定义QPA7489A是一款高性能SiGe HBT MMIC放大器。达林顿配置提供了高FT和优异的热性能。异质结增加了击穿电压，并最大限度地减少了结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致对互调产物的更高抑制。QPA7489A可以通过使用降压电阻器在各种电源电压下工作。两个隔直电容器、旁路电容器和一个可选的射频扼流圈完成了该内部匹配的50欧姆设备运行所需的电路。QPA7489A采用符合行业标准的SOT-89封装组装，无铅且符合RoHS标准。特征直流至3500 MHz操作单正电压电源可级联50 Ω增益：1950 MHz时为17.7 dB输出IP3:850 MHz时典型值为+37.7 dBm噪声系数：1950 MHz时的典型值为3.2 dB低热阻SOT-89封装无铅/符合RoHS标准应用蜂窝、PCS、GSM、UMTS功率放大器驱动器中频/射频缓冲放大器无线数据，卫星
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2025/10/29 10:29:00
定义Qorvo的TQP369185是一款低成本表面贴装封装的可级联50欧姆增益块放大器。增益块的工作范围为DC至6 GHz，在几乎任何无线应用中都作为增益级提供了灵活性。增益块内部与达林顿对配置相匹配，该配置在Qorvo的高性能InGaP/GaAs HBT工艺上具有内部有源偏压。这只允许直接从5V电源操作时需要外部RF扼流圈和阻断/旁路电容器。该设备采用无铅/绿色/RoHS兼容的行业标准SOT-89封装。特征DC-6000兆赫1.9 GHz时的19 dB增益1.9 GHz时的4.7 dB噪声系数+1.9 GHz时31.7 dBm输出IP3+1.9 GHz时为19.6 dBm P1dB50欧姆级联增益块SOT-89封装应用移动基础设施LTE/WCDMA/CDMA有线电视点对点通用无线
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2025/10/29 10:23:47
定义Qorvo的RF1602是一种单极双掷（SPDT）开关，专为需要极低插入损耗和高功率处理能力以及最小直流功耗的开关应用而设计。RF1602所实现的出色线性性能使其成为SV-LTE、WCDMA和CDMA应用的理想选择。RF1602在RF端口之间提供了非常高的隔离，在发射和接收路径之间提供了更大的分离。RF1602采用非常紧凑的2mm x 2mm x 0.55mm 12引脚QFN封装。特征•低频至3.5GHz操作•典型低插入损耗。1GHz时为0.3dB•典型的极高隔离度。1GHz时为42dB•高线性，IIP2型。129dBm•直接连接到VBATT•兼容低压逻辑（VHIGH最小值=1.3V）•除非外部施加直流电，否则射频路径上不需要外部直流阻断电容器•所有端口的2kV HBM额定值应用SV-LTE、WCDMA、GSM后PA切换通用开关应用
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2025/10/29 10:17:07
CBP-1645J+是一种基于陶瓷同轴谐振器的带通滤波器，采用SMT技术制造，采用屏蔽封装。该滤波器具有窄通带，提供低插入损耗、低VSWR和高功率处理，适用于卫星通信。特征•良好的插入损耗•低驻波比•微型屏蔽封装应用•卫星通信•射电天文学
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2025/10/29 10:10:52
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近期发布了 i.MX 952应用处理器，作为其i.MX 9系列的新成员。该处理器专为AI驱动的汽车人机交互（HMI） 与座舱感知系统设计，集成了eIQ Neutron神经处理单元（NPU）。通过融合来自摄像头、超宽带（UWB）和超声波等多种传感器的数据，i.MX 952能够实现驾驶员状态监测、儿童遗留检测等关键安全功能，助力打造更安全、更智能的驾驶体验。一、基本特性●强大的AI处理与传感器融合能力i.MX 952集成了eIQ Neutron NPU，能够智能地融合来自摄像头、超宽带（UWB）、超声波等多种传感器的输入数据。其集成的图像信号处理器（ISP）处理能力高达500兆像素/秒，并支持RGB-IR传感器，为车内视觉感知提供了高性能基础。●创新的局部调光技术与显示优化该处理器是全球首款集成局部调光（Local Dimming）支持的汽车和工业处理器。此功能可动态调节车内LCD面板和抬头显示器（HUD）的背光，有效提升显示对比度和强光下的可视性，同时降低系统功耗。●安全架构与可扩展设计i.MX 952集成了EdgeLock安全区域，提供基于硬件信任根的安全保障，并支持后量子密码学（PQC），以应对未来的安全威胁。处理器与i.MX 95系列引脚兼容，这种设计允许开发者基于单一平台进行软硬件设计扩展，有效降低开发和总体拥有成本（TCO），并缩短产品上市时间。●高性能异构计算与功能安全处理器采用多核架构，包含多达四个Arm Cortex-A55内核构成的应用域，以及由Arm Cortex-M7和Cortex-M33组成的独立安全域，实现了高性能与实时处理的结合。该系列旨在支持符合ISO 26262 ASIL B标准的汽车功能安全要求以及工业领域的SIL2/SIL3标准。二、 技术难点及应对方案●难点一：复杂座舱环境下的精准感知挑...
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2025/10/29 9:35:14
随着三星、SK海力士等原厂将产能大规模转向HBM（高带宽内存）和服务器DRAM，DDR4、LPDDR4X等传统制程产品陷入严重短缺，部分型号甚至出现“一天一个价”的极端行情。摩根士丹利、花旗与高盛三大投行最新报告指出，本轮涨价并非短期波动，而是AI需求爆发叠加产能转移引发的结构性“超级周期”，预计将持续至2026年。三大投行最新观点：一致看好存储芯片上涨行情1. 摩根士丹利：Q4报价涨幅超预期，涨价周期延长摩根士丹利最新半导体行业分析显示，第四季度DRAM与NAND Flash合约价涨幅预计高达25%-30%，显著高于此前市场预期。这一预测基于两大核心因素：●AI算力投资激增：谷歌、亚马逊、Meta、微软等科技巨头2025年AI基础设施投入规模达4000亿美元，大幅推升企业级存储需求。●供应端产能挤压：HBM生产消耗的晶圆产能是标准DRAM的3倍以上，原厂将产能优先分配至高利润的HBM与DDR5，导致传统产品供应缺口持续扩大。2. 花旗：AI推理需求爆发，2026年供需缺口将进一步扩大花旗集团报告强调，随着AI投资重心从训练向推理阶段转移，DRAM需求增速将进一步加速。报告核心判断包括：●推理芯片需求激增：AI推理任务对内存带宽和容量要求更高，推动服务器DRAM用量提升至传统服务器的8倍。●长期供应紧张：花旗预计2026年存储市场将陷入供不应求，DDR4紧缺态势至少延续至明年上半年。●价格倒挂现象凸显：目前DDR4 16Gb 3200现货价已飙升至13美元，反超DDR5价格一倍，反映供应结构失衡极端化。3.高盛：对冲基金大举加仓，看好AI硬件投资浪潮高盛10月报告指出，全球对冲基金对AI技术硬件的敞口已达2016年以来最高水平，资金正从电力公司转向半导体板块。核心观点包括：●资本开支上调：高盛预计阿里巴巴2026-2028财年资本开支将达4600亿元，较原目标提升21%，推...
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2025/10/29 9:30:02
美光科技近期宣布，其192GB SOCAMM2内存模组已正式向客户送样，旨在将低功耗内存在AI数据中心的应用推向新高度。这款新品在性能与能效上实现显著突破：传输速度高达9600MT/s，在相同紧凑尺寸下容量较前代提升50%，且在DRAM裸片级别能效提升超过20%，为大规模AI计算提供了强有力的硬件支持。一、技术升级：性能跃升，延迟骤降SOCAMM2基于美光1γ（1-gamma）制程技术打造，实现了容量与能效的同步优化。其在AI工作负载中的表现尤为亮眼，可将实时推理任务中的首Token生成时间（TTFT）缩短80%以上，这意味着AI应用（如聊天机器人或图像生成）的初始响应速度得到大幅提升，用户体验更加流畅。模块化设计增强了其可维护性，并为未来的容量升级预留了空间。在系统层面，例如在Vera Rubin NVL144机架系统中，SOCAMM2可支持构建超过40TB的CPU直连低功耗主内存，为庞大AI模型的高效运行奠定了基础。二、AI数据中心：低功耗与高带宽的完美融合SOCAMM2的成功离不开美光与英伟达长达五年的紧密合作，双方共同将原本主要用于移动设备的LPDDR5X内存技术引入了数据中心领域。此举使得SOCAMM2同时具备了超低功耗和高带宽两大优势。与传统的RDIMM内存相比，SOCAMM2在提供更高带宽的同时，能耗降低了三分之二以上，物理尺寸也仅为后者的三分之一。这种高密度、低功耗的特性，不仅显著优化了数据中心的空间利用率和电力成本，也使其更易于融入液冷散热系统，顺应了绿色数据中心的发展趋势。三、市场竞争：新内存战局已然开启SOCAMM2的推出，标志着在HBM（高带宽内存）之后，一个新的服务器内存战场正在形成。据透露，英伟达在2025年计划采购高达80万个SOCAMM单元。目前，美光在竞争中已开始为英伟达生产SOCAMM模块。而三星和SK海力士也正积极布局，三星已开始开发S...
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2025/10/29 9:23:44
2025年10月27日，高通正式发布了两款专为数据中心设计的新一代人工智能推理芯片——AI200和AI250，标志着其在智能手机市场之外寻求多元化发展的战略迈出了关键一步。这一重要举措不仅加速了高通进军数据中心领域的步伐，更直接向占据市场主导地位的英伟达（NVDA.O）发起了挑战。受此利好消息影响，高通股价当日大幅上涨近15%，收盘报182.23美元，市场反应热烈，显示出投资者对其人工智能战略的强烈信心。产品布局：瞄准能效与成本优势高通的此次发布构建了一个清晰的未来产品路线图：AI200芯片：计划于2026年推出。该芯片基于高通的Hexagon神经处理单元（NPU）打造，可提供单独的芯片、PCIe卡或完整的液冷服务器机架等多种形态。其一大亮点是每张PCIe卡最高支持768GB的LPDDR内存，为大规模AI推理任务提供了强大的内存支持。AI250芯片：定于2027年发布。这款芯片引入了创新的“近内存计算”架构，旨在将有效带宽提升十倍以上，同时显著降低功耗，从而在处理超大规模人工智能推理工作负载时，实现前所未有的效率。高通强调，这两款芯片均专为“具有成本效益的人工智能部署”而设计，旨在以更低的总体拥有成本（TCO）和更高的运行效率，在大型语言模型和多模态AI的应用中，撼动英伟达当前高达80%的市场份额。战略支撑：收购合作与市场需求并举为了强化其在数据中心AI领域的竞争力，高通进行了一系列战略布局。其中包括以24亿美元收购芯片连接技术公司Alphawave，以增强其技术组合。同时，与英伟达合作集成NVLink技术，也表明了高通正积极寻求融入更广泛的行业生态系统，提升其解决方案的兼容性。市场需求的早期信号也十分积极。据报道，沙特阿拉伯的Humain公司已承诺为其提供200兆瓦的电力容量，用于部署基于这些芯片的数据中心，这从侧面印证了市场对高通AI解决方案的强劲兴趣和实际需求。前景与...
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2025/10/29 9:19:06
全球PC市场在2025年第三季度展现出复苏势头，出货量同比增长8.1%。这一增长主要受两大因素驱动：一是Windows 10系统停止服务，迫使大量用户更换老旧设备；二是AI PC概念的兴起激发了市场早期的换机需求。终端品牌的出货情况也印证了这一趋势。联想该季度出货量同比增长17.4%，为前六大厂商中增幅最高。与此同时，宏碁已率先在IFA 2025展会上展示了搭载英特尔下一代Panther Lake处理器的AI笔记本，预示着新一轮硬件升级周期即将开启。技术核心：Panther Lake处理器，定义AI PC新标准作为英特尔首款采用Intel 18A制程工艺的移动端处理器，Panther Lake被视为巩固英特尔AI PC战略优势的关键产品。其技术突破主要体现在三个方面：性能大幅提升：Panther Lake的整体平台AI算力最高可达180 TOPS。其CPU多线程性能在相同功耗下比上一代提升超过50%，GPU性能也提升50%以上。能效优化：处理器采用包括4个P核、8个E核和4个LPE核的16核异构架构，能精准匹配任务需求，显著优化续航表现。AI能力增强：NPU首次原生支持FP8精度，增强了对大语言模型的适配性。测试显示，运行30B参数模型时，响应时间较上一代设备提速52%。生态演进：从硬件到体验，AI PC走向成熟AI PC的价值正逐渐从硬件参数转向实际用户体验。英特尔与TurinTech的合作就是一个例证，双方将推出完全在设备端运行的AI代码优化平台，使开发者能够在不依赖云连接的情况下，更安全、高效地完成AI应用的开发和优化。另一方面，英特尔客户端计算事业部（CCG）在2025年第三季度营收同比增长5%，成为公司业绩复苏的压舱石。这反映了市场对搭载AI技术处理器的积极接受度。未来展望：换机潮将至，行业前景可期多家机构和分析师对AI PC的未来增长持乐观态度。华硕预计，到20...
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2025/10/29 9:15:35
定义TPS60151 是一款开关电容电压转换器，能够从非稳定输入电压中产出稳定、低噪声、低波纹的 5V 输出电压。在 VIN 大于 5V 时仍然可以维持 5V 稳压。5V 输出可以提供最低 140mA 的电流。TPS60151 具有内置电流限制和输出反向电流保护，是 HDMI、USB OTG 和其他电池供电应用的 理想选择。在典型情况下，当负载电流低于 8mA 时，TPS60151 会在跳跃模式下运行。在跳跃运行模式下，静态电流降到 90µA。只有 3 个外部电容器需要生成输出电压，由此节省了 PCB 空间。在上电和电源瞬态期间，浪涌电流受到软启动功能的限制。TPS60151 在自然通风环境下的额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。该器件采用小尺寸 2mm × 2mm 6 引脚 SON 封装 (QFN)。特征• 输入电压范围：2.7V 至 5.5V• 5V 固定输出电压• 最大输出电流：140mA• 1.5MHz 开关频率• 在无负载情况下具有典型值 90µA 的静态电流（跳跃模式）• 输出反向电流保护• X2 电荷泵• 硬件启用和禁用功能• 内置软启动• 内置欠压锁定保护• 热保护和过流保护• 2mm × 2mm 6 引脚 SON 封装，高度为 0.8mm应用• USB On the Go (OTG)• HDMI• 便携式通信器件• PCMCIA 卡• 手机、智能电话• 手持式仪表
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2025/10/28 10:51:20
定义EMI2121是一款集成共模滤波器，为USB2.0等高速串行数字接口提供ESD保护和EMI滤波。EMI2121为一个差分数据线对提供EMI滤波，为一个数据对加上USB2.0 Vbus或USB ID引脚等电源输入提供ESD保护。它采用符合RoHS标准的小型WDFN8封装。特征•具有ESD保护的高度集成共模滤波器（CMF）为使用高速串行数据线的系统提供保护和EMI降低，与分立解决方案相比，可以节省成本和空间•大差模带宽，截止频率2 GHz•高共模阻带衰减：700 MHz时25 dB，800 MHz时30 dB•提供符合IEC61000−4−2 4级±12 kV接触放电的ESD保护•低通道输入电容提供卓越的阻抗匹配性能•采用WDFN8 2.0 mm长x 2.2 mm宽x 0.75 mm高的低剖面封装，占用空间小，无铅封装•SZ前缀，适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；AEC-Q101合格且具备PPAP能力应用•移动电话、数码相机和汽车接口中的USB2.0和其他高速差分数据线•MIPI D−PHY
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2025/10/28 10:44:33
定义TLE4205G是一款集成功率全桥直流电机驱动器，适用于宽温度范围，例如汽车应用中的要求。该电路包含两个功率比较器，可以组合成全桥电路。对于电感性负载，有集成的续流二极管连接到+VS和地。输出是防短路的，最高可达18V电源电压接地，并在发生超温时关闭。该IC特别适用于汽车前照灯光束调节。特征● 最大驱动器电流1A● 集成续流二极管● 防对地短路● 抑制● ESD保护输入● 温度范围-40°C≤Tj≤150°C● 绿色产品（符合RoHS标准）● AEC合格电路描述该IC包含两个放大器，在500 Hz下的典型开环增益为80 dB。输入级由PNP差分放大器组成。这产生了0V到接近VS的共模输入范围和VS的最大差分输入电压。SOA保护电路保护IC免受接地短路。如果芯片温度超过约160°C，输出晶体管将关闭。IC可以通过抑制输入关闭，这大大降低了电流消耗。
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2025/10/28 10:38:21
定义LM61460 是一款高性能直流/直流同步降压转换器。该器件具有集成式高侧和低侧 MOSFET，能够在 3.0V 至 36V 的宽输入电压范围内提供高达 6A 的输出电流；可耐受 42V 电压，简化了输入涌流保护设计。LM61460 可对压降进行软恢复，因此无需对输出进行过冲。LM61460 专门设计用于降低 EMI。该器件具有可调节 SW 节点上升时间和低 EMI，并采用具有低开关节点振铃和易于使用、优化型引脚排列的 VQFN-HR 封装。开关频率可在 200kHz 至 2.2MHz 范围内设置或同步，从而避开噪声敏感频段。另外，可以选择频率，从而在低工作频率下提高效率，或在高工作频率下缩小解决方案尺寸。自动模式可在轻负载运行时进行频率折返，实现仅 7µA（典型值）的空载电流消耗和高轻负载效率。PWM 和 PFM 模式之间无缝转换，以及极低的 MOSFET 导通电阻和外部偏置输入，均确保在整个负载范围内实现卓越的效率。特征• 提供功能安全– 有助于进行功能安全系统设计的文档• 针对超低 EMI 要求进行了优化– HotRod™ 封装和并行输入路径可以尽可能减少开关节点振铃– 可调节 SW 节点上升时间• 专为可靠耐用的应用而设计– 支持 42V 的瞬态电压– ±1% 的总输出稳压精度– VOUT 可在 1V 至 95% 的 VIN 范围内调节– 在 4A 负载下具有 0.4V 压降（典型值）– 保护特性：热关断、输入欠压锁定、逐周期电流限制和断续短路保护• 可在所有负载下进行高效电源转换– 在 13.5VIN、3.3VOUT 下具有 7µA 的无负载电流– 在 1mA、13.5VIN、5VOUT 下 PFM 效率为 83%– 低 MOSFET 导通电阻• RDS_ON_HS = 41mΩ（典型值）• RDS_ON_LS = 21mΩ（典型...
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2025/10/28 10:13:38
频率补偿LT1933 采用电流模式控制来调节输出，这大大简化了环路补偿。特别地，LT1933 的稳定并不依赖输出电容的等效串联电阻（ESR），因此可以使用陶瓷电容，以实现低输出纹波和小尺寸电路。图 7 给出了 LT1933 控制环路的等效电路。误差放大器为一只具有有限输出阻抗的跨导放大器。功率级（含调制器、功率开关和电感）被建模为另一只跨导放大器，其输出电流与 Vc 节点电压成正比。注意：输出电容对该电流进行积分，而 Vc 节点上的电容 Cc 又对误差放大器输出电流进行积分，于是在环路中形成两个极点；电阻 Rc 引入一个零点。在采用推荐输出电容的情况下，环路 crossover（穿越频率）高于 RcCc 零点，上述简单模型即可良好适用，只要电感值不是过高，且 crossover 远低于开关频率。若使用更大容量的陶瓷电容（ESR 极低），crossover 可能降低，此时在反馈分压器两端并联一只相位超前电容 CpL，可改善相位裕量与瞬态响应。对于大容量电解电容，其 ESR 可能足够高而额外引入一个零点，此时相位超前电容或许就不再必要。若实际输出电容与推荐值不同，应在所有工况（负载电流、输入电压、温度）下重新检验稳定性。
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2025/10/28 10:07:41
定义LT1933 是一款电流模式 PWM 降压型 DC/DC 转换器，具有一个内部 0.75A 电源开关，采用纤巧型 6 引脚 SOT-23 封装。3.6V 至 36V 的宽输入范围使得 LT1933 适合于对来自各种电源 (包括未调整的墙上适配器、24V 工业电源和汽车电池) 的功率进行调节。其高工作频率允许使用纤巧型、低成本的电感器和陶瓷电容器，因而产生了低且可预知的输出纹波。 逐周期电流限制提供了针对短路输出的保护，而软起动功能则消除了启动期间的输入浪涌电流。低电流 (特征宽输入范围：3.6V至36V从16V到36V输入，600mA时为5V从12V到36V输入，600mA时为3.3V从6.3V到36V输入，500mA时为5V3.3V，500mA，4.5V至36V输入固定频率500kHz运行使用微型电容器和电感器软启动内部补偿低关断电流：输出可调至1.25V薄型（1mm）SOT-23（ThinSOT™）和（2mm×3mm×0.75mm）6引脚DFN封装应用汽车电池法规工业控制用品壁式变压器调节分布式供应监管电池供电设备
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2025/10/28 9:58:50
定义HVLED815PF设备是一种高压主开关，旨在通过最少的外部部件直接从整流电源运行，并实现高功率因数（0.90），为LED驱动提供高效、紧凑、经济高效的解决方案。它在同一封装中结合了高性能低压PWM控制器芯片和800V雪崩坚固型功率MOSFET。由于专利的初级传感调节（PSR）技术，不需要光耦合器。该装置可确保防止LED串故障（开路或短路）。特征•高功率因数能力（0.9）•800V，抗雪崩内部6Ω功率MOSFET•内部高压启动•初级传感调节（PSR）•恒定LED输出电流的精度为±3%•准谐振（QR）操作•不需要光耦•开放式或短LED串管理•自动自供电应用•功率因数高达15W的AC-DC LED驱动灯泡更换灯•高达15W的AC-DC LED驱动器
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2025/10/28 9:55:19
AD9522 的 EEPROM 缓冲段是一段寄存器空间，用来指定在 EEPROM 编程时哪些寄存器组会被保存。一般情况下用户无需手动修改，其上电默认值已允许把 AD9522 从寄存器 0x000 到 0x231 的全部内容一次性写入 EEPROM。如果用户只想从 EEPROM 加载输出驱动设置，而不想破坏芯片内现有的 PLL 配置，可把缓冲段改成仅包含输出驱动相关寄存器，排除 PLL 相关寄存器。缓冲段由两部分组成：寄存器区定义组（register section definition groups）操作码（operational codes）每个“寄存器区定义组”给出一段连续寄存器的起始地址和字节长度。若寄存器映射从 0x000 到 0x232 完全连续，只需一组“起始 0x000，长度 563 字节”即可；但 AD9522 寄存器映射不连续，且 EEPROM 只有 512 字节，因此需要通过多组定义把寄存器映射分段描述。操作码共三种：IO_UPDATE数据结束（end-of-data）伪数据结束（pseudo-end-of-data）规则：缓冲段最后必须是“数据结束”或“伪数据结束”；在“数据结束”之前至少出现一次 IO_UPDATE。寄存器区定义组格式（3 字节）字节 0：本组连续寄存器字节数 – 1 0x00 表示 1 字节，0x01 表示 2 字节……最大 128 字节（0x7F）。字节 1：本组起始寄存器地址低 8 位字节 2：本组起始寄存器地址高 8 位IO_UPDATE（操作码 0x80）EEPROM 控制器遇到 0x80 时，会在下载过程中产生一次 IO_UPDATE，把缓冲寄存器组的内容搬进活跃寄存器组。必须在最后一个寄存器区定义组之后至少放一条 IO_UPDATE，否则 EEPROM 读出的值不会生效。数据结束（操作码 0xFF）出现 0xFF 时，...
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2025/10/28 9:46:52
片内 VCOAD9522 内置一只片内 VCO，其频率覆盖范围见表 2。校准程序可确保 VCO 的工作电压针对所需频率居中。在首次配置 VCO 环路，以及每次更改标称 VCO 频率时，都必须执行一次 VCO 校准；但一旦完成校准，VCO 便具备足够的调节范围，可在温度和电压极端条件下保持锁定，无需再次校准。为覆盖 VCO 的宽调谐范围，器件内部划分了多个调谐区段。校准过程会自动选择对应所需频率的区段。片内 VCO 由一只片内低压差（LDO）线性稳压器供电。该 LDO 可在一定程度上隔离 VCO，使其不受电源电压波动影响。BYPASS 引脚需通过一只 220 nF 电容接地，以保证 LDO 稳定工作。此 LDO 采用与 ADI anyCAP® 系列稳压器相同的技术，对电容类型不敏感。不允许利用 BYPASS 引脚向外供电。若使用外部 VCO/VCXO，请将 BYPASS 和 LF 引脚悬空，配置见图 41。数字锁定检测（DLD）通过在各引脚的多路复用器中选择正确输出，即可在 LD、STATUS 和 REFMON 引脚获得 DLD 功能。数字锁定检测电路的工作原理：当 PFD 输入上升沿之间的时间差小于设定值（锁定门限）时，指示“锁定”；当该时间差大于另一设定值（失锁门限）时，指示“失锁”。失锁门限宽于锁定门限，从而允许在锁定窗口外存在一定相位误差，而不会使锁定指示产生抖动。锁定检测窗口的时长取决于 CPRSET 电阻值，以及三个寄存器位：数字锁定检测窗口位（寄存器 0x018[4]）反回差脉冲宽度位（寄存器 0x017[1:0]，见表 2）锁定检测计数器（寄存器 0x018[6:5]）表 2 中的锁定/失锁数值基于 CPRSET = 5.11 kΩ；若将 CPRSET 加倍至 10 kΩ，则表中数值亦相应加倍。只有当连续若干个 PFD 周期的时间差均小于锁定门限时，...
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2025/10/28 9:38:30