM高度，符合ROHS标准，外壳TT240，6针。规格参数射频:2 MHz to 500 MHz转换损失——最大:8 dBLO频率:2 MHz to 500 MHz中频:0 Hz to 500 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 5.08 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:26 dBm特性•出色的L-R隔离，典型值为44 dB。•转换损耗，典型值5.65 dB。•尺寸小，0.25英寸x0.31英寸x0.2英寸应用•高频和甚高频通信•下变频器的中频尺寸图
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2025/1/8 17:02:41
ADC-6-1R+是Mini-Circuits的一款定向耦合器电子元器件，其工作频率最小5MHz，最大200MHz，最大2.1dB插入损耗，符合ROHS标准，外壳CD542，6针。规格参数频率:5 MHz to 200 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:1.7 dB特性•宽带，5至200 MHz•主线损耗低，典型值为1.7 dB。•出色的联轴器平面度，典型值为±0.1。•可水洗应用•通信•有线电视尺寸图
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2025/1/8 16:50:00
LRPS-2-11J+是Mini-Circuits的一款合路器电子元器件，其工作频率最小20MHz，最大2000MHz，最大1.5dB插入损耗，符合ROHS标准，外壳QQQ569，6针。规格参数频率:20 MHz to 2 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:9.91 mm x 7.87 mm x 5.72 mm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:0.8 dB特性•非常宽带，20至2000 MHz•低插入损耗，典型值为0.7 dB。•良好的隔离，典型值为21dB。•可水洗•J引线用于消除应力和出色的可焊性应用•全球定位系统•通信系统•蜂窝尺寸图
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2025/1/8 16:43:57
PE44820是一款HaRP™技术增强型8位数字移相器（DPS）电子元器件，专为相控阵和有源天线应用而设计。该DPS以1.4°的步长覆盖358.6°的相位范围，在1.7-2.2 GHz的标称频带内保持出色的相位和振幅精度。如应用说明45所述，PE44820还能够在1.1-3.0 GHz的窄带应用中扩展频率操作。集成数字控制接口支持相位设置的串行和并行编程。PE44820还具有外部负电源选项，可实现更快的开关频率，并采用32引脚5×5×0.85 mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数封装 / 箱体:QFN-32安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel特性•358.6°、180°、90°、45°、22.5°、11.2°、5.6°、2.8°和1.4°位的8位全范围移相器•低RMS相位和幅度误差•+60 dBm IIP3的高线性度•1.1–3.0 GHz的扩展窄带频率操作•+105°C工作温度•封装：32芯5×5×0.85毫米QFN应用•基站收发器•气象和军用雷达•有源天线阵列引脚图
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2025/1/8 16:33:34
ADRF5721是一款硅、4位数字衰减器电子元器件，以2 dB步长提供30 dB的衰减控制范围。该器件的工作频率范围为9 kHz至40 GHz，提供优于3.4 dB的插入损耗。在所有状态下，ADRF5721的ATTIN端口具有26 dBm（平均值）和30 dBm（峰值）的射频(RF)输入功率处理能力。ADRF5721需要+3.3 V和−3.3 V双电源电压供电。该器件具有串行外设接口(SPI)、并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。ADRF5721与ADRF5731（快速切换版本）引脚兼容，工作频率范围为100 MHz至40 GHz。ADRF5721 RF端口设计用于匹配50 Ω的特征阻抗。ADRF5721采用符合RoHS标准的16引脚、2.5 mm × 2.5 mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。规格参数衰减:30 dB最大频率:40 GHz位数:4 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:2 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C工作电源电压:3.3 V特性• 超宽带频率范围：9 kHz至40 GHz• 衰减范围：2 dB步进至30 dB• 低插入损耗• 1.6 dB 至 18 GHz• 2.0 dB 至 26 GHz• 3.4 dB 至 40 GHz• 衰减精度• ±(0.1 + 1.0%) 的衰减状态，最高18 GHz• ±(0.1 + 2.5%)的衰减状态，最高26 GHz• ±(0.6 + 10.0%)的衰减状态，最高40 GHz• 典型步进误差• ±0.15 dB 至 18 GHz• ±0.20 dB 至 26 GHz• ±0.6...
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2025/1/8 16:25:06
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或 TVS 元件。TPSMB 非对称 TVS 二极管系列为 SiC MOSFET 栅极驱动器提供卓越的保护，与传统硅基 MOSFET 或 IGBT 相比，SiC MOSFET 栅极驱动器的开关速度更快，因此容易发生过压故障。TPSMB 系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在使用 SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能，这些应用包括：车载充电器 (OBC)电动汽车牵引逆变器输入/输出接口Vcc 总线这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护(OVP)，以确保最佳性能、寿命和效率。Littelfuse 保护业务产品管理总监 Charlie Cai 在强调该产品为汽车工程师带来的价值时表示：“TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新解决方案，无需使用多种元件，简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键汽车电源系统免受过压故障的影响，为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。”TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极管具有以下主要特性和优点：单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护：取代多个齐纳或TVS二极管，简化设计并减少元件数量；非对称栅极驱动器电压保护：专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要...
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2025/1/8 16:20:36
TC4-1W+是Mini-Circuits的一款射频变压器，其工作频率最小3MHz，最大800MHz，1:2，符合ROHS标准。规格参数频率范围:3 MHz to 800 MHz初级线圈阻抗:50 Ohms次级线圈阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C长度:3.81 mm宽度:3.81 mm高度:4.06 mm最大直流电流:30 mA功率额定值:250 mW点击购买：TC4-1W+特性宽带，3-800MHz良好的退货损失带引线的塑料底座可水洗应用阻抗匹配推挽式放大器尺寸图
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2025/1/3 11:37:57
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或 TVS 元件。TPSMB 非对称 TVS 二极管系列为 SiC MOSFET 栅极驱动器提供卓越的保护，与传统硅基 MOSFET 或 IGBT 相比，SiC MOSFET 栅极驱动器的开关速度更快，因此容易发生过压故障。TPSMB 系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在使用 SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能，这些应用包括：车载充电器 (OBC)电动汽车牵引逆变器输入/输出接口Vcc 总线这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护(OVP)，以确保最佳性能、寿命和效率。Littelfuse 保护业务产品管理总监 Charlie Cai 在强调该产品为汽车工程师带来的价值时表示：“TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新解决方案，无需使用多种元件，简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键汽车电源系统免受过压故障的影响，为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。”TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极管具有以下主要特性和优点：单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护：取代多个齐纳或TVS二极管，简化设计并减少元件数量；非对称栅极驱动器电压保护：专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要...
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2025/1/3 11:21:35
MASW-007107是一款采用无铅2毫米8引脚PDFN封装的宽带GaAs pHEMT MMIC SPDT开关。典型的应用是WLAN IEEE 802.11a+b/g和MIMO。其他应用包括需要超快开关速度的测试设备。该SPDT开关专为低插入损耗而设计，可保持高达8.0 GHz的低损耗。MASW-007107是使用0.5微米栅极长度的GaAs pHEMT工艺制造的。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。规格参数开关配置:SPDT最小频率:0 Hz最大频率:8 GHz介入损耗:0.75 dB关闭隔离—典型值:20 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PDFN-8技术:GaAs空闲时间—最大值:35 ns运行时间—最大值:35 ns工作电源电流:1 uA电源电压-最大:8.5 V单位重量:47 mg特性802.11a+b/g和MIMO应用测试和测量以及高达8.0 GHz的低/中功率电信应用宽带性能：DC-8.0 GHz低插入损耗：2.0-6.0 GHz范围内为0.5 dB高隔离度：2.0-6.0 GHz范围内为30 dB快速沉降以满足低闸门滞后要求无铅2毫米8导联PDFN封装铜上100%亚光镀锡无卤素“绿色”模塑料符合RoHS标准*和260°C回流兼容功能图
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2025/1/2 15:05:38