LM2940/LM2940C正电压调节器的特点是能够在整个温度范围内提供1A的输出电流，其压降通常为0.5V，最大值为1V。此外，还包括静态电流减小电路，当输入电压和输出电压之间的差超过大约3V时，该电路减小接地电流。因此，具有1A的输出电流和5V的输入输出差的静态电流仅为30mA。特点跌落电压通常为0.5V@IO=1A输出电流超过1A装配前调整输出电压反向蓄电池保护内部短路电流限制镜像插入保护引脚图
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2024/3/6 13:28:10
LM5069 正电压热插拔控制器可在从带电系统背板或其他热插拔电源插入和移除电路板期间，为电源连接提供智能控制。LM5069 可提供浪涌电流控制以限制系统电压下降和瞬变。外部串行导通 N 沟道 MOSFET 中的电流限制和功率耗散可进行编程，从而确保其在安全工作区 (SOA) 内工作。当输出电压低于 1.25V 输入电压时，会显示电源正常输出。输入欠压和过压锁定电平和迟滞，以及初始插入延迟时间和故障监测时间均可进行编程。在故障监测之后 LM5069-1 闭锁，同时 LM5069-2 以固定占空比自动重启。LM5069 采用 10 引脚 VSSOP 封装。特点• 宽工作电压范围：9V 至 80V• 浪涌电流限制，用于将电路板安全插入带电电源• 外部导通器件中的可编程最大功耗• 可调节电流限制• 针对严重过流事件的断路器功能• 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的内部高侧电荷泵和栅极驱动器• 可调节欠压锁定 (UVLO) 和迟滞• 可调节过压锁定 (OVLO) 和迟滞• 初始插入计时器可使振铃和瞬变在系统连接之后消除• 可编程故障计时器可避免干扰性跳变• 高电平有效、开漏电源正常状态输出• 提供故障锁存和自动重启版本• 10 引脚 VSSOP 封装引脚图
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2024/3/6 13:22:39
LM75B和LM75C是工业标准数字温度传感器，具有集成的Sigma-Delta模数转换器和I2C接口。LM75提供9位数字温度读数，精度为±2°C（-25°C至100°C）和±3°C（-55°C至125°C）。通信是通过工作频率高达400kHz的2线接口实现的。LM75有三个地址引脚，允许多达八个LM75设备在同一条2线总线上运行。LM75具有专用的超温输出（O.S.），具有可编程的极限和滞后。该输出具有可编程容错功能，允许用户定义在激活O.S.之前必须发生的连续错误条件的数量。宽的温度和供电范围以及I2C接口使LM75成为许多应用的理想选择，包括基站、电子测试设备、办公电子设备、个人电脑以及任何其他热管理对性能至关重要的系统。LM75B和LM75C在SOIC封装或VSSOP封装中可用。特点•无需外部组件•关闭模式以最大限度地减少功耗•单个总线最多可连接八个LM75•通电默认值允许作为恒温器独立运行•UL认可组件（LM75B和LM75C）•关键规范：•电源电压•LM75B、LM75C:3 V至5.5 V引脚图
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2024/3/6 13:20:25
LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。特点• 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN BIAS）• 100V 瞬态电压• 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器• 针对电流反向 50ns 快速响应• 2A 峰值栅极关断电流• 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间• 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）引脚图
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2024/3/6 13:15:58
LM4040系列并联电压参考是多功能、易于使用的参考，可满足广泛的应用。2引脚固定输出设备不需要外部电容器进行操作，并且在所有电容负载下都是稳定的。此外，该参考提供了低动态阻抗、低噪声和低温度系数，以确保在宽范围的工作电流和温度下稳定的输出电压。LM4040在晶圆分选过程中使用熔断器和齐纳反击穿电压微调，提供四个输出电压公差，范围从A级的0.1%（最大）到D级的1%（最大）。因此，在为其应用选择最佳性价比时，为设计者提供了很大的灵活性。LM4040采用节省空间的SC-70和SOT-23-3封装，要求最小电流为45µa（典型值），也是便携式应用的理想选择。LM4040xI的特点是可在-40°C至85°C的环境温度范围内运行。LM4040xQ的特点是可在-40°C至125°C的环境温度范围内运行。特点•低输出噪声：35µVRMS类型•宽工作电流范围：典型为45µA至15 mA•在所有电容性负载下稳定；无需输出电容器•可扩展温度范围：-40°C至125°C引脚图
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2024/3/6 11:41:39
LM3481器件是一种用于开关稳压器的多功能低侧N-FET高性能控制器。该器件适用于需要低侧FET的拓扑结构，如升压、反激、SEPIC等。LM3481器件可以在极高的开关频率下工作，以减小整体解决方案的尺寸。LM3481器件的开关频率可以通过使用单个外部电阻器或通过将其与外部时钟同步来调整到100kHz和1MHz之间的任何值。除了逐周期电流限制之外，电流模式控制还提供了优越的带宽和瞬态响应。电流限制可以通过单个外部电阻器进行编程。LM3481设备具有内置保护功能，如热关机、短路保护和过电压保护。节能关闭模式将总电源电流降低到5µA，并允许电源排序。内部软启动限制启动时的涌入电流。特点•LM3481QMM是AEC-Q100一级合格的汽车级产品（-40°C至+125°C工作结温度）•10导联VSSOP包•具有1-A峰值电流能力的内部推挽式驱动器•电流限制和热停堆•通过电容器和电阻器优化的频率补偿•内部软启动•当前模式操作•带滞后的可调欠压锁定•轻负载时的脉冲跳跃•关键规范•电源电压范围宽，从2.97 V到48 V•100 kHz至1-MHz可调节和同步时钟频率引脚图
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2024/3/6 11:33:42
LM5175 是一款同步四开关降压-升压 DC/DC 控制器，能够将输出电压稳定在输入电压、高于输入电压或者低于输入电压的某一电压值上。LM5175 具有 3.5V 至 42V 的宽输入电压范围（最大值为 60V），支持各类应用。 LM5175 在降压和升压工作模式下均采用电流模式控制，以提供出色的负载和线路调节性能。开关频率可通过外部电阻进行编程，并且可与外部时钟信号同步。 该器件还 具有 可编程的软启动功能，并且提供 诸如 逐周期电流限制、输入欠压锁定 (UVLO)、输出过压保护 (OVP) 和热关断等各类保护特性。此外，LM5175 特有 可选择的连续导通模式 (CCM) 或断续导通模式 (DCM)、可选平均输入或输出电流限制、可降低峰值电磁干扰 (EMI) 的可选扩展频谱、以及应对持续过载情况的可选断续模式保护。特点• 单电感降压-升压控制器，用于升压/降压 DC/DC 转换• 宽 VIN 范围：3.5V 至 42V，最大值为 60V• 灵活的 VOUT 范围：0.8V 至 55V• VOUT 短路保护• 高效降压-升压转换• 可调开关频率• 可选频率同步和抖动• 集成 2A 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 栅极驱动器• 逐周期电流限制和可选断续模式引脚图
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2024/3/6 11:26:05
LM3478是一种用于开关稳压器的通用低压侧N沟道MOSFET控制器。它适用于需要低侧MOSFET的拓扑结构，如升压、反激、SEPIC等。此外，LM3478可以在极高的开关频率下工作，以减小整体解决方案的尺寸。LM3478的开关频率可以通过使用单个外部电阻器调节到100kHz和1MHz之间的任何值。除了逐周期电流限制外，电流模式控制还提供了优越的带宽和瞬态响应。输出电流可以通过单个外部电阻器进行编程。LM3478具有内置功能，如热关机、短路保护、过电压保护等。节能关机模式可将总电源电流降至5µA，并允许电源排序。内部软启动限制启动时的涌入电流。特点•8引脚VSSOP-8和SOIC-8封装•具有1-A峰值电流能力的内部推挽式驱动器•电流限制和热停堆•通过电容器和电阻器优化的频率补偿•内部软启动•当前模式操作•带滞后的欠压锁定引脚图
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2024/3/6 11:16:46
LM2901器件包含四个独立的电压比较器，这些比较器可在宽电压范围内由单电源供电。这些器件也可以由双电源供电，只要两个电源之间的电压差处于 2V 至 36V 的范围之内且 VCC 比输入共模电压至少高 +1.5V 以上即可。漏极电流不受电源电压的影响。可将输出连接到其它集电极开路输出，以实现有线 AND 关联。LM2901、LM2901AV 和 LM2901V 器件的额定工作温度范围是 –40°C 至 125°C。特点• 独立于电源电压的低电源电流 消耗：0.8mA（典型值）• 低输入偏置电流：25nA（典型值）• 低输入失调电流：3nA（典型值）(LM139)• 低输入失调电压：2mV（典型值）• 共模输入电压范围 包括接地• 差分输入电压范围等于最大额定电源电压：±36V• 低输出饱和电压• 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容引脚图
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2024/3/6 11:13:01
该电路由四个独立的高增益运算放大器（运算放大器）组成，它们采用内部频率补偿，专门为汽车和工业控制系统设计。该设备通过单一电源在宽电压范围内运行。分体式电源操作也是可能的，并且低功率电源电流消耗取决于电源电压大小。特点•宽增益带宽：1.3 MHz•输入共模电压范围包括负轨•大电压增益：100 dB•每个放大器的电源电流：375µA•低输入偏置电流：20 nA•低输入偏移电流：2 nA•电源范围广：•单电源：3 V至30 V•双电源：±1.5 V至±15 V引脚图
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2024/3/6 11:02:54
LM431是一款3端可调并联调节器，可确保整个工作温度范围内的温度稳定性。只需选择两个用作分压网络的外部电阻器，即可将输出电压设置在大于2.5V（VREF）至36V的任何电平。由于其开关特性，该器件是许多齐纳二极管应用的绝佳替代品。LM431有节省空间的SOIC-8、SOT-23和TO-92封装。特点•平均温度系数50 ppm/°C•在全温度范围内运行时的温度补偿•可编程输出电压•快速开机响应•低输出噪音•低动态输出阻抗•可提供节省空间的SOIC-8、SOT-23和TO-92封装引脚图
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2024/3/6 10:59:02
LM4871是一款单声道桥接音频功率放大器，能够将3W的连续平均功率传输到3Ω 当由5V电源供电时，THD小于10%的负载（见注释）。为了在便携式应用中节省电源，当VDD施加到shutdown引脚时，LM4871的微电源关闭模式（IQ=0.6µA，典型值）被激活。Boomer音频功率放大器专门设计用于提供高功率、高保真度的音频输出。它们几乎不需要外部组件，并且在2.0V到5.5V的低电源电压下工作。由于LM4871不需要输出耦合电容器、自举电容器或缓冲网络，因此它非常适合于需要最小体积和重量的低功率便携式系统。LM4871的附加功能包括热关机保护、单位增益稳定性和外部增益设置。注：已正确安装在电路板上的LM4871LD可将3W输出到3Ω （THD为10%时）。特点•WSON、VSSOP、SOIC或PDIP封装•外部增益配置能力•引脚与LM4861兼容关键规范•10%THD+N时的PO，1kHz•LM4871LD:3Ω , 4.Ω 荷载；3W（典型值），2.5 W（典型）•所有其他LM4871包装：8Ω 负载1.5 W（典型值）引脚图
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2024/3/5 16:16:45
LM2575器件通过方便地提供集成电路中降压（buck）开关调节器所需的所有有源功能，大大简化了开关电源的设计。LM2575可接受宽输入电压范围和可调输出版本，具有集成开关，能够提供1A的负载电流，具有出色的线路和负载调节功能。该设备还提供内部频率补偿、固定频率振荡器、逐周期电流限制和热关闭。此外，可通过外部ON/OFF引脚进行手动停机。LM2575代表了流行的三端线性调节器的优越替代品。由于其高效率，它显著减小了散热器的尺寸，并且在许多情况下，不需要散热器。LM2575经过优化，可与多家不同制造商提供的标准系列电感器一起使用，它只需最少添加四到六个外部组件即可运行，大大简化了开关模式电源的设计。特点•规定的1-A输出电流•宽输入电压范围4.75 V至40 V•使用现成的标准电感器•52 kHz（典型）固定频率内部振荡器•具有50µA（典型）待机电流的TTL关断能力引脚图
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2024/3/5 16:08:23
LM3915是一种单片集成电路，可感应模拟电压电平并驱动十个LED、LCD或真空荧光显示器，提供对数3dB/步进analog显示。一个引脚将显示从条形图更改为移动点显示。LED电流驱动是可调节和可编程的，无需限流电阻器。整个显示系统可以在低至3V或高至25V的单一电源下工作。特点3 dB/步，30 dB范围驱动LED、LCD或真空荧光灯用户可从外部选择条形或点状显示模式可扩展到90 dB的显示器1.2V至12V的内部参考电压在3V至25V的单一电源下运行输入操作接地输出电流可编程为1 mA至30 mA输入可承受±35V，无损坏或错误输出输出是电流调节的，开路集电极直接驱动TTL或CMOS引脚图
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2024/3/5 16:03:14
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。”以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模块系列：Qorvo 功能强大的设计工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE™ 软件）有助于产品选择和性能仿真。Qorvo SiC 模块系列已在美国加利福尼亚州长滩会议中心举行的国际电力电子应用展览会（APEC）上进行了首次亮相。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本...
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2024/3/5 15:49:29
三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。但到目前为止，3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。为此，三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。产品特点行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围. 通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。. 内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。. 与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。行业先端的65%漏极效率，实现低功耗. 针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。. 漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本. 与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。. 兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。环保意识本产品符合RoHS*3指令2011/65/EU和（EU）2015/863。*1：从电池电源到射频功率输出的转换效率*2：三菱电机现有的4W 射频高...
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2024/3/5 15:27:10
据台媒Digitimes报道，存储价格涨势近期明显走扬，农历春节假期导致市场观望气氛浓厚，DRAM及NAN Wafer现货市场价格涨势较为趋缓，涨幅呈现收敛。存储业界认为，3月市场价格仍将延续上涨行情，DDR4/LPDDR4价格可望逐月调涨。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/5 15:09:57
7805是一款常用的三端正电压稳压器，其引脚图和参数如下：引脚图：7805的引脚布局类似于普通的三极管，具有三个管脚，分别是：输入端（Vin）：连接整流器输出的正电压。接地端（GND）：公共地，也就是负极。输出端（Vout）：提供稳定的正5V电压。参数：封装形式：常见的封装形式为TO-220。输入电压：不超过36V。输出电压：通常在4.75V到5.25V之间。输入输出压差：至少保持2V的压差。输出电流：最大输出电流为1.5A。精度：一般精度可达到0.04以上。7805的电路应用中，可以通过电阻（如R1和R2）来调节输出电压，使其在5V到12V的范围内连续可调节。例如，一个简单的7805电路中，R1和R2的值可以设置为220Ω和680Ω，以调节输出电压。此外，7805的最大输入电压为35V，而其稳压范围可以在5V到12V之间实现输出电压的连续可调节。
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2024/3/1 16:50:39