OLS100专为需要高CTR和低饱和VCE的光隔离的应用而设计。每个OLS100器件由一个LED和N-P-N硅光电晶体管组成，安装并耦合在定制的密封表面安装无引线芯片载体（LCC）封装中。低输入电流使OLS100非常适合直接互补金属氧化物半导体（CMOS）到低功率肖特基晶体管（LSTTL）到晶体管逻辑（TTL）接口。OLS100设备可以使用回流焊或导电环氧树脂安装。具备的特性•电流传输比保证在-55°C至+125°C范围内•环境温度范围•电气隔离：1500 VDC•高电流传输比（CTR）：超温最低75%。在低输入电流下，IF=1 mA时，温度超过100%•高可靠性和坚固的结构•CTR与达林顿输出相当，但饱和度低•VCE=0.15v•类似于4N2X、4N4X型光耦合器OLS100封装尺寸OLS100框图
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2026/6/1 14:37:04
OLS600有一个LED和一个集成的高速检测器，它们安装并耦合在一个6针无引线芯片载体（LCC）封装中，在输入和输出之间提供1500 VDC的电气隔离。LED发出的光被集成探测器中的光电二极管收集。集成探测器包含一个施密特触发器，该触发器提供抗噪性和脉冲整形的滞后以及集电极开路输出。该产品的典型传播延迟为170ns。共模抑制（CMR）瞬态抗扰度大于1000 V/μs。设备表面安装是通过回流焊接或导电环氧树脂实现的。具备的特性•在-55°C至+125°C的环境温度范围内保证性能•保证最小CMR瞬态抗扰度1000 V/μs@300 VCM•1500 VDC电气隔离•微处理器兼容驱动器•开/关阈值滞后•快速切换：tr，tf=10ns典型值OLS600结构图OLS600开关测试电路图
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2026/6/1 14:32:35
OLS300适用于将晶体管晶体管逻辑（TTL）连接到低功率肖特基晶体管逻辑（LSTTL）或互补金属氧化物半导体（CMOS），以及宽带模拟应用。每个OLS300都有一个LED和集成光电二极管晶体管检测器，安装并耦合在定制的密封表面安装无引线芯片载体（LCC）陶瓷封装中，在输入和输出之间提供1500 VDC的电隔离。与标准光电晶体管相比，集成光电二极管晶体管通过降低基极到集电极的电容，将开关速度提高了几个数量级。OLS300的器件安装是通过回流焊接或导电环氧树脂实现的。具备的特性•电气参数保证在-55°C至+125°C的环境温度范围内•1500 VDC电气隔离•高速，典型速度为1 Mbps•开路集电极输出•高可靠性和坚固的结构•类似于6N135/136、4N55型光耦合器•耐辐射•可进行高可靠性筛查OLS300结构图OLS300封装尺寸图
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2026/6/1 14:28:24
Si5332是一款高性能、低抖动的时钟发生器，能够合成多达12个用户可编程的时钟频率，最高可达333.33 MHz。该设备支持使用外部或嵌入式晶体进行自由运行操作，或者可以锁定到外部时钟信号。输出驱动器最多支持12个差分时钟或24个LVCMOS时钟，或两者的组合。输出驱动器可配置为支持常见的信号格式，如LVPECL、LVDS、HCSL和LVCMOS。VDDO引脚具有通用性，可以设置为3.3V、2.5V、1.8V或1.5V（仅限CMOS），为多格式输出驱动器供电。核心电压源（VDD）接受3.3V、2.5V或1.8V，并且独立于输出电源（VDDOx）。Si5332使用其两级合成架构和获得专利的高分辨率低抖动MultiSynth技术，可以从单个设备生成整个时钟树。Si5332将宽带PLL与下一代MultiSynth技术相结合，提供业界最高输出计数的高性能可编程时钟发生器，抖动性能低于200 fs RMS。PLL锁定到外部16-50 MHz晶体或嵌入式50 MHz晶体，用于生成自由运行时钟，或锁定到外部时钟（CLKIN_2/CLKIN_2#或CLKIN_3/CLKIN_3#），用于生成同步时钟。在自由运行模式下，振荡器频率乘以PLL，然后由整数分频器或MultiSynth分频以进行分数合成。Si5332具有用户定义的通用硬件输入引脚，可以在ClockBuilder Pro软件实用程序中配置。通用硬件引脚可用于OE、扩频启用、输入时钟选择、输出频率选择或I²C地址选择。该设备提供在其非易失性存储器（NVM）中存储用户定义的时钟配置的选项，这将成为通电时的默认时钟配置。为了启用系统内编程，可以通过OTP提供加电模式，该模式以OTP定义的默认模式为芯片加电，但不启用输出。这允许主处理器首先写入用户定义的寄存器子集，然后重新启动加电序列以激活新编程的配置，而无需重新下载OTP。
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2026/6/1 14:24:05
OLF300适用于将晶体管晶体管逻辑（TTL）连接到低功率肖特基晶体管逻辑（LSTTL）、TTL或互补金属氧化物半导体（CMOS），以及宽带模拟应用。每个OLF300都有一个发光二极管和一个集成的光电二极管晶体管检测器，安装并耦合在一个定制的8针密封扁平封装中，在输入和输出之间提供1000 Vdc的电气隔离。与标准光电晶体管相比，集成光电二极管晶体管通过降低基极到集电极的电容，将开关速度提高了几个数量级。内部屏蔽提供了出色的共模抗扰性能。具备的特征•密封SMT封装•电气参数保证在-55°C至+125°C的环境温度范围内•1000 Vdc电气隔离•高速，典型速度为1 Mbit/s•开路集电极输出•300KHz带宽•类似于6N135/136、4N55•耐辐射•提供100%高分辨率筛查OLF300结构图
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2026/6/1 14:19:17
NVIDIA宣布，全球技术领导者计划采用 NVIDIA Vera，这是首款专为 AI 代理打造的 CPU。现已全面生产的NVIDIA Vera是一类新型处理器，使任务完成速度比x86 CPU快1.8倍，能够驱动跨行业的多样化工作负载——包括代理人工智能、强化学习和数据处理——从而带来更多数据中心代币收入。基于迄今已出货近250万台的NVIDIA Grace™ CPU成功，Vera将CPU性能和能效提升到新高度，适用于现代数据中心中最具挑战性的AI工作负载——代理从回答基础问题到执行操作、运行代码、使用工具并评估结果。探索Vera CPU的客户包括金融领导者纽约证券交易所、全球人工智能实验室Anthropic、OpenAI和SpaceXAI，以及超大规模企业字节跳动、CoreWeave、Lambda、Nebius、Nscale和甲骨文云基础设施（OCI）。Vera还被戴尔科技、HPE、联想和超级微速等世界领先系统制造商以及台湾系统开发商整合进人工智能基础设施。“人工智能代理将成为计算的最大用户，”NVIDIA创始人兼首席执行官黄仁森表示。“Vera是首款为那个未来设计的CPU——打造用于超大规模运行代理人工智能，拥有卓越的性能、效率和可编程性。”据提供全面开源基准测试套件的Phoronix称，NVIDIA Vera在包括代码编译、Python、Java和数据库处理在内的代理工作负载中实现了最快的整体性能。这些工作负载处于现代人工智能工厂的关键路径上，包括代理工具使用和沙盒执行，在这些领域，更快的CPU性能带来更高的代理吞吐量和交互性。Vera 的广泛生态系统支持CPU 以密集液冷机架形式提供，适用于大规模代理人工智能和强化学习环境，同时也提供灵活的双插槽风冷系统，适用于企业、云、数据处理和 AI 工厂部署。提供基于Vera CPU系统的领先基础设施供应商包括Aivres、AS...
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2026/6/1 14:03:31
英飞凌科技股份公司宣布加入NVIDIA（英伟达）MGX AI 工厂 （AI Factory）生态系统，助力推动下一代 AI 数据中心的供电架构转型。并且英飞凌的电源管理解决方案将支持 NVIDIA 的 MGX™ 架构与 800 VDC 电源架构——这是一套开放式、模块化的参考架构，专为 Agentic AI 时代的 AI 工厂而设计。与 800 VDC MGX™ 兼容的电源机架能够帮助既有的 AI 基础设施提升 AI 计算性能与功率密度，并为迈向未来的AI 基础设施提供升级路径。“作为 NVIDIA 生态系统的成员，英飞凌正与 NVIDIA 携手，重新定义从电网到处理器核心的供电系统，以满足AI 创新下一阶段的需求。随着 AI 模型在规模与复杂度上持续提升，数据中心必须在相同的空间、电力与散热限制下，大幅提升计算性能。结合 NVIDIA 的模块化 MGX 架构，英飞凌的电源解决方案可大幅提升整个数据中心电力流程中的电源效率。我们期待继续与 NVIDIA 合作，将更多基于 MGX 的创新加速推向市场。”英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White则表示。英飞凌专有的 SiC JFET 技术结合专用控制 IC，非常适合用于衔接800 VDC直流供电系统与服务器主板的保护与热插拔（hot-swap）功能。对应此HVDC架构，英飞凌提供可将电源从 800 V 转换为50 V、12 V，甚至低至 6 V的电源管理解决方案。作为NVIDIA MGX AI 工厂生态系统的一员，英飞凌在基于 NVIDIA MGX 的系统中支持从800 VDC 一路降至中间总线电压和处理器核心电压的完整功率转换流程，协助减少转换级数，并将直流电力供应点更靠近机架。这有助于提升电源效率、简化基础设施，并支持更高密度的 AI 部署。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，...
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2026/6/1 13:47:17
HMC613LC4B是一款连续检测对数视频放大器（SDLVA），工作频率为0.1至20 GHz。HMC613LC4B的记录范围为59 dB。该器件提供4/18ns的典型快速上升/下降时间和14ns的优越延迟时间。HMC613LC4B日志视频输出斜率通常为14 mV/dB。最大恢复时间小于30 ns。HMC613LC4B采用高度紧凑的4x4 mm SMT陶瓷封装，是高速信道化接收器应用的理想选择。具备的特征宽输入带宽；0.1至20 GHz高记录范围：18 GHz时为59 dB（-54至+5）输出频率平坦度：±1.5 dB对数线性度：±1 dB快速上升/下降时间：4/18ns恢复时间：26纳秒单正电源：+3.3V空间级包装可用24引脚4x4mm SMT封装：16mm2HMC613LC4B非常适合：•电子战、电子情报和瞬时测频接收机•测向雷达系统•ECM系统•宽带测试和测量•功率测量和控制电路•军事和航天应用功能图
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2026/5/29 11:35:41
HMC-C026是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器，采用微型密封模块，带有可更换的SMA连接器，工作频率在2至20 GHz之间。放大器在1 dB增益压缩下提供31 dB增益、2.5 dB噪声系数、+30 dBm输出IP3和高达+26 dBm的输出功率。宽带放大器输入/输出在内部匹配到50欧姆，并且是直流阻断的，使HMC-C026成为电子战、ECM雷达和测试设备应用的理想选择。集成电压调节器允许对负极和正极电源引脚进行灵活的偏置，而内部偏置排序电路确保了稳健的运行。具备的特征增益：31 dB @ 6 GHzP1dB输出功率：+26 dBm @ 6 GHz噪声系数：2.5 dB @ 8 GHz无杂散操作受控供应与偏压排序全密封模块现场可更换的SMA连接器工作温度范围：-55°C至+85°CHMC-C026宽带PA适用于：•电信基础设施•微波无线电和VSAT•军事和航天•测试仪器•光纤HMC-C026功率放大器功能图
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2026/5/29 11:29:01
HMC-C004是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器，采用微型密封模块，带有可更换的SMA连接器，工作频率在10 MHz至20 GHz之间。自偏置放大器提供15dB的增益、3-4dB的噪声系数和+24dBm的饱和输出功率，同时需要单个+12V电源。增益平坦度在±0.5 dB时表现出色，与0.01至10 GHz的线性相位偏差为±2度，使HMC-C004成为OC192光纤LN/MZ调制器驱动器应用的理想选择。宽带放大器的输入/输出在内部与50欧姆相匹配，并且在内部被直流阻断。具备的特征增益：15dB饱和输出功率：+24 dBm50欧姆匹配输入/输出受监管的供应和偏差排序密封模块现场可更换SMA连接器工作温度-55至+85˚CHMC-C004宽带驱动器非常适合：•OC192 LN/MZ调制器驱动器•电信基础设施•微波无线电和甚小孔径终端•军事与航天•测试仪器HMC-C004功能图
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2026/5/29 11:24:49
CAT28F512是一款高速64K x 8位电可擦除和可重编程闪存，非常适合需要系统内或售后代码更新的应用。完整存储器内容的电擦除通常在0.5秒内实现。它的引脚和读取时序与标准EPROM和EEPROM设备兼容。编程和擦除是通过操作和验证算法执行的。使用两个写周期方案通过I/O总线输入指令。地址和数据被锁存，以在写入操作期间释放I/O总线和地址总线。CAT28F512采用Catalyst先进的CMOS浮栅技术制造。它的设计可承受100000次编程/擦除周期，数据保留期为10年。该器件有JEDEC批准的32针塑料DIP、32针PLCC或32针TSOP封装。特性快速读取访问时间：90/120/150ns低功耗CMOS功耗：有源：最大30mA（CMOS/TTL电平）待机：最大1mA（TTL电平）待机：最大100µA（CMOS电平）高速编程：每字节约10µs1秒典型芯片程序12.0V±5%编程和擦除电压电子签名商业、工业和汽车温度范围程序/擦除停止定时器片上地址和数据锁存JEDEC标准引脚：32针DIP32针PLCC32针TSOP（8 x 20）100000个程序/擦除周期10年数据保留程序验证模式执行编程验证周期，以确保在每个字节编程操作后所有位都已正确编程。特定地址已经从刚刚完成的写入周期中锁存，并保持锁存状态，直到验证完成。通过将C0H写入命令寄存器来启动程序验证操作。内部参考产生必要的高电压，这样用户就不需要修改VCC。
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2026/5/29 11:12:54
继为智能泊车安全兜底后，比亚迪再次率先承诺为城市领航安全兜底1年，2026年5月28日，比亚迪召开“敢为”智能化战略发布会，并宣布开创全民城市领航时代，让好技术人人可享、人人放心享！发布会中，比亚迪重磅发布中国首款4nm制程智驾芯片——璇玑A3，支持L3、L4自动驾驶，通过三颗芯片的高效协同，实现超2100TOPS的总算力，同时兼顾功耗控制与算力利用率。目前已开启规模化量产。璇玑A3作为中国首款自研4nm智驾芯片，它代表中国智驾芯片的最高水平：车规级4nm，不仅制程最先进，行业第一；而且单位算力功耗最低，较同级产品低20%。它可结合比亚迪自研算法，深度优化，算力利用率提升100%，让辅助驾驶的反应更快，处理复杂问题的能力更强，安全上限更高。其实，早在2002年，比亚迪就组建了自己的芯片团队——IC设计部，即比亚迪半导体的前身。24年以来，比亚迪布局芯片、久久为功，先后做到车规级IGBT和SiC功率芯片技术国内最早量产装车，并两度荣获国家科学技术进步奖。至今，比亚迪已推出2000多款芯片产品，应用在智能汽车、消费电子、家用电器、工业设备、光伏储能五大领域。在更为严苛的车规级领域，比亚迪已成为中国最大的芯片企业，如今，已覆盖13大类，有567款芯片产品，广泛应用于46个国内外汽车品牌。比亚迪之所以能够推出璇玑A3，在于其背后的研发底气：目前，比亚迪芯片研发团队超7000人，累计投入超千亿，拥有4大研发基地和5座晶圆制造工厂。其中，成都工厂是中国最大的、专注车规级的12英寸晶圆工厂。论及芯片制造流程，从产品定义、架构设计、电路设计、版图设计、晶圆制造、封装到测试七大步骤，比亚迪全面覆盖，是全球唯一一家拥有芯片全流程、全链路制造能力的车企。在电动化的上半场，比亚迪用第二代刀片电池及闪充技术一举攻克“充电慢”“低温充电难”的世界性难题；而在智能化的下半场，比亚迪致力于实现“零交通事故...
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2026/5/29 10:28:32
Microchip推出了dsPIC33CK Value Line数字信号控制器系列（DSC），以具有竞争力的价格提供必要的实时控制。它可以通过结合高达100 MHz确定性处理、高分辨率脉宽调制（PWM）和12位模数转换器（ADC），Value Line DSC支持电机场向控制（FOC）、触控和精密感测应用，而无需承担不必要的额外成本。dsPIC33CK 价值线设备集成了一套平衡的外设，使设计师能够将多个系统功能整合到单一设备上，有助于减少外部元件数量、印刷电路板占地面积和整体物料清单（BoM）成本。凭借可扩展的程序闪存选项，范围从32 KB到256 KB，并且兼容更广泛的 dsPIC33CK 系列，价值线 DSC 支持可扩展性，同时为未来需求提供迁移路径。“并非每个实时控制设计都需要高端解决方案，许多设计只需以合理成本提供可靠的性能。”“dsPIC33CK价值系列提供了设计师最依赖的必需品，同时消除了复杂性，帮助构建功能强大、可靠，而无需为不必要的功能付费。在任何批量下提供稳定的价格，使客户更容易规划、扩展和控制长期成本。”Microchip数字信号控制业务部企业副总裁Joe Thomsen表示。设计为在八个通道上提供最高2纳秒的PWM分辨率，支持最多2MSPS的12位ADC，片上模拟比较器（12位数模转换器，DAC），以及包括CAN频频、本地互连网（LIN）、单边半字传输（SENT）、通用异步收发器（UART）、串行外设接口（SPI）和I²C在内的全面通信外设。结合Microchip已建立的dsPIC33CK DSC生态系统，这些能力帮助设计师在单一器件内实现精确可靠的实时控制功能，简化系统设计，同时支持要求长期可靠性和成本效益的高要求应用。汽车级可靠性，包括 AEC-Q100 一级认证和内置安全安全功能，用于实现安全启动和安全固件更新，有助于在工业、汽车、消费...
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2026/5/29 10:15:23
意法半导体STPOWER产品组合中的700V PowerGaN设备应对了AI服务器功耗上升以及对超越传统硅片技术极限的高性能功率转换需求等挑战。ST的新款PowerGaN器件为高压电源提供高效和高功率密度。设计为700伏工作额定，支持可靠的高功率运行和更高频的拓扑结构。PowerGaN固有的优势包括低导电损耗、高工作频率下的极低开关损耗以及零反向恢复电荷，从而实现系统体积、重量和工作温度的缩小。这些属性对于用于机器人的电力半导体、工业电源以及用于发电、配电和储存的智能电网变换器非常重要。“通过推出新的700V器件，扩展了氮化镓技术的优势，将其优势扩展到中功率和高功率应用。”“我们将继续扩展产品线，增加电压等级和功能，进一步巩固我们对GaN的承诺，用于未来AI服务器、类人机器人、工业电力以及包括家用电器在内的消费级电力应用。”意法半导体电力与分立子集团执行副总裁Mario Aleo表示。关于其封装该系列采用DPAK、TO-LL和PowerFLAT表面贴装封装，这些封装在实践中经过验证，并被主要电子设计自动化库和工具链广泛支持。TO-LL和PowerFLAT器件提供开尔文源连接，将门控电路与主电源路径分离，以最大化抗噪能力，保护栅极驱动器并保持时序裕量。引入的设备包括：• SGT350R70GTK（6 A，270 mΩ*），采用6.10毫米×6.60毫米3针DPAK，带可焊接卡片。• SGT070R70HTO（26 A，53 mΩ*）采用无铅TO-LL，采用热效率极高的漏极和源源连接。• SGT080R70ILB（29 A，60 mΩ*）、SGT105R70ILB（21.7 A，80 mΩ*）、SGT140R70ILB（17 A，106 mΩ*）、SGT190R70ILB（11.5 A，138 mΩ*）、SGT240R70ILB（10 A，165 mΩ*），采用可焊接...
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2026/5/29 10:10:48
半导体制造商ROHM面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。AG16xFNxx系列采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封装相比，有望进一步实现小型化。其中，HPLF5060封装采用鸥翼型引脚，DFN3333封装的引脚采用可润湿侧翼（Wettable Flank）成型技术，均有助于提升电路板安装时的可靠性。与此同时，其通过铜夹片键合技术提升散热性能，使得新产品能够支持大电流。AG160FNS4FRAAG166FNH7FRA该系列产品均符合AEC-Q101车规标准，满足车载产品严苛的可靠性要求。相关解说：鸥翼型引脚：引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。可润湿侧翼成型技术:一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。铜夹片键合:替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式，而采用Cu夹片（扁平金属桥）直接连接的一种技术。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/29 10:00:36
TDK公司宣布推出了Micronas HAL 13xy系列，该系列是一种工厂可编程霍尔效应开关传感器，专为汽车和工业应用的速度和方向检测设计。利用TDK-Micronas经过验证的3D HAL技术，HAL 13xy采用三个正交霍尔元素（X、Y、Z）排列在像素单元中，提供90°相距（正交信号），本质上不受磁极间距和气隙影响。该设计允许同时测量两个磁场元件，为制造商在传感器和磁铁布置上提供最大灵活性。HAL 13xy系列凭借其坚固的设计和多样化输出，实现了平稳的运动控制、高安全标准和提升用户舒适度。并且提供两个独立的开漏输出，可配置为正交速度/速度或速度/方向信号。这种灵活的输出配置支持在需要精确、可靠且节省空间的传感技术的应用中实现紧凑型电动机控制。其工作范围为-40°C至170°C，支持从3.0V到24V的宽广供电电压范围，并具备强有力的保护特性，包括40V负载倾卸的稳健性、-18V反向电压保护以及短路/热保护。能够在电源电压和温度变化中保持恒定的开关点，确保在高强度环境中稳定的性能。它符合汽车电子AEC-Q100标准，并根据ISO和IEC要求提供高电磁兼容韧性。HAL 13xy系列采用紧凑型5针SOT23封装、高静电阻稳健性（最高可达4 kV HBM）和可配置的传感轴，HAL 13xy系列为工程师提供了一种多功能且经济高效的解决方案，用于空间有限的汽车和工业应用中精确的电机控制和位置检测。在汽车领域方面，HAL 13xy系列可用于座椅轨道电机、天窗驱动、尾门电机、气门位置、方向柱电机、转向次数感应以及具防夹功能的窗户升降器等应用。其主要应用体现在：座带电机天窗电机尾门电机阀门位置转向柱电机转向次数感测具防夹功能功能的窗户升降器免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品...
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2026/5/29 9:51:31
Qorvo宣布推出一系列新的射频交换机，旨在简化多频段无线电架构。随着5G无线电扩展以支持更宽的带宽和更多频段，包括如FR3等新兴频谱，设计师面临着在保持隔离性和信号完整性而不增加体积、损耗和复杂性的方面面临越来越多的挑战。该系列频段覆盖50 MHz至10 GHz，减少了元件数量，提升了信号完整性，并使5G基础设施、工业、无人机和测试应用的射频系统设计更加高效。Qorvo基础设施业务总经理Debbie Gibson说。“设计师不再依赖级联交换架构来实现高隔离。我们在单一设备中实现这种性能，跨越非常宽的带宽，”这种方法减少了插入损耗，保持信号线性，简化了设计，从而提升数字预失真（DPD）反馈等应用中的接收器性能。这一系列新设备射频交换机构成了一个统一的交换平台，支持高隔离和通用路由。通过将切换功能整合到更少的组件中，工程师可以降低物料清单的复杂性，简化布局，并加快跨多个应用的开发。Qorvo的新QPC6144是一款SP4T宽带交换机，单设备中可提供超过65 dB的隔离。作为补充，QPC6122（SP2T）和QPC6188（SP4T）提供50 MHz至10 GHz的宽带吸收切换，实现单平台射频路由。这些设备减少元件数量，简化设计，同时保持低插入损耗和宽带宽强线性，用于校准路径、一般信号路由和多频段运行。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/29 9:46:16
伴随着AI工作负载加速，向AI工厂的转变推动了前所未有的机架级功率密度。这一转型的核心是NVIDIA MGX™，一种开放模块化架构，能够实现更快的系统设计、提升可扩展性和下一代AI基础设施的快速部署。ADI(亚德诺)作为MGX生态系统的重要成员，正与NVIDIA携手推动这一转型，提供支持日益严苛AI工厂部署所需的电力技术。向800伏直流转型：实现AI工厂规模化随着AI工厂不断追求更高性能，传统的48伏架构已无法满足现代GPU集群的电力需求。为了保持性能扩展，基于MGX的AI工厂正在转向800伏直流机架级架构，这减少了电流和电力损失，实现了更紧凑的分电配置，并支持针对兆瓦级机架的可扩展设计。这种电力架构的转变为未来NVIDIA平台奠定了基础，在这些平台的持续性能提升直接依赖于电力传输效率。ADI：为MGX系统启用800伏直流电力 ADI正在扩大其在电力保护、控制和遥测领域的领导地位，以支持下一代AI基础设施。基于数十年的创新，ADI正在开发高压热插拔和直流直流解决方案，能够实现：高级计算平台的高密度集成高压环境下的快速、准确保护用于系统优化和预测性维护的高级遥测免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/29 9:41:49