LT®1939 是一款电流模式 PWM 降压型 DC/DC 转换器，具有一个内部 2.3A 开关。3V 至 25V 的宽输入范围使得 LT1939 适合于对来自众多电源的功率进行调节，包括汽车电池、工业电源和未稳压的墙上适配器。 可采用电阻器来设置的 250kHz 至 2.2MHz 频率范围和同步能力实现了效率与外部元件尺寸之间的优化。逐周期电流限制、频率折返和热停机功能提供了针对短路输出的保护。软起动功能可控制输出电压的斜坡速率，从而消除了启动期间的输入浪涌电流，而且还提供了输出跟踪。 LT1939 包括一个具反馈控制功能的内部 NPN 晶体管，它可以被配置成一个线性稳压器或一个线性稳压控制器。 LT1939 的低电流停机模式 (特征• 宽输入范围：3V 至 25V• 在整个输入范围内提供了短路保护• 2A 输出电流能力• 可调/可同步固定频率操作 (250kHz 至 2.2MHz)• 软起动/跟踪能力• 输出可调到低至 0.8V• 具 13mA 电流输出能力的可调线性稳压器/驱动器• 具互补输出的电源良好比较器• 低停机电流：12μA• 耐热增强型 3mm x 3mm DFN 封装应用汽车电池法规工业控制壁式变压器调节分布式电源调节如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/2 11:29:33
圣邦微电子正式推出SGM6000系列同步降压转换器，该器件凭借1.75V至5.5V的宽输入电压范围、低至300nA的超静态电流以及高达700mA的输出电流，为电池供电的便携式与物联网设备提供了兼具高效能与长续航的电源解决方案。其微型化的设计特别适用于对功耗和体积极为敏感的应用场景。详细概述SGM6000系列是一款低压、高效的微型同步降压转换器，具备300nA的超低静态电流。该器件的关断电流典型值为6nA，静态电流为300nA，能进一步延长电池供电应用的使用寿命。它可支持最高700mA的负载范围，峰值效率达96%；同时扩展了高效工作区间，在1.75V至5.5V的输入电压范围内，仍能保持超低静态电流，非常适合电池供电应用，可有效延长设备使用时长。SGM6000采用绿色WLCSP-1.31×0.89-6B封装。特征1.75V 至 5.5V 输入电压范围可编程输出电压SGM6000A：VSET 引脚可选输出电压为 0.7V 至 3.3VSGM6000B：固定 VOUT 电压范围为 0.6V、0.8V、1.2V 和 1.8V300nA 超低静态电源电流6nA 关断电流700mA 输出电流峰值效率高达 96%，10μA 电流时效率超过 88%全温度范围内输出电压精度为 ±2.6%在多种使用情况下保护系统主动放电功能外部元件数量最少采用绿色 WLCSP-1.31×0.89-6B 封装应用便携式、空间受限的消费产品可穿戴电子产品耳机和耳塞超低功耗物联网、窄带物联网和蓝牙单节锂离子 (Li+) 和纽扣电池产品有线或无线工业产品如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/2 11:13:09
Littelfuse公司是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。新推出两款下一代隧道磁阻 （TMR） 磁性开关： LF21112TMR全极开关 以及 LF11215TMR双极开关。这两款紧凑型器件具有出色的磁灵敏度、热稳定性和超低功耗，为智能电表、可穿戴设备、消费电子产品、工业自动化和家庭安全系统提供节能传感解决方案。通过将TMR技术与超低功耗CMOS设计相结合，这两款开关相较于传统的霍尔效应传感器和旧式磁性开关技术，均展现出卓越的性能表现。这些产品的推出标志着Littelfuse磁传感器产品组合向电池敏感型和常开应用领域的重大拓展。LF21112TMR：公司首款全极TMR开关，能够同时检测南北磁极，使磁体放置更灵活，并简化了设计。典型电流消耗仅为200nA，是超低功耗应用的理想选择。LF11215TMR：一款双极数字TMR开关，以1.5 μA的超低电流消耗和仅17高斯的高磁灵敏度提供高速、精确检测。在需要定向检测的更复杂传感应用中表现出色。全极开关（如LF21112TMR）在暴露于任一磁极时都会触发响应，非常适合空间受限的设计和难以控制磁体对准的应用。双极开关（如LF11215TMR）由特定磁极（通常为北极）触发，并由相反磁极（南极）复位。这种方向灵敏度对于需要旋转或方向感应的应用非常有利。主要功能与特色两种器件均采用紧凑型SOT23-3封装，并具有以下特点：TMR技术可实现更高的灵敏度和热稳定性；推挽式CMOS输出，提供干净的数字信号；施密特触发器输入可降低噪声并提高可靠性；出色的抗外磁干扰能力；宽工作电压：1.8V至5.0V。这些开关可帮助工程师设计出更小、更智能、更节能的产品，同时降低机械复杂性并延长电池寿命。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如...
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2025/12/2 11:03:22
安世半导体PMEG2005BELD是一款平面肖特基势垒整流器，带有用于应力保护的集成保护环，封装在无引线超小SOD882D（DFN1006D-2）表面安装器件（SMD）塑料封装中，带有可见和可焊接的侧焊盘。特征•平均正向电流：IF（AV）≤0.5A•反向电压：VR≤20V•低正向电压VF≤390 mV•超小无引线SMD塑料封装•可焊接侧垫•包装高度类型。0.37毫米应用•低压整流•高效DC-DC转换•开关电源•反极性保护•低功耗应用•超高速切换•用于移动应用的LED背光如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/12/1 11:16:50
接收器（RECEIVER）接收器部分包含了所有必需的模块，用于接收射频（RF）信号并将其转换为基带处理器（BBP）可用的数字数据。该器件具有三个可复用至信号链的输入通道，使 AD9364 适用于多频段、多天线输入的系统。接收器采用直接转换架构，内部包含一个低噪声放大器（LNA），其后是匹配的同相（I）和正交（Q）放大器、混频器以及带通滤波器，用于将接收到的信号下变频至基带以便进行数字化处理。该器件还支持连接外部 LNA，为设计者提供了根据具体应用需求自定义接收前端的灵活性。增益控制通过预设的增益索引表实现，该表在各个模块之间分配增益，以在每个层级上实现最佳性能。增益控制可通过启用内部自动增益控制（AGC）实现，支持快速或慢速模式，也可采用手动增益控制，由 BBP 根据需要进行增益调整。此外，每个通道都具备独立的接收信号强度指示（RSSI）测量功能、直流偏移跟踪功能，以及完成自校准所需的所有电路。接收器内部集成了 12 位 Δ-Σ 模数转换器（ADC），并支持可调的采样率，可对接收到的信号进行数字化处理。数字信号还可通过一系列抽取滤波器进一步处理，并经过一个完全可编程的 128 抽头 FIR 滤波器，支持额外的抽取设置。每个数字滤波器模块的采样率可通过更改抽取因子进行调整，以产生所需的输出数据速率。发射器（TRANSMITTER）发射器部分由两个差分输出级组成，这些输出可复用至发射通道。发射通道提供了实现直接转换系统所需的所有数字处理、混合信号和射频模块。来自 BBP 的数字数据首先经过一个完全可编程的 128 抽头 FIR 滤波器，支持插值选项。FIR 滤波器的输出随后送至一系列插值滤波器，在到达数模转换器（DAC）之前提供额外的滤波和数据速率插值功能。每个 12 位 DAC 均支持可调的采样率。I 和 Q 两路信号随后被送入射频模块进行上变频处理。当信号被转换为基带模拟信...
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2025/12/1 11:13:35
安世半导体PMEG3020EH是一款平面肖特基势垒整流器，带有用于应力保护的集成保护环，封装在小型SOD123F表面安装器件（SMD）塑料封装中。特征•正向电流：2A•反向电压：30V•超低正向电压•小型扁平引线SMD塑料封装应用•低压整流•高效DC-DC转换•开关电源•反极性保护•低功耗应用如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/12/1 11:05:55
Atmel®AT24C64D提供65536位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为8192个字，每个字8位。该设备的级联功能允许多达八个设备共享一个公共的2线总线。该设备经过优化，可用于许多低功耗和低电压操作至关重要的工业和商业应用。这些器件有节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊垫XDFN、6引脚WLCSP、5引脚WLCSP和8引脚VFBGA封装。此外，该设备的工作电压范围为1.7V至5.5V。特征低压和标准电压运行VCC=1.7V至5.5V内部组织为8192 x 8（64K）I2C兼容（2线）串行接口施密特触发器，用于噪声抑制的滤波输入双向数据传输协议400kHz（1.7V）和1MHz（2.5V、2.7V、5.0V）兼容性写保护引脚用于硬件保护32-字节页面写入模式允许部分页面写入自定时写入周期（最大5ms）高可靠性耐久性：1000000个写入周期数据保留期：100年无铅/无卤素设备可用绿色封装选项（无铅/卤化物/符合RoHS标准）8-引线JEDEC SOIC、8引线TSSOP、8焊盘UDFN、8焊垫XDFN、6焊盘WLCSP、5焊盘WLCSP和8焊盘VFBGA封装如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/1 10:25:20
英飞凌科技股份公司近日正式发布MOTIX™ TLE994x与TLE995x系列电机控制系统级芯片（SoC），进一步扩展其32位电机控制产品阵容。这两款产品专为汽车中的有刷直流电机（BDC）和无刷直流电机（BLDC）设计，适用于从电动汽车电池冷却系统到座椅调节、车窗控制等多种场景。随着汽车电动化进程加速，电机数量持续增长，对可靠性、集成度与成本控制提出更高要求。英飞凌凭借在电机控制领域的深厚技术积累，将丰富功能、功能安全与网络安全特性高度集成于单颗芯片中。TLE994x（双相，BDC）与TLE995x（三相，BLDC）均采用高度集成架构，将栅极驱动器、Arm® Cortex®-M23内核微控制器、通信接口与电源管理单元整合于单一芯片，显著缩小系统面积并降低整体成本。芯片搭载最高40MHz的Cortex-M23内核，集成闪存与RAM，支持场定向控制（FOC），确保电机高效精准运行。此外，新产品外设资源更加丰富，支持CCU7生成灵活PWM信号，并具备LIN报文自动处理能力，可有效减轻CPU负载。全系列产品均符合ISO 26262功能安全标准，支持ASIL B等级，满足汽车关键应用对可靠性的严苛要求。芯片集成Arm® TrustZone®技术，为系统提供硬件级安全基础，助力实现更稳固的网络安全防护。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/1 10:15:02
Bourns新推出了全新的SMLJ-R系列瞬态电压抑制（TVS）二极管。该系列产品以其高效的能量吸收和精准的钳位能力，为便携式通信、计算和视频设备提供了可靠的浪涌防护解决方案。SMLJ-R瞬态电压抑制器（TVS）二极管 专为在DO-214AB（SMC）紧凑型芯片封装尺寸格式中设计用于浪涌和静电放电（ESD）保护。这些TVS二极管的工作峰值反向电压范围为12V至30V，击穿电压高达36.8V，峰值脉冲功率为3000W。典型快速响应时间为1ps以下（单向器件）以及5ps以下（双向器件），从0V到最小击穿电压。SMLJ-R TVS二极管采用可回收、防静电封装，符合ISO 14001低冲击能源标准。这些TVS二极管符合RoHS标准以及符合JEDEC标准。SMLJ-R TVS二极管非常适合便携式通信和计算设备以及视频设备。SMLJ-R系列TVS二极管采用紧凑的DO-214AB封装，兼具高功率耗散和灵活的配置选项。其工作峰值反向电压范围覆盖12 V至30 V，功率耗散能力高达3000瓦，能够有效吸收瞬时高能量冲击，防止设备因电压波动而损坏。此外，该系列提供13种单向型号和8种双向型号，使设计人员能够根据具体应用需求选择最合适的组件，大大提升了设计灵活性。应用便携式通信计算和视频设备电气特性（@ 25°C）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/1 10:08:43
三星电子于27日宣布，他们成功研发出一种可将电力消耗最多降低96%的新型NAND闪存技术。这项基础性研究首次在全球范围内发现了一种核心机制，利用铁电材料可将现有NAND闪存的功耗降低高达96%，为解决AI时代的电力危机提供了关键技术方案。这项突破性成果由三星综合技术院（SAIT）与半导体研究所共34名研究人员共同完成，相关论文《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管》已发表于国际顶级学术期刊《自然》。研究团队重新审视了长期以来被视为“不适合高性能芯片”的氧化物半导体材料，发现其较高的“阈值电压”特性反而可在高堆叠层数的3D NAND结构中有效抑制漏电流，从而显著提升能效。传统NAND闪存采用“单元串”结构，随着存储密度提升、堆叠层数增加，即使在关闭状态下也会产生不可忽视的漏电流，导致读写功耗持续上升。而三星的新技术通过引入铁电晶体管，精准控制低于阈值电压的电流流动，在维持高存储容量的同时，大幅削减能耗。据测算，相较现有NAND闪存，新技术可实现最高96%的功耗降低。一旦实现商业化，不仅有助于AI数据中心降低运营成本，还将延长智能手机等移动设备的电池续航时间。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/1 9:55:55
目前愈演愈烈的存储产品涨价态势正对 PC 硬件产业造成严重影响。CyberPowerPC近日正式宣布，12 月 7 日上调产品定价，这是因为近来全球内存价格上涨了 500%、固态硬盘价格上涨了 100%，自 10 月初以来对组装成本带来了直接压力。该公司向客户承诺，这仅是"暂时性调整"，并表示一旦成本压力缓解，价格将相应回调。然而，业界分析指出，这一涨价趋势很可能持续到2026年，其中存储芯片价格近期已暴涨500%，固态硬盘价格也录得100% 的惊人涨幅。供应管控：亚太地区出台严格措施面对严峻的供应形势，全球各地经销商已采取极端应对策略。日本零售商从11月初开始实施存储模块限售政策，而台湾经销商则推出强制性捆绑销售方案，要求采购者必须同时购买DRAM和主板。这些措施反映出当前存储供应链已陷入严重紧张状态。零售变革：定价机制发生根本转变存储价格上涨的冲击波已传导至零售终端。Micro Center开始移除内存套装上的固定价格标签，部分门店甚至直接从固定定价模式转向现货价格机制，标志着存储产品定价方式正在发生根本性变革。这种实时变动的定价策略显示出市场正面临前所未有的不确定性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/1 9:51:39
Mini-Circuits的PHA2-13HLN+是一种基于E-pHEMT的双匹配宽带MMIC功率放大器，在平衡配置中实现时具有高增益和高输出IP2。该放大器的工作频率为10至500 MHz，具有典型的1.8 dB噪声系数、21.8 dB增益、+30.2 dBm P1dB和+88 dBm OIP2。该器件需要每个放大器路径的+8 V电源电压，并在4x4 mm 16引脚QFN风格的小型封装中匹配到50Ω，便于集成到密集的电路板布局中。特征双匹配放大器增益，典型值。21.8分贝OIP2，典型。+88 dBm典型噪声系数。1.8分贝输出P1dB，典型值。+30.2 dBm直流电源+8 V，490 mA4x4 mm 16引脚QFN型封装应用广播航空无线电导航甚高频卫星通信如有型号采购需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/11/28 13:35:04
EQY-4-123+是一种宽带吸收增益斜率均衡器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该型号工作在直流至12 GHz范围内，由于其吸收设计，在整个频带内实现了出色的线性斜率，同时保持了出色的回波损耗。该型号采用紧凑的1.5x1.5 mm封装，是测试与测量、卫星通信以及雷达、电子战和ECM防御系统等广泛应用中密集电路布局的理想选择。特征宽带，直流至12 GHz工作频带内的线性正斜率出色的回波损耗，典型值为15dB。1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/11/28 13:30:34
EQY-6-123+是一种宽带吸收增益斜率均衡器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该型号工作在直流至12 GHz范围内，由于其吸收设计，在整个频带内实现了出色的线性斜率，同时保持了出色的回波损耗。该型号采用紧凑的1.5x1.5 mm封装，是测试与测量、卫星通信以及雷达、电子战和ECM防御系统等广泛应用中密集电路布局的理想选择。特征宽带，直流至12 GHz工作频带内的线性正斜率出色的回波损耗，典型值为14 dB。1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/11/28 13:27:06
Mini-Circuits的HPCJ-30-43+是3300至4000 MHz的LTCC定向耦合器，支持各种应用。该模型提供0.11 dB的典型主线损耗、30.5 dB的耦合和18 dB的方向性。它可处理高达50 W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该耦合器采用0.125英寸x 0.2英寸x 0.047英寸的小外形尺寸，非常适合密集的PCB布局，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特征高输入功率处理，最大50 W典型主线损耗。0.11分贝联轴器，典型。30.5分贝方向性，典型。18分贝小尺寸：0.125英寸x 0.2英寸x 0.047英寸应用5G Sub6、MIMO、n78无线基础设施系统微波回程无线电系统雷达系统卫星通信如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/11/28 13:21:12
EQY-3-123+是一种宽带吸收增益斜率均衡器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该型号工作在直流至12 GHz范围内，由于其吸收设计，在整个频带内实现了出色的线性斜率，同时保持了出色的回波损耗。该型号采用紧凑的1.5x1.5 mm封装，是测试与测量、卫星通信以及雷达、电子战和ECM防御系统等广泛应用中密集电路布局的理想选择。特征宽带，直流至12 GHz工作频带内的线性正斜率出色的回波损耗，典型值为16dB。1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/11/28 13:15:47
EQY-10-123+是一种宽带吸收增益斜率均衡器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该型号工作在直流至12 GHz范围内，由于其吸收设计，在整个频带内实现了出色的线性斜率，同时保持了出色的回波损耗。该型号采用紧凑的1.5x1.5 mm封装，是测试与测量、卫星通信以及雷达、电子战和ECM防御系统等广泛应用中密集电路布局的理想选择。特征宽带，直流至12 GHz工作频带内的线性正斜率出色的回波损耗，典型值为20dB。1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/11/28 11:57:43
Mini-Circuits的SYTX3-41-80W+是一款高功率表面贴装变压器，二次/一次阻抗比为1:3，覆盖5至40 MHz频段。直流电流隔离输入到输出，变压器能够处理高达80W的射频输入功率。它提供了低插入损耗（0.2 dB）以及良好的匹配VSWR 1.57:1。该设备采用安装在PCB上的芯线结构，封装在尺寸仅为1.22 x 0.93 x 0.47英寸的微型屏蔽封装中，非常适合密集的电路板布局。特征高功率输入，高达80 W低插入损耗，典型值为0.2 dB。从输入到输出的直流隔离应用航空航天与国防工业如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/11/28 11:52:25