Qorvo的TGS2355-SM是一种单极双掷（SPDT）反射开关，采用Qorvo QGaN25 0.25um GaN-on-SiC生产工艺制造。TGS2355-SM的工作频率为0.5至6GHz，通常在0/-40 V的控制电压下支持高达100W的输入功率（脉冲）处理。该开关保持1.1 dB或更低的低插入损耗和大于40 dB的隔离，使其成为国防和商业平台上高功率开关应用的理想选择。TGS2355-SM采用5 x 5 mm气腔QFN封装，由氮化铝基座和LCP环氧树脂密封盖组成。这一点，再加上最小的直流功耗，使得系统集成变得容易。规格参数最小频率:500 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:1.1 dB关闭隔离—典型值:40 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT工作电源电流:1 mAPd-功率耗散:35 W单位重量:5.058 g点击购买：TGS2355-SM特性•频率范围：0.5-6 GHz•插入损耗：15 dB•隔离度：典型值为40 dB•控制电压：MMIC两侧的0 V/-40 V•切换速度：<50ns•反光开关•尺寸：5.0 x 5.0 x 1.42毫米应用•商用雷达•电子战•大功率开关•军用雷达引脚配置图
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2024/11/12 14:01:20
ADRF5142是一种采用硅工艺制造的反射式单极双掷（SPDT）开关。ADRF5142的工作频率为8 GHz至11 GHz，典型插入损耗为1.2 dB，典型隔离度为40 dB。该设备具有41 dBm平均功率和46 dBm插入损耗路径峰值功率的射频（RF）输入功率处理能力。ADRF5142在+3.3 V的正电源上消耗130μa的低电流，在-3.3 V的负电源上消耗500μa的电流。该器件采用互补金属氧化物半导体（CMOS）/低压晶体管对晶体管逻辑（LVTTL）兼容的控制。ADRF5142不需要额外的驱动器电路，这使其成为GaN和PIN二极管开关的理想替代品。ADRF5142采用20引脚、3.0 mm×3.0 mm、符合RoHS标准的焊盘栅格阵列（LGA）封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。规格参数开关配置:SPDT最小频率:8 GHz最大频率:11 GHz介入损耗:1.2 dB关闭隔离—典型值:40 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C高控制电压:1.2 V to 3.3 V空闲时间—最大值:60 ns运行时间—最大值:60 ns工作频率:8 GHz to 11 GHz工作电源电流:130 uA, 500 uA电源电压-最大:3.45 V电源电压-最小:3.15 V特性频率范围：8 GHz至11 GHz低插入损耗：1.2 dB（典型值）高隔离度：40 dB（典型）高输入线性度0.1 dB功率压缩（P0.1dB）：46 dBm三阶截距（IP3）：70 dBmTCASE=85°C时的高功率处理：插入损耗路径平均值：41 dBm脉冲（脉冲宽度>100ns，占空比15%）：44dBm峰值（峰值持续时间≤100ns，占空比5%）：46 dBmRFC（引脚3）处的热切换：41 dBm快速切换时间：60 ns0.1 ...
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2024/11/12 13:56:27
HMC321ALP4E是一款宽带非反射GaAs SP8T开关，采用低成本无引脚表贴封装。该开关频率范围为DC至8 GHz，具有高隔离和低插入损耗。该开关还集成了板载二进制解码电路，将所需逻辑控制线减至三条。该开关采用0/+5 V正控制电压工作，所需固定偏置为+5 V。该开关适用于50 Ω或75 Ω系统。规格参数最小频率:0 Hz最大频率:8 GHz介入损耗:2.7 dB关闭隔离—典型值:28 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT空闲时间—最大值:150 ns运行时间—最大值:150 ns工作电源电流:5 mA电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:4.5 V单位重量:41.800 mg点击购买：HMC321ALP4ETR特性• 宽带性能：DC - 8 GHz• 高隔离度：>30 dB (6 GHz)• 低插入损耗：2.5 dB (6 GHz)• 集成式正电源3:8 TTL解码器• 24引脚4×4mm QFN封装：9 mm2应用此开关适用于DC-8.0 GHz 50欧姆或75欧姆系统：•宽带•光纤•切换滤波器组•8 GHz以下无线引脚图
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2024/11/12 13:35:29
YAT-A衰减器（符合ROHS标准）是使用高度重复的MMIC工艺制造的固定值吸收衰减器，包括GaAs基板上的薄膜电阻器。YAT-A衰减器包含晶片金属化通孔，以实现低热阻和宽带操作。YAT-As的标称衰减值为0至10 dB（以1 dB为步长），以及12、15、20和30 dB。包装在2毫米x 2毫米的微型MCLPTM包装中，适合狭小的空间。规格参数衰减:10.6 dB最大频率:18 GHz阻抗:50 Ohms最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT单位重量:71.525 mg功率额定值:1.7 W点击购买：YAT-10A+特性卓越的功率处理宽带，直流-18 GHz小尺寸，2毫米x 2毫米出色的衰减精度和平整度应用蜂窝PCS通讯雷达防御外观尺寸图
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2024/11/12 13:26:55
TCBT-14+是宽带偏置三通，尺寸为3.8 mm x 3.8 mm，采用独特的设计，覆盖10 MHz至10 GHz的频率范围，没有在如此宽的频带上通常观察到的共振。它设计用于处理1W的射频功率和200mA的电流，适用于自动拾取和放置操作。规格参数频率:10 MHz to 10 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:3.81 mm x 3.81 mm x 3.56 mm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:0.8 dB单位重量:289 mg点击购买：TCBT-14+特性•宽带，10至10000 MHz•低插入损耗，典型值为0.5 dB。•出色的驻波比，典型值1.25:1。•微型表面安装0.15“x0.15”•可水洗应用•偏置放大器•激光二极管偏置•有源天线的偏置外观尺寸图
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2024/11/12 13:21:25
LFCN-630+是Mini-Circuits的一款陶瓷LPF，最小7段，最大7段，中心或截止频率（fo/fc）为830MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针。规格参数频率:DC to 630 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C介入损耗:1.2 dB安装:SMD/SMT单位重量:265.625 mg点击购买：LFCN-630+特性出色的功率处理能力，8.5W尺寸小7节温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机外观尺寸图
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2024/11/12 13:18:42
Mini-Circuits PSA-5451+是一款基于E-PHEMT*的超低噪声MMIC放大器，工作频率为50 MHz至4 GHz，具有低噪声和高IP3的独特组合，使该放大器成为敏感接收器应用的理想选择。该设计仅在30mA的单个3V电源上运行，内部匹配为50欧姆。规格参数工作频率:50 MHz to 4 GHz工作电源电压:3 V工作电源电流:30 mA增益:9.6 dBNF—噪声系数:1.5 dBP1dB - 压缩点:16.7 dBmOIP3 - 三阶截点:29.8 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:6.5 dBPd-功率耗散:390 mW点击购买：PSA-5451+特性单正电源电压，+3V，Id=30mA超低噪声系数，典型值为0.7 dB。0.5GHz高IP3，典型值29dBm。1GHz增益，典型值18.8dB。1GHz输出功率，典型值高达+16.7 dBm。微型SOT-363封装可水洗应用蜂窝ISMGSMWCDMALTEWiMAX无线局域网UNII和HIPERLANLTE引脚配置
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2024/11/12 11:53:05
GVA-63+（符合RoHS标准）是一种使用InGap HBT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供高增益和高IP3。此外，GVA-63+在较宽的频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配组件，并且具有出色的可靠性。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:10 MHz to 6 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:69 mA增益:15.9 dBNF—噪声系数:4.6 dB安装风格:SMD/SMTP1dB - 压缩点:11.8 dBmOIP3 - 三阶截点:25 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:12 dB隔离分贝:23.7 dB单位重量:202.340 mg点击购买：GVA-63+特性增益，典型值为21dB。0.8 GHz平坦增益，±1.7，从50到4000 MHz高磅，典型值P1dB+19.0 dBm。0.8 GHz高IP3，典型值+35 dBm。频率为0.8 GHz优异的ESD保护，HBM为1C级宽带高动态范围，无需外部匹配组件应用基站基础设施便携式无线有线电视和DBSMMDS和无线局域网LTE引脚配置
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2024/11/12 11:43:35
Mini-Circuits的HFCG-650+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为730至6500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.7 dB的典型插入损耗。采用微小的0805陶瓷外形，非常适合密集的信号链PCB布局，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数频率:6.5 GHz频率范围:730 MHz to 6.5 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1.25 mm x 2 mm x 0.95 mm最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C介入损耗:0.8 dB安装:SMD/SMT特性插入损耗，0.7 dB典型值。阻带抑制，典型值47dB。通带回波损耗，典型值11dB。0805表面安装占地面积功率处理：2 W应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统5G MIMO和回程无线电5G 6 GHz以下和WiFi 6E外观尺寸图
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2024/11/11 14:06:39
SXHP-108+是一款采用SMT技术制造的50Ω高通滤波器。该高通滤波器覆盖108-1000MHz。该滤波器采用高Q电容器和绕线电感器构建，性能卓越。它在不同批次中具有可重复的性能，在不同温度下具有一致的性能。规格参数频率:1 GHz频率范围:108 MHz to 1 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:1 dB安装:SMD/SMT点击购买：SXHP-108+特性•插入损耗低•高拒绝率•微型屏蔽封装应用•卫星通信•宽带光纤网络•有线电视•无线电通信•接收器/发射器外观尺寸图
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2024/11/11 14:04:50
ERA-3SM+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在Micro-X封装中。ERA-3SM+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。规格参数工作频率:0 Hz to 3 GHz工作电源电压:3.2 V工作电源电流:35 mA增益:16.4 dBNF—噪声系数:2.9 dBP1dB - 压缩点:10.5 dBmOIP3 - 三阶截点:24 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:18 dB隔离分贝:24 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:330 mW点击购买：ERA-3SM+特性•DC-3 GHz•单电压电源•内部匹配50欧姆•无条件稳定•温度下性能变化低•瞬态保护•可水洗应用•蜂窝/PCS/3G基站•有线电视、有线调制解调器和DBS•固定无线和WLAN•微波无线电和测试设备外观尺寸图
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2024/11/11 13:56:41
TT1-6-X65+是Mini-Circuits的一款射频变压器，其工作频率最小0.004MHz，最大300MHz，符合ROHS标准。规格参数频率范围:4 kHz to 300 MHz初级线圈阻抗:50 Ohms次级线圈阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 20 C最大工作温度:+ 85 C最大直流电流:30 mA功率额定值:250 mW点击购买：TT1-6-X65+特性•宽带，0.004至300 MHz•良好的回波损耗•还可提供扁平封装（W38）和表面安装鸥翼（KK81）引线应用•HF/VHF•阻抗匹配•平衡天线外观尺寸图
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2024/11/11 13:53:49
LHA-1+（符合RoHS标准）是一种使用E-PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，与竞争车型不同，LHA-1+在宽频范围上匹配良好（输入和输出），无需外部匹配组件。铅饰面是镍上的锡银。它被封装在一个3x3毫米的MCLP封装中，用于低寄生接口。规格参数工作频率:50 MHz to 6 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:146 mA增益:9.2 dBNF—噪声系数:3.4 dBP1dB - 压缩点:22.5 dBmOIP3 - 三阶截点:38 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C隔离分贝:19.3 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:1 W点击购买：LHA-1+特性高IP3，典型值+40 dBm。2 GHz，+5V增益，典型值14.1 dB。2 GHz，+5V高磅，典型值P1dB+22.7 dBm。2 GHz，+5V低噪声系数，2.1 dB@2 GHz，+5V可用于+4.0V应用基站基础设施便携式无线有线电视和DBSMMDS和无线局域网LTE外观尺寸图
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2024/11/11 13:37:32
T1-6T+是Mini-Circuits的一款射频变压器，其工作频率最小0.015MHz，最大300MHz，1:1，符合ROHS标准。规格参数频率范围:15 kHz to 300 MHz初级线圈阻抗:50 Ohms次级线圈阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 20 C最大工作温度:+ 85 C最大直流电流:30 mA功率额定值:250 mW点击购买：T1-6T+特性•宽带，0.015至300 MHz•出色的回波损耗•还可提供表面安装鸥翼（KK81）插件（X65）引线应用•VHF/UHF接收器/发射器•阻抗匹配外观尺寸图
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2024/11/11 13:25:02
数据中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推动下，预计到2030年，这一数字将增长到7%左右，相当于整个印度目前的能耗。实现从电网到核心的高效功率转换对于实现卓越的功率密度至关重要，从而在降低总拥有成本（TCO）的同时提高计算性能。因此，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）将推出TDM2354xD和TDM2354xT双相电源模块，具有出色的功率密度，适用于高性能AI数据中心。这些模块实现了真正的垂直功率传输（VPD），并提供了业界的电流密度1.6A/mm2。英飞凌在今年早些时候还推出了TDM2254xD双相功率模块。英飞凌科技公司电源IC副总裁Rakesh Renganathan表示：“我们很自豪能够使用我们的TDM2354xT和TDM2354xD VPD模块助力高性能AI数据中心。这些半导体器件将凭借英飞凌的商标质量和稳健性更大程度地提高系统性能，从而为数据中心实现更佳TCO。我们行业的功率器件和封装技术，结合我们广泛的系统专业知识，将进一步推进高性能和绿色计算，作为我们推动数字化和脱碳使命的一部分。”通过采用英飞凌强大的OptiMOS™ 6沟道技术、芯片嵌入式封装（通过提高电气和热效率实现超高功率密度），以及新型电感器技术，TDM2354xD和TDM2354xT模块的外形变得更薄，进而实现了真正的垂直功率传输。这两款模块也因此树立了功率密度和质量的新标准，更大程度地提高了AI数据中心的计算性能和效率。TDM2354xT模块支持的最大电流为160 A，是业内首款采用8 x 8 mm² 小外形尺寸的跨电感稳压器（TLVR）模块。两款模块在与英飞凌的 XDP™控制器相结合后，可提供极快的瞬态响应，并且最多可将板载输出电容降低50%，进一步提高了系统功率密度。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文...
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2024/11/11 13:12:23
近日，全球物联网整体解决方案供应商移远通信宣布，正式发布其全星系多频段高精度GNSS模组LG580P。该模组具备高精度、高稳定性、低功耗等特点，并支持20Hz RTK + Heading 更新频率，为智能机器人、精准农业、测量测绘、自动驾驶等高精度导航应用场景带来了全新解决方案。与单天线、高精定位GNSS模组LG290P相比，LG580P同时支持高达20Hz的RTK高精度定位和双天线定向解算，可实现0.8cm+1ppm高定位精度以及0.1/米的高定向精度，更加适用于高动态下的定位和定向场景。卓越的高精度定位定向能力LG580P是一款支持RTK高精度定位和双天线定向的GNSS模组，具备同时接收GPS、GLONASS、Galileo、BDS、QZSS 和 NavIC 全卫星系统的L1、L2、L5多频段信号的能力，并兼容多个 SBAS（星基增强系统），包括WASS、EGNOS、BDSBAS、MSAS、GAGAN 和 SDCM，确保了该模组在全球范围内的广泛覆盖和高精度定位。LG580P采用双天线技术，内置RTK算法，不仅支持厘米级高精度定位，还支持0.1°级高精度定向，能够很好地满足机器人、测量测绘等场景对于高精度定位及定向的需求。与此同时，该模组还支持高达20 Hz的更新频率，从而进一步提升高动态定位定向场景的适用性、增强客户产品稳定性、加快响应速度，为用户带来更好的定位定向体验。在RTK+ Heading算法的加持下，经测试，在户外开阔天空、使用高精度有源GNSS天线、基线长度小于1公里的场景下，LG580P的水平定位精度为0.8cm+1ppm，高程定位精度为1.5cm+1ppm，定向精度为0.1°（双天线基线1m）。强大的抗干扰能力与安全保障在硬件设计上，该模组内置专业级干扰信号检测和NIC 抗干扰单元，可抑制多路窄带干扰，能够显著提升其在复杂电磁环境下...
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2024/11/11 11:57:26
2024 年 11 月 5 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出RA8E1和RA8E2微控制器（MCU）产品群，进一步扩展其业界广受欢迎的MCU系列。2023年推出的RA8系列MCU是首批采用Arm® Cortex®-M85处理器的MCU，实现市场的6.39 CoreMark/MHz（注）性能。新款RA8E1和RA8E2 MCU在保持同等性能的同时，通过精简功能集降低成本，成为工业和家居自动化、办公设备、医疗保健和消费品等大批量应用的理想之选。RA8E1和RA8E2 MCU采用Arm Helium™技术，即Arm的M-Profile矢量扩展，与基于Arm Cortex-M7处理器的MCU相比，在数字信号处理器（DSP）和机器学习（ML）应用层面实现高达4倍的性能提升，使得快速增长的AIoT领域应用成为可能——在这一领域，高性能对于AI模型的执行至关重要。RA8系列产品集成低功耗特性和多种低功耗模式，在提供业界性能的同时，可进一步提高能效。低功耗模式、独立电源域、更低的电压范围、快速唤醒时间，以及较低的典型工作和待机电流组合，使得系统整体功耗更低。帮助客户降低整体系统功耗并满足相关法规要求。新款Arm Cortex-M85内核还能以更低的功耗执行各种DSP/ML任务。RA8系列MCU由瑞萨灵活配置软件包（FSP）提供支持。FSP带来所需的所有基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和TrustZone支持，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成，为应用开发打造充分的灵活性。借助FSP，可轻松将现有设计迁移至新的RA8系列产品。Daryl Khoo, Vice President of ...
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2024/11/11 11:54:15
据 Semafor报道，美国国会议员正在秘密讨论如何帮助英特尔渡过难关的方案。方案包括提供资金和政策支持，甚至包括推动英特尔考虑与AMD和 Marvell 等竞争对手合并。报道称英特尔正在面临前所未有的财务挑战，英特尔第三季度亏损了惊人的166亿美元（ 1178亿人民币 ），净利润同比骤降了6064.76%。同时将裁员人数增加了约 10%，达到 16500 名员工。英特尔作为唯一 一 家既设计又制造领先芯片的美国公司，美国当然不会袖手旁观。如果英特尔倒闭，那么美国将不得不依赖台积电和三星最先进的芯片。更重要的是，英特尔是美国最大的出口商之一，2023年的出口收入超过400亿美元（2840亿元人民币）；此外，英特尔还与五角大楼的 Secure Enclave 计划合作，为军队制造尖端芯片。加之美国与中国在半导体领域的竞争，美国是绝对不会让英特尔倒闭的。因此美国政府正在与英特尔进行谈判，探讨多种挽救方案。美国政策立法者总结2008年为克莱斯勒和通用汽车救助时的经验，不会考虑为英特尔提供一次性救助，而是让英特尔尝试自救。也就是推动英特尔考虑与AMD和 Marvell 等竞争对手合并，整合资源，降低成本提高竞争力。如果合并的话，英特尔的代工业务基本不变，主要影响的是芯片设计业务。当然，不是说合并就能合并的。除了需要双方达成共识外，还需要经过监管机构的审批和市场的认可。此外，合并后的企业文化融合、业务整合等问题也是不容忽视的挑战。那曾经的PC霸主，为何沦落到濒临破产的局面？英特尔从巨头陨落并非一朝一夕。业界人士分析，主要有以下原因：1、失去智能手机市场2000年代，苹果推出了iPhone，谷歌推出了Android，迅速占据了市场。同时，高通等竞争对手专注于开发适合移动设备的低功耗芯片。英特尔拒绝生产 iPhone 处理器，认为无法获得足够的利润。相反，苹果使用基于 Arm Holdi...
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2024/11/11 11:33:25