金升阳推出了VRF24_DD-50WR4系列。该系列输出电压范围3.3-28VDC，在保证优异性能的同时，以其超小体积优势为客户提供更优选择，可广泛用于通信、工业控制等领域。VRF24_DD-50WR4系列与行业传统2*1 inch的灌封常规品相比，实现了更高功率密度的设计以及性能提升，产品尺寸仅为25.82*22.80*7.20mm；除了内部电路技术和性能指标有大幅升级之外，其最重大的技术创新点，还在于封装工艺上获得重大突破。VRF24_DD-50WR4系列集电路技术、工艺技术、材料技术于一体，在减小了体积的同时提升产品性能。1、散热性：采用双面塑封工艺并使用高导热塑封料，有效提升了模块的散热性能；2、集成度：新一代的电路技术，产品较行业标准品体积减小72%，功率密度高达193W/inch3；3、可靠性：设计时兼顾考虑电源模块的稳定与安全性，可满足更高要求的可靠性试验，使得新一代产品更加稳定可靠。一、产品优势 （1）更高功率密度——为客户提供更多设计空间VRF24_DD-50WR4系列产品尺寸为25.82*22.80*7.20mm，功率密度高达193W/inch3；相较于行业2*1 inch标准产品体积减小72%，占板面积减小55%，高度减小39%。可有效提高客户系统空间利用率。 （2）齐全的保护功能——安全可靠VRF24_DD-50WR4系列产品隔离电压3000VDC，具有输入欠压保护，输出短路、过流、过压保护，过温保护功能，这些保护功能可以确保电源模块在异常工作条件下不会损坏。该系列产品还经过一系列可靠性试验，例如在-55℃ to +125℃条件下通过了温度冲击500次试验，大大提高电源模块的安全性和稳定性，更有效的保护客户系统。（3）全国产化——交期稳定满足元器件100%国产化，即元器件国产化、技术国产化、制造国产化。该系列采用我司自主研发IC，同时做好原材料监控和...
浏览次数：
4
2025/12/17 14:10:48
TDK株式会社近日宣布扩展其B409x系列表面贴装 (SMD) 混合聚合物铝电解电容器产品线，推出可耐受高达30 g机械振动（参照MIL-STD-202标准方法204）的新成员——B409x系列。新系列元件的优异抗振动性能得益于其底板增设的4根加固支柱，可在受到机械冲击与振动时能有效稳定元件本体。该系列表面贴装元件额定电压在25 V至80 V之间；容量范围为56 µF至1100 µF；直径10 mm；高度从10.2 mm到16.8 mm不等；工作温度范围为-55 °C至+105 °C (B40950)，最高可达+150 °C (B40910)。得益于聚合物材料，B409x系列具有较低的等效串联电阻 (ESR)，范围为10 mΩ至33 mΩ，高纹波电流能力可达2.8 A至5.8 A。在额定电压与纹波电流，以及+125 °C环境温度条件下，该系列元件的使用寿命可达4000小时。其中，工业用B40950系列在额定电压与纹波电流，以及+105 °C环境温度条件下的使用寿命超过10,000小时。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
4
2025/12/17 14:03:10
英飞凌推出采用300mil封装的TLE4971/TLI4971传感器，以0.7%的全生命周期总误差刷新无芯磁电流传感器的精度标杆。这款融合成熟封装技术与传感原理的新品，不仅完善了产品矩阵，更将为汽车与工业领域的电流测量场景带来革命性突破。该新型 XENSIV™传感器提供六种预编程电流量程：16A、20A、30A、35A、40A和50A。300mil 封装进一步完善了英飞凌3.3V 电流传感器产品组合。这种成熟的封装技术（已应用于 EiceDRIVER™系列产品）经过专门优化，不仅支持内部低电阻特性，还具备加强绝缘和基本绝缘双重性能，同时拥有8 mm 的爬电距离与电气间隙，可满足高压应用场景需求。新传感器集成了典型插入电阻为550 µΩ 的电流轨，可极大地降低功率损耗，并且支持通过模拟接口进行交流和直流电流的双向测量。此外，传感器还配备两个快速过流检测输出端，用于保护电源线路。TLE4971结合了耐用的设计理念和传感技术，专为车载充电和高压辅助驱动等汽车应用场景量身打造。TLI4971则适用于工业领域，例如光伏逆变器、储能系统、直流快充站等充电应用场景，以及工业通用驱动和伺服驱动器。从汽车车载充电到工业光伏逆变，英飞凌TLx4971系列传感器以高精度、低损耗、强适配的核心优势，精准匹配两大领域的多元化需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
7
2025/12/17 13:56:51
瑞萨电子宣布围绕其第五代（Gen 5）R-Car产品家族进一步扩展软件定义汽车（SDV）解决方案阵容。作为该产品家族的最新成员，R-Car X5H是业内首款采用3纳米制程的车规级多域融合片上系统（SoC），可同时运行辅助驾驶系统（ADAS）、车载信息娱乐系统（IVI）和网关系统等多项功能。R-Car X5H采用业界3纳米工艺节点，实现了更高的集成度、性能与能效，功耗较前代5纳米解决方案降低达35%。随着AI成为新一代SDV的核心要素，该SoC为多域车载应用提供强大的中央计算能力，并支持通过芯粒（Chiplet）封装技术灵活扩展AI性能。其提供高达400TOPS的AI性能，若通过芯粒技术拓展，性能更可提升四倍以上。此外，该产品还具备4TFLOPS等效*的GPU性能，可支持高端图形处理，并搭载32个Arm® Cortex®-A720AE CPU内核及六个支持ASIL D等级的Cortex®-R52锁步内核，整体运算能力超过1000KDMIPS。该SoC支持混合功能安全机制，能够在多域执行高阶功能的同时，确保系统安全无虞。为应对日益复杂的电气/电子（E/E）架构，瑞萨持续增添RoX开发平台功能，以推动硬件与软件在开发初期深度融合。RoX平台整合了开发下一代汽车所需的关键硬件、操作系统、软件和工具，并支持无缝软件更新，大幅简化开发流程。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
8
2025/12/17 13:46:49
全球功率系统与汽车微控制器（MCU）英飞凌科技股份公司正与联想集团深化合作，加速自动驾驶技术向更高阶迈进。联想旗舰级自动驾驶域控制器AD1与AH1将搭载英飞凌AURIX™系列微控制器，以支持高阶辅助驾驶系统（ADAS）、提高能效并实现车载网络的高速数据传输。此次合作旨在打造智能、高性能的汽车计算平台，为AI在软件定义汽车（SDV）中的集成提供强大动力。该联合解决方案将为整车制造商开发互联、安全、智能的汽车奠定了可扩展的基础，支持从L2（部分自动驾驶）、L3（有条件自动驾驶）到L4（高度自动驾驶）的各级自动驾驶功能。英飞凌科技高级副总裁与汽车微控制器业务线负责人Thomas Böhm表示：“作为全球排名第一的汽车微控制器供应商，英飞凌提供的AURIX™产品系列在软件定义汽车时代实现安全可靠的算力方面发挥着关键作用。通过与联想等合作伙伴的紧密协作，我们将稳健可靠、高安全保障的计算与可扩展的软件架构相结合，助力整车制造商加速推进其SDV战略及智能交通出行的发展。”联想集团副总裁、联想车计算负责人唐心悦表示：“我们与英飞凌科技的合作，是联想‘Smarter Technology for All’战略在智能汽车领域的重要体现。英飞凌领先的半导体解决方案为联想车计算提供了坚实可靠的基础。我们长期合作积累的信任与默契，将持续推动AI技术与实际汽车驾驶场景的深度融合，共同致力于为客户创造更值得信赖的落地体验。”该联合解决方案旨在通过缩短开发周期、提高灵活性和可靠性，加速向软件定义汽车架构的转型。英飞凌与联想将与汽车价值链中的更多合作伙伴密切协作，在系统集成、服务、软件及工具等领域加强生态合作。双方承诺，未来将进一步深化合作，通过将先进的硬件平台与智能软件集成相结合，开启互联、自动化且可持续的出行新时代。英飞凌的安全算力优势与联想的车计算平台能力形成的强大合力，不仅为整车制造商提供...
浏览次数：
10
2025/12/17 13:38:49
Qorvo的TGA2594-HM是基于Qorvo 0.15um GaN-on-SiC工艺制造的封装功率放大器。TGA2594-HM的工作频率为27至31 GHz，饱和输出功率为36.5 dBm，功率附加效率为25%，小信号增益为25 dB。TGA2594-HM采用密封的22引线7x7 mm陶瓷QFN，设计用于印刷电路板的表面安装。该封装采用铜基，提供卓越的热管理。TGA2594-HM非常适合支持商业和军事应用。两个射频端口都集成了隔直电容，完全匹配50欧姆。无铅，符合RoHS标准。特征•频率范围：27-31GHz•磅：PIN=14 dBm时为36.5 dBm•PAE:25%连续波•小信号增益：25 dB•IM3:-35 dBc@25 dBm磅/音•偏压：VD=20 V，IDQ=140 mA，VG=-3 V（典型值）•包装尺寸：7 x 7 x 1.3毫米应用•军用卫星通信终端•商用卫星通信终端•点对点数字广播•点对多点数字广播引脚配置图如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
浏览次数：
8
2025/12/5 10:56:24
AD9963是引脚兼容的12位低功耗MxFE®转换器，提供两个采样速率为100 MSPS的ADC通道和两个采样速率为170 MSPS的DAC通道。这些转换器针对要求低功耗和低成本的通信系统的发射和接收信号路径进行了优化。数字接口提供灵活的时钟选项。发射路径可配置为1×、2×、4×和8×插值。接收路径具有一个可旁路的2×抽取低通滤波器。引脚配置图特征• 双通道10位/12位、100 MSPS ADCSNR = 67 dB, fIN = 30.1 MHz• 双通道10位/12位、170 MSPS DACACLR = 74 dBc• 5 个辅助模拟输入/输出通道• 低功耗：• 支持全双工和半双工数据接口• 72引脚、无铅小型LFCSP封装应用无线基础设施微微蜂窝基站医疗器械超声AFE便携式仪表信号发生器、信号分析仪如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
浏览次数：
10
2025/12/5 10:51:07
FRAC/INT 寄存器（RO）映射当 DB[2:0] 设为 000 时，访问片内 FRAC/INT 寄存器（寄存器 RO，见图 25）。RamponDB31 = 1 启用斜坡功能；DB31 = 0 关闭斜坡功能。MUXout Control片内多路复用器由 DB[30:27] 控制，真值表见图 25。12 位整数值（INT）DB[26:15] 设置 INT 值，该值是反馈分频系数的一部分。12 位 MSB 小数值（FRAC）DB[14:3] 与 LSB FRAC 寄存器（R1）中的 DB[27:15] 共同组成 25 位 FRAC 值，送入小数插值器。DB[14:3] 为 FRAC 的高 12 位（MSB），R1 中的 DB[27:15] 为低 13 位（LSB）。LSB FRAC 寄存器（R1）映射当 DB[2:0] 设为 001 时，访问片内 LSB FRAC 寄存器（寄存器 R1，见图 26）。保留位所有保留位必须写 0，以保证正常工作。相位调整使能DB28 = 1 启用相位调整；DB28 = 0 关闭。13 位 LSB 小数值（FRAC）DB[27:15] 与 RO 寄存器中的 DB[14:3] 共同组成 25 位 FRAC 值。DB[27:15] 为 FRAC 的低 13 位（LSB），RO 中的 DB[14:3] 为高 12 位（MSB）。12 位相位值DB[14:3] 定义相位字，用于在 RF 输出端引入相对相移。写寄存器 RO 后生效。相移量 = (相位值 × 360°) / 2¹²示例：相位值 = 512 时，相移 = 45°。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
浏览次数：
11
2025/12/5 10:49:00
HMC600LP4（E）对数探测器/控制器其将输入端的RF信号转换为输出端的成比例的DC电压。HMC600LP4（E）采用连续压缩拓扑结构，在宽输入频率范围内提供极高的动态范围和转换精度。随着输入功率的增加，连续放大器逐一进入饱和状态，从而精确地近似对数函数。一系列平方律检测器的输出被求和，转换为电压域并缓冲以驱动LOGOUT输出。对于检测模式，LOGOUT引脚与VSET输入端短路，将提供19mV/dB的标称对数斜率和-95 dBm的截距。HMC600LP4（E）也可用于控制器模式，在该模式下，外部电压被施加到VSET引脚，以创建AGC或APC反馈回路。特征宽动态范围：高达75 dB灵活的电源电压：+2.7V至+5.5V掉电模式温度稳定性极佳紧凑型4x4mm无引线SMT封装应用HMC600LP4/HMC600LP4E是以下中频和射频应用的理想选择：•蜂窝/PCS/3G•WiMAX、WiBro和固定无线•电源监控电路•接收机信号强度指示（RSSI）•自动增益和功率控制如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
浏览次数：
5
2025/12/5 10:27:16
AD8001电流反馈型放大器布局需要注意以下问题：要想让 AD8001 达到规格书所标榜的高速性能，必须仔细设计印制板布局并慎重选型。必须采用低寄生参数元件，并遵循射频/高速电路设计规范。接地层：PCB 元件面的所有空余区域应铺整块接地层，以提供低阻抗回路。输入引脚附近要将接地层挖空，减小杂散电容。电源去耦：一律使用贴片瓷片电容（见图 13）。电容一端接接地层，另一端距每个电源引脚不超过 1/8 英寸（≈3 mm）。大容量储能：再并联一只 4.7 µF–10 µF 的钽电解，用来在输出快速、大信号跳变时提供瞬态电流，距离可稍远。反馈电阻：尽量靠近反相输入引脚，使该节点杂散电容降到最小。反相端电容变化 长线传输：若信号走线长度 1 英寸（≈25 mm），应采用微带线或带状线设计，特征阻抗取 50 Ω 或 75 Ω，并在两端做好终端匹配。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
浏览次数：
12
2025/12/5 10:23:04
AD8001具有低功耗特性，最大功耗为5.5 mA(VS = ±5 V) 而且可以采用+12 V单电源供电，同时负载电流达70 mA以上。通信失真是通信应用中的关键指标。互调失真（IMD）衡量放大器在传递复杂信号时，不产生杂散谐波的能力。三阶产物通常最棘手：它们往往落在基频附近，难以用滤波器去除。理论预言，三阶谐波分量的功率随基频功率增加而“三倍速”上升。业界常以“三阶截点”作为虚拟参考点——在该点基频与三阶谐波功率相等——用以量化失真性能。然而，闭环应用的运放并不总遵循这一简单规律。在增益为+2的配置下，AD8001 的实测性能见图10：图中给出最坏三阶产物随输入功率的变化曲线。在10 MHz 时，AD8001 的三阶截点达+33 dBm。视频线路驱动AD8001 专为高性能视频线路驱动而设计。其差分增益（0.01 %）和差分相位（0.025°）均满足最苛刻的HDTV 单路视频负载要求。图11 所示，AD8001 还可驱动两路反向端接负载，性能依旧出色（差分增益 0.01 %，差分相位 0.07°）。在多负载应用中，负载间隔离度同样关键。驱动两路 75 Ω 反向端接负载时，AD8001 在 5 MHz 处的隔离度优于 40 dB。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
浏览次数：
7
2025/12/5 10:21:14
AD8001电流反馈型放大器具有低功耗特性，最大功耗为5.5 mA(VS = ±5 V) 而且可以采用+12 V单电源供电，同时负载电流达70 mA以上。该器件提供8引脚小型DIP和8引脚SOIC两种封装。这些特性均非常适合对尺寸和功耗有严格要求的便携式和电池供电应用。AD8001具有800 MHz的宽带宽和1200 V/µs的压摆率，因此可用于需要最高±6 V双电源和6 V至12 V单电源的许多通用型高速应用。额定温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围。特性• 出色的视频特性(RL = 150Ω, G = +2)0.1 dB增益平坦度：100 MHz差分增益误差：0.01%差分相位误差：0.025°• 低功耗(55 mW)电源电流：5.5 mA（最大值）• 高速、快速建立–3 dB带宽：880 MHz (G = +1)–3 dB带宽：440 MHz (G = +2)压摆率：1200 V/µs0.1%建立时间：10 ns• 低失真c = 5 MHz）三阶交调截点：33 dBm（F1 = 10 MHz）SFDR：-66 dB (f = 5 MHz)• 高输出驱动70 mA输出电流最多可驱动4个后部端接负载（各为75Ω ），同时保持良好的差分增益/相位性能(0.05%/0.25°)应用A-to-D驱动程序视频线路驱动器专业相机视频切换器特效射频接收器如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
浏览次数：
5
2025/12/5 10:16:23
AD637是一款完整的高精度、均方根直流转换器，可计算任何复杂波形的真均方根值。 它提供集成电路均方根直流转换器性能，精度、带宽和动态范围与分立和模块式设计相当。 AD637可计算任何复杂交流（或交流加直流）输入波形的真均方根值、均方值或绝对值，并提供等效直流输出电压。 波形的真均方根值与信号功率直接相关，因此比平均整流信号更有用。 统计信号的均方根值与信号的标准差相关。引脚配置图解析如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
浏览次数：
9
2025/12/5 10:11:27
ADT7301 既可用于表面测温，也可用于空气测温。若用导热胶将其粘贴在物体表面，由于芯片自身功耗极低，芯片温度与表面温度之差可控制在约 0.1 °C 以内。当被测表面温度与周围空气温度不同时，应注意对芯片背面及引脚进行隔热处理，以免引入误差。芯片的地（GND）引脚是与晶圆之间热阻最低的通道，因此晶圆温度非常接近 PCB 地线的温度。务必保证 PCB 地线与被测表面之间有良好的热接触。与其他 IC 一样，ADT7301 及其连线、相关电路必须保持干燥，防止漏电和腐蚀；尤其在低温环境中，凝露更易发生。可涂覆防水漆或共形涂层加以保护。ADT7301 体积极小，可封装于密封金属探针内部，为芯片提供安全的工作环境。电源去耦建议在 VPP 与 GND 之间就近放置 0.1 µF 陶瓷电容对 ADT7301 进行电源去耦。若芯片与电源距离较远，则此去耦电容尤为重要。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
浏览次数：
6
2025/12/5 10:05:17
ADT7301 是一款 13 位数字温度传感器，带有一个第 14 位作为符号位。该器件在 SOT-23 和 MSOP 封装中集成了片上温度传感器、13 位 A/D 转换器、参考电路和串行接口逻辑功能。ADC 部分基于电容 DAC，采用传统的逐次逼近型转换器。器件工作电压范围为 2.7V 至 5.25V。片上温度传感器可精确测量器件周围的环境温度。ADT7301 的指定测量范围为 -40°C 至 +150°C。当温度高于 125°C 时，其工作时间不得超过 55°C 下总运行寿命的 5%。若长期在绝对最大电压和温度规格下运行，器件的结构完整性可能会开始退化。转换器详情该器件的转换时钟由内部生成，无需外部时钟，除非对串行端口进行读写操作。在正常模式下，内部时钟振荡器运行自动转换序列。在此序列中，每 1.5 秒启动一次转换。此时，器件启动模拟电路并执行温度转换，转换时间通常为 1.2ms，之后模拟电路自动关闭。当 1.5 秒计时器到期时，模拟电路再次启动，开始下一次转换。由于串行接口电路始终处于工作状态，因此最新的温度转换结果始终可在串行输出寄存器中读取。关断模式ADT7301 可通过控制寄存器进入关断模式。此时，片上振荡器关闭，直到器件退出关断模式前不再启动新的转换。向控制寄存器写入全 0 可使 ADT7301 退出关断模式。即使在关断模式下，仍可读取关断前最后一次转换的结果。在正常转换模式下，每次读写操作后，内部时钟振荡器会被重置，从而启动一次新的温度转换，结果通常在 1.2ms 后可用。类似地，当器件退出关断模式时，内部时钟振荡器启动并立即开始一次转换，结果同样在 1.2ms 后可用。每次转换结果先存储在缓冲寄存器中，只有在串行端口活动开始时，第一个 SCLK 下降沿才会将其加载到温度值寄存器中。串口活动不会干扰转换过程，每次转换都会...
浏览次数：
6
2025/12/5 9:59:25
在大面积金属-硅功率二极管中采用肖特基势垒原理，采用的结构：铬势垒金属、外延结构、氧化层钝化及金属覆盖接触。非常适合用作低压高频逆变器中的整流器、续流二极管及极性保护二极管。特点• 极低的正向压降 VF• 低功耗/高效率• 低存储电荷，多子导电• 默认塑料袋包装，每袋 500 只• 可提供编带卷盘，每盘 1500 只，订货时在型号后加“RL”后缀• 提供无铅（Pb-Free）封装版本*机械特性• 封装：环氧模压• 重量：约 1.1 克• 表面：所有外表面耐腐蚀，引脚易于焊接• 焊接引脚最高温度：260 °C，持续时间 ≤10 秒• 极性：阴极由色带标示如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
浏览次数：
6
2025/12/4 14:09:24
专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计，适用于计算机、打印机、办公设备、通信系统、医疗设备等对电压和静电放电（ESD）敏感的场合。其双结共阳极结构可在单一封装内保护两条独立线路，非常适合板级空间受限的设计。规格特点：SOT-23 封装，可配置为两个独立的单向保护或一个双向保护工作峰值反向电压范围：12 V标准齐纳击穿电压范围：13.3 V – 15.75 V峰值功率：300 W（8 × 20 μs 脉冲）低漏电流阻燃等级：UL 94 V-0机械特性：外壳：无空洞、传递模塑、热固性塑料封装镀层：耐腐蚀、易焊接焊接最高壳温：260 °C，持续时间 10 秒封装针对自动化板级组装优化小尺寸，适合高密度应用提供 8 mm 载带卷盘如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
浏览次数：
8
2025/12/4 14:03:14
Zynq®-7000系列基于Xilinx SoC架构。这些产品在单个设备中集成了功能丰富的基于ARM®Cortex™-A9的双核或单核处理系统（PS）和28 nm Xilinx可编程逻辑（PL）。ARM Cortex-A9 CPU是PS的核心，还包括片上存储器、外部存储器接口和丰富的外围连接接口。XC7Z020-2CLG484I超详细的参数信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WBCSBGA-484核心:ARM Cortex A9内核数量:2 Core最大时钟频率:766 MHzL1缓存指令存储器:2 x 32 kBL1缓存数据存储器:2 x 32 kB逻辑元件数量:85000 LE自适应逻辑模块 - ALM:13300 ALM嵌入式内存:4.9 Mbit输入/输出端数量:200 I/O最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 100 C商标:AMD / Xilinx逻辑数组块数量——LAB:6650 LAB产品类型:SoC FPGA系列:XC7Z020单位重量:16.396 g如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
浏览次数：
10
2025/12/4 13:53:16