Mini-Circuits的ZC8PD-02263-S+是一款超宽带8路0˚分路器/合路器，覆盖2至26.5 GHz，支持5G、S波段、X波段、Ku波段、K波段、仪器仪表等多种应用。该型号作为分路器提供20W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。并且ZC8PD-02263-S+装在一个4.64 x 3.5 x 0.5英寸的外壳中，带有超级SMA连接器。具备的特征：•超宽带，2000-26500 MHz•插入损耗低，典型值为2.1 dB。•低振幅不平衡，典型值为0.11 dB。•出色的驻波比，典型值为1.16:1。•高隔离，典型值31 dB。应用：•固定卫星•5G•移动•空间研究兆亿微波商城具有1000+型号Mini-Circuits现货库存，如有需求可联系客服。
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2026/5/15 14:00:03
Mini-Circuits的ZC4PD-E18673+是一款宽带4路0˚功率分配器/组合器。它提供18至67 GHz（Ka波段和V波段）的覆盖范围，支持包括5G、国防、仪器仪表等在内的广泛应用。该型号作为分路器提供12W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZC4PD-E18673+装在一个尺寸为1.00 x 2.04 x 0.5英寸的盒子里，带有1.85毫米的母连接器。其主要特点是：宽带，18至67 GHz低插入损耗，典型值2dB。12W功率处理高隔离，典型值32dB。低振幅不平衡，典型值为0.2dB。带状线设计常见应用：5G MIMO和回程无线电系统LTE和5G MIMO基础设施卫星通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统兆亿微波商城具有1000+型号Mini-Circuits现货库存，如有需求可联系客服。
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2026/5/15 13:54:06
Mini-Circuits的ZC8PD-E18673+是一款宽带8路0˚功率分配器/组合器。它提供18至67 GHz（Ka波段和V波段）的覆盖范围，支持包括5G、国防、仪器仪表等在内的广泛应用。该型号作为分路器提供12W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZC8PD-E18673+装在一个尺寸为1.18 x 4.08 x 0.5英寸的盒子里，带有1.85毫米的母连接器。具备的特征：宽带，18至67 GHz低插入损耗，3dB典型值。12W功率处理高隔离，典型值29dB。低振幅不平衡，典型值为0.8dB。带状线设计应用：5G MIMO和回程无线电系统LTE和5G MIMO基础设施卫星通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统兆亿微波商城具有1000+型号Mini-Circuits现货库存，如有需求可联系客服。
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2026/5/15 11:35:11
天线芯片是一种集成电路芯片，专门用于无线通信设备中处理和调节天线信号，实现信号的发送、接收和转换功能，提升天线的性能和整体系统的通信质量。嘉硕致力于SAW器件制造和设计的核心优势，TST已将产品和业务范围扩展至BAW（散发声波）设备和模块（Xtal、XO、VCO、VCTCXO......等等）。下述是关于嘉硕天线芯片的一些型号规格，具体可参考下述表格。P/N分类中心频率（MHz）通带（MHz）插入损耗（dB最大值）包装（mm）应用TQ0215AA0003天线Fo=824960/17102170MHz-30x5物联网TQ0216AA0003天线Fo=11661186/15611610MHzBW=1.9/2.8MHz-10x4物联网TQ0224AW0004天线Fo=1552MHzBW=20MHz-20.0*20.0汽车TQ0244AA0002天线Fo=2650/5500MHzBW=3300/1000MHz-120x25网络TQ0254AA0005天线Fo=2450MHzBW=100MHz-3.22x1.66物联网TQ0257AA0002天线Fo=2650/5500MHzBW=3300/1000MHz-120x25网络TQ0258AA0002天线Fo=470MHzBW=40MHz-200x50网络TQ0259AA0002天线Fo=167MHzBW=16MHz-220x50网络TQ0260AA0002天线Fo=470MHzBW=40MHz-120x25网络TQ0263AA0004天线Fo=2450/5487.5BW=100/675MHz-30.4x33.4汽车TQ0264AA0004天线Fo=830/1940/3650/5500MHzBW=260/460/500/1000MHz-120x30汽车TQ0265AA0004天线Fo=2450MHzBW=100MHz-59.7x25.4汽...
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2026/5/15 11:17:57
晶体滤波器是一种利用石英晶体的压电特性制成的电子滤波器，能够在特定频率范围内实现高选择性和稳定性的信号滤波，广泛应用于无线通信、测量仪器和音频设备中。关于嘉硕半导体晶体滤波器的型号对比如下表：P/N分类中心频率（MHz）通带（MHz）插入损耗（dB最大值）包装（mm）应用TY0131A晶体滤波器21.40.01237.0x5.0x1.27TY0135A晶体滤波器21.40.007537.0x5.0x1.27TY0136A晶体滤波器21.70.0037537.0x5.0x1.27TY0137A晶体滤波器21.40.007537.0x5.0x1.27寻呼机TY0151A晶体滤波器21.40.007527.0x5.0x1.27TY0160A晶体滤波器21.43.75KHz27.0x5.0x1.35其他TY0153A晶体滤波器30.720.00827.0x5.0x1.27TY0122A晶体滤波器450.007537.0x5.0x1.27TY0132A晶体滤波器45.150.01437.0x5.0x1.27TY0133A晶体滤波器457.5KHz37.0x5.0x1.27TY0138A晶体滤波器45.010980.00737.0x5.0x1.27TY0182A晶体滤波器450.0075511.4x7.0x2.35无线通信TY0128A晶体滤波器73.350.01327.39x7.39x1.6寻呼机TY0269AA3520晶体滤波器73.356KHz57.0x5.0x1.35其他兆亿微波商城是嘉硕代理商之一，具有多个型号的现货库存，如有需求可联系客服。
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2026/5/15 11:06:14
Microchip宣布推出EX-423真空微型晶体振荡器（EMXO），这是一款紧凑、低功耗的定时解决方案，专为要求高稳定性、准确性和长期可靠性的应用而设计。基于公司的EX-421产品线，EX-423以低矮的13毫米×13毫米封装，为空间和功耗限制的设计提供高射频性能。EX-423 坚固耐用，适应严苛环境，采用超高真空密封设计，提供最佳热绝缘性能并提升频率稳定性。其石英晶体采用四点支架，提升抗震能力并降低重力敏感度，非常适合GPS/GNSS跟踪、军用无线电、医疗设备、海底节点（OBN）地震系统、测试测量设备以及卫星通信。Microchip频率与时间系统业务部门副总裁Randy Brudzinski表示：“在开发EX-423时，我们关注设计师用来评估高性能参考振荡器的关键参数。”“在坚固、小巧的空间内实现如此高性能，有助于客户简化设计，同时不牺牲时序准确性。”EX-423结合了超低相位噪声与严格的温度控制、强的短期稳定性（艾伦偏差）、快速预热和长期频率稳定性。该设备在标准的10–20 MHz频率范围内工作，预热时功耗为1W，在+25°C稳态下最低可达0.2W，有助于延长电池寿命，同时在特定工作条件下保持干净稳定的参考。Microchip 提供广泛的时钟和定时系统组合，从微型元件振荡器到小型插拔式定时服务器卡，再到多机架时间尺度系统。作为世界时间的重要贡献者，Microchip的时序解决方案值得信赖、可靠且具有韧性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/15 10:58:11
Mini-Circuits的ZVBP-8100-S+是一种同轴腔滤波器，通过实现具有极高Q值的谐振结构而设计，非常适合窄带、高选择性应用。Mini-Circuits的同轴腔滤波器具有特殊的保护组件，可防止意外失谐，否则需要昂贵的更换或返回工厂进行重新调谐。精密加工允许实现具有小形状因子的腔体滤波器，适用于尺寸至关重要的应用。主要特点低插入损耗，典型值0.75dB。回波损耗良好，典型值为19dB。高抑制，典型值96 dB。宽阻带高达17000 MHz功率处理：5瓦ZVBP-8100-S+应用电信卫星通信雷达系统功能图如下：
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2026/5/14 15:47:09
Mini-Circuits的ZXBF系列无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。这是在一种新的宽带、稳定的连接器封装中开发的。ZXBF系列主要特点：专利设计终止阻带信号阻带高达40 GHz高阻带抑制，高达60 dBZXBF系列主要型号有：ZXBF-K24+：19500 - 20500 MHz, 50ΩZXBF-K163+：15500 - 16500 MHz, 50ΩZXBF-K183+：17500 - 18500 MHz, 50ΩZXBF-K282+：2350 - 3150 MHz, 50Ω
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2026/5/14 15:42:48
Mini-Circuits的连接薄膜滤波器ZABF-6R5G-S+通过氧化铝基板上的薄膜实现了低插入损耗和高抑制，使用溅射工艺可以保证增强的Q值和可重复的性能。低通、高通和带通连接器薄膜设计可以通过这项技术以小尺寸实现高达40 GHz的频率，帮助用户实现SWaP目标。主要特点低通带插入损耗，典型值为2 dB。高抑制，典型值52 dB。尺寸小应用无线通信C波段ZABF-6R5G-S+其功能图如下：
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2026/5/14 15:36:05
ZX75BP-1500-S+是一款宽带带通滤波器，采用坚固的连接器封装，覆盖1350至1650 MHz。这是为非对称抑制应用而设计的，如超外差接收机。通过具有不对称频带，在相对较小的封装和较低的通带插入损耗中实现了上侧频带的更快滚降。它具有跨批次的可重复性能和跨温度的一致性能。具备的特征：•上侧带快速滚落•通带匹配良好•连接包应用程序•航空和航空•数字音频广播•海事•移动卫星•射电天文学•无线医疗遥测
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2026/5/14 15:31:10
TS72421K 与 TS72461K 均为基于氮化镓（GaN）技术的对称反射式单刀四掷（SP4T）宽带射频开关，二者在整体架构与核心规格上保持了高度一致。两者均采用 16 引脚 3 mm × 3 mm × 0.8 mm 的 QFN 封装，支持 10 W 连续波功率处理与 40 dBm 热切换能力，射频通路上无需外置直流阻断电容，控制接口为 4 条独立控制线，可实现多达 16 种开关状态的灵活配置，电源电压范围均为 2.6 V 至 5.5 V，并符合 RoHS/REACH/无卤素环保标准。两者的差异主要体现在以下方面工作频率范围有所不同：TS72421K 的可用频段为 700 MHz 至 3.8 GHz，而 TS72461K 将低频下限进一步延伸至 400 MHz，从而覆盖了更宽的亚千兆赫频段，这对需要 400 MHz 至 700 MHz 频段支持的系统而言尤为重要。插入损耗表现略有差别：在 800 MHz 测试频点下，TS72421K 的典型插入损耗为 0.45 dB，而 TS72461K 优化至 0.40 dB，后者在信号通路上的能量损耗略低，有助于提升系统整体链路预算。在应用层面的划分上，TS72421K 明确将 ADS-B（广播式自动相关监视）系统列入典型应用场景，同时涵盖蜂窝基础设施、小基站、LTE 中继与微蜂窝以及卫星终端；而 TS72461K 主要面向蜂窝基础设施、小基站、LTE 中继/微蜂窝和卫星终端等通信基础设施领域。综合来看，若设计需求涉及 400 MHz 以下频段覆盖，或对 800 MHz 附近的插入损耗有更为严苛的要求，TS72461K 凭借更宽的频率范围和更低的插入损耗指标将是更合适的选择。反之，若系统工作频段始于 700 MHz 以上，且明确面向 ADS-B 等航空监视应用，则 TS72421K 的规格定义与应用背书使其成为更...
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2026/5/14 15:25:07
TS64210L–1.1Ω ON电阻GaN宽带射频开关SP2T特性● 低1.1Ω 导通电阻● 0.28pF-Coff● 120V射频峰值电压处理● 每个州都可以独立控制● 4 独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 多功能2.65.5V电源● 1.25.0V数字控制TS63421K–GaN宽带射频调谐开关4位SP4T特性● Rds在1.1Ω ● Coff 0.21pF● 100V射频峰值电压处理● 4-BIT 16可能的独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 直流电源：Vdd=2.65.5V，Vcp=-18V● 1.25.0V GPIO总线● 超低杂散选项需要-18V外部电源TS63410K–GaN宽带射频调谐开关4位SP4T特性● Rds在1.1Ω ● Coff 0.21pF● 100V射频峰值电压处理● 4-BIT 16可能的独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 直流电源：Vdd=2.65.5V● 1.25.0V GPIO总线TS63430D–4调谐开关，RON=0.5Ω,V=100V特性•全集成解决方案，单个VDD=2.6…5.25V•频率范围30MHz至1000MHz•RON=0.5Ω•50WCW功率•VPEAK=100V•与SOI相比，无突然电压击穿•切换时间=5.9µs，无功率降额•低功耗，小于1mW•不需要提供负电压TS63430D–4T/5T二进制调谐开关，RON=0.5Ω,V=100V特性•全集成解决方案，单个VDD=2.6…5.25V•频率范围30MHz至1000MHz•RON=0.5Ω•50WCW功率•VPEAK=100V•与SOI相比，无突然电压击穿•切换时间=7.2µs，无功率降额•低功耗，小于1mW•不需要提供负电压
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2026/5/14 15:12:59
TA9010K2WGaN功率晶体管20MHz至5.0GHz特性•2W GaN驱动级•28V典型操作•频率范围20MHz至5.0GHz•1000MHz时的小信号增益：20dB•1000MHz时的P3dB增益：15dB• PAE@P3dB@1000MHz:45%TA9110K6 W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管特性● 1000 MHz时的小信号增益：17 dB● 1000 MHz时的大信号增益：14 dB● 1000 MHz时的PSAT：40 dBm● 在1000 MHz时，PSAT的PAE:55%● 28 – 32 V典型操作● 工作频率：30 MHz至4.0 GHzTA9210D12.5W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管特性● 800 MHz时的小信号增益：18 dB● 800 MHz时的大信号增益：13.5 dB● 800 MHz时的PSAT：41.5 dBm● 在800 MHz时，PSAT的PAE：55%● 28 – 32 V典型操作● 工作频率：30 MHz至4.0 GHzTA9310E20 W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管特性•900 MHz时的小信号增益：17.5 dB•900 MHz时的大信号增益：14.0 dB•900 MHz时的PSAT：44 dBm•900 MHz时PSAT的PAE：55%•28-32V典型操作•工作频率：30 MHz至4.0 GHzTA9410E25 W CW、50V、20-3000 MHz GaN功率晶体管特性● 1000 MHz时的小信号增益：20 dB● 1000 MHz时P3dB的增益：17 dB● 1000 MHz时的P3dB:44 dBm● 1000 MHz时P3dB的PAE：57%● 50 V典型操作● 工作频率：20 MHz至3.0 GHz
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2026/5/14 15:05:38
TL0374J:0.03-3.0GHz GaAs超低噪声放大器特性● 1800 MHz时的小信号增益：21.5 dB● 1800 MHz时的噪声系数：0.35 dB● 1800 MHz时的OP1dB:18.5 dBm● 1800 MHz时的OIP3dB:35 dBm● 5 V典型工作电压● 工作频率：0.03至3.0 GHzTL0375J:2.0–5.0 GHz GaAs超低噪声放大器特性●3600 MHz时的小信号增益：17.5 dB● NF@3600MHz：0.4dB● OP1dB@3600MHz：19.5 dBm● 3600MHz时的OIP3dB:32.5 dBm● 5V典型工作电压● 工作频率：2.0至5.0 GHzTL0301H:4.9–6.0 GHz高增益超低噪声放大器特性● 5.5 GHz时的小信号增益：17.8 dB● 5.5 GHz时的EVB噪声系数：1 dB● 5.5 GHz时的IP1dB:-4.5 dBm● 3.3 V典型工作电压● 工作频率：4.9至6.0 GHzTL0302H:5.925–7.125 GHz高增益超低噪声放大器特性● 6.6 GHz时的小信号增益：13.6 dB● 6.6 GHz下的噪声系数：1.4 dB● 6.6 GHz时的IP1dB:0.5 dBm● 3.3 V典型工作电压● 工作频率：5.925至7.125 GHzTR0329M:2.0–4.2 GHz超低噪声2级旁路低噪声放大器特性● 3600 MHz时的小信号增益：34 dB（高增益模式）@3600 MHz：15 dB（低增益模式）● NF@3600 MHz：0.5 dB（高增益模式）@3600 MHz：0.5 dB（低增益模式）● 3600 MHz时的P1dB:20 dBm（高增益模式）@3600 MHz：10.5 dBm（低增益模式）● 5 V典型工作电压● 工作频率：...
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2026/5/14 14:44:46
TSL8329M特征：集成双通道射频前端2级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配单电源操作3.6 GHz时的增益：32 dB（高增益模式）@3.6 GHz:13 dB（低增益模式）NF@3.6 GHz:1.0 dB（高增益模式）@3.6 GHz:0.9 dB（低增益模式）OP1dB@3.6 GHz:20 dBm（高增益模式）@3.6 GHz:10.5 dBm（低增益模式）工作频率：2.0至4.2 GHz高隔离度：RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：典型值为40 dBTERM-CHA和TERM-CHB:55 dB典型值3600 MHz时的插入损耗：0.45 dB（TX模式）TCASE=105°C下的高功率处理全寿命LTE平均功率（9 dB标准杆数）：43 dBm高OIP3（高增益模式）：典型值为35 dBm高增益模式电流：5V时典型值为90mA低增益模式电流：5V时典型值为45mA断电模式电流：5V时典型值为5mA正向逻辑控制6毫米×6毫米，40针QFNTSL8028N特征：集成单通道射频前端两级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配单电源操作3.6 GHz时的增益：33 dB[高增益模式]@3.6 GHz:14 dB[低增益模式]NF@3.6 GHz:1.2 dB[高增益模式]@3.6 GHz:1.1 dB[低增益模式]OP1dB@3.6 GHz:21 dBm[高增益模式]@3.6 GHz:12 dBm[低增益模式]工作频率：2至5 GHz3600 MHz时的插入损耗：0.3 dB[TX模式]3.6 GHz下的开关隔离度：17 dB[RX HG模式]3.6 GHz时的RXHG隔离度：48 dB[PD=5V&BP=0V]3.6 GHz时的RXLG隔离度：48 dB[PD=BP=5V]TCASE=105°C下的高功率处理全寿命...
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2026/5/14 14:36:13
TA3115AA1223SAW滤波器2655 MHz尺寸1.0x0.9 mm BW 70 MHz最大额定值：输入功率：15dBm最大直流电压：3V工作温度范围：-30°C至+85°C储存温度范围：-40°C至+85°C湿度敏感等级：3级（MSL3）TS0034A声表面波振荡器627.27MHz贴片13.7X9.4毫米TS0034A是一款SAW 振荡器，采用 13.7x9.4 mm 的 SMD（表面贴装器件） 封装。其标称输出频率为 627.27MHz。此外，该器件符合 RoHS 标准，并采用无铅焊接工艺。TS0032A声表面波振荡器628.1737MHz贴片13.7X9.4毫米符合RoHS标准、采用无铅封装的13.7x9.4mm表面贴装器件（SMD），其标称输出频率为627.9933MHz，频率容差为±250ppm，在3.3V典型供电电压下的最大电流消耗为40mA。该器件的输出信号在50Ω负载下的典型电压为0.9Vp-p，并具备出色的相位噪声性能，在100KHz偏移处的典型值可达-154dBc/Hz。此外，其工作温度范围内的频率牵引效应较小，且对静电放电（ESD）敏感。上述型号推荐回流配置文件：1.预热温度应固定在150-180℃，持续60-90秒。2.升温至预热温度150℃的时间应为30秒。3.加热应固定在220℃下50-80秒，峰值温度为260℃+0/-5C（20-40秒）。4.时间：2次。
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2026/5/14 14:23:42
Qorvo推出了一款全新的1.8 GHz DOCSIS® 4.0功率倍增器混合放大器，该放大器提升了24V下游射频输出，实现扩展频谱网络和全双工升级，同时不超出既定平台功率限制。随着运营商将混合光纤同轴（HFC）网络扩展至1.8 GHz，改善终端调制裕度变得越来越复杂。提高射频输出传统上需要更高的直流功率或额外的增强放大器，增加了成本和运营负担。Qorvo的新QPA3312混合放大器通过提升可用射频输出，同时保持现有的24V架构和机体限制，解决了这一挑战。Qorvo基础设施业务高级市场经理Bob Simmers表示：“运营商希望获得更强的1.8 GHz性能，但不能超过现有放大器平台的功率限制。”“这一新的功率倍增器在24V下实现了可衡量的性能提升，使OEM和MSO能够在无需重新设计基础设施的情况下加强DOCSIS 4.0网络。”通过保留既有的24V电源框架和经过验证的SOT-115J混合设计，QPA3312使放大器和节点制造商能够在保持现有产品线间机械、热和电气连续性的同时，区分其DOCSIS 4.0解决方案。对于运营商来说，该设备提升了终端信号质量，减少级联复杂度，同时保持现有电力基础设施。结果是网络性能更强，同时不增加电力负担。作为支持HFC架构解决方案的技术领导者，Qorvo持续扩展其DOCSIS 4.0产品线，涵盖最广泛的混合放大器、MMIC、控制产品和均衡器，支持灵活的网络设计和快速、可扩展的升级。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/14 13:58:04
Vishay推出了四个系列的单向和双向3000 W标准杆数和TRANSZORB表面安装瞬态电压抑制器（TVS）。为工业和汽车应用提供节省空间的解决方案，汽车级T3KNxxA和T3KNxxCA系列设备通过AEC-Q101认证，可在+185°C的高温下运行，而3KDFNxxA和3KDFNxxxCA系列符合LL15i工业可靠性认证。作为Vishay最新Power DFN系列封装，DFN6546A体积紧凑，尺寸为6.5毫米×4.6毫米，典型高度极低，仅为0.88毫米，使今日发布的Vishay General Semiconductors的TVS二极管能够更高效地利用PCB空间。同时，这些器件结构和芯片配置技术允许更高的铜含量和更大的芯片尺寸，从而显著提升性能。与SMPC（TO-277A）封装兼容，二极管功耗提升了两倍，且外形降低了20%。与SMC（DO-214AB）中的设备相比，它们提供了相同的功耗，同时减少了76%的体积。TVS旨在保护敏感电子设备免受感性负载切换和闪电引起的电压瞬变影响。符合AEC-Q101资格的T3KNxxA和T3KNxxCA PAR系列的典型应用包括高级驾驶辅助（ADAS）、激光雷达、摄像头、信息娱乐和传感器系统;直流/直流转换器;电池管理系统（BMS）和车载充电器;电动助力转向（EPS）;牵引逆变器;中央控制单元;以及电动机驱动。工业级3KDFNxxA和3KDFNxxCA TRANSZORB系列将应用于机器人控制板、过程/流量控制仪表、自动化系统和发电机启动控制器;60千瓦的储能系统;服务器电源模块;消费娱乐设备;以及电信和医疗设备。对于这些应用，二极管提供了出色的夹持能力，最大钳位电压范围为T3KNxxA和3KDFNxxA为16.7V至33.2V，T3KNxxCA和3KDFNxxCA为16.7V至137V。其 DFN6546A 套件的...
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2026/5/14 13:54:31