Mini-Circuits的BLK-K44+是一款同轴直流模块，支持10至40GHz的广泛应用，包括5G系统、Ka波段卫星通信、测试和测量等。该型号具有低插入损耗、出色的回波损耗、高达2瓦的射频输入处理能力和高达200V的直流电压处理能力。该装置一端为2.92mm母连接器，另一端为2.92mm公连接器，安装在坚固的不锈钢机身中，直径仅为0.36英寸，长度为0.87英寸。特征•宽带•插入损耗低，典型值为0.43 dB。•坚固的不锈钢主体和联接螺母应用•测试和测量仪器•通信系统•防御系统电气规格图外观尺寸图点击购买：BLK-K44+
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2024/10/23 16:17:51
经济实惠与高性能、高效率相结合，是电动汽车走向更广阔市场的关键所在。英飞凌科技股份公司宣布推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立了新的电源模块标准。HybridPACK™ Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌硅（Si）和碳化硅（SiC）技术的即插即用电源模块。这一解决方案在性能和成本效益之间实现了理想的平衡，为逆变器的优化提供了更多选择。功率模块中硅和碳化硅的主要区别之一是碳化硅具有更高的热导率、击穿电压和开关速度，因此效率更高，但成本也高于硅基功率模块。采用新模块后，每辆车的碳化硅含量可以降低，同时以更低的系统成本保持车辆性能和效率。例如，系统供应商仅需使用30%的碳化硅和70%的硅面积，就能实现接近全碳化硅解决方案的系统效率。英飞凌科技汽车电子事业部高级副总裁兼高压产品线总经理Negar Soufi-Amlashi表示："我们的新型HybridPACK™ Drive G2 Fusion模块展现了英飞凌在汽车半导体行业的创新领导地位。为满足对电动汽车续航里程的更大需求，这项技术突破巧妙地将碳化硅和硅结合在一起。与纯碳化硅模块相比，它集成在一个完善的模块封装基板中，在不增加汽车系统供应商和汽车制造商的系统复杂性的前提下，提供了更高的性价比。”HybridPACK™ Drive G2 Fusion扩展了英飞凌的HybridPACK™ Drive功率模块产品组合，能够快速、轻松地集成到汽车组件或模块中，无需进行复杂的调整或配置。HybridPACK™ Drive G2 Fusion模块在750 V级电压下的功率可达220 kW。在-40 °C至+175 °C的整个温度范围内，该模块可确保高可靠性和更佳的导热性。英飞凌 CoolSiC™技术的独特性能及其硅IGBT EDT3技术具有极快的导...
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2024/10/23 16:11:19
随着工业 4.0、人工智能（AI）、数字化制造和物联网时代的到来，商业和工业应用对无线连接的需求正以惊人速度增长。这些应用通常需要可靠的连接，能够承受高温、背景噪声和障碍物等极端环境。为了满足这一需求，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出20款Wi-Fi®产品。Microchip通过提供高性能 Wi-Fi 单片机（MCU）、网络和链路控制器以及即插即用模块，旨在简化开发过程并加快产品上市，进一步扩展了业界最广泛的无线连接产品线。Microchip的Wi-Fi解决方案旨在支持各种应用需求和各类开发水平。可供选择的产品包括在多个国家获得监管认证、无需射频（RF）专业知识和少量编程的模块，以及具有工业级功能的强大片上系统（SoC）。Microchip的Wi-Fi 系列包括 ：•Wi-Fi MCU：一体化解决方案，将MCU功能与可靠的无线连接相结合•链路控制器：通过SDIO接口可在Linux® MPU中增加Wi-Fi功能•网络控制器：通过SPI接口可为MCU添加无线连接功能•即插即用模块：通过UART接口从MCU发送简单的文本命令，简化无线到云的连接Microchip负责无线解决方案业务部的副总裁Rishi Vasuki表示：“数十年来，Microchip一直是业内备受尊敬的MCU供应商，我们基于历史传承和全面的支持生态系统，打造了当今业界无与伦比的Wi-Fi产品和服务组合。丰富的经验使我们能够为开发人员提供无线解决方案，支持在恶劣条件下运行的精密传感和电机控制等先进应用。”最新的PIC32MZ-W1 Wi-Fi MCU 以Microchip值得信赖的32位 MCU产品线为基础，具有模拟外设（包括CAN、以太网、电容式触摸和ADC），可提供卓越的多功能性。此外，新器件还具有市场上最高的通用输入/输出（GPIO）功能。新产品还包括...
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2024/10/23 16:07:39
SBL-1+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器电子元器件，其工作频率最小1MHz，最大500MHz，最大8dB转换损耗，符合ROHS标准，案例A06，8针。特性•出色的转换损耗，典型值为5.6 dB。•高L-R隔离，典型值为45 dB。L-I隔离，典型值为40 dB。•坚固的焊接结构应用•VHF•国防和通信电气原理图外观尺寸图点击购买：SBL-1+
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2024/10/22 13:58:23
SIM-U742MH+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器芯片，其工作频率最小0.1MHz，最大7400MHz，最大9.8dB转换损耗，符合ROHS标准，陶瓷，外壳HV1195，8针。特征•上变频器混频器•转换损耗低，典型值为8.0 dB。•高IP3，典型值为20 dBm。•陶瓷，微小尺寸•可水洗应用•仪器仪表•宽带接收机电气原理图外观尺寸图点击购买：SIM-U742MH+
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2024/10/22 13:50:18
SYPS-2-1+是Mini-Circuits的一款合路器，其工作频率最小2MHz，最大500MHz，最大1dB插入损耗，符合ROHS标准，外壳TTT167，6针。特征•宽带，2至500 MHz•低插入损耗，典型值为0.3 dB。•高隔离，典型值为32 dB。应用•VHF/UHF•通信系统•接收器和发射器•仪器仪表电气原理图外观尺寸图点击购买：SYPS-2-1+
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2024/10/22 13:44:20
DAT-31A+系列50Ω数字步进衰减器以1.0 dB的步长提供0至31 dB的可调衰减。该控制是一个5位串行/并行接口，衰减器在单正或双（正和负）电源电压下工作。DAT-31A+系列型号采用独特的硅基CMOS工艺生产，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。产品特点•对闭锁免疫•精度极高，典型值为0.1 dB•串行控制接口•低插入损耗•高IP3，+52 dBm典型值•直流功耗极低•出色的回波损耗，典型值为20 dB•小尺寸4.0 x 4.0毫米典型应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网•无线本地环路•UNII和Hiper局域网•功率放大器失真消除回路引脚配置（俯视图）
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2024/10/22 13:39:14
BFCN-2500+LTCC带通滤波器覆盖2100至2900 MHz的通带，通带插入损耗为2 dB，阻带上下抑制为20 dB。该型号可处理高达2.5W的射频输入功率，并提供-55至+100°C的宽工作温度范围。利用LTCC多层结构，该滤波器实现了出色的性能可重复性，并采用带有环绕式端子的微小1206陶瓷封装，最大限度地减少了寄生效应引起的性能变化，并在密集的PCB布局中节省了空间。特性•电压驻波比良好，典型值为1.8:1。@通带•尺寸小（0.126 x.063 x.037）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•发射器/接收器功能示意图外观尺寸图点击购买：BFCN-2500+
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2024/10/22 13:37:18
DBTC-9-4L+是Mini-Circuits的一款定向耦合器芯片，其工作频率最小5MHz，最大1000MHz，并且具备最大2dB插入损耗，符合ROHS标准，微米级，外壳AT1030，5针。特征•非常扁平的联轴器•超宽带，多倍频程•温度稳定，LTCC基座•全焊接结构•连接引线以提高可焊性•微型耦合器•可水洗应用•VHF/UHF接收器/发射器•蜂窝电气原理图外观尺寸图点击购买：DBTC-9-4L+
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2024/10/22 13:27:42
BDCA1-10-40+是Mini-Circuits的一款双向耦合器芯片，其工作频率最小1600MHz，最大4000MHz，最大1.4dB插入损耗，符合ROHS标准，HERMETIC密封，外壳DZ944，10针。特征•四端口•宽带，1600至4000 MHz•出色的驻波比1.2:1。所有端口•平整度良好，±0.5 dB•出色的功率处理能力•密封•温度变化最小•受美国专利7049905保护•通过输入到输出的直流电流最大为0.25A。在1.0瓦的RF输入功率下。应用•无线通信•主义，个人电脑•移动卫星外观尺寸图点击购买：BDCA1-10-40+
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2024/10/22 13:22:53
RMK-5-751+是一款经济高效的X5倍频器，它利用专门选择的硅肖特基二极管和兼容的滤波器电路来实现低转换损耗，同时对F5输出附近的不需要的谐波具有很高的抑制能力。它使RMK-5-751+成为广泛应用的理想选择。这个小塑料外壳高0.25英寸x 0.31英寸x 0.16英寸，可水洗，符合RoHS标准。特性•转换损耗低，典型值为22dB。•高相邻谐波抑制，F4，典型值60 dBc。，F6，典型值为67 dBc。•可水洗应用•合成器•本地振荡器•卫星上下变频器25°C时的电气规格外观尺寸图点击购买：RMK-5-751+
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2024/10/22 13:11:19
2024 年 10 月 21 日，中国——意法半导体 HFA80A车规模拟输入D类音频放大器兼备高能效、小尺寸和低物料成本，并针对汽车和本机电磁兼容性 (EMC) 优化了负载诊断功能。HFA80A采用滤波器前反馈拓扑结构和 2MHz 标称 PWM 频率，让设计人员可根据目标性能优化输出滤波器，设计过程中用较小的外部元器件，实现外观紧凑的产品设计。扩频操作简化了强制性 CISPR 25 规范达标过程，无需设计额外的 EMC 专用滤波电路。新放大器提供清晰、强劲的音乐听觉体验，在14.4V电压时可以向 2Ω扬声器输送高达4x 49W功率，典型谐波失真 (THD)为0.015% (1W/4Ω)。新功放芯片确保扬声器音质纯净，输出噪声和串扰都很低，在加载1W/1kHz输入信号和4Ω负载的情况下，电源电压抑制比为80dB。平直频率响应高达40kHz ，为高分辨率音频带来充足的带宽，设计人员可以通过优化滤波器将其扩展到 80kHz。此外，因为采用低延迟设计方法，HFA80A可以处理以专注性能的应用，例如降噪。汽车专用诊断基于专门设计的抗噪算法，能够检测负载的异常状况和变化。诊断功能包括每个通道独立的直交流负载检测、启动时短路检测，以及阈值可设置的过流保护。其他诊断检查包括直流输入电压失调检测、输出电流失调检测，以及可选择四种不同温度警告的过热保护功能。HFA80A配备一个可配置的专用引脚和I2C总线接口。当有新的诊断信息时，可配置专用引脚发出信号通知主微控制器，这个设计简化了功放芯片与主控制器的通信连接，并减轻了CPU的运算负荷。主控制器能够通过I2C 总线接口控制功放芯片功能，访问诊断数据，即使I2C控制功能失效，备份模式也可让放大器继续正常运行。此外，HFA80A 还配备了数字导纳计 (DAM)，帮助工程师无需使用外部测量工具或传感器即可检查所连接扬声器的特性，从而简化开发过程。H...
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2024/10/22 11:55:39
三星电子宣布，已开发出业界首款24千兆位 (Gb) GDDR7 DRAM。除了业界最高的容量外，GDDR7还具有最快的速度，定位为下一代应用的最佳解决方案。全新GDDR7提供业界的容量和超过40Gbps的速度，大大提高了支持未来应用的图形DRAM的标准。今年将开始与主要GPU客户验证，预计明年初投入生产三星电子宣布，已开发出业界首款24千兆位 (Gb) GDDR7 DRAM。除了业界最高的容量外，GDDR7还具有最快的速度，定位为下一代应用的最佳解决方案。24Gb GDDR7 凭借高容量和强大性能，将广泛应用于数据中心、AI工作站等需要高性能内存解决方案的各个领域，超越显卡、游戏机和自动驾驶等图形DRAM的传统应用。三星电子表示继去年开发出业界首款16Gb GDDR7之后，巩固了在图形DRAM市场的技术地位。我们将继续引领图形DRAM市场，推出符合AI市场日益增长的需求的下一代产品。 24Gb GDDR7采用第五代10纳米级DRAM，使单元密度增加50%，同时保持与前代相同的封装尺寸。三级脉冲幅度调制 (PAM3) 信号有助于实现业界的40千兆位每秒 (Gbps) 图形DRAM速度，比上一代提升25%。根据使用环境的不同，GDDR7的性能可进一步提升至42.5Gbps。通过将以前用于移动产品的技术首次应用于图形DRAM，电源效率也得到了提高。通过实施时钟控制管理和双VDD设计等方法，可以显著减少不必要功耗，使电源效率提高30%以上。为了提高高速运行时的运行稳定性，24Gb GDDR7采用电源门控设计技术来最大限度地减少电流泄漏。主要GPU客户今年开始对下一代AI计算系统中24Gb GDDR7的验证，并计划于明年初实现商业化。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/10/22 11:50:54
Qorvo QPD1035 GaN射频功率晶体管是40W分立式碳化硅基氮化镓HEMT，工作频率范围为直流至6GHz，工作采用50V电源。Qorvo QPD1035晶体管具有输入预匹配，因此非常适合用于脉冲和连续波操作中的宽带放大器。这些器件不含铅，符合RoHS指令。特性工作频率范围：直流至6GHz工作电压：50V输出功率 (P3dB) = 50W漏极效率 (P3dB) = 52.2%线性增益 = 15.1dB低热阻封装应用军用雷达民用雷达专业无线电和军用无线电通信测试仪器宽带或窄带放大器干扰发射机框架图
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2024/10/21 13:37:55
Qorvo PAC55712电源应用控制器 (Power Application Controllers®) 优化用于高速BLDC电机控制。Qorvo PAC55712控制器将150MHz Arm® Cortex®-M4F微控制器与Active-Semi®专有的多模电源管理器 (Multi-Mode Power Manager™)、可配置模拟前端 (Configurable Analog Front-End™)，以及特定应用电源驱动器 (Application-Specific Power Driver™) 整合在一起。此紧凑型解决方案包括128kB闪存、32kB SRAM、2.5MSPS ADC（可编程自动采样，最高可达24倍序列）、3.3V IO、灵活的时钟控制、PWM/通用定时器和多个串行通信接口。特性150MHz Arm cortex M4F128kB闪存、32kB SRAM70V降压/SEPIC直流/直流控制器，带外部NCH FET5V/200mA系统电源三个高侧70V、1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器三个低侧20V、1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器VDS 检测逐周期保护三个差分PGA（x1至x48）四个单PGA（x1至x48）可编程过流关断可编程比较器迟滞和消隐同时采样和保持3次循环应用工业BLDC电机控制（泵、风扇、机器人）电动和园林工具小家电电动出行
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2024/10/21 13:28:47
Qorvo PAC55724电源应用控制器 (Power Application Controller ® ) 设计用于高速BLDC电机控制。 Qorvo PAC55724控制器将150MHz Arm® Cortex®-M4F微控制器与Active-Semi®专有的多模电源管理器 (Multi-Mode Power Manager™)、可配置模拟前端 (Configurable Analog Front-End ™ )，以及特定应用电源驱动器 (Application-Specific Power Driver™ ) 整合在一起，提供紧凑的电机控制解决方案。 主要特性包括128kB嵌入式闪存、32kB SRAM、2.5MSPS ADC（可编程自动采样，最高可达24倍序列）、3.3V I/O、灵活时钟控制、PWM、通用定时器和多个串行通信接口。特性150MHz Arm cortex M4F128kB闪存、32kB SRAM70V降压/SEPIC直流/直流控制器，带外部NCH FET5V/200mA系统电源三个高侧70V 1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器三个低侧20V 1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器逐周期保护三个差分PGA（x1至x48）四个单PGA（x1至x48）可编程过流关断可编程比较器迟滞和消隐3相同时采样和保持应用工业BLDC电机控制（泵、风扇、机器人）电动和园林工具小家电电动出行框架
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2024/10/21 13:26:13
Qorvo QPA2811功率放大器是大功率、封装的X波段MMIC放大器，采用0.15μm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造而成。这些放大器的工作频率范围为8.5GHz至10.55GHz，饱和输出功率为48.9dBm，大信号增益为27.9dB，功率附加效率为48.5%。QPA2811放大器采用7mm x 7mm 48引脚塑料包覆成型封装。这些功率放大器 支持各种工作条件，可满足最佳支持系统要求。这些放大器完全匹配至50Ω，设有直流接地射频端口，可实现最佳性能， 非常适合用于军用雷达系统。特性8.5 GHz至10.55 GHz频率范围PSAT ：48.9dBm（PIN =21dBm）PAE：48.5%（PIN =21dBm）功率增益：27.9dB（PIN =21dBm）工作电源电压：24V工作电源电流：1.24mA偏置：VD =24V，IDQ =1.24A封装尺寸：7 mm x 7 mm x 0.82 mm无铅，符合RoHS指令应用军用雷达系统
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2024/10/21 13:20:43
Qorvo QPA1111功率放大器是大功率、封装的X波段MMIC放大器，采用0.15 μm碳化硅基氮化镓工艺（QGaN15）制成。 这些放大器的工作频率范围为8.5GHz至10.5GHz，储存温度范围为-55°C至150°C。QPA1111放大器具有30W饱和输出功率、45%功率附加效率和38dB小信号增益。这些放大器完全匹配至50Ω,设有直流接地I/O端口，可实现最佳ESD性能， 简化了系统集成。QPA1111功率放大器100%经过直流和射频测试，以确保符合电气规范，非常适合用于雷达、卫星通信和数据链路应用。特性8.5 GHz至10.5 GHz频率范围POUT ：45dBm（PIN =18dBm）PAE：45%（PIN =18dBm）功率增益：27dBm（PIN =18dBm）功率耗散（PD）：65W小信号增益：38 dB储存温度范围：-55°C至150°C偏置：脉冲VD =22VIDQ =620mAPW=100μsDC=10%典型范围：VG =-2.3V封装尺寸：6 mm x 6 mm x 0.85 mm无铅，符合RoHS指令应用卫星通信雷达数据链路功能框图
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2024/10/21 13:17:56