TDK近期推出了B25696H系列MKP直流高频（HF）薄膜电容，这是一种可靠、高性能的直流链路电容平台，适用于下一代基于SiC的电力电子产品。该系列的电容值从47微F到1280微法，额定直流电压从900伏到2000伏，这些元件提供超低自感和低静电阻比，以满足现代高开关频率拓扑的需求。其典型应用包括储能系统（ESS）、固态变压器（SST）、可再生能源逆变器、牵引驱动和工业电机驱动。 B25696H系列的一个关键区别主要在于其独特的内部母线结构，确保电容器绕组间电流均匀分布。该设计导致自电感值低至30 nH，ESR值在10 kHz时可降至0.8 mΩ，且在100 kHz范围内具有优异的ESR稳定性。并且可以通过最小化寄生电感和电阻损耗，串联减少了SiC功率器件的电压尖峰和电应力 ，从而提升了热裕度和整体系统可靠性。 TDK圆柱形电容器采用铝制外壳和树脂顶端的金属聚丙烯（MKP）介质。它们有两种直径（85毫米和100毫米），配有螺母（M6）端子和螺纹安装螺栓（M12）。温度运行范围要求在在-40°C至+85°C（热点）内，在+75°C热点温度及相应额定电压下，寿命预期为10万小时，经过电压和温度降级后可延长至20万小时。高波纹电流能力可达91安培（环境温度+60°C，10 kHz），支持高功率密度转换器设计。 主要特点与优势超低自感（ESL），针对硅碳开关拓扑优化 低ESR对频率 通过优化的内部母线实现均匀电流分布 高纹波电流能力 自我愈合特性 终身预期工作时间最高可达20万小时（含降额） 免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本...
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2026/6/4 11:28:06
随着AI工作负载的持续扩展，数据中心架构师越来越受限于信号覆盖范围有限和延迟上升，这可能导致宝贵的内存资源在大型GPU集群中被严重浪费。2026年6月2日Microchip发布了XpressConnect™ PCIe® 6.0和CXL® 3.1重定时器，以实现大规模AI结构中的内存扩展和资源拆分。重定时器设计用于将信号覆盖范围延伸至传统PCIe Gen 5和Gen 6的电气限制之外，使系统设计能够更灵活，覆盖复杂的踢脚板、立管卡和有线互连。重定时器旨在通过实现更高带宽的连接，同时支持现代AI结构中严格的热量和功耗预算，从而帮助解决这些挑战。XpressConnect 重定时器的针到针延迟低于12纳秒，比PCIe 6.0规范低约80%。这种低延迟性能通过减少高密度AI集群中的数据停滞，有助于提升AI加速器和GPU的利用率。Microchip数据中心解决方案业务部总裁兼总经理Brian McCarson表示:“随着PCIe 6.0将速度推升至64 GT/s，信号覆盖和延迟成为关键的设计挑战我们的 XpressConnect 重定时器设计为 AI 服务器的高性能神经中枢，帮助客户通过降低延迟和提升密集 GPU 集群间的连接性，构建更具可扩展性和节能的结构。这种系统级方法使数据中心架构师能够回收未充分利用的资源，并在大规模下提升整体平台效率。”SmartRAID 控制器和主机总线适配器（HBA）以及 Flashtec™ NVMe® 控制器协同工作，帮助实现预验证、互操作的结构。Microchip的XpressConnect PCIe Gen 6和CXL 3.1重定时器可根据需要与PCIe Gen 3、Gen 4和Gen 5平台集成，有助于缩短上市时间。重定时器还连接至Microchip的ChipLink诊断生态系统，提供统一的图形用户界面，实现实时二维...
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2026/6/4 11:23:09
模式1下的LSM6DSV16X电气连接注意：引脚保持未连接状态，并焊接到印刷电路板上。器件核心通过Vdd线供电。电源去耦电容（C1、C2=100 nF陶瓷电容）应尽可能靠近器件的电源引脚（常见的设计实践）。该设备的功能以及测量的加速度/角速度数据可通过SPI/I²C/MIPI I3C®接口进行选择和访问。每个传感器的两个中断引脚的功能、阈值和时序均可由用户通过SPI/I²C/MIPI I3C®接口进行完全编程。模式2下的LSM6DSV16X电气连接注意：引脚保持未连接状态，并焊接到印刷电路板上。器件核心通过Vdd线供电。电源去耦电容（C1、C2=100 nF陶瓷电容）应尽可能靠近器件的电源引脚（常见设计惯例）。该设备的功能以及测量的加速度/角速度数据均可通过SPI/I²C/MIPI I3C®主接口进行选择和访问。每个传感器的两个中断引脚的功能、阈值和时序均可由用户通过SPI/I²C/MIPI I3C®主接口进行完全编程。模式3（辅助3/4线SPI）下的LSM6DSV16X电气连接注意：当使用模式3时，可以启用或禁用引脚10和11的上拉功能。为避免漏电流，不建议让SPI线处于浮空状态（或当OIS系统关闭时）。器件核心通过Vdd线供电。电源去耦电容（C1、C2=100 nF陶瓷电容）应尽可能靠近器件的电源引脚放置（这是常见的设计惯例）。该设备的功能可通过SPI/I²C/MIPI I3C®主接口进行选择和访问。可通过SPI/I²C/MIPI I3C®主接口和辅助SPI选择并访问测量的加速度/角速度数据。每个传感器的两个中断引脚的功能、阈值和时序均可由用户通过SPI/I²C/MIPI I3C®接口进行完全编程。
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2026/6/3 16:15:56
FIFO的存在使得系统能够持续节能，因为主机处理器无需持续从传感器轮询数据，而是仅在需要时唤醒，并从FIFO中一次性读取重要数据。LSM6DSV16X在FIFO中嵌入了1.5 KB的数据（启用压缩功能后可达4.5 KB），用于存储以下数据：• 陀螺仪• 加速度计• 外部传感器（最多4个）• 步数计数器• 时间戳• 温度• MLC特征和滤波器• SFLP输出数据（四元数、陀螺仪偏差、重力矢量）将数据写入FIFO（先进先出）的操作可配置为由以下方式触发：• 加速度计/陀螺仪数据就绪信号• 传感器集线器数据就绪信号• 步数检测信号这些应用在为具有FIFO专用配置的物理传感器选择批处理速率时具有最大的灵活性：用户可以选择加速度计、陀螺仪和温度传感器的批处理速率。外部传感器写入FIFO的操作可以由加速度计数据就绪信号或外部传感器中断触发。每次检测到步数时，步数计数器可以与相关的时间戳一起存储在FIFO中。可以选择以1、8或32的系数对FIFO中的时间戳批处理进行抽取。得益于FIFO_DATA_OUT_TAG字节，识别FIFO中单词的含义，从而重建FIFO流是一项简单的任务。FIFO允许正确重建存储在FIFO中的每个传感器的时间戳信息。如果执行了ODR或BDR（批量数据速率）配置的更改，应用程序可以正确重建时间戳，并确切地知道更改是在何时应用的，而无需禁用FIFO批处理功能。FIFO会存储新配置的信息以及设备中应用更改的时间戳。最后，FIFO内嵌了一种压缩算法，用户可以启用该算法，以便在FIFO中存储多达4.5 KB的数据，并利用接口通信长度进行FIFO刷新和通信功耗优化。可编程FIFO水印阈值可通过FIFO_CTRL1（07h）寄存器中的WTM[7:0]位进行设置。为监控FIFO状态，可读取专用寄存器（FIFO_STATUS1（1Bh）、FIFO_STATUS2（1Ch））以检测FI...
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2026/6/3 16:14:32
总线上的事务通过一个启动（ST）信号来启动。启动条件定义为在SCL线保持高电平的同时，数据线上的电平从高变低。在主设备发送此信号后，总线即被视为忙碌状态。在启动条件之后传输的下一个数据字节的前7位包含从设备的地址，第8位则指示主设备是从从设备接收数据还是向从设备发送数据。当发送地址时，系统中的每个设备都会将启动条件后的前七位与其地址进行比较。如果它们匹配，则该设备认为自身已被主设备寻址。与LSM6DSV16X相关的从机地址（SAD）为110101xb。SDO/SA0引脚可用于修改设备地址的最低有效位。如果SDO/SA0引脚连接到电源电压，则最低有效位（Lsb）为1（地址为1101011b）；否则，如果SDO/SA0引脚连接到地，则最低有效位（Lsb）为0（地址为1101010b）。这种解决方案允许将两个不同的惯性模块连接到同一I²C总线并进行寻址。必须进行带确认的数据传输。在确认脉冲期间，发送器必须释放SDA线。然后，接收器必须将数据线拉低，以便在确认时钟脉冲的高电平时保持稳定低电平。已寻址的接收器必须在收到每个数据字节后生成一个确认。LSM6DSV16X内置的I²C接口作为从设备运行，必须遵循以下协议。在启动条件（ST）之后，发送从设备地址，一旦返回从设备确认（SAK），则传输8位子地址（SUB）。地址的增量由CTRL3（12h）（IF_INC）配置。从机地址由一个读/写位组成。如果该位为1（读），则必须在两个子地址字节后发出重复启动（SR）条件；如果该位为0（写），则主机向从机发送数据，方向不变。表12解释了SAD+读/写位模式的构成方式，列出了所有可能的配置。数据以字节格式（DATA）传输。每次数据传输包含8位。每次传输的字节数不受限制。数据传输时，最高有效位（MSb）在前。如果从机接收器未确认从机地址（即因正在执行某些实时功能而无法接收），则从机...
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2026/6/3 16:07:08
LSM6DSV16X的设计完全符合Android标准，具备以下片上功能：• 4.5 KB的FIFO数据缓冲区，数据可压缩两到三次– 灵活配置和分区，实现100%效率– 可以存储时间戳• 事件检测中断（完全可配置）– 自由落体– 唤醒– 6D定位– 点击和双击感应– 活动/非活动识别– 静止/运动检测• 具有可忽略不计的功耗和高性能的特定IP模块（称为“嵌入式功能”）– 计步器功能：步数检测器和步数计数器– 倾斜– 显著运动检测– 有限状态机（FSM）– 具有可导出功能和过滤器的机器学习核心（MLC），适用于人工智能应用– 自适应自配置（ASC）–嵌入式传感器融合低功耗（SFLP）算法• 传感器集线器– 最多可搭载六个传感器：两个内置传感器（加速度计和陀螺仪）和四个外置传感器• 用于处理外部模拟输入数据的模拟集线器• Qvar：电荷变化检测计步器功能：步数检测器和步数计数器LSM6DSV16X内置了一个高级计步器，其算法在超低功耗域中运行，以确保在电池受限的应用中实现超长的电池寿命。凭借增强的可配置性，这款先进的嵌入式计步器适用于从移动设备到可穿戴设备等一系列广泛的应用场景。该算法处理并分析加速度计波形，以便统计用户在步行和跑步活动中的步数。计步器以30赫兹的频率工作，且不受所选设备电源模式（超低功耗、低功耗、高性能）的影响，从而确保了与其他设备功能结合使用时，能够提供超低功耗的体验和极高的灵活性。计步器的输出数据可以在设备的FIFO缓冲区中进行批处理，以降低整体系统的电流消耗。ST免费提供支持和工具，以便轻松配置设备并调整算法配置，从而提供一流的用户体验。机器学习核心LSM6DSV16X嵌入了一个用于机器学习处理的专用内核，该内核提供了系统灵活性，允许在应用处理器中运行的一些算法移动到MEMS传感器，具有持续降低功耗的优点。机器学习核心逻辑允许识别数据模式（例如运动、压力、...
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2026/6/3 16:05:11
TDK公司与QD激光公司决定签署一项商业合作协议（以下简称“协议”），涉及利用QD激光视网膜投影技术联合开发下一代RGB光源模块和智能眼镜光学引擎，并将相关专利权部分转让给TDK。在人工智能生态系统中，TDK为智能眼镜市场提供多样化的现有产品，预计该市场将实现中长期增长。为了进一步强化其在智能眼镜领域的技术能力，TDK于2025年6月收购了美国系统解决方案公司SoftEye， Inc.，该公司开发用于智能眼镜的定制芯片、摄像头、软件和算法。此外，2026年1月，TDK成立了“TDK AIsight”，加速其智能眼镜解决方案业务，旨在以直观且引人入胜的用户体验助力AI眼镜的实现。TDK与QD激光自2020年以来一直在联合开发，包括开发将TDK世界级超紧凑全彩激光模块（FCLM）与QD激光专有的直接视网膜投影技术结合的激光视网膜投影智能眼镜。通过签署本协议，TDK将将QD激光独特的视网膜投影技术和专利组合与自有FCLM结合，加速下一代RGB光源模块和光学发动机的开发。TDK还致力于尽早将视网膜投影光学引擎部署到下一代智能眼镜供应商，从而促进市场的快速增长和扩展。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/2 14:56:03
TDK公司宣布在增加“TDK 信浓川科技工厂”新工厂，旨在进一步扩展其传感器业务。该工厂用于TDK传感器产品线的生产，公司计划加速目前传感器业务中推广的“定制传感解决方案”计划。近年来，人工智能技术的传播迅速扩展到“物理人工智能”领域，包括机器人、智能基础设施和自动化系统。因此，能够高精度且实时获取真实世界数据的传感器的重要性日益提升，人工智能生态系统市场，包括传感器，预计将在中长期内扩展。新工厂主要业务活动：传感器产品的生产新工厂计划运营开始时间：2029年上半年免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/2 14:51:50
OLS500适用于高速数字接口应用、消除接地回路和输入/输出缓冲。每个OLS500都有一个LED和集成高速探测器，安装并耦合在定制的密封表面安装无引线芯片载体（LCC）陶瓷封装中，在输入和输出之间提供1500 VDC的电气隔离。LED发出的光由集成探测器中的光电二极管收集，并由高增益线性放大器放大，该放大器驱动肖特基箝位集电极开路输出晶体管。OLS500的典型传播延迟为60ns。内部屏蔽将共模瞬态抗扰度提高到最低1000V/μs。设备安装是通过回流焊接或导电环氧树脂实现的。具备的特性•在-55°C至+125°C的环境温度范围内保证性能•保证最小共模抑制（CMR）瞬态抗扰度，>1000 V/μs•1500 VDC电气隔离•低功耗肖特基晶体管-晶体管逻辑（LSTTL）/晶体管到晶体管逻辑（TTL）兼容•高速，典型速度为10 Mbps•低输入LED电流•类似于6N134、6N137和HCPL2601•提供100%高可靠性筛查OLS500结构图OLS500封装尺寸
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2026/6/1 14:44:35
OLS100专为需要高CTR和低饱和VCE的光隔离的应用而设计。每个OLS100器件由一个LED和N-P-N硅光电晶体管组成，安装并耦合在定制的密封表面安装无引线芯片载体（LCC）封装中。低输入电流使OLS100非常适合直接互补金属氧化物半导体（CMOS）到低功率肖特基晶体管（LSTTL）到晶体管逻辑（TTL）接口。OLS100设备可以使用回流焊或导电环氧树脂安装。具备的特性•电流传输比保证在-55°C至+125°C范围内•环境温度范围•电气隔离：1500 VDC•高电流传输比（CTR）：超温最低75%。在低输入电流下，IF=1 mA时，温度超过100%•高可靠性和坚固的结构•CTR与达林顿输出相当，但饱和度低•VCE=0.15v•类似于4N2X、4N4X型光耦合器OLS100封装尺寸OLS100框图
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2026/6/1 14:37:04
OLS600有一个LED和一个集成的高速检测器，它们安装并耦合在一个6针无引线芯片载体（LCC）封装中，在输入和输出之间提供1500 VDC的电气隔离。LED发出的光被集成探测器中的光电二极管收集。集成探测器包含一个施密特触发器，该触发器提供抗噪性和脉冲整形的滞后以及集电极开路输出。该产品的典型传播延迟为170ns。共模抑制（CMR）瞬态抗扰度大于1000 V/μs。设备表面安装是通过回流焊接或导电环氧树脂实现的。具备的特性•在-55°C至+125°C的环境温度范围内保证性能•保证最小CMR瞬态抗扰度>1000 V/μs@300 VCM•1500 VDC电气隔离•微处理器兼容驱动器•开/关阈值滞后•快速切换：tr，tf=10ns典型值OLS600结构图OLS600开关测试电路图
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2026/6/1 14:32:35
OLS300适用于将晶体管晶体管逻辑（TTL）连接到低功率肖特基晶体管逻辑（LSTTL）或互补金属氧化物半导体（CMOS），以及宽带模拟应用。每个OLS300都有一个LED和集成光电二极管晶体管检测器，安装并耦合在定制的密封表面安装无引线芯片载体（LCC）陶瓷封装中，在输入和输出之间提供1500 VDC的电隔离。与标准光电晶体管相比，集成光电二极管晶体管通过降低基极到集电极的电容，将开关速度提高了几个数量级。OLS300的器件安装是通过回流焊接或导电环氧树脂实现的。具备的特性•电气参数保证在-55°C至+125°C的环境温度范围内•1500 VDC电气隔离•高速，典型速度为1 Mbps•开路集电极输出•高可靠性和坚固的结构•类似于6N135/136、4N55型光耦合器•耐辐射•可进行高可靠性筛查OLS300结构图OLS300封装尺寸图
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2026/6/1 14:28:24
Si5332是一款高性能、低抖动的时钟发生器，能够合成多达12个用户可编程的时钟频率，最高可达333.33 MHz。该设备支持使用外部或嵌入式晶体进行自由运行操作，或者可以锁定到外部时钟信号。输出驱动器最多支持12个差分时钟或24个LVCMOS时钟，或两者的组合。输出驱动器可配置为支持常见的信号格式，如LVPECL、LVDS、HCSL和LVCMOS。VDDO引脚具有通用性，可以设置为3.3V、2.5V、1.8V或1.5V（仅限CMOS），为多格式输出驱动器供电。核心电压源（VDD）接受3.3V、2.5V或1.8V，并且独立于输出电源（VDDOx）。Si5332使用其两级合成架构和获得专利的高分辨率低抖动MultiSynth技术，可以从单个设备生成整个时钟树。Si5332将宽带PLL与下一代MultiSynth技术相结合，提供业界最高输出计数的高性能可编程时钟发生器，抖动性能低于200 fs RMS。PLL锁定到外部16-50 MHz晶体或嵌入式50 MHz晶体，用于生成自由运行时钟，或锁定到外部时钟（CLKIN_2/CLKIN_2#或CLKIN_3/CLKIN_3#），用于生成同步时钟。在自由运行模式下，振荡器频率乘以PLL，然后由整数分频器或MultiSynth分频以进行分数合成。Si5332具有用户定义的通用硬件输入引脚，可以在ClockBuilder Pro软件实用程序中配置。通用硬件引脚可用于OE、扩频启用、输入时钟选择、输出频率选择或I²C地址选择。该设备提供在其非易失性存储器（NVM）中存储用户定义的时钟配置的选项，这将成为通电时的默认时钟配置。为了启用系统内编程，可以通过OTP提供加电模式，该模式以OTP定义的默认模式为芯片加电，但不启用输出。这允许主处理器首先写入用户定义的寄存器子集，然后重新启动加电序列以激活新编程的配置，而无需重新下载OTP。
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2026/6/1 14:24:05
OLF300适用于将晶体管晶体管逻辑（TTL）连接到低功率肖特基晶体管逻辑（LSTTL）、TTL或互补金属氧化物半导体（CMOS），以及宽带模拟应用。每个OLF300都有一个发光二极管和一个集成的光电二极管晶体管检测器，安装并耦合在一个定制的8针密封扁平封装中，在输入和输出之间提供1000 Vdc的电气隔离。与标准光电晶体管相比，集成光电二极管晶体管通过降低基极到集电极的电容，将开关速度提高了几个数量级。内部屏蔽提供了出色的共模抗扰性能。具备的特征•密封SMT封装•电气参数保证在-55°C至+125°C的环境温度范围内•1000 Vdc电气隔离•高速，典型速度为1 Mbit/s•开路集电极输出•300KHz带宽•类似于6N135/136、4N55•耐辐射•提供100%高分辨率筛查OLF300结构图
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2026/6/1 14:19:17
NVIDIA宣布，全球技术领导者计划采用 NVIDIA Vera，这是首款专为 AI 代理打造的 CPU。现已全面生产的NVIDIA Vera是一类新型处理器，使任务完成速度比x86 CPU快1.8倍，能够驱动跨行业的多样化工作负载——包括代理人工智能、强化学习和数据处理——从而带来更多数据中心代币收入。基于迄今已出货近250万台的NVIDIA Grace™ CPU成功，Vera将CPU性能和能效提升到新高度，适用于现代数据中心中最具挑战性的AI工作负载——代理从回答基础问题到执行操作、运行代码、使用工具并评估结果。探索Vera CPU的客户包括金融领导者纽约证券交易所、全球人工智能实验室Anthropic、OpenAI和SpaceXAI，以及超大规模企业字节跳动、CoreWeave、Lambda、Nebius、Nscale和甲骨文云基础设施（OCI）。Vera还被戴尔科技、HPE、联想和超级微速等世界领先系统制造商以及台湾系统开发商整合进人工智能基础设施。“人工智能代理将成为计算的最大用户，”NVIDIA创始人兼首席执行官黄仁森表示。“Vera是首款为那个未来设计的CPU——打造用于超大规模运行代理人工智能，拥有卓越的性能、效率和可编程性。”据提供全面开源基准测试套件的Phoronix称，NVIDIA Vera在包括代码编译、Python、Java和数据库处理在内的代理工作负载中实现了最快的整体性能。这些工作负载处于现代人工智能工厂的关键路径上，包括代理工具使用和沙盒执行，在这些领域，更快的CPU性能带来更高的代理吞吐量和交互性。Vera 的广泛生态系统支持CPU 以密集液冷机架形式提供，适用于大规模代理人工智能和强化学习环境，同时也提供灵活的双插槽风冷系统，适用于企业、云、数据处理和 AI 工厂部署。提供基于Vera CPU系统的领先基础设施供应商包括Aivres、AS...
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2026/6/1 14:03:31
英飞凌科技股份公司宣布加入NVIDIA（英伟达）MGX AI 工厂 （AI Factory）生态系统，助力推动下一代 AI 数据中心的供电架构转型。并且英飞凌的电源管理解决方案将支持 NVIDIA 的 MGX™ 架构与 800 VDC 电源架构——这是一套开放式、模块化的参考架构，专为 Agentic AI 时代的 AI 工厂而设计。与 800 VDC MGX™ 兼容的电源机架能够帮助既有的 AI 基础设施提升 AI 计算性能与功率密度，并为迈向未来的AI 基础设施提供升级路径。“作为 NVIDIA 生态系统的成员，英飞凌正与 NVIDIA 携手，重新定义从电网到处理器核心的供电系统，以满足AI 创新下一阶段的需求。随着 AI 模型在规模与复杂度上持续提升，数据中心必须在相同的空间、电力与散热限制下，大幅提升计算性能。结合 NVIDIA 的模块化 MGX 架构，英飞凌的电源解决方案可大幅提升整个数据中心电力流程中的电源效率。我们期待继续与 NVIDIA 合作，将更多基于 MGX 的创新加速推向市场。”英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White则表示。英飞凌专有的 SiC JFET 技术结合专用控制 IC，非常适合用于衔接800 VDC直流供电系统与服务器主板的保护与热插拔（hot-swap）功能。对应此HVDC架构，英飞凌提供可将电源从 800 V 转换为50 V、12 V，甚至低至 6 V的电源管理解决方案。作为NVIDIA MGX AI 工厂生态系统的一员，英飞凌在基于 NVIDIA MGX 的系统中支持从800 VDC 一路降至中间总线电压和处理器核心电压的完整功率转换流程，协助减少转换级数，并将直流电力供应点更靠近机架。这有助于提升电源效率、简化基础设施，并支持更高密度的 AI 部署。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，...
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2026/6/1 13:47:17
HMC613LC4B是一款连续检测对数视频放大器（SDLVA），工作频率为0.1至20 GHz。HMC613LC4B的记录范围为59 dB。该器件提供4/18ns的典型快速上升/下降时间和14ns的优越延迟时间。HMC613LC4B日志视频输出斜率通常为14 mV/dB。最大恢复时间小于30 ns。HMC613LC4B采用高度紧凑的4x4 mm SMT陶瓷封装，是高速信道化接收器应用的理想选择。具备的特征宽输入带宽；0.1至20 GHz高记录范围：18 GHz时为59 dB（-54至+5）输出频率平坦度：±1.5 dB对数线性度：±1 dB快速上升/下降时间：4/18ns恢复时间：26纳秒单正电源：+3.3V空间级包装可用24引脚4x4mm SMT封装：16mm2HMC613LC4B非常适合：•电子战、电子情报和瞬时测频接收机•测向雷达系统•ECM系统•宽带测试和测量•功率测量和控制电路•军事和航天应用功能图
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2026/5/29 11:35:41
HMC-C026是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器，采用微型密封模块，带有可更换的SMA连接器，工作频率在2至20 GHz之间。放大器在1 dB增益压缩下提供31 dB增益、2.5 dB噪声系数、+30 dBm输出IP3和高达+26 dBm的输出功率。宽带放大器输入/输出在内部匹配到50欧姆，并且是直流阻断的，使HMC-C026成为电子战、ECM雷达和测试设备应用的理想选择。集成电压调节器允许对负极和正极电源引脚进行灵活的偏置，而内部偏置排序电路确保了稳健的运行。具备的特征增益：31 dB @ 6 GHzP1dB输出功率：+26 dBm @ 6 GHz噪声系数：2.5 dB @ 8 GHz无杂散操作受控供应与偏压排序全密封模块现场可更换的SMA连接器工作温度范围：-55°C至+85°CHMC-C026宽带PA适用于：•电信基础设施•微波无线电和VSAT•军事和航天•测试仪器•光纤HMC-C026功率放大器功能图
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2026/5/29 11:29:01