ZBT-V543-FT+这款宽带偏置T型器非常适合用于偏置放大器、激光二极管、有源天线等应用。MiniCircuits的ZBT-V543-FT+是一款超宽带同轴偏置T型器，覆盖10 MHz至54 GHz的频率范围，在整个频率范围内具有低插入损耗、出色的回波损耗以及高直流至射频隔离度。该型号能够处理高达+30 dBm（1W）的射频输入功率和高达250mA的直流输入电流。主要特点宽带毫米波，10 MHz至54 GHz低插入损耗，典型值为1.8 dB。对于整个乐队出色的回波损耗，典型值为15dB。出色的隔离，30dB应用宽带通信测试测量5G射频和毫米波航空航天与国防
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2026/5/26 14:17:47
Mini-Circuits的ZC3PD-E18673+是一款宽带三向0˚功率分配器/合成器。其覆盖范围从18 GHz到67 GHz（Ka波段和V波段），支持包括5G、国防、仪器仪表等在内的广泛应用。该型号作为分频器可提供12W的功率处理能力，在整个工作频率范围内具有极低的插入损耗，从而最大限度地减少了功率损耗，并实现了从输入到输出的卓越信号功率传输。ZC3PD-E18673+封装在一个尺寸为1.5 x 1.7 x 0.5英寸的机箱中，配有1.85毫米的母头连接器。主要特点宽带，18至67 GHz低插入损耗，典型值1.8dB。12W功率处理高隔离，典型36dB。低振幅不平衡，典型值0.4dB
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2026/5/26 14:14:21
金升阳SF系列接触器控制模块针对传统产品存在的关断响应慢、稳定性不足及寿命有限等问题，采用自主研发的专用IC芯片，实现20ms的快速关断。这款模块支持170-550VAC/DC的宽电压输入范围，兼容主流接触器型号，并支持单线圈无短路环设计。产品设计符合GB/T 14048.4-2020、GB/T 14808-2016等国家标准，确保产品性能稳定可靠。其适用于需要快速关断和高可靠性的工业自动化场景，如大型水泵、电磁启动器及大功率电加热控制柜等负载设备。产品特点：响应迅速，节能性能表现内置自主研发IC，可实现约20ms的快速关断，提升灭弧效率，延长电气元件寿命；智能控制降低吸持电流，达到节能效果；内置EMC及浪涌保护，提高系统安全性。降低成本，兼容性强支持单线圈无短路环设计，有助于降低物料成本；兼容“铜包铝”方案，便于成本调整；宽压输入覆盖170-550VAC及DC，适应多种电网环境；即插即用，适配多种市场主流接触器型号。运行稳定，适应环境广泛低噪音设计，噪声控制在25dB以下，适合对环境噪音有要求的场合；支持每小时1200次的空载开关，满足高频操作需求；适用温度范围为-40℃至+70℃，具备一定耐候性能。主要功能与应用：宽电压输入，满足出口市场多样需求；支持无短路环单线圈及铜包铝线圈设计；快速关断延长接触器寿命；噪声低，适合办公及医疗等环境；抗晃电功能，提升吸合稳定性；规格覆盖115-630A的主流F系列壳架；适应严苛环境与高频操作；可根据客户需求定制应用方案。典型应用场景：电网波动环境模块通过宽电压输入和抗晃电设计，在电压波动情况下仍能保持设备稳定运行，适用于煤矿行吊、配电回路等关键设备，减少设备停机风险。噪声敏感环境通过电子控制线圈方式降低运行噪声，适合楼宇自动化、智能配电室等场所，缓解办公、医疗、住宅区域的噪声影响。高频操作需求模块实现快速关断与高效灭弧，有助于延长接触...
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2026/5/26 10:22:06
Mini-Circuits的ZN4PD-02183-S+是一款4路0˚超宽带分路器/合路器，支持2至18 GHz的广泛应用。该型号能够作为分路器处理高达30W的RF输入功率，在其整个频率范围内具有低插入损耗，提供从输入到输出的出色信号功率传输。它提供几乎相等的输出信号，具有低幅度不平衡和低相位不平衡，以及出色的隔离，最大限度地减少了信道之间的干扰。ZN4PD-02183-S+采用坚固、紧凑的铝合金外壳，尺寸为2.5 x 4.0 x 0.38英寸，带SMA母头连接器。特性•宽带，2000至18000 MHz•低插入损耗，典型值为1.0 dB。•低振幅不平衡，典型值为0.3 dB。•低相位不平衡，典型值为3.5度。•高隔离，典型值为20 dB。•从总和端口到所有输出端口的直流通路应用程序•电子战、电子对抗•测试设备•测试实验室•ISM
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2026/5/25 11:26:26
Mini-Circuits的ZN4PD-5R183-S+是一款超宽带4路0˚分路器/合路器，覆盖范围为0.5至18 GHz，支持广泛的应用，包括L波段、S波段、C波段、X波段、KU波段等。该型号作为分路器提供20W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZN4PD-5R183-S+装在一个6.25 x 2.98 x 0.5英寸的带SMA连接器的机箱中。具备的特征：超宽带，0.5至18 GHz高隔离，典型值24 dB。20W功率处理低振幅不平衡，典型值0.23 dB应用固定卫星空间研究移动
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2026/5/25 11:21:00
Mini-Circuits的ZN12PD-63-S+是一种连接器化的宽带12路0˚分路器/合路器，支持600至6000 MHz的各种应用。该型号能够作为分路器处理高达20W的RF输入功率，并提供低插入损耗和良好的隔离。它采用铝合金外壳（8.5 x 9.5 x 0.50英寸），带有SMA连接器，在拥挤的系统布局中节省了空间。该模型在单个单元中覆盖了所有蜂窝频段，包括LTE到WiFi。具备的特征：宽带，600至6000 MHz：ZN12PD-63-S+支持各种应用的带宽要求。分路器的功率处理高达20W（合路器为1.5W）：支持各种电源要求。低插入损耗，1.4–3.0 dB:提供良好的信号功率传输，使该型号成为要求低损耗的信号分配应用的绝佳候选者。直流电流可达1.2A（每个端口100mA）:支持需要通过射频线路提供直流电源的应用。高隔离，19dB:最大限度地减少输入端口之间的干扰。表壳设计，8.5 x 9.5 x 0.50英寸:在拥挤的系统布局中节省空间。应用：•所有蜂窝频段，包括LTE•WiFi•蓝牙•实验室•测试和测量
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2026/5/25 11:07:28
Mini-Circuits的ZC2PD-5R263-S+是一款超宽带2路0˚分路器/合路器，覆盖2至26.5GHz，支持5G、Ku波段、K波段、仪器仪表等多种应用。该型号作为分路器提供20W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZC2PD-5R263-S+装在一个尺寸为5.88 x 1.04 x 0.5英寸的外壳中，带有超级SMA连接器。特性•超宽带，500-26500 MHz•插入损耗低，典型值为1.2 dB。•低振幅不平衡，典型值为0.05 dB。•出色的VSWR，典型值为1.12:1。•高隔离，典型值35 dB。应用程序•固定卫星•无线电定位•移动
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2026/5/25 11:02:05
Mini-Circuits的ZN4PD-02183+是一款8路0˚超宽带分路器/合路器，支持2至18 GHz的广泛应用。该型号能够作为分路器处理高达20W的RF输入功率，在其整个频率范围内具有低插入损耗，提供从输入到输出的出色信号功率传输。它提供几乎相等的输出信号，具有低幅度不平衡和低相位不平衡，以及出色的隔离，最大限度地减少了信道之间的干扰。ZN8PD-02183-S+采用坚固、紧凑的铝合金外壳，尺寸为4.46 x 5.75 x 0.38英寸，带SMA母接头。特性•宽带，2000至18000 MHz•插入损耗低，典型值为1.4 dB。•低振幅不平衡，典型值为0.3 dB。•低相位不平衡，典型值为5.0度。•高隔离，典型值为20 dB。•从总和端口到所有输出端口的直流通路应用程序•电子战、电子对抗•测试设备•测试实验室•ISM
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2026/5/25 10:57:33
Mini-Circuits的ZC2PD-K1844+是一款超宽带2路0˚分路器/合路器，覆盖范围为18至40 GHz，支持5G、K波段、Ka波段、仪器仪表等广泛应用。ZC2PD-K1844+作为分路器提供20W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZC2PD-K1844+装在尺寸为0.85 x 1.06 x 0.5英寸的机箱中。主要特点•超宽带，18至40 GHz•插入损耗低，典型值为0.8 dB。•高隔离，典型值28 dB。•20W功率处理•低振幅不平衡，典型值为0.05 dB特性•超宽带，18000-40000 MHz•插入损耗低，典型值为0.8 dB。•低振幅不平衡，典型值为0.05 dB。•出色的驻波比，典型值为1.15:1。•高隔离，典型值28 dB。应用程序•5G•固定卫星•空间研究•移动
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2026/5/25 10:54:57
Mini-Circuits的ZC2PD-V2654+是一款超宽带2路0˚分路器/合路器，提供26至50 GHz的覆盖范围，支持包括5G、V波段、仪器仪表等在内的广泛应用。该型号作为分路器提供16W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZC2PD-V2654+装在尺寸为1.06 x 0.85 x 0.5英寸的机箱中。特性•超宽带，26000-50000 MHz•插入损耗低，典型值为1.0 dB。•低振幅不平衡，典型值0.06 dB。•出色的驻波比，典型值为1.18:1。•高隔离，典型值为26 dB。应用程序•5G•固定卫星•空间研究•移动
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2026/5/25 10:49:46
Mini-Circuits的ZC2PD-K0644+是一款超宽带2路0˚分路器/合路器，提供6至40 GHz的覆盖范围，支持包括5G、Ku波段、K波段、仪器仪表等在内的广泛应用。 该型号作为分路器提供20W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZC2PD-K0644+装在尺寸为1.15 x 1.06 x 0.5英寸的机箱中。特性•超宽带，6000-40000 MHz•低插入损耗，典型值为0.7 dB。•低振幅不平衡，典型值为0.03 dB。•出色的VSWR，典型值为1.12:1。•高隔离，典型值29 dB。应用程序•5G•固定卫星•空间研究•移动
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2026/5/25 10:24:21
Mini-Circuits的ZC4PD-K1844+是一款超宽带4路0˚分路器/合路器，覆盖范围为18至40 GHz，支持包括5G、K波段和Ka波段仪器在内的广泛应用。该型号作为分路器提供20W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZC4PD-K184+装在尺寸为1.0 x 2.04 x 0.5英寸的机箱中。具备的特征•超宽带，18000至40000 MHz•插入损耗低，典型值为1.2 dB。•低振幅不平衡，典型值0.12 dB。•出色的驻波比，典型值为1.15:1。•高隔离，典型值27dB。应用程序•5G•固定卫星•空间研究•移动
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2026/5/25 9:55:36
Mini-Circuits的ZC8PD-06263-S+是一款超宽带8路0˚分路器/合路器，提供6至26.5 GHz的覆盖范围，支持包括5G、Ku波段、K波段、仪器仪表等在内的广泛应用。该型号作为分路器提供20W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZC8PD-06263-S+装在1.93 x 4.09 x 0.5英寸的外壳中，带有超级SMA连接器。特性•超宽带，6000-26500 MHz•插入损耗低，典型值为1.2 dB。•低振幅不平衡，典型值为0.11 dB。•出色的驻波比，典型值为1.16:1。•高隔离，典型值28 dB。应用程序•固定卫星•5G•移动•空间研究
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2026/5/25 9:50:45
Mini-Circuits的ZC8PD-18263-S+是一款宽带8路0˚分路器/合路器，覆盖范围为18至26.5 GHz，支持包括5G、K波段、仪器仪表等在内的广泛应用。该型号作为分路器提供20W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZC8PD-18263-S+装在一个尺寸为1.18 x 4.08 x 0.5英寸的外壳中，带有超级SMA连接器。特性•超宽带，18000-26500 MHz•插入损耗低，典型值为1.7 dB。•低振幅不平衡，典型值0.19 dB。•出色的驻波比，典型值为1.29:1。•高隔离，典型值为26 dB。应用程序•固定卫星•5G•移动•空间研究
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2026/5/25 9:35:09
Mini-Circuits的ZC4PD-01263-S+是一款超宽带4路0˚分路器/合路器，覆盖范围为1至26.5 GHz，支持包括5G、Ku波段、K波段、仪器仪表等在内的广泛应用。该型号作为分路器提供20W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZC4PD-01263-S+装在一个4.25 x 2.03 x 0.5英寸的外壳中，带有超级SMA连接器。特性•超宽带，1000-26500 MHz•插入损耗低，典型值为1.6 dB。•低振幅不平衡，典型值0.06 dB。•出色的驻波比，典型值为1.15:1。•高隔离，典型值33 dB。应用程序•固定卫星•5G•移动•空间研究
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2026/5/25 9:32:19
Mini-Circuits的ZC2PD-K0144+是一款超宽带2路0˚分路器/合路器，提供1至40 GHz的覆盖范围，支持包括5G、Ku波段、K波段、仪器仪表等在内的广泛应用。该型号作为分路器提供20W的功率处理，在整个工作频率范围内具有非常低的插入损耗，最大限度地减少了功耗，并实现了从输入到输出的出色信号功率传输。ZC2PD-K0144+装在3.75 x 1.02 x 0.5英寸的机箱中。特性•超宽带，1000-40000 MHz•插入损耗低，典型值为0.9 dB。•低振幅不平衡，典型值为0.05 dB。•出色的驻波比，典型值为1.06:1。•高隔离，典型值为36 dB。应用程序•5G•固定卫星•空间研究•移动
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2026/5/25 9:28:35
ROHM宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU（电容单元）的作用变得越来越重要。此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温（Tj）达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/25 9:14:42
IPP-5032 是一款单端阻抗变压器，工作频率范围为 1000 至 3000 MHz（1 至 3 GHz），变换比为 2：1，平均功率额定为 100 瓦。IPP-5032将阻抗从J1的50欧姆转换为J2的25欧姆。插入损耗小于0.45 dB。它的主线VSWR低于1.35：1。IPP-5032主要用于连接不同阻抗的输电线路。为天线驱动器、业余无线电、商业和军用应用提供单端阻抗变压器，为空间有限、阻抗匹配难度设计提供了小型、可选择放置的解决方案。规格参数信息如下：频率（MHz）:1000-3000动力:100VSWR Max:1.35:1插入损耗:0.45阻抗 J1，J2:J1：50，J2：25包装尺寸:0.50 x 0.55出口分类:EAR99包装风格:SMD
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2026/5/22 9:47:31