HMC-C004是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器，采用微型密封模块，带有可更换的SMA连接器，工作频率在10 MHz至20 GHz之间。自偏置放大器提供15dB的增益、3-4dB的噪声系数和+24dBm的饱和输出功率，同时需要单个+12V电源。增益平坦度在±0.5 dB时表现出色，与0.01至10 GHz的线性相位偏差为±2度，使HMC-C004成为OC192光纤LN/MZ调制器驱动器应用的理想选择。宽带放大器的输入/输出在内部与50欧姆相匹配，并且在内部被直流阻断。具备的特征增益：15dB饱和输出功率：+24 dBm50欧姆匹配输入/输出受监管的供应和偏差排序密封模块现场可更换SMA连接器工作温度-55至+85˚CHMC-C004宽带驱动器非常适合：•OC192 LN/MZ调制器驱动器•电信基础设施•微波无线电和甚小孔径终端•军事与航天•测试仪器HMC-C004功能图
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2026/5/29 11:24:49
CAT28F512是一款高速64K x 8位电可擦除和可重编程闪存，非常适合需要系统内或售后代码更新的应用。完整存储器内容的电擦除通常在0.5秒内实现。它的引脚和读取时序与标准EPROM和EEPROM设备兼容。编程和擦除是通过操作和验证算法执行的。使用两个写周期方案通过I/O总线输入指令。地址和数据被锁存，以在写入操作期间释放I/O总线和地址总线。CAT28F512采用Catalyst先进的CMOS浮栅技术制造。它的设计可承受100000次编程/擦除周期，数据保留期为10年。该器件有JEDEC批准的32针塑料DIP、32针PLCC或32针TSOP封装。特性快速读取访问时间：90/120/150ns低功耗CMOS功耗：有源：最大30mA（CMOS/TTL电平）待机：最大1mA（TTL电平）待机：最大100µA（CMOS电平）高速编程：每字节约10µs~1秒典型芯片程序12.0V±5%编程和擦除电压电子签名商业、工业和汽车温度范围程序/擦除停止定时器片上地址和数据锁存JEDEC标准引脚：32针DIP32针PLCC32针TSOP（8 x 20）100000个程序/擦除周期10年数据保留程序验证模式执行编程验证周期，以确保在每个字节编程操作后所有位都已正确编程。特定地址已经从刚刚完成的写入周期中锁存，并保持锁存状态，直到验证完成。通过将C0H写入命令寄存器来启动程序验证操作。内部参考产生必要的高电压，这样用户就不需要修改VCC。
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2026/5/29 11:12:54
继为智能泊车安全兜底后，比亚迪再次率先承诺为城市领航安全兜底1年，2026年5月28日，比亚迪召开“敢为”智能化战略发布会，并宣布开创全民城市领航时代，让好技术人人可享、人人放心享！发布会中，比亚迪重磅发布中国首款4nm制程智驾芯片——璇玑A3，支持L3、L4自动驾驶，通过三颗芯片的高效协同，实现超2100TOPS的总算力，同时兼顾功耗控制与算力利用率。目前已开启规模化量产。璇玑A3作为中国首款自研4nm智驾芯片，它代表中国智驾芯片的最高水平：车规级4nm，不仅制程最先进，行业第一；而且单位算力功耗最低，较同级产品低20%。它可结合比亚迪自研算法，深度优化，算力利用率提升100%，让辅助驾驶的反应更快，处理复杂问题的能力更强，安全上限更高。其实，早在2002年，比亚迪就组建了自己的芯片团队——IC设计部，即比亚迪半导体的前身。24年以来，比亚迪布局芯片、久久为功，先后做到车规级IGBT和SiC功率芯片技术国内最早量产装车，并两度荣获国家科学技术进步奖。至今，比亚迪已推出2000多款芯片产品，应用在智能汽车、消费电子、家用电器、工业设备、光伏储能五大领域。在更为严苛的车规级领域，比亚迪已成为中国最大的芯片企业，如今，已覆盖13大类，有567款芯片产品，广泛应用于46个国内外汽车品牌。比亚迪之所以能够推出璇玑A3，在于其背后的研发底气：目前，比亚迪芯片研发团队超7000人，累计投入超千亿，拥有4大研发基地和5座晶圆制造工厂。其中，成都工厂是中国最大的、专注车规级的12英寸晶圆工厂。论及芯片制造流程，从产品定义、架构设计、电路设计、版图设计、晶圆制造、封装到测试七大步骤，比亚迪全面覆盖，是全球唯一一家拥有芯片全流程、全链路制造能力的车企。在电动化的上半场，比亚迪用第二代刀片电池及闪充技术一举攻克“充电慢”“低温充电难”的世界性难题；而在智能化的下半场，比亚迪致力于实现“零交通事故...
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2026/5/29 10:28:32
Microchip推出了dsPIC33CK Value Line数字信号控制器系列（DSC），以具有竞争力的价格提供必要的实时控制。它可以通过结合高达100 MHz确定性处理、高分辨率脉宽调制（PWM）和12位模数转换器（ADC），Value Line DSC支持电机场向控制（FOC）、触控和精密感测应用，而无需承担不必要的额外成本。dsPIC33CK 价值线设备集成了一套平衡的外设，使设计师能够将多个系统功能整合到单一设备上，有助于减少外部元件数量、印刷电路板占地面积和整体物料清单（BoM）成本。凭借可扩展的程序闪存选项，范围从32 KB到256 KB，并且兼容更广泛的 dsPIC33CK 系列，价值线 DSC 支持可扩展性，同时为未来需求提供迁移路径。“并非每个实时控制设计都需要高端解决方案，许多设计只需以合理成本提供可靠的性能。”“dsPIC33CK价值系列提供了设计师最依赖的必需品，同时消除了复杂性，帮助构建功能强大、可靠，而无需为不必要的功能付费。在任何批量下提供稳定的价格，使客户更容易规划、扩展和控制长期成本。”Microchip数字信号控制业务部企业副总裁Joe Thomsen表示。设计为在八个通道上提供最高2纳秒的PWM分辨率，支持最多2MSPS的12位ADC，片上模拟比较器（12位数模转换器，DAC），以及包括CAN频频、本地互连网（LIN）、单边半字传输（SENT）、通用异步收发器（UART）、串行外设接口（SPI）和I²C在内的全面通信外设。结合Microchip已建立的dsPIC33CK DSC生态系统，这些能力帮助设计师在单一器件内实现精确可靠的实时控制功能，简化系统设计，同时支持要求长期可靠性和成本效益的高要求应用。汽车级可靠性，包括 AEC-Q100 一级认证和内置安全安全功能，用于实现安全启动和安全固件更新，有助于在工业、汽车、消费...
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2026/5/29 10:15:23
意法半导体STPOWER产品组合中的700V PowerGaN设备应对了AI服务器功耗上升以及对超越传统硅片技术极限的高性能功率转换需求等挑战。ST的新款PowerGaN器件为高压电源提供高效和高功率密度。设计为700伏工作额定，支持可靠的高功率运行和更高频的拓扑结构。PowerGaN固有的优势包括低导电损耗、高工作频率下的极低开关损耗以及零反向恢复电荷，从而实现系统体积、重量和工作温度的缩小。这些属性对于用于机器人的电力半导体、工业电源以及用于发电、配电和储存的智能电网变换器非常重要。“通过推出新的700V器件，扩展了氮化镓技术的优势，将其优势扩展到中功率和高功率应用。”“我们将继续扩展产品线，增加电压等级和功能，进一步巩固我们对GaN的承诺，用于未来AI服务器、类人机器人、工业电力以及包括家用电器在内的消费级电力应用。”意法半导体电力与分立子集团执行副总裁Mario Aleo表示。关于其封装该系列采用DPAK、TO-LL和PowerFLAT表面贴装封装，这些封装在实践中经过验证，并被主要电子设计自动化库和工具链广泛支持。TO-LL和PowerFLAT器件提供开尔文源连接，将门控电路与主电源路径分离，以最大化抗噪能力，保护栅极驱动器并保持时序裕量。引入的设备包括：• SGT350R70GTK（6 A，270 mΩ*），采用6.10毫米×6.60毫米3针DPAK，带可焊接卡片。• SGT070R70HTO（26 A，53 mΩ*）采用无铅TO-LL，采用热效率极高的漏极和源源连接。• SGT080R70ILB（29 A，60 mΩ*）、SGT105R70ILB（21.7 A，80 mΩ*）、SGT140R70ILB（17 A，106 mΩ*）、SGT190R70ILB（11.5 A，138 mΩ*）、SGT240R70ILB（10 A，165 mΩ*），采用可焊接...
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2026/5/29 10:10:48
半导体制造商ROHM面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。AG16xFNxx系列采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封装相比，有望进一步实现小型化。其中，HPLF5060封装采用鸥翼型引脚，DFN3333封装的引脚采用可润湿侧翼（Wettable Flank）成型技术，均有助于提升电路板安装时的可靠性。与此同时，其通过铜夹片键合技术提升散热性能，使得新产品能够支持大电流。AG160FNS4FRAAG166FNH7FRA该系列产品均符合AEC-Q101车规标准，满足车载产品严苛的可靠性要求。相关解说：鸥翼型引脚：引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。可润湿侧翼成型技术:一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。铜夹片键合:替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式，而采用Cu夹片（扁平金属桥）直接连接的一种技术。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/29 10:00:36
TDK公司宣布推出了Micronas HAL 13xy系列，该系列是一种工厂可编程霍尔效应开关传感器，专为汽车和工业应用的速度和方向检测设计。利用TDK-Micronas经过验证的3D HAL技术，HAL 13xy采用三个正交霍尔元素（X、Y、Z）排列在像素单元中，提供90°相距（正交信号），本质上不受磁极间距和气隙影响。该设计允许同时测量两个磁场元件，为制造商在传感器和磁铁布置上提供最大灵活性。HAL 13xy系列凭借其坚固的设计和多样化输出，实现了平稳的运动控制、高安全标准和提升用户舒适度。并且提供两个独立的开漏输出，可配置为正交速度/速度或速度/方向信号。这种灵活的输出配置支持在需要精确、可靠且节省空间的传感技术的应用中实现紧凑型电动机控制。其工作范围为-40°C至170°C，支持从3.0V到24V的宽广供电电压范围，并具备强有力的保护特性，包括40V负载倾卸的稳健性、-18V反向电压保护以及短路/热保护。能够在电源电压和温度变化中保持恒定的开关点，确保在高强度环境中稳定的性能。它符合汽车电子AEC-Q100标准，并根据ISO和IEC要求提供高电磁兼容韧性。HAL 13xy系列采用紧凑型5针SOT23封装、高静电阻稳健性（最高可达4 kV HBM）和可配置的传感轴，HAL 13xy系列为工程师提供了一种多功能且经济高效的解决方案，用于空间有限的汽车和工业应用中精确的电机控制和位置检测。在汽车领域方面，HAL 13xy系列可用于座椅轨道电机、天窗驱动、尾门电机、气门位置、方向柱电机、转向次数感应以及具防夹功能的窗户升降器等应用。其主要应用体现在：座带电机天窗电机尾门电机阀门位置转向柱电机转向次数感测具防夹功能功能的窗户升降器免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品...
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2026/5/29 9:51:31
Qorvo宣布推出一系列新的射频交换机，旨在简化多频段无线电架构。随着5G无线电扩展以支持更宽的带宽和更多频段，包括如FR3等新兴频谱，设计师面临着在保持隔离性和信号完整性而不增加体积、损耗和复杂性的方面面临越来越多的挑战。该系列频段覆盖50 MHz至10 GHz，减少了元件数量，提升了信号完整性，并使5G基础设施、工业、无人机和测试应用的射频系统设计更加高效。Qorvo基础设施业务总经理Debbie Gibson说。“设计师不再依赖级联交换架构来实现高隔离。我们在单一设备中实现这种性能，跨越非常宽的带宽，”这种方法减少了插入损耗，保持信号线性，简化了设计，从而提升数字预失真（DPD）反馈等应用中的接收器性能。这一系列新设备射频交换机构成了一个统一的交换平台，支持高隔离和通用路由。通过将切换功能整合到更少的组件中，工程师可以降低物料清单的复杂性，简化布局，并加快跨多个应用的开发。Qorvo的新QPC6144是一款SP4T宽带交换机，单设备中可提供超过65 dB的隔离。作为补充，QPC6122（SP2T）和QPC6188（SP4T）提供50 MHz至10 GHz的宽带吸收切换，实现单平台射频路由。这些设备减少元件数量，简化设计，同时保持低插入损耗和宽带宽强线性，用于校准路径、一般信号路由和多频段运行。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/29 9:46:16
伴随着AI工作负载加速，向AI工厂的转变推动了前所未有的机架级功率密度。这一转型的核心是NVIDIA MGX™，一种开放模块化架构，能够实现更快的系统设计、提升可扩展性和下一代AI基础设施的快速部署。ADI(亚德诺)作为MGX生态系统的重要成员，正与NVIDIA携手推动这一转型，提供支持日益严苛AI工厂部署所需的电力技术。向800伏直流转型：实现AI工厂规模化随着AI工厂不断追求更高性能，传统的48伏架构已无法满足现代GPU集群的电力需求。为了保持性能扩展，基于MGX的AI工厂正在转向800伏直流机架级架构，这减少了电流和电力损失，实现了更紧凑的分电配置，并支持针对兆瓦级机架的可扩展设计。这种电力架构的转变为未来NVIDIA平台奠定了基础，在这些平台的持续性能提升直接依赖于电力传输效率。ADI：为MGX系统启用800伏直流电力 ADI正在扩大其在电力保护、控制和遥测领域的领导地位，以支持下一代AI基础设施。基于数十年的创新，ADI正在开发高压热插拔和直流直流解决方案，能够实现：高级计算平台的高密度集成高压环境下的快速、准确保护用于系统优化和预测性维护的高级遥测免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/29 9:41:49
CMD244是宽带GaAs MMIC分布式放大器芯片，工作频率从DC到24GHz。放大器提供18dB的增益，相应的输出1dB压缩点为+25dBm，10GHz时的噪声系数为2.5dB。CMD244采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD244提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。这种放大器是高成本混合放大器的完美替代品。具备特点•超宽带性能•正增益斜率•高输出功率•低噪音系数•封装尺寸小CMD244的背面是RF接地。芯片连接应使用导电和导热环氧树脂或共晶连接完成。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。
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2026/5/28 16:34:25
CMD249是宽带GaAs MMIC分布式功率放大器芯片，工作频率从DC到20 GHz。放大器在10 GHz下提供大于12 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+30 dBm，输出IP3为38 dBm。CMD249采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD249提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。主要特点•超宽带性能•高线性•高输出功率•出色的回波损耗•封装尺寸小装配指南：CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100um，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。
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2026/5/28 16:06:55
CMD304是一款超宽带砷化镓（GaAs）微波集成电路（MMIC）分布式驱动放大器芯片，工作频率范围为直流至67吉赫兹（GHz）。该放大器在30吉赫兹时提供9.5分贝（dB）的增益，相应的噪声系数为3分贝，输出1分贝压缩点为+11分贝毫瓦（dBm）。CMD304采用50欧姆匹配设计，无需射频（RF）端口匹配。主要特点超宽带性能平坦增益响应低噪声系数低功耗封装尺寸：1350um x1150um 装配指南CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100微米，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。
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2026/5/28 15:58:58
Qorvo的QPA1027是一款封装的高功率s波段放大器，采用Qorvo生产的0.25 um GaN-on-SiC高压工艺（QGaN25HV）制造。QPA1027覆盖2.8-3.5 GHz，提供60 W的饱和输出功率和22 dB的大信号增益，同时实现55%的功率附加效率。QPA1027封装在带有铜桨的塑料包覆成型QFN中，易于操作，具有良好的热性能。因此，QPA1027具有偏置灵活性，允许用户改变电压以实现最佳系统性能，同时保持高可靠性。QPA1027与50欧姆相匹配，两个I/O端口上都有集成的直流阻断帽。QPA1027具有高性能、良好的热特性以及易于处理和系统集成的特点，是雷达和卫星通信系统的理想选择。无铅，符合RoHS标准。主要特点频率范围：2.8-3.5 GHzPSAT（PIN=26 dBm）：48 dBmPAE（PIN=26 dBm）：55%小信号增益：>31dB偏置：脉冲VD=50 V，IDQ=300 mA，VG=-2.7 V典型值。封装尺寸：6.0 x 6.0 x 0.85毫米主要应用S波段雷达卫星通信可焊性符合最新版J-STD-020标准，无铅焊料，260°C。请勿将封装盖暴露在> 280°C的温度下
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2026/5/28 15:53:37
Qorvo的QPA2962是在Qorvo QGaN15 GaN-on-SiC工艺上制造的宽带功率放大器。QPA2962的工作频率为2至20 GHz，在22 V漏极偏压下提供10 W的饱和功率、13 dB的大信号增益和22%的功率附加效率。RF端口匹配50Ω，包括集成隔直电容器和RF扼流圈。QPA2962采用5 x 5 mm气腔层压封装，为设计人员提供了一种方便的SMT兼容器件，在减小尺寸和成本的同时，提供了宽带功率、增益和效率的宝贵组合。QPA2962非常适合军事和商业市场的宽带通信系统、电子战、测试仪器和雷达应用。QPA2962无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：2-20GHz•PSAT（PIN=27 dBm）：40 dBm•PAE（PIN=27 dBm）：22%•功率增益（PIN=27 dBm）：13 dBm•小信号增益：19 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=1680 mA•封装尺寸：5.0 x 5.0 x 1.455毫米应用•通信系统•电子战•雷达•测试设备
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2026/5/28 15:47:39
Qorvo的QPA1011D是一款X波段高功率MMIC放大器，采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。QPA1011D的工作频率为7.9-11 GHz，通常提供25 W的饱和输出功率，功率附加效率为37%，大信号增益为20 dB。宽带性能的这种组合提供了设计者所寻求的灵活性，以提高系统性能，同时减小尺寸和成本。QPA1011D还可以支持各种操作条件，以最好地支持系统要求。凭借良好的热性能，它可以支持一系列偏置电压，并且在CW和脉冲操作下都表现良好。QPA1011D与50Ω匹配，两个RF I/O端口上都集成了隔直电容器，简化了系统集成。宽带性能和操作灵活性使其能够支持卫星通信和数据链路，以及军事和商业雷达系统。QPA1011D在晶圆上进行了100%的直流和射频测试，以确保符合电气规范。无铅，符合RoHS标准。特征频率范围：7.9-11 GHz输出：PIN=25 dBm时为45 dBmPAE:25 dBm时为37%大信号增益：PIN=25 dBm时为20 dB小信号增益：26 dB集成功率检测器偏压：VD=24 V，IDQ=1200 mA，VG=−2.0 V典型值脉冲VD：脉宽=100µS，直流=10%芯片尺寸：2.75 x 3.12 x 0.10毫米应用卫星通信数据链接军用和商用雷达脉冲操作评估板（EVB）布局组件注：PCB是多层的1.所有4种金属厚度均为0.5盎司2.上芯1为罗杰斯4003C，厚度为8密耳3.下芯2为370HR，6密耳厚4.Pre-Preg是一种环氧涂层玻璃纤维布5.成品PCB总厚度为25±3密耳6.该EVB使用铜制PCB，在高功耗长脉冲和/或CW条件下实现最佳热管理
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2026/5/28 15:33:24
Qorvo的QPA2211是在Qorvo 0.15um GaN-on-SiC工艺（QGaN15）上制造的Ka波段功率放大器。其工作频率为27.5至31 GHz，实现了5 W的线性功率，互调失真产物低于-25 dBc，小信号增益为24 dB。饱和输出功率大于10W，相关功率附加效率为25%。QPA2211采用10引脚15 x 15 mm螺栓固定封装，带铜底座，可实现卓越的热管理。为了简化系统集成，QPA2211与50欧姆完全匹配，两个I/O端口上都集成了直流阻断帽。QPA2211非常适合支持卫星通信和5G基础设施。无铅，符合RoHS标准。主要特点•频率范围：27.5–31 GHz•PSAT（PIN=24 dBm）：41 dBm•PAE（PIN=24 dBm）：25%•功率增益（PIN=24 dBm）：17 dB•小信号增益：24 dB•IMD3（POUT=34 dBm/音）：-25 dBc•偏压：VD=22 V，IDQ=280 mA•封装尺寸：15.2 x 15.2 x 3.5毫米•封装底座为纯铜，提供卓越的热管理应用•5G基础设施•卫星通信可焊性元件引线应手动焊接，且封装不能采用传统的回流焊工艺。建议使用免清洗焊料，以避免焊接后进行清洗。
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2026/5/28 15:25:26
Qorvo的TGA2962是在Qorvo QGaN15 GaN-on-SiC工艺上制造的宽带功率放大器。TGA2962的工作频率为2至20 GHz，在22 V漏极偏压下提供10 W的饱和功率、13 dB的大信号增益和22%的功率附加效率。RF端口匹配50个Ω,包括集成的隔直电容器和RF扼流圈。宽带功率、增益和效率的这种组合为系统设计者提供了提高系统性能的灵活性，同时减小了尺寸和成本。TGA2962非常适合军事和商业市场的宽带通信系统、电子战、测试仪器和雷达应用。在晶圆上进行了100%的直流和射频测试，以确保符合电气规范。无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：2 – 20 GHz•PSAT（PIN=27 dBm）：>40 dBm•PAE（PIN=27 dBm）：>22%•功率增益（PIN=27 dBm）：13 dB•小信号增益：20 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=1680 mA•封装尺寸：3.24 x 3.24 x 0.10毫米主要应用•通信系统•电子战•雷达•测试设备可焊性仅使用AuSn（80/20）焊料，且暴露于300°C以上温度的时间最长不得超过3至4分钟。
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2026/5/28 15:18:04
Qorvo的TGA2222是一款宽带功率放大器MMIC，采用Qorvo生产的0.15 um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。覆盖32 – 38 在GHz频段，TGA2222提供了40 dBm（10 W）的饱和输出功率和16 dB的大信号增益，同时实现了>22%的功率附加效率。TGA2222采用平衡架构，以最大限度地降低对负载变化的性能敏感性。其RF端口直流耦合到地，以获得最佳的ESD性能。TGA2222在两个RF端口上都有隔直电容器，与50欧姆相匹配。TGA2222可以支持各种操作条件，包括CW操作，使其非常适合商业和军事系统。无铅，符合RoHS标准。主要特点•频率范围：32–38 GHz•PSAT（PIN=24 dBm）：>40 dBm•PAE（PIN=24 dBm）：>22%•功率增益（PIN=24 dBm）：>16 dB•小信号增益：>25 dB•偏压（脉冲）：VD=26 V，IDQ=640 mA•偏压（CW）：VD=24 V，IDQ=640 mA•封装尺寸：3.43 x 2.65 x 0.05毫米应用•通讯•雷达•卫星通信•EW•空间通信•点对点通信装配说明部件放置和粘合剂连接装配注意事项：•真空铅笔和/或真空夹头是首选的拾取方法。•放置过程中必须避免空气桥。•在自动放置过程中，力冲击至关重要。回流工艺装配说明：•使用AuSn（80/20）焊料，并限制暴露在300℃以上的温度下 最高30秒。•应使用具有还原气氛的合金站或传送炉。•不要使用任何类型的焊剂。•热膨胀系数匹配对于长期可靠性至关重要。•设备必须存放在干燥的氮气环境中。互连工艺装配注意事项：•热超声球键合是首选的互连技术。•力、时间和超声波是关键参数。•不应使用铝线。•焊盘尺寸较小的设备应使用0.0007英寸的导线进行连接。
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2026/5/28 15:08:05