TS7242FK是一种对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS7242FK在10MHz至3GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7242FK封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装中。特性●低插入损耗：0.45dB@800MHz●高隔离度：40dB@800MHz●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：10MHz至3GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 13:42:22
TS7423L是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。其从30MHz到3GHz的宽带性能使TS7423L成为所有在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的应用的优秀开关。TS7423L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：800MHz时为0.30dB●高隔离度：800MHz时为43dB●高线性功率处理能力●多功能2.6-5.5V电源应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 13:23:40
TS7323K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7323K在1MHz至4GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7323K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：800MHz时为0.25dB●高隔离度：42dB@800MHz●高峰值功率处理能力65W●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：1MHz至4.0GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●小电池（3×3mm QFN封装）●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 13:17:52
TS7321FK是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7321FK在10MHz至6GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7321FK采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.35dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●41dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：10MHz至6GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/21 14:13:51
TS7246K是一款对称反射式单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS7246K在1MHz至3GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7246K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.45dB@800MHz●高隔离度：40dB@800MHz●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：1MHz至3GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/21 14:11:03
TS7232FK是一种对称反射式单极三掷（SP3T）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7232FK在30MHz至4GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7232FK封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装中。特性●低插入损耗：0.40dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：30MHz至4.0GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/21 13:57:27
TS7226K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7226K在500MHz至7GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7226K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.5dB@2.6GHz●高隔离度：2.6GHz时35dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：500MHz至7GHz应用●移动无线电手机●大规模MIMO●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/21 13:52:24
TS7224FK是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7224FK在30MHz至6GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要在小封装尺寸内实现低插入损耗、高隔离和高线性的应用的优秀开关。TS72254K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.35dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：30MHz至6GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/21 13:50:01
随着新能源电动汽车行业的蓬勃发展，其动力系统的关键组件：IGBT及SiC MOSFET驱动件需求量十分可观；为更好地迎合上述市场的需求，金升阳推出了高性能的第三代插件式单路驱动电源QA_(T)-R3S系列（“T”为贴片式封装）。该产品适用于充电桩、新能源光伏、智能电网、工业控制、轨道交通和变频白电等行业。产品优势1) QA-R3S系列驱动电源产品① 5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘输入-输出隔离电压高达5000VAC，优于市场上常规产品，且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。② 满足1700V长期绝缘要求（适用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压（局部放电）达到1700V，应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。③ 高可靠性，耐受1000+次温度冲击④ 多项性能指标提升该系列驱动电源相较于友商类似产品，在整体性能上可做到与行业水平持平或更优。2) QA_T-R3S系列驱动电源产品① 5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘输入-输出隔离电压高达5000VAC，优于市场上常规产品，且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。② 满足2000V/2500V长期绝缘要求，6W产品原副边间距14mm该系列2.4W产品基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压（局部放电）达到2.5kV，应用范围覆盖2.5kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；而6W产品长期绝缘电压达到2kV，应用范围覆盖2kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。③ 贴片式封装方式该系列均采用SMD封装方式，相比插件式封装，可有效节省空间、更灵活地在电路板上布局，并可提高产品生产的自动化程度和产品的防潮性能。④ 高可靠性，耐受1000+次温度冲击⑤ 多项性能指标提升典...
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2025/4/21 13:38:54
TDK 株式会社 通过推出全新 HVC 5481G，进一步拓展其 Micronas HVC 5x 嵌入式电机控制器系列在汽车应用领域的功能。HVC 5481G 是一款可编程Soc栅极驱动芯片，用于控制带有 6 个 N 通道 FET 的外部功率桥，从而驱动各类执行器、风扇和泵。*HVC 5481G 样品现已上市，预计 2026 年开始批量生产。HVC 5481G SoC 与现有的 HVC 5x 系列软件兼容，并集成一个配备 64 KB 闪存和 8 KB SRAM 的 ARM® Cortex®-M3 CPU。它能够直接从 12 V 汽车供电轨取电，并集成了 LIN 收发器以实现通信功能。IC 支持多种电机控制算法，涵盖利用 BEMF 检测的无传感器 6 步换相以及单分流 FOC 算法。该设备配备 7 个通用 IO 引脚、内部定时器和捕获比较寄存器，可与 Micronas 霍尔效应或 TDK TMR 传感器实现无缝对接。HVC 5481G 采用紧凑的 5×5 mm PQFN32 封装，并依据 AEC-Q100 标准的一级标准认证，为中功率 BLDC 应用提供了可靠且高效的解决方案。凭借其坚固耐用的设计和功能特性，HVC 5481G 成为汽车和工业应用领域的理想之选，可确保系统的高性能与高适应性。术语表ADC：模数转换器BLDC：无刷直流电机FOC：矢量控制CPU：中央处理器AEC-Q100：汽车应用场景合格标准一级：环境温度 125℃，工作结点温度 150℃HVC：高压微控制器LIN：面向汽车应用场景的本地互连网络QFN：四平无引脚封装主要应用*汽车应用中的鼓风机、泵和风扇基于 LIN 的座椅移动装置用于车门和尾门的高智能高功率执行器主要特点和效益**高度集成，低 BOM 成本
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2025/4/21 13:36:51
随着汽车结构向混动和电动车型过渡，传统电池系统越来越多地被48 V电源补充或取代。由于12 V和24 V电网系统已达到极限，这一转变有望成为未来电动汽车的新标准。48 V系统可提供功能，并通过降低电流和简化线束复杂性，从而提高效率。而且一级和二级配电系统中的传统继电器和保险丝已无法满足电气化需求，因此需要更换。为推动这一电气化进程，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出Power PROFET™ + 24/48V开关系列，该系列专为满足现代汽车功率系统的要求而开发。Power PROFET™ + 24/48V 开关系列采用紧凑型TO无引线封装，并且包含两个高边开关型号BTH50030-1LUA（RDS(ON) 为 3.0 mΩ）和 BTH50015-1LUA （RDS(ON) 为 1.5 mΩ），可在大电流应用中大幅降低功率损耗。该系列产品非常适合满足当今汽车电气系统、商用车和混合动力汽车，以及下一代电动汽车的严格要求，创造更加安全、环保和舒适的驾驶体验。Power PROFET™ + 24/48V开关系列的主要优点在于高效率和节省空间，不但高度集成化，还拥有可复位和诊断功能。该系列专为在严苛环境中实现更佳的性能设计，导通电阻仅1.5 mΩ，非常适合大电流应用，而且稳健耐用，可承受高温客舱和发动机舱环境。其可开关次数超过100万次，远超传统继电器的平均 20万次，具有极高的可靠性。产品内置保护和诊断功能，如短路、过流和过热保护，确保设备安全。诊断信号可进行高级故障检测，并通过防止供电网络中的故障模式提高整车的可靠性。开关采用8引脚TO无引线封装，与热性能相近的D2PAK封装相比，占用空间减少23%。校准后的负载电流检测精度为 ±5%，可通过读取IS引脚上的模拟电压轻松确定。此外，该系列开关还达到PRO-SIL™ ISO 26262开关标准，并...
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2025/4/21 13:35:22
全球半导体行业风向标台积电（TSMC）最新财报引发市场震动：2024年一季度营收达255.26亿美元（约8392.54亿新台币），同比激增35.3%，创下历史同期最高纪录。这一表现远超市场预期，但较2023年四季度268.84亿美元的峰值环比微降5.1%，显示出半导体行业周期性调整的持续影响。AI狂潮推动业绩狂飙在全球AI算力军备竞赛白热化的背景下，台积电凭借3nm/5nm制程的绝对优势，持续收割高端芯片订单。据产业链消息，英伟达H100、AMD MI300系列AI加速器，以及苹果A18、高通骁龙8 Gen4等旗舰移动芯片的订单，成为拉动营收增长的核心动力。尤其值得关注的是，台积电在财报电话会议中透露，AI相关芯片营收占比已突破10%，且未来三年年均增速预计将达50%。消费电子拖累环比表现尽管同比数据亮眼，但环比5.1%的降幅暴露出行业隐忧。智能手机、PC等消费电子终端需求持续疲软，导致7nm/6nm等成熟制程产能利用率下滑至75%-80%。不过，随着联发科天玑9400、高通骁龙8 Gen4等新一代5G旗舰芯片进入量产阶段，业界预计二季度相关产能将回升至85%以上。技术军备赛持续升级在技术布局方面，台积电3nm制程（N3E）良率已突破80%，月产能突破10万片，为即将发布的iPhone 16系列和M4芯片提供保障。更值得关注的是，2nm制程（N2）研发取得突破性进展，计划2025年下半年量产，目前已获得苹果、英伟达等头部客户的预付款锁定产能。全球半导体格局生变对比主要竞争对手，三星电子半导体部门一季度运营利润虽同比扭亏为盈，但晶圆代工业务营收仅为台积电的1/3；英特尔代工业务（IFS）尽管获得美国《芯片法案》巨额补贴，但18A制程客户拓展仍显缓慢。行业分析师指出，台积电在制程领域已形成3-5年的技术代差，其资本开支规模（2024年预计320-360亿美元）相当于三星与英特尔...
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2025/4/21 13:33:26
美国当地时间4月14日，全球半导体大厂安森美（ON Semiconductor）正式宣布终止对芯片企业Allegro MicroSystems的收购计划，并撤回此前提出的每股35.1美元、总价约69亿美元的现金收购要约。此次交易终止或对汽车芯片与工业电源市场格局产生深远影响。官方声明核心要点交易终止原因：安森美在公告中强调，尽管两家公司业务高度互补，但Allegro董事会未就收购条款展开实质性协商，导致“无可行路径完成交易”。资本策略调整：安森美CEO Hassane El-Khoury表示，公司将坚持严谨的资本分配原则，优先投资于内生增长与股东价值最大化。对Allegro评价：声明中仍肯定Allegro的技术能力与团队价值，称其“尊重对方领导层与员工基础”。市场反应与行业分析股价波动：截至发稿，Allegro盘后股价下跌X%（需补充实时数据），安森美股价微幅震荡。行业影响：分析师指出，Allegro在汽车磁传感器领域的市场份额（约34%）与安森美的功率芯片业务原可形成协同效应，此次收购失败或延缓汽车芯片市场集中化进程。替代可能性：部分机构猜测，安森美可能转向其他并购标的，或加大在SiC（碳化硅）等关键技术领域的自主投入。未来动向预测业界将持续关注：Allegro是否启动独立扩产计划以应对竞争压力；安森美在汽车电气化领域的下一步战略布局；其他半导体巨头会否介入竞购Allegro。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/4/21 13:26:56
TS7225FK是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7225FK在10MHz至6GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的射频开关。TS7225FK采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.35dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：10MHz至6GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●小细胞●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/18 17:03:17
TS86436P是第二代对称反射单极双掷（SP4T）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86436P覆盖30MHz至1300MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86436P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。TS86436P采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.09dB@30 MHz•高隔离度：30 MHz时为70 dB，1 GHz时为36 dB•200W连续波功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30 MHz至1320 MHz应用私人移动和军用无线电公共安全手机蜂窝基础设施LTE中继和微蜂窝卫星终端
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2025/4/18 17:02:08
TS86236P是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86236P覆盖30MHz至1000MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86236P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。TS86236P封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装中。特性•低插入损耗：0.08dB@30 MHz•高隔离度：30 MHz时为70 dB，1 GHz时为38 dB•200W连续波功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30 MHz至1400 MHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 14:14:59
TS86246P是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86246P覆盖1MHz至600MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86246P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。TS86246P封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装中。特性•低插入损耗：0.08dB@1 MHz•高隔离度：1 MHz时为58 dB，30 MHz时为49 dB•200W连续波功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：1 MHz至1000 MHz应用•私人移动和战术高频无线电•公共安全高频手机•火腿收音机•MRI机器•机械继电器更换•高频天线调谐
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2025/4/17 13:57:08
TS8043N是第二代对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8043N可以覆盖30M至1.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8043N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。TS8043N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.37dB@1GHz•高隔离度：400MHz时为45dB，1GHz时为36dB•100W CW，200W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至1.0GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•Small cells•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:54:00