RAA211605 是一款带内部环路补偿的峰值电流模式DC/DC降压调节器。轻负载或无负载时，器件工作在脉冲跳变模式；随着负载增加，调节器从不连续导电模式（DCM）过渡到连续导电模式（CCM），此时工作在450kHz固定开关频率。软启动软启动功能迫使调节器输出以受控方式逐步上升，有助于减少输入浪涌电流（input inrush current）。在降压转换器的软启动期间，误差放大器的参考电压会在约1ms内从0V上升至其标称值0.8V。欠压锁定欠压锁定功能在输入电压（VIN）超过典型值4.25V之前，阻止RAA211605工作。UVLO阈值具有约250mV的滞后电压，因此当VIN降至典型值4V以下时，器件仍会继续运行。这种滞后特性可防止VIN在启动期间非单调变化时，器件意外关闭。电流限制RAA211605采用逐周期电流限制保护输出开关。在每个开关周期内，电流限制比较器会检测输出开关电流：若电流超过典型值0.9A，开关会被关闭，直到下一个开关周期开始。当FB引脚电压降低时，折返频率（foldback frequency）会下降；当VFB为0时，折返频率约为100kHz。输出欠压保护内部欠压比较器将FB引脚电压与参考电压的30%进行比较。当FB电压低于标称值的30%时（因输出电压（VOUT）降至其设定值的30%以下），控制器会关闭内部高压侧FET，并进入打嗝模式（hiccup mode）运行，持续23ms。若输出发生短路，开关频率会折返至100kHz作为短路保护。当短路移除且VOUT恢复至标称设定值的30%以上时，控制器返回正常电压调节模式。热关断热关断功能通过关闭输出开关限制总功耗，当IC结温（junction temperature）超过典型值155°C时触发。热关断发生后，需等待结温降至典型值约135°C，输出开关才会重新开启。
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2025/8/1 11:59:56
RAA227063 是一款适用于三相无刷直流（BLDC）电机应用的智能栅极驱动IC。该器件集成了三个半桥栅极驱动器，能够驱动多达三个N沟道MOSFET桥，并支持4.5V至60V的栅极驱动桥电压。每个栅极驱动器提供高达1A的源极峰值电流和2A的漏极峰值电流，驱动强度可编程，并具备可调节的自适应死区时间，以确保可靠性和灵活性。主动栅极箝位机制可防止米勒效应引起的交叉导通，进一步增强了可靠性。器件集成了为内部驱动器和逻辑电路供电的电源，以及一个专用的高压侧和低压侧电源，非常适合为外部微控制器供电。此外，该器件还内置了一个低功耗睡眠模式，在休眠状态下仅消耗20μA电流，可最大限度延长便携式应用中的电池寿命。驱动器控制输入可配置为三相LIN/Hi或三相PWM模式。集成了三个带可调增益的相位差分放大器，支持接地侧分流电流检测。低压侧还提供了每相的DS(on)电流检测功能，或可在无传感器运行时通过无刷直流电机的反电动势（back EMF）实现控制。器件可配置为硬件接口或SPI接口。若使用硬件配置，关键驱动器工作参数可通过电阻引脚设置；若通过SPI总线进行SPI配置，用户可实现更全面的参数设置和更优的监控能力。器件还具备丰富的保护功能，包括欠压保护（UV）、过压保护（OV）、桥电压充电泵欠压保护、MOSFET漏源极电压保护、电流检测过流保护（OC）、热警告和关断保护。故障状态通过专用的nFAULT引脚和SPI状态寄存器指示。
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2025/8/1 11:58:57
瑞萨电子最新推出64位RZ/G3E微处理器，专为高性能人机交互（HMI）系统设计。该芯片集成四核Cortex-A55（1.8GHz）、Cortex-M33实时内核及Ethos-U55 NPU（512GOPS算力），支持双路全高清显示与工业级-40~125℃工作温度，面向医疗监护仪、智能零售终端、工业控制面板等边缘AI场景。核心作用1. AI本地化处理：通过NPU实现设备端图像分类、语音识别2. 强实时交互：Cortex-M33内核确保工业控制响应延迟＜5μs3. 系统长寿设计：15年供货承诺满足医疗/工业设备周期需求产品关键竞争力●算力突破：512GOPS NPU+3.6万DMIPS CPU双架构●显示引擎：H.265硬编解码+3D图形加速●极端适应：-40℃冷启动/125℃高温持续运行●安全架构：LPDDR4X ECC内存+TrustZone技术实际应用场景●智能医疗：监护仪实时体征分析+双屏病患数据展示●工业物联网：产线设备预测性维护+控制面板视觉质检●零售终端：AI客流统计+自助支付系统双屏交互封装选项：15mm²/21mm² FCBGA封装RZ/G3E通过NPU+多核异构架构攻克边缘AI的实时性难题，其双屏HMI能力与极端环境适应性重新定义工业级处理器标准。配合瑞萨400+“成功产品组合”，为设备制造商提供从开发到量产的快速落地路径。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/8/1 11:43:54
英飞凌推出SECORA™ ID V2安全芯片与eID-OS原生系统双解决方案，突破性实现6.8Mbps数据传输速率（提升80%）与0.5秒核验响应。通过40nm工艺集成指纹卡内匹配与Integrity Guard 32安全架构，为全球电子护照、数字身份证提供军用级（EAL6+）安全认证与快速落地能力。核心作用▶ 电子护照个人化时间缩短至8秒/本（传统方案15秒）▶ 生物特征数据泄露风险降低100%（本地化匹配）▶ 证照页碳足迹减少28%（超薄模块材料优化）产品关键竞争力1. 极速核验引擎：SECORA V2：6.8Mbps非接传输（行业平均3.5Mbps）eID-OS：0.5秒全流程认证（含生物特征比对）2.隐私保护突破：Match on Card技术：指纹数据永不离开芯片沙盒环境：原生代码集成不影响EAL6+认证3. 绿色制造创新：超薄耦合模块：页面厚度降至0.3mm材料成本降低22%，兼容再生基材4. 全球标准覆盖：●预集成Visa/Mastercard支付协议●EMVCo+ICAO双国际认证实际应用场景1. 智慧边境管控：电子护照自助通道：0.5秒/人通关（传统柜台45秒）生物签证核验：指纹比对错误率＜0.001%2. 数字民生服务：社保卡金融支付：单芯片支持医保+银联双应用电子驾照路检：交警PDA 3秒完成真伪核验3. 绿色证照升级：再生塑料电子护照：超薄模块减重30%碳中和身份证：材料碳足迹降低28%英飞凌双方案以“EAL6+安全+6.8Mbps速率”重新定义电子证照标准，其超薄模块技术推动行业年减碳量达8万吨。SECORA ID V2已应用于欧盟数字疫苗护照项目，实现3秒跨国核验。随着金砖国家数字身份互认加速，英飞凌将推出支持多国eID堆叠的量子安全芯片，引领证照安全进入抗量子时代。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所...
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2025/8/1 11:40:38
Vishay推出第三代650V/1200V SiC肖特基二极管系列（VS-3C0xEJxx-M3），采用革命性SlimSMA HV(DO-221AC)封装。在0.95mm超薄厚度下实现3.2mm爬电距离，结合7.2nC超低容性电荷与MPS结构，为服务器电源/工业驱动器提供高频高效解决方案。核心作用▶ 服务器PSU效率提升1.2%（满足80 PLUS钛金）▶ 工业驱动器体积缩减35%（超薄封装优势）▶ 并联均流偏差＜5%（正温度系数特性）产品关键竞争力1. 绝缘革命：●3.2mm爬电距离（行业标准2.5mm）●CTI 600级材料耐电弧性提升3倍2. 高频性能：●7.2nC@650V（竞品＞15nC）●零反向恢复电流（Qrr=0μC）3. 热管理突破：●175℃结温下漏电流仅5μA●1.30V@2A超低正向压降4. 机械创新：●0.95mm厚度兼容柔性板设计●J-STD-020 MSL1级防潮认证实际应用场景●钛金服务器电源：PFC级1200V/2A二极管并联阵列●光伏优化器：650V MPPT防反二极管●医疗X光机：1200V高频逆变模块●车载OBC：SiC桥臂并联均流设计Vishay第三代SiC二极管以绝缘与薄型化双重突破，重新定义高压电源密度边界。其3.2mm爬电距离结合CTI 600材料，为潮湿/粉尘环境提供终极防护方案。该系列已导入多家头部服务器厂商，实测100kHz工况下温升降15℃。随着全球电气安全标准升级，此技术平台将延伸至1700V光伏市场，推动绿色能源设备可靠性革新。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/8/1 11:38:25
近日，英伟达向台积电大幅追加30万颗H20芯片订单，专供中国大陆市场，凸显阿里巴巴、字节跳动、腾讯、百度等陆系云端服务提供商（CSP）AI投资持续升温。这一动作直接点燃AI服务器代工链需求，工业富联、英业达、神达等代工厂迎来订单高峰，业务增长显著。据路透社报道，英伟达近日向台积电追加生产30万颗H20芯片的订单，目标明确指向中国大陆市场。此次追加源于陆系CSP（如阿里、字节、腾讯、百度）对AI算力的强劲需求——为应对自身AI模型研发及超大规模数据中心建设，这些企业在2025年4月美国政府升级AI芯片管制措施前已提前备货，但持续扩大的AI投资仍推动英伟达进一步增产。受此带动，鸿海集团旗下工业富联（FII）等AI服务器代工厂迎来业务爆发。工业富联2025年第二季度云端运算业务营收同比增超50%，其中AI服务器营收增幅超60%，CSP服务器营收更同比暴增超150%，直接反映陆系客户拉货动能强劲。英业达作为深耕大陆市场的代工厂，已打入百度、阿里、腾讯、字节跳动四大CSP的AI服务器供应链，当前出货以L10（机柜组装与测试）及L11（服务器整合与机架布建）为主。尽管此前美国禁令导致客户提前储备H20库存（可覆盖全年需求），但随着禁售令调整，英业达预计下半年出货将转向主机板（L6）等高单价产品，有望通过产品组合优化提升毛利率。阿里云作为大陆AI基础设施（Iaas）龙头，2024年市占达23%，其近期推出的高性能AI编程模型进一步催动算力需求。业内认为，陆系CSP对H20的持续采购及AI服务器建置，将成为2025年服务器代工链增长的核心驱动力。英伟达30万颗H20芯片的追加订单，不仅是陆系CSP AI投资热潮的直接体现，更标志着2025年AI服务器代工链进入高景气周期。随着算力需求从模型训练向更多场景渗透，代工厂通过技术升级与产品组合优化，有望持续分享AI基础设施建设的红利。免责声明：本...
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2025/8/1 11:33:51
近日，AMD对旗下Instinct MI350 AI加速器启动价格调整，售价从15,000美元跃升至25,500美元，涨幅达70%。这一变动引发行业热议，其背后是AI算力需求激增与产品性能优势的双重支撑。作为对标英伟达B200的竞品，MI350此前凭借性价比优势占据市场，此次调价或预示高端AI加速器赛道竞争格局的新变化。据汇丰银行最新研究报告，AMD近日将Instinct MI350 AI加速器的售价从15,000美元上调至25,500美元，涨幅达70%。该产品作为AMD在AI算力领域的主力机型，直接对标英伟达的B200加速器，此前以“高性能+相对低价”策略赢得市场青睐。此次大幅调价，业内分析主要源于两方面因素：一是AI大模型训练、高性能计算等场景对高端算力的需求持续攀升；二是AMD通过技术迭代巩固了MI350的性能优势，为其定价权提供支撑。回顾AMD的AI加速器布局，Instinct系列自推出以来便以迭代速度和性价比见长。MI350作为最新一代产品，在浮点运算能力、内存带宽等核心指标上接近英伟达B200，但此前售价更具竞争力。尽管此次涨价可能短期影响部分客户的采购节奏，但汇丰报告指出，随着AI技术向更多行业渗透（如自动驾驶、生物计算），市场对高端加速器的需求仍将持续增长，AMD有望通过技术维持市场份额。值得关注的是，AMD在研发领域的持续投入被视为其核心优势。报告提到，2025年AMD在AI芯片架构优化、Chiplet封装技术等方面的突破，为其产品性能提升和成本控制提供了空间。此次调价或也反映出AMD对未来市场供需关系的乐观预期——在算力需求激增的背景下，高端AI加速器的价格弹性可能高于传统半导体产品。AMD MI350 AI加速器70%的涨幅，既是市场供需变化的直接体现，也是其技术竞争力升级的信号。随着AI应用场景的拓展和算力需求的持续释放，高端AI加速器赛道或迎来新一...
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2025/8/1 11:31:32
Mini-Circuits的ZVE-433+是一款同轴、宽带、中等功率放大器，工作频率为18至43.5 GHz。该型号在+10至+15 V的单一电源范围内运行，允许用户选择所需的工作电压。内部DC-DC转换电路在整个输入电压范围内保持一致的效率。放大器具有多种直流保护功能，如过压、反向电压和浪涌电流限制，可保护放大器在操作过程中不受损坏。宽带操作与高输出功率相结合，使该放大器成为测试和仪器应用的理想选择。特征宽带覆盖范围，18至43.5 GHz出色的增益平坦度，典型值为±2.5 dB。宽输入直流电压范围，+10至+15 V反向电压保护饱和输出功率，典型值30dBm。从26到34 GHz高指向性，典型值为40 dB。应用5G FR2毫米波测试航空航天与国防测试与测量宽带电信Ka波段卫星通信
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2025/7/30 14:26:03
Mini-Circuits® LFHK-1200+ 是一款小型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，通带覆盖直流至1200 MHz，支持多种应用场景。该型号凭借坚固的单片结构，在宽频带上实现了典型1.3 dB的插入损耗。其采用小型1008陶瓷封装尺寸，非常适合高密度信号链PCB布局——在此类布局中，它与MMIC（单片微波集成电路）的尺寸和性能形成完美互补。LTCC制造工艺确保了极小的射频（RF）性能波动，同时产品具备出色的环境适应性，可应对高湿度、高温等极端环境。特征低插入损耗，典型值1.3 dB。通带回波损耗，典型值19dB。阻带抑制，典型值83 dB。1008表面安装占地面积功率处理：10 W应用谐波抑制和杂散清理雷达、电子战和电子对抗防御系统UHF发射机/接收机测试和测量设备
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2025/7/30 14:19:58
Mini-Circuits® LFHK-8400+ 是一款小型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，通带范围覆盖直流至8400 MHz，支持多种应用场景。该型号采用坚固的单片结构，实现了典型插入损耗仅1.8 dB的优异性能，且具备宽频带特性。其采用小型1008陶瓷封装尺寸（注：1008为封装规格，对应约1.0mm×0.8mm的长宽尺寸），非常适合高密度信号链PCB布局——在此类布局中，它与MMIC（单片微波集成电路）的尺寸和性能形成完美互补。LTCC制造工艺确保了极小的射频（RF）性能波动，同时产品具备出色的环境适应性，可应对高湿度、高温等极端环境。特征低插入损耗，典型值1.8 dB。通带回波损耗，典型值10 dB。阻带抑制，典型值73 dB。1008表面安装占地面积功率处理：9.5 W应用测试和测量设备VHF/UHF发射机/接收机谐波抑制军事应用卫星通信调制解调器电信和宽带无线系统
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2025/7/30 14:14:57
PMA2-123LNW+ 是一款基于GaAs（砷化镓）pHEMT（伪晶高电子迁移率晶体管）的宽带、超低噪声MMIC（单片微波集成电路）放大器，具备高OIP3（三阶交调截点）和平坦增益特性。其工作频率范围为0.01至12 GHz，典型性能指标包括：1.7 dB噪声系数、19.6 dB增益、+19.1 dBm 1dB压缩点（P1dB）及+30 dBm三阶交调截点（OIP3）。这些特性的组合使其成为高灵敏度、高动态范围接收机应用的理想选择。PMA2-123LNW+ 采用单+5 V电源供电，良好匹配50Ω阻抗，并采用小尺寸、薄型2×2毫米QFN封装，便于集成到高密度电路板布局中。特征典型低噪声系数。1.7分贝OIP3高，典型。+30 dBm典型高P1dB。+19.1 dBm单+5V电源电压2x2 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备WiFi、广域网、UMTS、LTE回程无线电系统雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/30 14:04:18
Mini-Circuits®表面贴装薄膜滤波器采用氧化铝基底薄膜技术，通过溅射工艺实现低插入损耗与高抑制性能，可保证增强的Q值（品质因数）及稳定可重复的性能。该系列支持低通、高通、带通三种表面贴装薄膜设计，采用此技术的产品工作频率可达40 GHz，且具备小尺寸（小外形因子）优势，助力客户实现SWaP（尺寸、重量、功耗）优化目标。依托我们的高质量薄膜制造工艺，可确保大批量滤波器生产的性能一致性（可重复性）。特征1.5 dB典型低通带插入损耗。典型58 dB的高抑制。典型值为15dB的良好回波损耗。小尺寸，4.48 x 9.48 x 2.36毫米应用固定无线接入毫米波
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2025/7/30 13:56:14
高通滤波器HFCV-145+采用基于LTCC（低温共烧陶瓷）的7节设计，将现有HFCN系列的低频截止范围扩展至145 MHz。该滤波器此前通过依赖集总元件滤波来支持这些更低频率，以节省功耗；而HFCV-145+通过将其集成到新设计中，降低了系统复杂性。这些滤波器采用EIA 1210封装尺寸，典型阻带抑制为23 dB。特征低损耗，典型值为1dB。回波损耗，典型值11dB。阻带抑制，典型值23dB。高功率处理，5W小尺寸3.2mm x 2.5mm应用次谐波抑制和直流阻断发射机/接收机实验室使用
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2025/7/30 13:50:44
全球分立半导体与无源元件巨头Vishay Intertechnology（NYSE: VSH）正式推出3/8英寸方形单匝金属陶瓷微调器M61，瞄准工业电子设备中电路校准与PCB布局的核心痛点。该器件通过扩展轴、交叉插槽转子及手指旋钮三类操作选项，结合顶部/侧面多向引脚配置，首次在微型化封装中实现人机交互友好性与电路板空间优化的协同突破。作为Vishay Sfernice系列的新成员，M61以全密封金属陶瓷结构为核心，在10Ω~2MΩ阻值范围、-55℃~+125℃工作温度区间内提供±100ppm/℃的温度稳定性，成为焊接设备、3D打印机、电动工具等工业场景的理想选择。技术难点与创新应对方案工业电路校准的传统瓶颈在高温、多尘、振动的工业环境中，传统微调器常面临三大挑战：●空间占用矛盾：小型化需求与手动调节便利性难以兼顾；●环境适应性差：清洗流程导致密封失效，温漂引发参数偏移；●布局灵活性不足：单引脚配置限制PCB走线与元件排列。M61的针对性革新●空间优化：3/8英寸（9.5mm）方形封装搭配可选旋钮/扩展轴，实现手指直接操作，无需额外工具，减少外围空间预留；●环境强化：全密封设计抵御电路板清洗溶剂侵蚀，85℃环境下0.5W额定功率保障高温稳定性；●布局自由：多引脚配置支持垂直或水平安装，适应高密度PCB的边角与狭缝区域。在工业系统中的核心作用M61不仅是一款基础调节元件，更是系统精度的“动态校准器”：●实时补偿电路偏差：宽阻值范围覆盖传感器信号调理、电源反馈回路等多场景需求；●降低生产失效率：出厂前的快速校准能力，避免因电阻容差导致的整机性能波动；●延长设备寿命：金属陶瓷材料抗老化特性，减少维护频次。产品关键竞争力分析1. 极端环境耐受性●工作温度：-55℃~125℃（超越常规工业级-40℃~85℃标准）●密封等级：IP67等效（防尘、耐化学清洗剂）2. 电气性能优...
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2025/7/30 13:41:01
MNA-4W+是一款基于伪晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）的宽带单片微波集成电路（MMIC）放大器，具有高有源方向性。该放大器在封装内集成了完整的匹配网络和大部分偏置电路，无需复杂的外部电路，使用极其简便。MNA-4W+采用单电源供电（电压范围+2.8V至+5V），良好匹配50Ω阻抗，采用小型薄型3×3毫米8引脚QFN型封装，适合高密度电路板布局。该型号属于MNA系列，有裸片和封装形式可供选择。特征集成匹配、直流块和偏置电路高指向性，典型值19-32dB。电源电压选择，+2.8 V至+5 V3x3mm 8引脚QFN型封装输出功率，典型值高达+19dBm。可水洗应用缓冲放大器蜂窝基础设施通信卫星防守
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2025/7/29 14:48:21
Mini-Circuits的ZPUL-30P+采用高功率LDMOS晶体管输出级，工作于A型（Class A）模式，可兼容任意调制方式。其频率范围极宽（280,000:1），能够处理长脉冲（典型值15微秒），且脉冲上升和下降时间极短（典型值1.1纳秒）。当然，它也可在其超宽频率范围内用作普通射频（RF）放大器。特征•宽带2.5 kHz至700 MHz，可用于1000 MHz•出色的平整度，典型值为±0.6 dB。•可以处理宽脉冲宽度（典型值15µs），具有出色的上升/下降时间（典型值1.1 ns）•延迟时间，典型值为1.5 ns。应用•计算机•数字通信•医学测试设置
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2025/7/29 14:42:51
ZX60-P33ULN+（符合RoHS标准）使用Mini-Circuits的E-pHEMT技术，在宽频范围内提供超低噪声系数和高IP3。该放大器采用坚固、经济高效的一体式机箱，支持各种需要中等功率输出、低失真和50欧姆匹配输入/输出端口的应用。特征超低噪声系数，典型值0.38 dB。高动态范围超小型连接器封装应用基站基础设施便携式无线长期演进技术全球定位系统全球移动通信系统机载雷达
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2025/7/29 14:36:49
ZHL-15W-422+ 是一款A型高功率放大器，在600至4200 MHz频段内提供15W饱和功率，非常适合各种高功率测试设置以及通信、雷达等应用。该放大器采用坚固设计，具备无条件稳定性，并内置自我保护功能，可防止反向极性、短路/开路及过热。它能在输出端短路或开路的情况下持续输出10W功率。放大器外壳为坚固的铝合金材质，尺寸4.3×6.7×1.2英寸，配备SMA连接器，并可选配散热片和风扇附件以辅助冷却。特征饱和功率，15W宽带，600至4200 MHz高增益，典型值为46 dB。自我保护，防止外壳温度过高、极性反转和短路/脱壳输出端可承受短路和开路，同时提供高达10W的功率应用高功率测试装置烧录设置通信雷达
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2025/7/29 14:31:35