ISO6041数字隔离器说明ISO604x 器件是高性能数字隔离器，专为符合 UL 1577 的需要最高 5000VRMS 的隔离额定值的应用而设 计。器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。 ISO604x 器件在极低的电源电流下提供高数据速率、 低传播延迟、低抖动以及低通道间和器件间偏斜，同时 隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O。这些器件配有使能 引脚，可用于将相应的输出置于高阻抗状态。该系列中的器件具有针对穿过隔离栅的特定正向和反向 数量、默认输出电平和封装的通道配置。四通道器件配置可 适应任何四通道设计，包括 SPI、RS-485 和数字 I/O 应用。可使用多个四通道器件或者组合使用二通道和六 通道器件，以传输应用所需的任意数量的并行 I/O、 SPI 芯片选择、状态或故障信号。特性支持高带宽和时钟敏感型应用高达 200Mbps 的数据速率低传播延迟：5V 时最大值为 9ns、3.3V 时最大值为 10nsSPI 最高可达：5V 时为 27.75MHz、3.3V 时为 25MHz低脉宽失真度：5V 时最大值为 1.2ns、3.3V 时最大值为 1.2ns低抖动：3.3V 时最大值为 5ps (RMS)，对采样时钟信号的 ADC 和 DAC SNR 的影响较低低通道间偏斜：5V 时最大值为 1.2ns、3.3V 时最大值为 1.2ns低器件间偏斜：5V 时最大值为 3.5ns、3.3V 时最大值为 3.8ns支持高通道密度应用：低功耗：1Mbps 和 3.3V 时，每个通道的最大电流为 0.635mA稳健可靠的 SiO2 隔离栅：在 1061VRMS 工作电压下具有超长的寿命宽温度范围：-40°C 至 125°C隔离等级高达 5000VRMS浪涌抗扰度高达 10.4kV最小值为 ±50kV/...
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2026/4/3 14:11:15
TPS7H6101说明TPS7H6101 是一款具有集成式栅极驱动器的抗辐射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥；集成 e 模式 GaN FET 和栅极驱动器可简化设计、减少元件数量并缩小布板空间。支持半桥和两个独立开关拓扑、可配置死区时间和可配置击穿互锁保护，有助于为各种应用和实现提供支持。特性辐射性能：通过了总电离剂量 (TID) 为 50krad(Si) 的辐射批次验收测试 (RLAT)单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg单粒子瞬变 (SET) 和单粒子故障中断 (SEFI) 的特征值高达 (LET) = 43MeV-cm2/mg200V e 模式 GaN FET 半桥15mΩRDS(ON)（典型值）100kHz 至 2MHz 运行LGA 封装：带有散热焊盘的热优化 12mm × 9mm LGA 封装集成式栅极驱动电阻器低共源电感封装电气隔离式高侧和低侧适用于各种半桥和两种开关电源拓扑的灵活控制低传播延迟两种工作模式具有可调死区时间的单个 PWM 输入两个独立输入可编程的死区时间控制在独立输入模式下提供可选输入互锁保护5V 栅极驱动电源，可实现稳定的 FET 运行应用• 卫星电力系统 (EPS)• 电机驱动器典型应用电路免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/3 13:59:38
AI数据中心的创新节奏之快，已使设计人员无法再通过逐个优化元器件来构建系统。产品开发周期曾以三到四年为衡量，如今已缩短至12到15个月。这意味着AI数据中心架构师需要的是端到端的电源解决方案，以及全面、长远的规划蓝图，而非将整合风险转嫁给系统设计人员的零散产品组合。依托数十年的电源技术积累，瑞萨深知：要降低GaN的采用门槛并缩短设计周期，离不开控制器、栅极驱动器与保护器件的协同设计，再辅以完善的参考设计和专业的技术支持。我们在应用电力电子会议（APEC）上最新发布的GaN解决方案，正是这一系统级理念如何转化为更快速、更低风险设计的生动例证。通过收购Transphorm公司及其高压SuperGaN® D-mode GaN FET技术，瑞萨电子的市场地位得到了进一步的巩固。我们致力于为数据中心OEM厂商提供从器件级创新到系统级支持的全方位赋能，从而加速其评估进程，缩短产品设计周期。剖析AI数据中心的电力挑战相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显著特征：更高的电力消耗，以及功耗动态变化的急剧增加。传统数据中心的服务器电源柜的功率上限可能最高为30千瓦。而如今，AI系统的单个电源柜运行功率已跃升至50千至300千瓦之间（具体数值因供应商而异），按照这一趋势，预计到明年，单个机柜的功率甚至有望突破1兆瓦大关。在电源功率如此飙升的背景下，功率分配和电力转换已无法再作为后台的辅助环节被忽视。为了实现AI应用的可持续规模化扩展，电源架构必须迈向更高效、更紧凑，且更具适应性的新阶段。简而言之，电力已从昔日的运营支出项，演变为复杂且资本密集型的核心考量因素。并且，只要对算力的渴求继续由日益庞大的AI模型所驱动，这一趋势就将长期持续。AI推动新型电源架构这场变革最明显的标志之一，便是从传统的415V交流（AC）配电向800V直流（DC）（或±400V直流）架构演进。...
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2026/4/3 13:53:08
半导体制造商ROHM宣布推出兼具业界超低动态电阻（Rdyn）*1和超低电容特性的ESD（静电放电）保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统（电路板、模块）层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载（EOS）和静电放电（ESD）的耐受能力呈下降趋势。因此，对于兼具“低电容（抑制高速通信时的信号劣化）”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中，微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而，降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾通信质量和IC保护，成为亟待解决的课题。对此，ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品，新产品不仅实现更低电容，还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口，需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF（双向）和0.48pF（单向）的超低电容特性。同时，与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比，其钳位电压*4降低了约40%，确保了优异的IC保护性能。这些优势有助于提高各种高速数据通信设备（例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备，笔记本电脑和游戏机等消费电子产品）的可靠性。另外，DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes*5通信的ADAS（高级驾驶辅助系统）、AD（自动驾驶）摄像头以及ECU（电子...
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2026/4/3 13:47:52
Microchip已获得UL Solutions认证，符合IEC 62443-4-1成熟度第二级（ML2）工业自动化与控制系统标准，证明其新产品开发流程符合全球公认的安全设计标准。该认证提供了经审计支持的产品开发，确保产品是在成熟、可重复且独立验证的网络安全框架下开发。IEC 62443-4-1标准定义了安全开发生命周期（SDL）的要求，包括威胁建模、安全设计实践、严格的实施控制、验证与确认，以及长期缺陷和补丁管理。UL Solutions的认证确认，Microchip从最初设计到生命终止，将安全整合进其硬件和软件，并且这些做法在各业务单元及全球设计和制造中心中持续应用。这种基于审计支持的保障水平帮助客户简化自身的网络安全评估，降低供应链风险，并加速应对欧盟网络韧性法案（CRA）等新兴监管要求的准备。“获得IEC 62443-4-1 ML2认证体现了Microchip长期以来对严格安全实践的承诺，”Microchip Technology安全计算集团企业副总裁Nuri Dagdeviren表示。“客户需要能够展示安全开发成熟度的合作伙伴，而不仅仅是宣称成熟度。这种经过独立验证的认证增强了信任，降低了硬件-固件堆栈的风险，并支持客户朝向CRA及其他基于标准的合规性迈进。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/3 13:35:22
TPS3850-Q1汽车窗口监控器定义TPS3850-Q1 将可编程窗口看门狗定时器与高精度电压监控器相结合。TPS3850-Q1 窗口比较器在 SENSE 引脚上可针对过压 (VIT+(OV)) 和欠压 (VIT–(UV)) 阈值实现 0.8% 的精度（–40°C 至 +125°C）。TPS3850-Q1 在两种阈值条件下还可提供高精度迟滞，因此非常适用于容差要求严苛的系统。该监控器的 RESET 延迟可通过经出厂编程的默认延迟设置进行设定，也可以通过外部电容以编程方式设定。出厂编程的 RESET 延迟具备 9.5% 精度、高精度延迟时间。TPS3850-Q1 具备适用于多种应用的可编程窗口看门狗计时器。专用看门狗输出 (WDO) 有助于提高分辨率，从而帮助确定出现故障情况的根本原因。窗口看门狗超时可通过经出厂编程的默认延迟设置进行设定，也可以通过外部电容以编程方式设定。可通过逻辑引脚禁用看门狗，避免在开发过程中出现意外的看门狗超时。TPS3850-Q1 采用小型 3.00mm × 3.00mm、10 引脚 VSON 封装。TPS3850-Q1 具有可湿性侧面，可轻松进行光学检查。具备的特性• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：• 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C 环境工作温度范围• 器件 HBM ESD 分类等级 2• 器件 CDM ESD 分类等级 C4B• 提供功能安全• 可帮助进行功能安全系统设计的文档• 输入电压范围：VDD = 1.6V 至 6.5V• 0.8% 电压阈值精度（最大值）• 低电源电流：IDD = 10µA（典型值）• 用户可编程看门狗超时• 用户可编程复位延迟• 出厂编程的精密看门狗和复位计时器• 开漏输出• 精密过压和欠压监测：• 支持 0.9V 到 5.0V ...
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2026/4/2 17:11:47
AD203SN专为在恶劣的操作环境中使用而设计和制造。AD203SN也是ADI公司AD200系列低成本、高性能、变压器耦合隔离放大器的组成部分。电路设计、变压器结构、表面贴装元件和装配自动化方面的技术创新带来了一种坚固、经济、军用温度范围隔离器，它保留或改进了AD202/AD204系列的关键性能规格。AD203SN通过使用内部变压器耦合，在隔离放大器的输入和输出级（包括电源）之间提供完全的电流隔离。AD203SN的功能完整设计，由单个+15 V dc电源供电，无需外部dc/dc转换器。这允许设计者最小化必要的电路开销，从而降低整体设计和组件成本。此外，变压器耦合器件的功耗、非线性和漂移特性远优于其他隔离技术，而不会牺牲带宽或噪声性能。最后，AD203SN即使在持续的共模应力下也能保持其高运行性能。AD203SN的设计强调在必须在高CMV条件下测量或传输信号的广泛应用中具有最大的灵活性和易用性。AD203SN具有±10 V输出范围、非专用输入放大器、输出缓冲器、10 kHz全功率带宽和±15 V dc@±5 mA的前端隔离电源。其常见应用为：发动机监测和控制移动多通道数据采集系统仪表和/或控制信号隔离电流分流测量高压仪表放大器
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2026/4/2 17:10:03
nRF24L01是一款单芯片2.4GHz收发器，内置基带协议引擎（Enhanced ShockBurst™），专为超低功耗无线应用而设计。nRF24L01设计用于在2.400-2.4835GHz的全球ISM频段运行。使用nRF24L01设计无线电系统需要一个MCU（微控制器）和很少的外部无源元件。nRF24L01通过串行外围接口（SPI）进行配置和操作。通过此接口，寄存器映射可用。寄存器映射包含nRF24L01中的所有配置寄存器，可在芯片的所有操作模式下访问。嵌入式基带协议引擎（Enhanced ShockBurst™）基于分组通信，支持从手动操作到高级自主协议操作的各种模式。内部FIFO确保无线电前端和系统MCU之间的数据流顺畅。Enhanced Shock Burst™通过处理所有高速链路层操作来降低系统成本。无线电前端使用GFSK调制。它具有用户可配置的参数，如频率信道、输出功率和空中数据速率。nRF24L01支持的空中数据速率可配置为2Mbps。高空气数据速率与两种节能模式相结合，使nRF24L01非常适合超低功耗设计。内部电压调节器可确保高电源抑制比（PSRR）和宽电源范围。常见应用•无线PC外围设备•鼠标、键盘和遥控器•三合一桌面捆绑包•高级媒体中心遥控器•VoIP耳机•游戏控制器•运动手表和传感器•消费电子产品的射频遥控器•家庭和商业自动化•超低功耗传感器网络•有源RFID•资产追踪系统•玩具
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2026/4/2 17:02:28
HCMS-2975是一款由板载CMOS IC驱动的高性能、易于使用的点阵显示器。显示器可以直接与微处理器连接，从而消除了对繁琐接口组件的需求。串行IC接口允许用最少的数据线显示更高的字符数信息。各种颜色、字体高度和字符数为设计师提供了针对其特定应用的广泛产品选择，易于阅读的5 x 7像素格式允许显示大写、小写、片假名和自定义用户定义的字符。该显示器可在x和y方向上堆叠，使其成为高字符数显示器的理想选择。应用电信设备便携式数据输入设备计算机外围设备医疗设备测试设备商业机器航空电子工业控制。具备的特性•易于使用•直接与微处理器接口•4、8和16（2×8）字符包中的字符高度为0.15英寸•4字符和8字符包装中的字符高度为0.20英寸•坚固的X和Y型可堆叠包装•串行输入•方便的亮度控制•可波峰焊•提供五种颜色•低功耗CMOS技术•TTL兼容常见应用电信设备便携式数据输入设备计算机外围设备医疗设备测试设备商业机器航空电子设备工业控制
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2026/4/2 14:07:20
KARN-50+是Mini-Circuits的一款同轴负载电子元件。其工作频率最小0MHz，最大8000MHz，50Ω。具备的特性宽带覆盖，DC至8 GHz适用于9 GHz（回波损耗，9 GHz时典型值为20 dB坚固结构常见应用蜂窝通信卫星通信国防通信测试设置尺寸图
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2026/4/2 13:47:51
瑞萨电子宣布其辐射硬化（辐射硬）集成电路将被用于NASA的Artemis II任务，该任务于4月1日从佛罗里达肯尼迪航天中心成功发射。作为数十年来首次载人绕月任务，阿尔忒弥斯二号代表了NASA重返月球并在月球表面建立长期存在计划中的一个重要里程碑。目前，四名宇航员正乘坐NASA的猎户座飞船前往绕月轨道，作为NASA阿耳忒弥斯II任务的一部分，将人类带到五十多年来最远离地球的距离。飞行期间，机组人员将在深空环境中测试航天器系统和机组性能，然后安全返回。此次任务将验证关键航天器能力，并为未来的载人航行和登月做好准备。在阿耳忒弥斯II核心系统中，包括猎户座飞船和空间发射系统（SLS）火箭，瑞萨的辐射硬集成电路被应用于多个子系统。这些Intersil品牌设备嵌入航天器的航电和安全发射系统中，有助于调节和分配电力，保持信号完整性，并支持机载计算。这些专用集成电路设计用于在人类航天任务典型的高辐射和极端温度下可靠运行。“载人航天任务没有失败的余地，我们很自豪成为少数被委托为这次历史性的载人阿尔忒弥斯任务提供符合太空资格的半导体公司之一，”瑞萨HiRel业务部副总裁克里斯·斯蒂芬斯说。“我们的辐射高强度设备帮助航天器系统保持连接、保护和精确控制，帮助船员深入深空。我们期待通过我们的空间级半导体解决方案支持未来的里程碑任务，开启太阳系探索的新纪元。”瑞萨Intersil品牌在航天行业拥有悠久历史，超过六十年，始于1950年Radiation Inc.的创立。此后，几乎所有卫星、航天飞机发射和深空探索任务都包含了Intersil品牌产品。瑞萨利用这些经验，为国防、高可靠性（Hi-Rel）和辐射硬空间市场提供高效、热优化且高度可靠的SMD、MIL-STD-883和MIL-PRF 38535 Class-V/Q Intersil品牌产品。瑞萨Intersil品牌的辐射硬IC支持数据通信...
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2026/4/2 13:44:38
2026年4月1日-Vishay推出了一款新型汽车级光伏MOSFET驱动器，这是首款采用紧凑型SMD-4封装、具备8毫米爬行距离的器件，以及具有600的跟踪指数（CTI）的模具化合物。Vishay 半导体设计旨在提升高压汽车应用中的安全性和可靠性——同时简化设计和降低成本，VODA1275拥有业内最快的开机时间以及同级中最高的开路电压和短路电流。该设备被归类为增强隔离，开路电压为典型20伏，短路电流为20微安，导通时间为80微秒，是竞争对手的三倍。这些特性使得高压系统中MOSFET和IGBT的驱动速度更快、更可靠。此外，该器件的工作隔离峰值电压为1260伏，隔离测试电压为5300伏有效值，非常适合800 V+电池系统。该VODA1275通过AEC-Q102认证，旨在用于电动车（EV）和混合动力（HEV）车辆的预充电电路、墙壁充电器和电池管理系统（BMS）。设计师此前需要串联使用两个MOSFET驱动器以产生这些应用所需的更高电压，而器件的高开路输出电压使他们只需一个驱动器即可，节省空间并降低成本。此外，驱动器还支持定制固态继电器，以取代下一代车辆中传统的机电继电器。光学隔离VODA1275从隔离屏障低压侧的红外发射器获取驱动内部电路所需的全部电流。这种结构简化了设计，并通过消除对外部电源的需求降低了成本。MOSFET单元符合RoHS标准，无卤素，采用Vishay Green色。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/2 13:38:11
LT1077 完全针对单电源操作进行规格定义（即负电源为 0V）。输入共模范围可低于地电位，输出在吸入电流时可在几毫伏内摆至地电位。所有竞争微功耗运放要么无法摆至地电位 600mV 范围内（OP-20、OP-220、OP-420），要么需要在输出端连接下拉电阻才能摆至地电位（OP-90、OP-290、OP-490、HA5141/42/44）。这一差异至关重要，因为在许多应用中，这些竞争器件无法同时作为微功耗运放工作并摆至地电位。以典型应用中的差分放大器为例。当共模信号高而输出低时，放大器必须吸入电流。在增益为 10 的电路中，竞争器件需要在输出端接 30kΩ 下拉电阻来处理指定信号。LT1077 不需要下拉电阻。当输出为高时，下拉电阻会吸取 80μA 电流，这主导了微功耗电流预算。在增益为 1 且 V⁻ = 0V 的电路中，这种情况更糟。在 100μV 共模电压下，输出必须吸入 2μA。在最低输出电压 20mV 时，竞争器件需要 10kΩ 下拉电阻。当输出摆至 10V 时，该电阻会吸取 1mA 电流。由于 LT1077 的输出无法精确到达地电位，只能接近地电位至几毫伏，因此需注意确保输出未饱和。例如，1mV 输入信号会使放大器在下方所示的增益 100 配置中建立在其线性区域；然而，这不足以使放大器在电压跟随器模式下正常工作。单电源操作也会在输入端造成困难。驱动信号可能低于 0V——无论是无意还是瞬态情况。如果输入低于地电位几百毫伏以上，会出现两个不同的问题，这在之前的单电源设计（如 LM124、LM158、OP-20、OP-21、OP-220、OP-221、OP-420（a 和 b）、OP-90/290/490（仅 b））中曾发生：a) 当输入低于地电位超过一个二极管压降时，无限电流会从衬底（V⁻ 端子）流入输入端（这会损坏器件）。对于 LT1077，与输入端串联的电阻可在...
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2026/4/1 13:35:03
LT1077 是一款微功耗精密运算放大器，针对 5V 单电源供电进行了优化。此外，还提供 ±15V 规格。竞争器件的微功耗性能往往以严重牺牲精度、噪声、速度和输出驱动能力为代价。而 LT1077 在降低电源电流的同时，不牺牲任何其他参数。其失调电压是所有微功耗运算放大器中最低的。失调电流、电压和电流噪声、压摆率及增益带宽积等参数均比之前的微功耗运放好 2 至 10 倍。电压噪声谱的 1/f 拐点频率为 0.7Hz。这使得在低频段（0.1Hz 至 10Hz）具有优异的噪声性能，这一性能通常只能在电源电流高出一个数量级的器件上找到。LT1077 与所有行业标准精密运放完全兼容（包括调零功能）。因此，它可以在许多应用中替代这些精密运放，不牺牲性能，同时实现显著的功耗节省。可由单节锂电池或两节镍镉电池供电。输入范围可低于地电位。全 NPN 输出级在吸入电流时摆幅可达地电位——无需下拉电阻。具备的特性60µA最大电源电流40µV最大偏移电压350pA最大偏移电流0.5µVP-P 0.1Hz至10Hz电压噪声2.5pAP-P 0.1Hz至10Hz电流噪声O.4µV/°C偏移电压漂移250kHz增益带宽乘积0.12V/µs转换速率单电源操作输入电压范围包括接地电流下降时输出摆动到地面不需要下拉电阻器输出源和吸收器5mA负载电流常见应用以10至60倍的低功率替换OP-07、OP-77、AD707、LT1001、LT1O12电池或太阳能系统4mA至2OmA电流回路双端电流源兆欧源电阻差放大器
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2026/4/1 13:26:23
LT8390A降压-升压型控制器基本的 PCB 布局需要一个专用的接地平面层。此外，对于大电流应用，多层板可为功率元件提供散热功能。接地平面层不应有任何走线，且应尽可能靠近功率 MOSFET 所在的层。将 C_IN、开关 A、开关 B 和 D_B 放置在一个紧凑的区域内。将 C_OUT、开关 C、开关 D 和 D_D 放置在一个紧凑的区域内。使用就近过孔将元件连接到接地平面。每个功率元件使用多个大过孔。对 V_IN 和 V_OUT 使用平面层，以保持良好的电压滤波并降低功率损耗。在所有层的所有未使用区域铺满铜。铺铜可降低功率元件的温升。将铜皮区域连接到任意直流网络（V_IN 或 GND）。分离信号地和功率地。所有小信号元件应回流至底部裸露的 GND 焊盘，该焊盘再连接到靠近开关 B 和开关 C 源极的功率地。将开关 A 和开关 C 尽可能靠近控制器放置，保持 PGND、BG 和 SW 走线短。将高 dV/dT 的 SW1、SW2、BST1、BST2、TG1 和 TG2 节点远离敏感的小信号节点。由开关 A、开关 B、D_B 和 C_IN 电容形成的路径应具有短的引线和 PCB 走线长度。由开关 C、开关 D、D_D 和 C_OUT 电容形成的路径同样应具有短的引线和 PCB 走线长度。输出电容的负极（-）端子应尽可能靠近输入电容的负极（-）端子连接。将上管驱动自举电容 C_BST1 就近连接到 BST1 和 SW1 引脚。将上管驱动自举电容 C_BST2 就近连接到 BST2 和 SW2 引脚。将输入电容 C_IN 和输出电容 C_OUT 就近连接到功率 MOSFET。这些电容承载 MOSFET 的交流电流。LSP 和 LSN 走线应一起布线，保持最小的 PCB 走线间距。避免检测线穿过噪声区域（如开关节点）。LSP 和 LSN 之间的滤波电容应尽可能靠近芯片。在 R_SE...
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2026/4/1 11:38:35
启动与故障保护上图展示了 LT8390A 的启动和故障时序。上电复位（POR）状态下，SS 引脚通过 100kΩ 电阻硬拉至地。在预偏置条件下，SS 引脚必须被拉低至 0.2V 以下才能进入 INIT 状态，此时 LT8390A 等待 10μs，以便 SS 引脚能够完全放电至地。10μs 后，当 LOADON 信号变高时，LT8390A 进入 UP/PRE 状态。LOADON 高信号在 CTRL 引脚电压高于其上升阈值（典型值 0.325V）且 LOADEN 为高时产生。在 UP/PRE 状态期间，SS 引脚由 12.5μA 上拉电流充电，同时开关被禁用，LOADTG 关闭。一旦 SS 引脚充电至 0.25V 以上，LT8390A 进入 UP/TRY 状态，此时 LOADTG 首先开启，而开关仍被禁用。如果流过电流检测电阻的电流过大，触发 ISP/ISN 过流（ISOC）信号，LT8390A 将复位回到 POR 状态。在 UP/TRY 状态持续 10μs 且未触发 ISOC 信号后，LT8390A 进入 UP/RUN 状态。在 UP/RUN 状态期间，开关使能，输出电压 V_OUT 的启动由 SS 引脚上的电压控制。当 SS 引脚电压低于 1V 时，LT8390A 将 FB 引脚电压调节至 SS 引脚电压，而非 1V 基准电压。这允许通过从 SS 引脚连接外部电容到地来实现软启动编程。内部 12.5μA 上拉电流对电容充电，使 SS 引脚电压斜坡上升。随着 SS 引脚电压从 0.25V 线性上升至 1V（及更高），输出电压 V_OUT 平滑上升至最终调节电压。一旦 SS 引脚充电至 1.75V 以上，LT8390A 进入 OK/RUN 状态，此时输出短路检测被激活。输出短路指 V_FB < 0.25V。当发生输出短路时，LT8390A 进入 FAULT/RUN...
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2026/4/1 11:34:40
LT8390A 是一款同步四开关升降压 DC/DC 控制器，能够在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下，调节输出电压、输入电流或输出电流。其专有的峰值降压-峰值升压电流模式控制方案支持可调且可同步的 600kHz 至 2MHz 固定频率操作，或内部 25% 三角波展频频率调制，以降低 EMI。该器件具有 4V 至 60V 的输入电压范围、0V 至 60V 的输出电压能力，以及工作区域间无缝的低噪声切换，使其成为汽车、工业、电信乃至电池供电系统中稳压器、电池和超级电容器充电器应用的理想选择。LT8390A 提供输入或输出电流监测和电源良好标志。同时还提供故障保护功能，用于检测短路条件，在此期间 LT8390A 可选择重试、锁断或持续运行。具备的特性4开关单电感架构允许VIN高于、低于或等于VOUT2MHz时效率高达95%专有峰值降压峰值升压电流模式宽VIN范围：4V至60V±1.5%输出电压精度：1V≤VOUT≤60V带监视器的输入或输出电流精度为±3%低电磁干扰的扩频频率调制高侧PMOS负载开关驱动器降压或升压时无顶部MOSFET刷新噪声可调节和同步：600kHz至2MHz停机期间，VOUT与VIN断开连接提供带裸露焊盘的28引脚TSSOP和28引脚QFN（4mm×5mm）AEC-Q100符合汽车应用标准应用汽车、工业、电信系统高频电池供电系统附图：功能引脚配置
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2026/4/1 11:24:31
LTC1772 是一款恒定频率电流模式降压型 DC/DC 控制器，具有出色的交流和直流负载调整率以及线性调整率。该器件集成了精确的欠压锁定功能，当输入电压低于 2.0V 时，将关断 LTC1772。并且提供 ±2.5% 的输出电压精度，静态电流消耗仅为 270μA。对于将效率作为首要考虑因素的应用，LTC1772 可配置为突发模式操作，该模式可在低输出电流时提高效率。为了进一步延长电池寿命，外部 P 沟道 MOSFET 在压差状态下持续导通（100% 占空比）。在关断状态下，器件仅消耗 8μA 电流。550kHz 的高恒定工作频率允许使用小型外部电感器，以及采用小型封装的 6 引脚 SOT-23 封装。LTC1772具备的特性高效率：高达94%易于实现高输出电流宽VIN范围：2.5V至9.8V恒定频率550kHz操作Burst Mode®轻载运行低损耗：100%占空比微型6引脚SOT-23封装0.8V参考允许低输出电压电流模式操作，实现出色的线路和负载瞬态响应低静态电流：270µA关机模式仅消耗8µA电源电流±2.5%参考精度应用一个或两个锂离子供电应用行动电话无线调制解调器便携式计算机分布式3.3V、2.5V或1.8V电源系统扫描仪
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2026/4/1 11:10:13