Mini Circuits的USB-2SP4T-63H是一款低成本、USB控制的固态矩阵，包含两个独立的SP4T RF开关。每个快速切换、吸收式开关的工作频率从10 MHz到6000 MHz，典型的开关转换速度为5µs。高线性度（典型IP3为+50 dBm）和高隔离度（典型85 dB）使该模型可用于各种射频应用。USB-2SP4T-63H封装在一个紧凑、薄型、坚固的金属外壳（8.4“x 2.00”x 0.475“）中，带有10个SMA（F）连接器（COM，每个交换机1到4个）、一个用于电源和控制的USB Mini-B端口以及两个用于主/从连接到其他模块的数据总线连接器。特性•非常高的隔离度，典型值为85 dB•高速开关转换，典型值为5µs•高功率处理，最大+30 dBm•最多35个模块的菊花链控制
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2024/3/25 17:18:10
LFCN-80+是一款射频滤波器，最小7节，最大7节，145MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针特点出色的动力操控性，8.5W小尺寸7个部分温度稳定LTCC施工常见应用谐波抑制甚高频/超高频发射机/接收机
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2024/3/25 17:12:40
MJD44H11T4G主要设计用于开关调节器、转换器和功率放大器等应用中的通用电源和开关，如输出或驱动级。特点•塑料套管表面安装用铅成型（无后缀）•塑料套管直通型（后缀“−1”）•与流行的D44H/D45H系列电气相似•集电极-发射极饱和电压低•快速切换速度•互补对简化设计•环氧树脂符合UL 94 V−0@0.125英寸•汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用程序的NJV前缀；AEC−Q101合格且具备PPAP能力•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR，符合RoHS标准
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2024/3/25 17:02:39
UCC2732x 和 UCC3732x 系列高速双路 MOSFET 驱动器提供 4A 峰值拉电流和 4A 峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效 MOSFET 驱动。独特的双极和 MOSFET 混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了 3 个标准逻辑选项的组合 - 双路反相、双路同相、一路反相和一路同相。输入阈值基于 TTL 和 CMOS，和电源电压无关，并具有能提供极佳防噪性能的宽输入迟滞。UCC2732x 和 UCC3732x 系列提供标准 SOIC-8 (D) 或 PDIP-8 (P) 封装以及热增强型 8 引脚 PowerPAD MSOP 封装 (DGN)，大大降低了热阻以改善长期可靠性。特点• Bi-CMOS 输出架构• 可在米勒平坦区提供 ±4A 驱动电流• 即使在低电源电压下也能实现恒流• 并联输出以获得更高的驱动电流• 可提供 MSOP-PowerPAD™封装• 与电源电压无关的 TTL/CMOS 输入• 行业标准引脚
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2024/3/25 16:54:18
TPS2829DBVR单通道高速MOSFET驱动器能够将高达2A的峰值电流输送到高电容负载中。使用BiCMOS输出可以获得高的开关速度（tr和tf＝14ns典型值）。典型的阈值开关电压是VCC的2/3和1/3。该设计本质上最大限度地减少了击穿电流。TPS2816到TPS2819设备上提供了一个调节器，以允许电源输入在14V和40V之间运行。如果功耗不超过封装限制，调节器输出可用于为其他电路供电。如果不需要调节器，VDD（调节器输入）应连接到VCC。TPS2816和TPS2817输入电路包括有源上拉电路，以在使用集电极开路PWM控制器时消除对外部电阻器的需要。除了省略了有源上拉电路之外，TPS2818和TPS2819与TPS2816和TPS2 817相同。TPS2828和TPS2829与TPS2818和TPS2819相同，只是省略了内部电压调节器，当输入为高或低时，允许静态电流降至小于15uA。TPS28xx系列器件有5引脚SOT-23（DBV）封装，可在40°C至125°C的环境温度范围内工作。特点•低成本单通道高速MOSFET驱动器•2A峰值输出电流•5引脚SOT-23封装•–40°C至125°C环境温度工作范围•高度抵抗闩锁
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2024/3/25 16:49:38
TPS54260 器件是一款具有集成高侧 MOSFET 的 60V、2.5A 降压稳压器。它采用电流模式控制，可实现简单的外部补偿和灵活的组件选择。其低纹波脉冲跳跃模式可将无负载的稳压输出电源电流减小至 138µA。通过使用使能引脚，在该引脚为低电平时，关断电源电流 将降至 1.3µA。欠压锁定 (UVLO) 电压在内部设定为 2.5V，但可利用使能引脚将该值进行提高。输出电压启动斜坡受控于慢启动引脚，还可以配置该引脚来控制排序和跟踪。开漏电源正常信号表示输出处于其标称电压值的 94% 至 107% 之内。宽开关频率范围实现了对效率及外部组件尺寸的优化。频率折返和热关断功能可在过载情况下对部件提供保护。TPS54260 采用 10 引脚耐热增强型 MSOP 封装和 10 引脚 3mm × 3mm 小外形尺寸无引线 (SON) PowerPAD 封装。特点• 输入电压范围：3.5V 至 60V• 200mΩ 高侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)• 使用跨周模式可在轻负载时实现高效率 Eco-mode™• 138µA 静态工作电流• 1.3µA 关断电流• 100kHz 至 2.5MHz 开关频率• 同步至外部时钟• 可调缓启动和排序• 欠压 (UV) 和过压 (OV) 电源正常输出• 可调 UVLO 电压和滞后• 0.8V 内部电压基准• 10 引脚 MSOP 和10 引脚 3mm × 3mm VSON 封装• 使用 TPS54260 并借助 WEBENCH® 电源设计器创建定制设计
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2024/3/25 16:48:03
CC1101是一种低成本的亚1GHz收发器，专为非常低功率的无线应用而设计。该电路主要用于315、433、868和915 MHz的ISM（工业、科学和医疗）和SRD（短程设备）频带，但可以很容易地编程为在300-348 MHz、387-464 MHz和779-928 MHz频带的其他频率下操作。RF收发器与高度可配置的基带调制解调器集成在一起。调制解调器支持各种调制格式，并具有高达600kbps的可配置数据速率。CC1101为数据包处理、数据缓冲、突发传输、畅通信道评估、链路质量指示和无线唤醒提供了广泛的硬件支持。CC1101的主要操作参数和64字节发送/接收FIFO可以通过SPI接口进行控制。在典型的系统中，CC1101将与微控制器和一些附加的无源元件一起使用。CC1190 850-950 MHz范围扩展器[21]可与CC1101一起用于远程应用，以提高灵敏度和输出功率。特点•低电流消耗（RX中14.7 mA，1.2 kBaud，868 MHz）•所有支持频率的可编程输出功率高达+12 dBm•出色的接收机选择性和阻塞性能•可编程数据速率从0.6 kbps到600 kbps•频带：300-348 MHz、387-464 MHz和779-928 MHz•模拟功能•支持2-FSK、4-FSK、GFSK和MSK，以及OOK和灵活的ASK整形•由于具有快速稳定的频率合成器，因此适用于跳频系统；75µs沉淀时间•自动频率补偿（AFC）可用于将频率合成器与接收信号中心频率对齐•集成模拟温度传感器
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2024/3/25 16:42:29
SN65LBC184设备是SN75176的贸易标准封装中的差分数据线收发器，具有针对高能噪声瞬态的内置保护。与大多数现有设备相比，该特征提供了可靠性的显著提高，从而对耦合到数据电缆的噪声瞬变具有更好的抗扰性。这些电路的使用提供了可靠的低成本直接耦合（无隔离变压器）数据线接口，而不需要任何外部组件。SN65LBC184可以承受峰值为400-W的过电压瞬变（典型）。IEC 61000-4-5中提出的传统组合波模拟过电压瞬态，并模拟由开关过电压和二次雷电瞬态引起的单向浪涌。特点•集成瞬态电压抑制•根据IEC 61000-4-5，400 W峰值（典型）的电路损坏保护•可控驱动器输出电压转换率允许更长的电缆短截线长度•在电噪声环境中为250 kbps•开路故障安全接收器设计•1/4单元负载允许128个设备连接在总线上•热停堆保护•通电和断电故障保护•每个收发器都符合或超过TIA/EIA-485（RS-485）和ISO/IEC 8482:1993（E）标准的要求•低禁用电源电流最大300µA•引脚与SN75176兼容
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2024/3/25 16:37:00
C2000™ 32 位微控制器 针对处理、传感和驱动进行了优化，旨在提高 实时控制应用（如工业电机驱动器、光伏逆变器和数字电源、电动汽车和运输、电机控制以及感应和信号处理）中的闭环性能。C2000 产品线包括 Delfino™ 高端性能系列和 Piccolo™ 入门级性能系列。TMS320C2000 32 位微控制器在处理、传感和驱动方面进行了优化，可提高实时控制应用中的闭环性能。C2000™ 微控制器产品线包括 Delfino™ 高端性能微控制器系列和 Piccolo™ 入门级性能微控制器系列。TMS320F28335属于 TMS320C28x/Delfino DSC/MCU 系列器件，是适用于具有严格要求的控制应用且高度集成的高性能解决方案。特点• 高性能静态 CMOS 技术• 高达 150MHz（6.67ns 周期时间）• 1.9V/1.8V 内核、3.3V I/O 设计• 高性能 32 位 CPU (TMS320C28x)• IEEE 754 单精度浮点单元 (FPU)（仅限 F2833x）• 16 × 16 和 32 × 32 MAC 操作• 16 × 16 双 MAC• 哈佛 (Harvard) 总线架构• 快速中断响应和处理• 统一存储器编程模型• 高效代码（使用 C/C++ 和汇编语言）• 6 通道 DMA 控制器（用于 ADC、McBSP、ePWM、XINTF 和 SARAM）• 16 位或 32 位外部接口 (XINTF)• 地址覆盖超过 2M × 16• 时钟和系统控制• 片上振荡器• 看门狗计时器模块• 可以将 GPIO0 转 GPIO63 引脚连接到八个外部内核中断之中的一个• 可支持全部 58 个外设中断的外设中断扩展 (PIE) 块• 128 位安全密钥/锁• 保护闪存/OTP/RAM 块• 防止固件逆向...
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2024/3/25 16:32:33
DRV8870 是一款刷式直流电机驱动器，适用于打印机、电器、工业设备以及其他小型机器。 两个逻辑输入控制 H 桥驱动器，该驱动器由四个 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 组成，能够以高达 3.6A 的峰值电流双向控制电机。利用电流衰减模式，可通过对输入进行脉宽调制 (PWM) 来控制电机转速。 如果将两个输入均置为低电平，则电机驱动器将进入低功耗休眠模式。 DRV8870 具有集成电流调节功能，该功能基于模拟输入 VREF 以及 ISEN 引脚的电压（与流经外部感测电阻的电机电流成正比）。该器件能够将电流限制在某一已知水平，这可显著降低系统功耗要求，并且无需大容量电容来维持稳定电压，尤其是在电机启动和停转时。该器件针对故障和短路问题提供了全面保护，包括欠压锁定 (UVLO)、过流保护 (OCP) 和过热保护 (TSD)。 故障排除后，器件会自动恢复正常工作。特点• 独立的 H 桥电机• 驱动一个直流电机、一个步进电机的绕组或其他负载• 6.5V 至 45V 宽工作电压范围• 565mΩ（典型值）RDS(on) (HS + LS)• 3.6A 峰值电流驱动能力• 脉宽调制 (PWM) 控制接口• 集成电流调节功能• 低功耗休眠模式• 小型封装尺寸• 8 引脚 HSOP 封装，带有 PowerPAD• 4.9mm × 6.0mm• 集成保护特性• VM 欠压闭锁 (UVLO)• 过流保护 (OCP)• 热关断 (TSD)• 自动故障恢复
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2024/3/25 16:31:10
SN65HVD230控制器局域网（CAN）收发器与ISO 11898-2高速CAN物理层标准（收发器）的规范兼容。这些设备设计用于高达每秒1兆比特（Mbps）的数据速率，并包括许多提供设备和CAN网络稳健性的保护功能。SN65HVD23x收发器设计用于德州仪器3.3 VµP、带有CAN控制器或等效协议控制器设备的MCU和DSP。这些设备旨在用于根据ISO 11898标准采用CAN串行通信物理层的应用中。特点使用单个3.3 V电源运行•与ISO 11898-2标准兼容•PCA82C250封装的低功耗更换•总线引脚ESD保护超过±16 kV HBM•高输入阻抗允许总线上最多120个节点•可调节的驱动器转换时间，可提高排放性能–SN65HVD230和SN65HVD231•SN65HVD230：低电流待机模式–370μA典型•SN65HVD231：超低电流睡眠模式–40 nA典型•专为高达1Mbps的数据速率（1）而设计•热停堆保护•开路故障安全设计•热插拔应用的无故障通电和断电保护
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2024/3/25 16:12:51
ADS1110是一款精度高、连续自校准的模数（A/D）转换器，在小型SOT23-6封装中具有差分输入和高达16位的分辨率。车载2.048V参考电压差分提供±2.048V的输入范围。ADS1110使用I2C兼容串行接口，通过2.7V至5.5V的单电源供电。ADS1110可以以每秒15、30、60或240个样本的速率执行转换。板载可编程增益放大器（PGA）提供高达8的增益，允许以高分辨率测量较小的信号。在单转换模式下，ADS1110在转换后自动断电，大大降低了空闲期间的电流消耗。ADS1110专为需要高分辨率测量的应用而设计，其中空间和功耗是主要考虑因素。典型的应用包括便携式仪器、工业过程控制和智能变送器。特点•小型SOT23-6包中的完整数据采集系统•车载PGA•车载振荡器•16位无缺失代码•INL：FSR最大值的0.01%•持续自我校准•单循环转换•可编程数据速率：15SPS至240SPS•I2C™接口——八个可用地址•电源：2.7V至5.5V•低电流消耗：240µA•应用程序•便携式仪器•工业过程控制•智能变送器•消费品•工厂自动化•温度测量
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2024/3/25 16:09:00
ADS1256是极低噪声的24位模数（A/D）转换器。它们为最苛刻的应用提供了完整的高分辨率测量解决方案。转换器由四阶Δ∑调制器和可编程数字滤波器组成。柔性输入多路复用器处理差分或单端信号，并包括用于验证连接到输入的外部传感器的完整性的电路。可选输入缓冲器大大增加了输入阻抗，低噪声可编程增益放大器（PGA）以二进制步长提供从1到64的增益。可编程滤波器允许用户在高达23位的无噪声分辨率和高达每秒30k个样本（SPS）的数据速率之间进行优化。转换器提供用于测量多路复用输入的快速通道循环，并且还可以执行仅在单个循环中稳定的单次转换。通信通过SPI兼容的串行接口进行处理，该接口可以通过2线连接进行操作。板载校准支持所有PGA设置的偏移和增益误差的自身和系统校正。提供双向数字I/O和可编程时钟输出驱动器用于一般用途。ADS1256封装在SSOP-28中。特点•24位，无缺失代码•所有数据速率和PGA设置•高达23位无噪声分辨率•±0.0010%非线性（最大值）•数据输出速率达到30kSPS•快速通道循环•在1.45kHz时，18.6位无噪声（21.3有效位）•单循环设置的一次性转换•带传感器检测的灵活输入多路复用器•斩波器稳定输入缓冲器•低噪声PGA:27nV输入参考噪声•所有PGA设置的自身和系统校准•5V容错SPI™-兼容串行接口•模拟电源：5V•数字电源：1.8V至3.6V•功耗•正常模式下低至38mW•待机模式下0.4mW
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2024/3/25 16:06:44
STM32H743IIT6设备基于高性能Arm®Cortex®-M7 32位RISC内核，工作频率高达480 MHz。Cortex®-M7核心采用浮点单元（FPU），支持Arm®双精度（符合IEEE 754标准）和单精度数据处理指令和数据类型。STM32H743IIT6设备支持全套DSP指令和内存保护单元（MPU），以增强应用程序的安全性。STM32H743IIT6设备包含高速嵌入式存储器，具有高达2兆字节的双组闪存、高达1兆字节的RAM（包括192千字节的TCM RAM、高达864千字节的用户SRAM和4千字节的备份SRAM），以及连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。特点•ROP、PC-ROP、主动夯实机•通用输入/输出•多达168个具有中断功能的I/O端口•重置和电源管理•D2：通信外围设备和定时器•D3：复位/时钟控制/电源管理•1.62至3.6 V应用电源和I/O•POR、PDR、PVD和BOR•专用USB电源嵌入3.3 V内部调节器，为内部PHY供电•嵌入式调节器（LDO），具有可配置的可扩展输出，为数字电路供电•运行和停止模式下的电压缩放（6个可配置范围）•备用调节器（~0.9 V）•模拟外围设备/VREF的参考电压+•低功耗模式：睡眠、停止、待机和支持电池充电的VBAT•低功耗
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2024/3/25 16:03:23
STM32F103RET6E性能线系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器（闪存高达512 KB，SRAM高达64 KB），以及连接到两条APB总线的广泛增强型I/O和外围设备。所有设备都提供三个12位ADC、四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、一个SDIO、五个USART、一个USB和一个CAN。STM32F103RET6高密度性能线系列在–40至+105°C的温度范围内运行，电源电压为2.0至3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用程序。这些功能使STM32F103RET6高密度性能线微控制器系列适用于广泛的应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外围设备、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统视频对讲和暖通空调。特性•256至512 KB的闪存•高达64 KB的SRAM•具有4芯片选择功能的灵活静态存储器控制器。支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器•LCD并行接口，8080/6800模式•时钟、重置和供应管理•2.0至3.6 V应用电源和I/O•POR、PDR和可编程电压检测器（PVD）•4至16 MHz晶体振荡器•内部8 MHz工厂微调RC•带校准的内部40 kHz RC•32 kHz振荡器，用于带校准的RTC•低功率•睡眠、停止和待机模式•用于RTC和备份寄存器的VBAT电源•3×12位，1μs A/D转换器（最多21个通道）•转换范围：0至3.6 V•三重采样和保持能力•温度传感器•2×12位D/A转换器•DMA：12通道DMA控制器
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2024/3/25 15:54:13
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的行业标准。与上一代OptiMOS™ 3相比，OptiMOS™ 6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS™ 6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。OptiMOS™ 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅，满足当前行业标准的要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 11:03:50
美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示，人工智能(AI)服务器需求正推动高带宽内存(HBM)、DDR5(D5)和数据中心SSD快速成长，这使得高阶DRAM、NAND供给变得吃紧，进而对所有内存和储存终端市场报价带来正面连锁效应。Mehrotra指出，就数据中心领域而言，在AI服务器强劲成长以及传统服务器恢复温和成长的带动下，2024年(1-12月)产业服务器出货量成长率预估将落在个位数的中后段。美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额，HBM营收预料自2024会计年度第3季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。Mehrotra表示，美光今年HBM产能已销售一空、2025年绝大多数产能已被预订。美光预期2024年DRAM、NAND产业供给都将低于需求。美光2024会计年度的DRAM、NAND位供给成长预估仍低于需求成长，2024年度库存天数将会缩减。Mehrotra并且提到，美光预期AI手机的DRAM容量将比目前没有AI功能的旗舰手机高出50-100%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 10:58:45
3月20日，安徽省统计局、国家统计局安徽调查总队发布了2023年安徽省国民经济和社会发展统计公报。初步核算，全年全省生产总值（GDP）47050.6亿元，比上年增长5.8%。新兴动能不断增强。规模以上工业中，高新技术产业增加值比上年增长11.2%，占规模以上工业增加值比重为49.1%；装备制造业增加值增长13.3%，占规模以上工业增加值比重为38.7%；战略性新兴产业产值增长12.2%，占规模以上工业总产值比重为42.9%。全年汽车全产业链营业收入突破万亿元，达1.16万亿元，比上年增长28.5%。全年规模以上工业增加值比上年增长7.5%。分行业看，41个工业大类行业中有28个行业增加值保持增长。其中，化学原料和化学制品制造业增长4.2%，非金属矿物制品业增长5.6%，汽车制造业增长33.9%，电气机械和器材制造业增长20.0%，计算机、通信和其他电子设备制造业增长4.2%。工业产品中，集成电路和液晶显示屏产量分别增长116.3%和21.3%，汽车产量249.1万辆，增长48.1%，其中新能源汽车产量86.8万辆，增长60.5%。集成电路产量60.4亿块，液晶显示屏产量7.5亿片。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 10:56:45