TLV757P 低压降稳压器 (LDO) 是一款超小型低静态电流 LDO，可提供 1A 拉电流，具有良好的线路和负载瞬态性能。经优化的 TLV757P 可支持 1.45V 至 5.5V 的 输入电压范围 从而适用于各种应用。为最大程度地降低成本和解决方案尺寸，该器件在 0.6V 至 5V 范围内以固定输出电压的形式提供，以支持现代 MCU 更低的内核电压。此外，TLV757P 具备带有使能功能的低 IQ，从而可将待机功耗降至最低。该器件 具有 内部软启动功能，旨在降低浪涌电流，该电流将为负载提供受控电压并在启动过程中最大程度地降低输入电压压降。关断时，该器件可主动下拉输出以快速释放输出并确保已知的启动状态。TLV757P 电子元器件在与支持小尺寸总体解决方案的小型陶瓷输出电容器搭配使用时，可保持稳定。高精度带隙与误差放大器支持 1% 的典型精度。所有器件版本均具有集成的热关断保护、电流限制和低压锁定 (UVLO) 功能。TLV757P 包含一个内部过流保护限制，有助于在短路事件中减少热耗散。具备的特性• 输入电压范围：1.45 V 至 5.5 V• 可提供固定输出电压：0.6V 至 5V（50mV 步长）• 低 IQ：25μA（典型值）• 低压降：在 1 A 下为 425 mV（最大值）（VOUT 为3.3V）• 输出精度：1%（最大值）• 内置软启动功能，具有单调 VOUT 上升• 折返电流限制• 有源输出放电• 高 PSRR：100kHz 时为 45dB• 与 1µF 的陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定常见应用• 机顶盒、电视和游戏机• 便携式和电池供电类设备• 台式机、笔记本电脑和超极本• 平板电脑和遥控器• 白色家电和电器• 电网基础设施和保护继电器• 摄像头模块和图像传感器典型应用图
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2026/2/25 11:21:41
瑞萨电子宣布其面向ADAS（高级驾驶辅助系统）的车规级片上系统（SoC）R-Car V4H，已被应用于丰田汽车全新RAV4车型的TSS（LSS）控制单元。该车型已于2025年12月正式发布，其中央ADAS单元由电装株式会社（Denso Corporation）提供。R-Car V4H专为高阶ADAS应用设计，可在RAV4中高效运行多项ADAS处理功能，包括摄像头与雷达传感器融合、驾驶员监测、智能泊车及全景视图等，显著提升车辆安全性能和驾驶体验。在TSS（LSS）控制单元中，R-Car V4H通过内置图像识别功能（含AI神经网络）处理前置摄像头数据。该芯片将图像数据与雷达输入数据融合，实现ADAS功能，支持高精度检测车辆、行人及障碍物等。在泊车辅助方面，其集成GPU能够基于前、后、左、右摄像头生成实时3D全景图像，并通过融合摄像头与超声波传感器数据识别停车位及周边障碍物。此外，该SoC还能通过车内摄像头监测驾驶员状态，进一步提升行车安全。Vivek Bhan, Senior Vice President and General Manager of High Performance Computing at Renesas表示：“R-Car V4H能应用于RAV4车型，我们深感振奋。丰田已在ADAS SoC、微控制器及功率器件等多个领域广泛采用我们的产品。我们将继续支持智能汽车技术的发展，助力打造面向未来的移动出行解决方案。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/25 10:54:30
瑞萨电子公司宣布了一款基于3nm FinFET工艺的可配置三元内容寻址存储器（TCAM）。新型TCAM同时实现了更高的密度、更低的功耗和增强的功能安全，使其适合汽车应用。瑞萨斯在2026年2月15日至19日在美国旧金山举行的国际固态电路大会（ISSCC 2026）上展示了该成果。随着5G和云/边缘计算的快速扩展，网络流量持续激增，推动了对大型多样TCAM配置的需求，如256位×4096条条目。传统的仅依赖硬宏的扩展增加了更多银行和中继站的外围区域，使得时间关闭更困难，同时提升搜索能力。汽车应用还需要更高的安全覆盖以符合ISO 26262等标准。瑞萨通过以下创新来应对这些挑战。1. 整合硬宏与软宏方法，实现灵活配置新开发的TCAM硬宏由内存编译器以细粒度支持——搜索键宽度为8–64位，入口深度为32–128位。通过将这些硬宏与工具驱动的软宏自动生成结合实现更大的配置（例如256位×4096个项），即可在单芯片上实现可配置的单一宏，覆盖广泛的应用场景。这实现了内存密度5.27 Mb/mm²。2. 全不匹配检测与宏观流水线搜索每个硬宏集成一个全不匹配检测电路，并执行两级流水线搜索。基于第一阶段的结果，第二阶段可以继续或停止，以避免不必要的能量消耗。例如，在64–256位×512项配置中，该方法通过以下方式降低搜索能量：采用列分区、64位键时，可实现高达 71.1% 的按列流水线搜索通过按行流水线搜索（无密钥分区，≤64位密钥）可达65.3%在256位×512条配置中，该设计实现了低功耗，搜索能量为0.167 fJ/bit，分布式时序负载支持1.7 GHz的搜索时钟。所得的TCAM优点指数（密度×速度÷能量）达到53.8，超过了之前的工作。3. 增强汽车应用的功能安全（分体数据总线和专用SRAM）由于同一地址的 ...
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2026/2/25 10:49:59
意法半导体推出了MasterGaN6，开启了第二代MasterGaN半桥系列。封装中的新功率系统将升级版BCD驱动器与高性能氮化镓功率晶体管耦合，晶体管功率仅为140mΩ RDS（开）.借助与ST MasterGaN家族已建立的高集成度，MasterGaN6通过加入专用引脚以实现故障指示和待机功能，扩大了功能数量。这些功能不仅实现智能系统管理和提升节能效果，新设备还集成了LDO（低频导航仪）和引导二极管，确保最佳驱动性能，同时节省外部组件成本。该新型驱动器设计具有极快的时序，凭借其低的最小导通时间和传播延迟，支持高频工作，帮助设计者最大限度地减少电路占用。此外，其超快唤醒时间提升了突发模式运行，实现最佳低负载效率。MasterGaN6内置了包括交叉导通、热关机和低压锁定在内的完整保护措施，使工程师能够实现低材料成本、紧凑的PCB尺寸和简化的电路布局。MasterGaN6可承受最高10A电流，设计用于消费和工业应用，如充电器、适配器、照明电源以及直流转交流太阳能微逆变器。其半桥结构适用于多种拓扑结构，如主动钳位回扫（ACF）、谐振LLC、逆降压转换器和功率因数校正（PFC）电路。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/25 10:42:47
意法半导体宣布推出Stellar P3E，首款内置AI加速的汽车边缘智能微控制器（MCU）。Stellar P3E为未来的软件定义车辆设计，简化了X合1电子控制单元（ECU）的多功能集成，降低了系统成本、重量和复杂度。“Stellar P3E 通过将高性能实时控制与边缘人工智能集成于单一设备中，为汽车电气化树立了新的标杆，满足最高的汽车安全标准，”意法半导体集团副总裁兼通用与汽车微控制器部门总经理 Luca Rodeschini 表示。“其增强的处理能力、人工智能加速、大容量且可扩展的内存、丰富的模拟内容、智能传感能力和智能电源管理功能支持虚拟传感器等新应用。这使汽车制造商能够更好地打造更安全、更高效、更灵敏的驾驶体验。”Stellar P3E 的一个显著特点是集成了 ST Neural-ART 加速™器，实现实时 AI 效率——使其成为汽车行业首个集成神经网络加速器的 MCU。P3E由专用神经处理单元（NPU）驱动，配备先进的数据流架构，应用于AI工作负载，并结合其丰富的传感能力，使智能传感成为可能，为虚拟传感器等新应用打开大门。P3E实现微秒级推理处理，效率高出传统MCU核心处理器的30倍。这使得始终在线、低功耗的人工智能（AI）能够支持实时功能，包括预测性维护和智能感知，在广泛应用中带来显著优势。例如，这些能力可以提升电动汽车的充电速度和效率，并支持新特性的快速部署，无论是工厂还是现场。原厂（OEM）可以通过不同的AI模型引入新功能和更直观的行为，减少对额外传感器、模块、布线和集成工作的需求。“将神经处理从集中枢纽转移到车载边缘，实现了亚毫秒级的决策，这对于下一代车载智能至关重要。在MCU层面集成AI硬件加速，使OEM能够提供先进能力，如车辆性能预测性维护和虚拟传感器应用的智能传感。Counterpoint Research副主任Greg Basich表示：“这实现了...
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2026/2/25 10:27:07
电路元件参考下图，即推荐的 AD8099 同相电路原理图。RF 和 RG — 反馈电阻和增益设置电阻决定放大器的噪声增益；典型 RF 值范围为 250 Ω 至 499 Ω。CF — 在环路响应中产生一个零点，以补偿输入电容（包括杂散电容）和反馈电阻 RF 产生的极点。CF 有助于减少闭环响应中的高频峰值和振铃。此处使用的评估电路典型范围为 0.5 pF 至 1.5 pF。R1 — 该电阻将放大器输入端接至信号源的源电阻，典型值为 50 Ω。（这是特定于应用的，并非总是需要。）RS — 许多低增益配置的高速放大器要求输入级端接至标称阻抗以保持稳定性。RS 值应保持在 50 Ω 或更低以维持低噪声性能。在较高增益下，RS 可减小甚至消除。典型范围为 0 Ω 至 50 Ω。CC — 补偿电容在相位恶化的较高频率处降低开环增益。通过降低开环增益，相位裕度增加，放大器得以稳定。典型范围为 0 pF 至 5 pF。CC 值与增益相关。RC — 封装串联电感和补偿电容（CC）形成串联谐振电路。RC 抑制该谐振并防止振荡。闭环增益为 2 时，RC 推荐值为 50 Ω。该电阻在开环响应中引入一个零点，必须保持较低，以使该零点出现在较高频率。补偿网络的目的是降低开环增益。如果电阻过大，增益将降低到电阻值，而不一定是 0 Ω，这是单个电容在频率上会达到的效果。典型值范围为 0 Ω 至 50 Ω。C1 — 为降低 RC 的阻抗，C1 与 RC 并联放置。C1 不是必需的，但在低闭环增益下大大减少了峰值。典型值范围为 0 pF 至 2 pF。C2 和 C3 — 旁路电容连接在两个电源之间，以获得最佳失真和 PSRR 性能。这些电容应尽可能靠近放大器的电源引脚放置。对于 C3 和 C5，应使用 0508 外壳尺寸。0508 外壳尺寸提供降低的电感和更好的频率响应。C4 和 C2 — 电解旁路电容。
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2026/2/24 13:42:39
PCB 布局补偿网络由放大器增益要求决定。对于较低增益，布局和元件放置更为关键。对于较高增益，补偿元件较少，布局较为简单。寄生效应补偿引脚周围的区域对寄生电容非常敏感。为实现 AD8099 的完整增益带宽积，应确保没有走线连接到外部补偿引脚或在其附近，以获得尽可能低的电容。当需要补偿时，到补偿引脚、负电源以及元件之间互连（下图中的 Cc、C1 和 Rc）的走线应尽可能宽，以最小化电感。AD8099 引脚下的所有接地和电源平面应清除铜皮，以防止输入和输出引脚到地的寄生电容。SOIC 封装上的单个安装焊盘如果不清除 AD8099 引脚下方的接地或电源平面，可增加多达 0.2 pF 的对地电容。寄生电容可能导致峰值和不稳定，应最小化以确保正常工作。AD8099 的新引脚排列缩短了放大器输出和反相输入之间的距离。这有助于最小化反馈路径的寄生电感和电容，进而减少振铃和二次谐波失真。
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2026/2/24 13:38:15
一、定义AD8099是一款超低噪声(0.95nV/√Hz)和超低失真(-92dBc @ 10MHz)的电压反馈运算放大器，这两个特性相结合使其非常适合用于16位和18位系统。AD8099具备一个新的高线性度、低噪声输入极，可以在低增益下通过高转换速率来增加全功率带宽(FPBW)。AD8099具备外部补偿，从而允许用户设置增益带宽积。外部补偿可实现+2至+10的增益，并且频宽折衷最小。此外，AD8099还具备1350V/µs的极高压摆率，从而使设计工程师可以灵活地使用整个动态范围，而不会影响带宽或产生失真。AD8099的稳定时间为18 ns(稳定度0.1%)，过载恢复时间为50 ns。AD8099可在电源电流仅为15 mA下以突破性的性能驱动100W负载。AD8099的电源电压范围(5V至12V)、低失调电压(典型值为0.1 mV)、高带宽(700MHz，G=+2)以及高达3.8GHz的增益带宽积(GBWP)，使其非常适合于各种应用。二、特征• 新型引脚分布• 定制外部补偿、增益范围-1, +2至+10• 高速GBWP:3.8GHz-3dB带宽:700MHz(G=+2)550MHz (G=+10)压摆率：475V/µs(G=+2)1350V/µs(G=+10)• 电源电流：15mA• 失调电压：0.5mV（最大值）• 宽电源电压范围：5V至12V• 超低噪声：0.95nV/vHz,2.6pA/vHz• 超低失真二次谐波RL=1kΩ,G=+2-92dB @ 10MHz三次谐波 RL=1kΩ,G=+2-105dB @ 10MHz三、应用前置放大器接收器仪器仪表过滤器中频（IF）和基带放大器模拟到数字驱动器数模转换器（DAC）缓冲器光电子学
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2026/2/24 13:27:38
一、定义LT1970 是一个具有精准外部控制电流限值功能的 ±500mA 功率运算放大器。分离的控制电压能以 2% 的准确度来设置源电流和吸收电流限值检测门限。可通过增加外部功率晶体管来提升输出电流。该电路可采用总电源电压为 5V 至 36V 的单电源或分离电源。在正常操作中，输入级电源和输出级电源是相连的 (VCC 至 V+ 和 VEE 至 V–)。为了降低功耗，可由独立和较低电压电源来给输出级 (V+，V–) 供电。该放大器的整体增益是稳定的，且具有 3.6MHz 增益带宽乘积和 1.6V/µs 转换速率。电流限值电路在 VCSRC 或 VCSNK 控制输入与放大器输出之间的 2MHz 响应工作。开路集电极状态标志指示信号电流限值电路的启动，以及放大器的热停机。一个使能逻辑输入在被拉低时将放大器置于低功率、高阻抗输出状态。热停机和一个 ±800mA 固定电流限值能够在故障状态下对芯片起保护作用。LT1970 采用 20 引线 TSSOP 封装，并具有一个用于加快散热的导热铜底板。二、特征• ±500mA 最小输出电流• 源电流和吸收电流限值的独立调整• 2% 电流限值准确度• 采用单个或分离工作电源• 停机 / 使能控制输入• 开路集电极状态标志： • 吸收电流限值 • 源电流限值 • 热停机• 故障自动保险电流限值和热停机• 1.6V/µs 转换速率• 3.6MHz 增益带宽乘积• 快速电流限值响应：2MHz 带宽• 规定温度范围：–40°C 至 85°C• 20 引线 TSSOP 封装三、应用• 自动测试设备• 实验室电源• 马达驱动器• 热电冷却器驱动器
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2026/2/24 13:22:53
OP400 在所有增益下都具有固有稳定性，能够驱动大容性负载而不产生振荡。尽管如此，仍强烈建议进行良好的电源去耦。适当的电源去耦可减少电源线噪声引起的问题，并改善 OP400 的有源负载驱动能力。通过将未使用放大器的输入端连接到 V-，可以降低总电源电流。这将关闭放大器，降低总电源电流。双通道低功耗仪表放大器上图展示了一款每通道功耗低于 33 mW 的双通道仪表放大器。该仪表放大器的线性度在增益为 5 至 200 时超过 16 位，在增益为 200 至 1000 时优于 14 位。共模抑制比（CMRR）在增益 G = 1000 时高于 115 dB。失调电压漂移在军用温度范围内典型值为 0.4 μV/°C，可与最佳单片仪表放大器相媲美。低功耗仪表放大器的带宽是增益的函数，如下图所示。输出信号相对于参考输入端指定，参考输入端通常连接到模拟地。如果需要，参考输入端可将输出偏移 -10 V 至 +10 V。
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2026/2/24 13:17:50
PCB 布局通常是设计过程的最后一步，但往往被证明是最关键的一步。一个出色的设计可能因为糟糕的布局而变得毫无用处。由于 AD8045 电子元件可在射频频率范围内工作，因此必须考虑高频电路板布局。PCB 布局、信号布线、电源旁路和接地都必须妥善处理，以确保最佳性能。信号布线AD8045 LFCSP 采用新型低失真引脚排列，具有专用反馈引脚，可实现紧凑布局。专用反馈引脚缩短了输出到反相输入的距离，大大简化了反馈网络的布线。将 AD8045 布局为单位增益放大器时，建议使用短而宽的走线，在专用反馈引脚和放大器的反相输入之间连接，以最小化杂散寄生电感。为最小化杂散电感，高频信号走线应使用接地平面。然而，应移除输入和输出引脚下方的接地平面，以最小化寄生电容的形成，这会降低相位裕度。易受噪声拾取的信号应在 PCB 内层布线，以提供最大屏蔽。电源旁路电源旁路是 PCB 设计过程中的关键方面。为获得最佳性能，AD8045 电源引脚需要正确旁路。从每个电源引脚到地的电容并联连接效果最佳。并联不同值和尺寸的电容可确保电源引脚在宽频带内看到低阻抗。这对于最小化噪声耦合到放大器中很重要。从电源引脚开始，应在电路板上放置最小值和尺寸的元件，并尽可能靠近放大器，连接到接地平面。此过程应对下一个较大值的电容重复进行。对于 AD8045，建议使用 0.1 μF 陶瓷 0508 外壳。该 0508 外壳提供低串联电感和出色的高频性能。0.1 μF 电容在较高频率下提供低阻抗。应在并联位置放置 10 μF 电解电容。10 μF 电容在低频下提供低阻抗。根据电路要求，可使用较小值的电解电容。额外的较小值电容有助于为更高频率的不需要的噪声提供低阻抗路径，但并非总是必要。电容返回端（地）的放置也很重要，电容进入接地平面。将电容接地端靠近放大器负载返回端对于失真性能至关重要。保持电容距离短，但从负载返回端相等，对性能...
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2026/2/24 11:54:11
AD8045运算放大器 LFCSP 采用亚德诺半导体新型低失真引脚排列。这种新引脚排列相比传统引脚排列具有两个优势。首先，通过物理分离同相输入引脚和负电源引脚，改善了二次谐波失真性能。其次，由于专用的反馈引脚和增益设置电阻到反相输入引脚的简易布线，简化了布局。这使得布局紧凑，有助于最小化寄生效应并提高稳定性。传统的 SOIC 引脚排列也经过了轻微修改，以纳入专用反馈引脚。Pin 1 之前是放大器上的无连接引脚，现在成为专用反馈引脚。新引脚减少了寄生效应并简化了电路板布局。使用传统 SOIC 引脚排列的现有应用可以充分利用 AD8045 提供的出色性能。如果 SOIC 引脚排列位于接地平面或其他金属走线上，可能需要电气隔离器。这在数据手册的裸露焊盘部分有更详细的说明。在现有设计中，如果将 Pin 1 接地或连接到其他电位，只需将 Pin 1 的 AD8045 抬起或移除 Pin 1 焊盘上的电位即可。设计人员不需要使用专用反馈引脚为 AD8045 提供反馈。AD8045 的输出引脚仍可用于向 AD8045 的反相输入端提供反馈。
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2026/2/24 11:50:59
与所有高速运算放大器一样，要从 AD8021 获得最佳性能，需要仔细注意 PCB 布局。必须特别注意最小化旁路电容接地引线与补偿电容和负电源之间的走线长度。否则，走线电感可能引起频率响应问题，甚至引起高频振荡。使用具有内部接地平面的多层印刷电路板，可减少接地噪声并实现紧凑的元件布局。由于 Pin 5 的阻抗相对较高且补偿电容值较低，建议使用保护环。保护环只是一条环绕 Pin 5 并连接到输出端 Pin 6 的 PCB 走线，该走线与 Pin 5 所在电位相同。这具有两个功能：它使 Pin 5 免受周围电路产生的任何局部电路噪声的影响；它还最小化了杂散电容，否则会降低带宽。保护环布局示例如下图所示。如上图所示，补偿电容紧邻 AD8021 封装边缘放置，横跨 Pin 4 和 Pin 5。该电容必须是高质量的表面贴装 COG 或 NPO 陶瓷电容。不建议使用有引线电容。高频旁路电容应紧邻电源放置，即 Pin 4 和 Pin 7。为实现反相输入端尽可能短的引线长度，反馈电阻 RF 位于电路板下方，横跨从输出端 Pin 6 到反相输入端 Pin 2 的距离。电阻 RF 的返回节点应尽可能靠近连接到 Pin 4 的负电源旁路电容的返回节点。
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2026/2/24 11:40:19
AD8021 采用亚德诺半导体专有高压超快速互补双极型（XFCB）工艺制造，该工艺能够在 3 GHz 区域构建具有相似 fT 的 PNP 和 NPN 晶体管。这些晶体管与衬底（以及彼此之间）是介质隔离的，消除了结隔离引起的寄生效应和闩锁问题。它还减少了非线性电容（失真源），并允许在给定静态电流下获得更高的晶体管 fT，从而减少了器件之间的带宽、压摆率、失真和建立时间的差异。如上图所示，AD8021 的输入级由 NPN 差分对组成，每个晶体管在 0.8 mA 集电极电流下工作。这使得输入器件具有高跨导；因此，AD8021 在 50 kHz 时具有 2.1 nV/√Hz 的低输入噪声。输入级驱动一个由一对 PNP 晶体管组成的折叠共源共栅结构。折叠共源共栅和电流镜提供差分到单端的信号电流转换。该电流然后驱动高阻抗节点（Pin 5），此处连接 Cc 外部电容。输出级保持这种高阻抗，电流增益为 5000，因此 AD8021 即使在驱动重负载时也能保持高开环增益。两个内部二极管钳位跨接在输入端（Pin 2 和 Pin 3），保护输入晶体管免受可能导致发射极-基极击穿的大电压影响，这将导致失调电压和输入偏置电流的劣化。
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2026/2/24 11:36:51
AD8397 是一款电压反馈运算放大器，具有 H 桥输入级和共发射极轨到轨输出级。AD8397 可在宽电源范围内工作，±1.5 V 至 ±12 V。驱动轻负载时，轨到轨输出能够在任一电源轨 0.2 V 范围内摆动。驱动重负载时，输出还能提供高线性输出电流，在保持 -80 dBc SFDR 的同时可提供高达 310 mA 至 32 Ω 的电流。AD8397 采用亚德诺半导体专有的 XFCB-HV 工艺制造。电源和去耦AD8397 可采用优质、稳压良好、低噪声的 ±1.5 V 至 ±12 V 电源供电。请仔细注意电源去耦。使用高品质、低等效串联电阻（ESR）的电容，如多层陶瓷电容（MLCC），以最小化电源电压纹波和功耗。将 0.1 μF MLCC 去耦电容放置在距离电源引脚不超过 1/8 英寸的位置。建议使用 10 μF 至 47 μF 的大容量钽电容，为低频信号提供良好的去耦，并为 AD8397 输出的快速大信号变化提供电流。布局考虑与所有高速应用一样，请仔细注意印刷电路板（PCB）布局，以防止相关的板寄生效应成为问题。PCB 应具有低阻抗返回路径（或地）到电源。在放大器紧邻区域移除多层中的接地平面有助于减小杂散电容。信号布线应短而直接，以最小化与这些走线相关的寄生电感和电容。将端接电阻和负载尽可能靠近其各自的输入和输出放置。使输入走线尽可能远离输出走线，以最小化通过电路板的耦合（串扰）。当 AD8397 配置为差分驱动器时（如某些线路驱动应用），应在可能的范围内提供对称布局，以最大化平衡性能。当差分信号长距离传输时，PCB 上的走线应紧密靠近，或任何差分布线应绞合在一起，以最小化形成的感性环路面积。这减少了辐射能量，使电路不易受射频干扰。建议对长信号走线（大于约 1 英寸）采用带状线设计技术。
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2026/2/24 11:30:21
Vishay推出了一系列超紧凑型0201机壳尺寸的AEC-Q200认证厚薄膜芯片电阻器。CRCW0201-AT e3系列器件体积仅为0.6毫米×0.3毫米×0.23毫米，为设计者提供了一种可靠且节省空间的解决方案，适用于汽车、工业和电信应用。与下一个更大0402机壳尺寸的器件相比，目前发布的电阻价格具有竞争力，同时将PCB要求降低了50%。对于设计师来说，这支持了现代电子产品持续缩小的趋势，同时保持稳定的电气性能和高可靠性。尽管体积小，CRCW0201-AT e3系列电阻在+70°C时可提供0.05瓦的额定功率，工作电压为30伏。这些设备的工作温度范围为-55°C至+155°C，电阻范围广泛，范围从10瓦到1兆瓦（0瓦跳线），公差±为1%和±5%，TCR为±200 ppm/K。符合RoHS标准且无卤素的CRCW0201-AT e3系列电阻器具有设计用于电气、机械和气候保护的保护涂层。该器件适合通过回流或气相自动焊接，其纯哑光锡镀层兼容无铅（Pb）和含铅焊接工艺。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/24 11:23:57
Vishay推出了一系列符合AEC-Q200标准厚薄膜芯片电阻的标准。RCA-SR e3系列结合了经过验证的抗硫性和长期稳定性，采用五种紧凑的机壳尺寸，适用于汽车、工业和电信应用。这些电阻器设计用于含硫环境，依据ASTM B809-25标准，具备硫磺耐受能力，在60°C下1000小时后最大电阻漂移为1%。 竞争设备在相同温度下测试，持续时间更短。此外，RCA-SR e3系列确保在严苛环境条件下保持高度稳定性，ΔR/R在70°C额定功率运行1000小时后≤1%。提供0201、0402、0603、0805和1206的机箱尺寸，电阻额定功率最高可达0.25瓦，工作电压范围为30伏至200伏。这些器件的电阻范围从10 Ω到10 MΩ不等，公差为± 1%和± 5%，TCR为± 100 ppm/K和± 200 ppm/K。符合RoHS标准且无卤素的RCA-SR e3系列电阻器，具有电气、机械和气候保护设计的保护涂层。该器件适合使用波状、回流或气相自动焊接，纯雾面锡镀层与无铅（Pb）及含铅焊接工艺兼容。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/24 11:19:51
TDK株式会社推出全新B43655和B43656系列铝电解电容器，专为电动汽车车载充电机（On-board Charger, OBC）的直流母线设计。两系列均针对强制冷却工况进行优化，可满足新一代车载充电平台日益增长的高电压、大电流需求。凭借紧凑设计与卓越的纹波电流承受能力，该系列电容器广泛应用于需在狭小空间内实现最高效率与可靠性的场景。 B43655系列产品具备475 V和500 V的高电压等级，电容值覆盖110 µF至880 µF范围，满足现代电动出行应用中800 V电池架构的需求。这些元件专为电容器底部散热和高纹波电流密度设计，在+105°C环境下可提供超过3,000小时的使用寿命。其最大纹波电流为3.29 A（+105°C），ESR值低至100 mΩ，可最大限度降低功率损耗。B43656系列额定电压为450V，在+105°C环境下可实现高达4.42A的电流处理能力，满足高功率车载充电器拓扑结构的严苛要求。 这两款系列均符合AEC-Q200 Rev. E标准，采用符合RoHS指令的材料制造。电容器采用紧凑型焊针式设计，直径范围为22至35毫米，长度范围为25至60毫米，具体规格取决于电容值和电压等级。凭借增强的电气性能和可靠性，B43655与B43656电容器为设计工程师提供了面向电动汽车车载充电器的强健、面向未来的解决方案。 主要特点和效益极高CV值产品，超紧凑设计 高可靠性 超高纹波电流能力 优化设计实现底部冷却与高纹波电流密度 仅限外壳壁带压力释放装置的结构，可提供严格长度公差（±0.5毫米） 符合RoHS指令 基于AEC-Q200修订版E标准的认证 主要应用电动汽车车载充电机产品型号B43655B43656免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用...
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2026/2/24 11:08:45