Mini-Circuits新型定向耦合器DCW-9-432+提供了的工作带宽和尺寸组合。低插入损耗使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。采用JC0603C封装尺寸，提供的尺寸、带宽和频率组合。占地面积小，可以降低系统中的寄生效应，提高性能并简化布局。DCW-9-432+的LTCC结构能够工作高达2W，使这种定向耦合器成为一种坚固耐用的产品，可以在发射或接收路径中有效使用。外形图及尺寸电气原理图特征•微型尺寸0603•成本低•可水洗应用•ISM频段•蜂窝•蓝牙•Zigbee
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2024/8/29 16:29:21
Mini-Circuits D17W+是一款MMIC定向耦合器，专为700至3500 MHz的应用而设计。该型号在微型设备封装（3.1 x 3.0 x 1.6 mm）中提供了高达4W的出色功率处理。隔离端口上的内置50Ω端子简化了电路设计并减少了组件数量。该型号采用硅IPD技术制造，具有高水平的ESD保护和出色的可靠性。外形图及尺寸电气原理图特征•出色的驻波比，典型值1.25:1。输入/输出•微型薄型封装•可水洗应用•无线局域网•WMAX•航空点击购买：D17W+
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2024/8/29 16:20:03
YAT-15A+（符合RoHS标准）是一种固定值、吸收性MMIC衰减器，采用高度重复的IPD工艺技术制造，在GaAs基板上使用薄膜电阻器。该设计结合了晶片金属化通孔，以实现低热阻和宽带操作，在其整个工作带宽内具有出色的衰减精度和平坦度。YAT-A系列衰减器的标称衰减值为0至10 dB（以1 dB为步长）、12、15、20和30 dB。它采用2 x 2 mm的MCLPTM封装，非常适合拥挤的电路板布局中的狭小空间。也有模具形式。引脚图特性测试电路特征卓越的电源处理宽带，直流-18 GHz微型封装MCLP™2 x 2 mm出色的衰减精度和平整度应用蜂窝网络PCS通讯雷达防御点击购买：YAT-15A+
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2024/8/29 16:11:50
QAT-1+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该模型的工作范围为直流至50 GHz。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达2W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。引脚图特性测试电路特征小包装，2x2 MCLP™超宽带，DC-50 GHz出色的驻波比，典型值为1.35:1。频率为25 GHz高功率处理，2W应用5G测试和测量雷达通讯防御卫星点击购买：QAT-1+
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2024/8/29 16:06:44
KAT-30+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达1W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。引脚图特性测试电路特征超宽带，DC-43.5 GHz高功率处理，1W小包装，2x2 MCLP™出色的驻波比，典型值1.13:1应用5G测试和测量雷达通信点击购买：KAT-30+
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2024/8/29 15:59:51
KAT-1+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达2W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。引脚图特性测试电路特征超宽带，DC-43.5 GHz高功率处理，2W小包装，2x2 MCLP™出色的驻波比，典型值为1.18:1。应用5G测试和测量雷达通信点击购买：KAT-1+
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2024/8/29 15:57:39
KAT-0+是一种采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造的吸收式固定衰减器。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达2W的输入功率，这使其成为广泛应用的理想选择。引脚图特性测试电路特征超带宽，直流至43.5 GHz高功率处理，2W小尺寸，2毫米x 2毫米出色的驻波比，典型值为1.3:1应用5G测试和测量雷达通信点击购买：KAT-0+
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2024/8/29 15:40:07
Mini-Circuits的HAT-A系列是直流至2000MHz频率范围内的固定衰减器，具有出色的衰减平坦度。HAT-A系列的标称衰减范围为1至30 dB。该衰减器系列支持测试和测量应用。精确的性能、出色的VSWR和坚固的一体式结构使该型号成为需要在非常宽的频率范围内进行精确衰减的系统的理想解决方案。产品外形图及尺寸功能图特征宽带覆盖，DC至2000 MHz额定功率高达2瓦坚固的一体式结构出色的驻波比极佳的平整度应用信号电平调整阻抗匹配典型性能数据
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2024/8/29 15:18:14
Mini-Circuits的BW-20N250W+是一款20 dB同轴精密固定单向衰减器，在直流至8 GHz频率范围内提供高达250W的高功率处理。该模型支持许多需要在宽频率范围内精确衰减的高功率应用，包括高功率测量、仪器仪表等。它提供了出色的VSWR（典型值1.14）、出色的衰减平坦度（±0.6 dB）和-55至125˚C的出色热稳定性。它具有坚固的结构，带有N公到N母连接器和散热片，可实现高效冷却。产品外形图及尺寸功能图特征宽带操作，直流至8000 MHz高功率处理，250W出色的驻波比，1.14型。出色的平坦度，典型值为±0.6 dB。单向额定功率应用测试和测量设备LTE和5G MIMO基础设施卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2024/8/29 15:13:08
Mini-Circuits的BW-20N100W+是一款20dB同轴精密固定衰减器，在直流至6GHz频率范围内提供高达100W的高功率处理。该模型支持许多需要在宽频率范围内精确衰减的高功率应用，包括高功率测量匹配、仪器仪表等。它提供了良好的VSWR（1.25典型值）、出色的衰减平坦度（±0.65dB）和-55至100˚C的出色热稳定性。它具有坚固的结构，带有N公到N母连接器和散热片，可实现高效冷却。产品外形图及尺寸典型性能数据特征•宽带，直流至6000MHz•出色的驻波比，1.25:1•N-母头和N-母头连接器应用•匹配•仪器仪表•测试设置点击购买：BW-20N100W+
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2024/8/29 14:57:34
圣邦微电子推出 SGM61060Q，一款 2.9V 至 6V 输入，6A，车规级同步降压转换器。该器件可应用于汽车数字仪表、ADAS 传感器融合、环视电控单元、数字座舱等。SGM61060Q 是一款高效的 6A 同步降压转换器，集成了功率 MOSFET，支持2.9V 至 6V 宽输入范围。该芯片采用固定频率的峰值电流模式控制，针对高密度应用进行了优化，使用极少量外部元件。可通过选择高达 2MHz 的开关频率，使用更小的电感值和电容值来减小外围器件尺寸。通过使能输入（EN）和电源良好输出指示（PG)，方便进行两个或多个电源的时序控制。SGM61060Q 集成丰富的保护功能，包括高侧（HS）和低侧（LS）开关管的逐周期限流，以实现过载保护和电流失控。低侧开关还具有反向限流，防止过大的反向电流损坏器件。热保护可以避免器件因过温损坏，结温高于关断阈值时器件将停止工作，当结温下降到开启阈值后自动重启。SGM61060Q 符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用，采用符合环保理念的 TQFN-3×3-16EL 绿色封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/8/29 14:51:12
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE性能系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器（闪存高达512 KB，SRAM高达64 KB），以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。所有设备都提供三个12位ADC、四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、一个SDIO、五个USART、一个USB和一个CAN。STM32F103xC/D/E高密度性能系列在-40至+105°C的温度范围内运行，电源电压为2.0至3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。特性•核心：ARM®32位Cortex®-M3 CPU•最大频率为72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）•单周期乘法和硬件除法•回忆•256至512 KB闪存•高达64KB的SRAM•灵活的静态存储控制器，带4芯片选择。支持紧凑型闪存、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器•LCD并行接口，8080/6800模式•时钟、复位和电源管理•2.0至3.6 V的应用电源和I/O•POR、PDR和可编程电压检测器（PVD）•4至16 MHz晶体振荡器•内部8 MHz工厂修整RC•内部40 kHz RC，带校准功能•用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能•低功耗•睡眠、停止和待机模式•RTC和备份寄存器的VBAT电源•3×12位，1μs A/D转换器（最多21个通道）•转换范围：0至3.6 V•三重采样和保持能力•温度传感器•2×12位D/A转换器•DMA:12通道DMA控制器•支持的外设：定时器、ADC、DAC、SDIO、I2S、...
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2024/8/28 17:47:51
STM32F030系列意法半导体微控制器主要包含这些型号STM32F030x4/x6/x8/xC。STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器内置高性能Arm® Cortex®-M0 32位RISC内核（工作频率为48 MHz）、高速嵌入式存储器（高达256 KB Flash存储器和32 KB SRAM），以及广泛的增强外设和I/O端口。所有器件均配有标准的通信接口（多达两个I2C、两个SPI和六个USART）、一个12位ADC、七个通用16位定时器以及一个高级控制PWM定时器。STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器的工作温度范围为-40至+85 °C，电源电压范围为2.4至3.6 V。这些器件均提供全面的节能模式，支持用户实现低功耗应用设计。STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包含了采用四种不同封装规格（20引脚至64引脚）的器件。选择的器件不同，所包含的外设组合也不同。下面的描述概述了可以提供的全套STM32F030x4/x6/x8/xC外设。特性• 内核：Arm® 32位Cortex®-M0 CPU，频率高达48 MHz• 存储器•16至256 KB Flash存储器•4至32 KB SRAM，采用硬件奇偶校验• CRC计算单元• 复位和电源管理•数字和I/O供电电压：VDD = 2.4 V至3.6 V•模拟供电电压：VDDA = VDD至3.6 V•开机/关机复位 (POR/PDR)•低功耗模式：睡眠、停止和待机• 时钟管理•4至32 MHz晶振•带校准功能的32 kHz RTC振荡器•具有x6 PLL选项的内部8 MHz RC•内部40 kHz RC振荡器• 高速I/O端口多达55个•所有端口均可映射到外部中断向量•I/O端口多达55个，耐受5 V电压• 5通道DMA控制器• 一个12位、...
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2024/8/28 17:40:09
LM358DR是意法半导体的一款双运算放大器型号，这些电路由两个独立的高增益内部频率补偿运算放大器组成，专门设计用于在宽电压范围内从单个电源运行。低功率电源漏极与电源电压的大小无关。应用领域包括换能器放大器、直流增益块和所有传统运算放大器电路，现在可以更容易地在单个电源系统中实现。例如，这些电路可以直接用逻辑系统中使用的标准+5 V供电，无需额外电源即可轻松提供所需的接口电子设备。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，即使仅从单个电源电压操作，输出电压也可以摆动到地。特性•内部频率补偿•大直流电压增益：100 dB•宽带（单位增益）：1.1 MHz（温度补偿）•每个操作员的电源电流非常低，基本上与电源电压无关•低输入偏置电流：20 nA（温度补偿）•低输入偏移电压：2 mV•低输入偏移电流：2nA•输入共模电压范围包括负轨•差分输入电压范围等于电源电压•输出电压摆动幅度大，0 V至（VCC+-1.5 V）
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2024/8/28 17:32:19
AD7606B是亚德诺一款16位同步采样模拟-数字数据采集系统(DAS)，具有8个通道，每个通道包含模拟输入钳位保护、可编程增益放大器(PGA)、低通滤波器、16位逐次逼近寄存器(SAR)和模数转换器(ADC)。AD7606B还包含灵活的数字滤波器、低漂移、2.5V精密基准电压源和基准电压缓冲器，用于驱动ADC以及灵活的并行和串行接口。AD7606B采用5V单电源供电，在所有通道以800kSPS的吞吐量采样时，可提供±10V、±5V和±2.5V的真正双极输入范围。输入钳位保护可承受高达±21V的电压。AD7606B具有5MΩ模拟输入阻抗，当输入信号断开并通过10kΩ外部电阻器接地时，导致小于20LSB的双极零代码。由于采用单电源供电、片内滤波和高输入阻抗，因此无需外部驱动运算放大器（这些放大器需要双极性电源）。对于吞吐率较低的应用，AD7606B灵活数字滤波器可用于提高噪声性能。在硬件模式下，AD7606B与AD7606完全兼容。特性•16位、800kSPSADC（所有通道）•具有5MΩ模拟输入阻抗的输入缓冲器•与AD7606引脚兼容•工作温度范围：−40°C至+125°C•5V单模拟电源，VDRIVE电源电压：1.71V至3.6V•具有8kVESD的±21V输入箝位保护在软件模式下，可以使用以下高级功能：附加的±2.5V模拟输入范围。每通道可选模拟输入范围（±10V、±5V和±2.5V）。附加的过采样(OS)选项，高达OS×256。每通道系统相位、系统失调和系统增益校准。模拟输入开路检测器。诊断多路复用器。监测功能（串行外设接口(SPI)无效读/写、循环冗余校验(CRC)、过压和欠压事件、持续忙碌监视器和复位检测）。请注意，在整个数据手册中，多功能引脚（...
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2024/8/28 17:23:35
意法半导体STM32F103xx中等容量高性能系列，集成了工作频率为72 MHz的高性能Arm® Cortex®-M3 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达128KB的Flash存储器和20KB的SRAM存储器)，以及大量连接至2条APB总线的增强型I/O与外设。所有器件均提供2个12位ADC、3个16位通用定时器、2个PWM定时器以及标准和高级通信接口：多达2个I2C和SPI、3个USART、1个USB和1个CAN。器件的工作电压为2.0 V到3.6 V。工作温度范围为-40到+85 °C，可扩展至-40到+105 °C。这些器件均提供一组全面的节能模式，支持用户实现低功耗应用设计。STM32F103xx中等容量高性能系列产品，具有36引脚至100引脚等6种不同的封装类型。根据所选器件的不同，其中的外设配置也有所不同。具备的特性• Arm®32位Cortex®-M3 CPU内核•最大频率72 MHz，以零等待周期访问存储器时的性能达1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)•单周期乘法和硬件除法指令• 存储器•64到128 KB Flash•20 KB SRAM• 时钟、复位和电源管理•2.0 V到3.6 V应用电源和I/O•上电复位 (POR)、掉电复位 (PDR) 和可编程电压检测器 (PVD)•4至16 MHz晶振•内置经工厂调校的8 MHz RC振荡器•内置40 kHz RC振荡器•用于CPU时钟的PLL•带校准功能的32 kHz RTC振荡器• 低功耗•睡眠、停止和待机模式•RTC和备份寄存器的VBAT模式供电• 2个12位1 μs A/D转换器（多达16个通道）•转换范围：0 V到3.6 V•双采样和保持功能•温度传感器• DMA•7通道DMA控制器•支持的外设包括：定时器、A...
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2024/8/28 17:17:20
TDK株式会社新近推出新近推出了爱普科斯 (EPCOS) ERU27M系列SMD大电流扁平线电感器。该系列元件采用绝缘处理过的金属磁粉芯和扁平线螺旋绕组设计，磁芯材料具有更好的饱和特性，以满足汽车和工业应用中越来越多的高功率密度需求及大电流需求。ERU27M系列采用表面贴装设计，额定电流范围为36A至48A，电感范围为2.3µH至8.5µH，直流电阻0.68mΩ至1.66mΩ，得益于扁平线绕组工艺，ERU27M系列在实现紧凑设计（占板面积27.1 x 25.55 mm，高度14.1 mm 至 16.4 mm）的同时，实现了更宽的工作温度范围（-40°C至+150°C）。ERU27M系列共有四个型号，符合AEC-Q200标准，凭借更好的磁屏蔽特性、更坚固耐用的结构以及增设的第三个物理支撑引脚，可广泛适用于汽车DC-DC、VRM模块、POL转换器以及太阳能逆变器等应用。TDK可以配合客户的需求，基于现有产品平台向客户提供更加节省空间和具有成本优势的定制化解决方案，也可以根据客户的实际需求提供完全定制化的元器件设计方案。主要应用储能扼流圈，适用于：开关电源转换差模干扰的抑制有源功率因数校正主要特点和优势大额定电流：高达48 A超低直流电阻：低至0.68 mΩ超低高度和小尺寸绝缘处理过的金属磁粉芯良好的磁屏蔽特性增设的第三个物理支撑引脚，可靠性更佳表面贴装符合AEC-Q200标准免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/8/28 17:09:06
LT3009EDC#TRMPBF是微功率、低压差电压(LDO)线性稳压器,采用6引脚DFN和8引脚SC70封装。这些器件可提供20mA输出电流和一个280mV的压差电压。无负载静态电流为3μA。当负载增加时，接地引脚电流保持在低于5%输出电流的水平上。在停机模式中，静态电流LT3009稳压器利用低ESR陶瓷电容器(所需的最小电容值仅为1μF)来优化稳定性和瞬态响应。这些稳压器不像其他稳压器所常见的那样需要额外的ESR。内部保护电路包括电流限制、热限制、反向电池保护和反向电流保护。对于那些需要中等输出驱动能力以及超低待机功耗的应用而言，LT3009系列是理想的选择。该器件可提供1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5V固定输出电压，而且也可以用作一款具一个低至600mV基准的输出电压范围的可调型器件。具备的特性•超低静态电流：3μA•输入电压范围：1.6V至20V•输出电流：20mA•压差电压：280mV•可调输出(VADJ=VOUT(MIN)=600mV)•固定输出电压：1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V•输出容差：±2%(在整个负载、输入电压和温度范围内)•可在采用低ESR、陶瓷输出电容器(最小值为1μF)时稳定•停机电流：•电流限制保护•反向电池保护•热限制保护•8引脚SC70和2mmx2mmDFN封装常见应用低电流电池供电系统保持电源畅通远程监控（公用事业仪表）（酒店门锁）LT3009典型应用LT3009引脚配置
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2024/8/27 16:21:33