AD7694是一款16位、250 kSPS、电荷再分配、逐次逼近型模数转换器(ADC),采用2.7 V至5.25 V单电源(VDD )供电。该器件内置一个极低功耗、高速、16位无失码采样ADC(B级)、一个内部转换时钟和一个SPI兼容串行接口端口,还集成了一个低噪声、宽带宽、极短孔径延迟的采样保持电路。在CNV上升沿,AD7694对IN+与IN-之间的模拟输入电压差进行采样,范围从0V至REF。基准电压(REF)由外部提供,最高可设置为电源电压。特征• 16位分辨率• 吞吐量:250 kSPS• 积分非线性(INL):最大值±4 LSB• 功耗:800 µA @ 5V/100 kSPS540 µA @ 2.7V/100 kSPS• 伪差分模拟输入范围: 0 V ~ VREF (VREF最高为VDD)应用• 电池供电设备• 医疗仪器• 移动通信• 个人数字助理• 数据采集• 仪器仪表• 过程控制
浏览次数:
9
2025/9/8 14:46:51
LTC®5587 是一款 10MHz 至 6GHz、低功率、单片式、精准 RMS 功率检波器,具有一个集成 12 位串行模数转换器 (ADC)。RMS 检波器采用一种专有技术来准确地测量具有高达 12dB 波峰因数的调制信号的 RF 功率。对于一个 2.14GHz 的输入频率,检测范围为 -34dBm 至 6dBm。检波器的串行数字输出是一个与 RF 信号功率 (单位:dBm) 成正比的 12 位字值。LTC5587 适合于多种 RF 标准的精准功率测量,包括 LTE、WiMAX、W-CDMA、TD-SCDMA、CDMA、CDMA2000、EDGE、GSM 等。检波器的 DC 输出与一个片内 300Ω 电阻器相串联,并连接至模拟输出引脚 (VOUT)。这使得能够在模数转换之前采用一个片外电容器对输出调制纹波实施进一步的滤波处理。ADC 的特点包括:无数据延迟、无漏失码和一个高达 500ksps 的采样速率。一个专用的外部基准引脚 (VREF) 可连接至 VDD 或其他合适的低阻抗电压基准,以设定 ADC 全标度输入电压范围。另外,ADC 还具有一种在每次转换之后的自动断电功能,从而使 LTC5587 非常适合于低功率应用。特征• 频率范围:10MHz 至 6GHz• 高波峰因数 (高达 12dB) 波形的准确功率测量• 40dB 对数线性动态范围• 在整个温度范围内提供了出色的准确度• 单端 RF 输入• 0.014dB/位 (12 位) ADC 分辨率 (VREF = 1.8V)• ADC 采样速率高达 500ksps• SPI/MICROWIRE 串行 I/O• 与 1V 至 3.6V 数字逻辑相兼容• 快速响应时间:1μs 上升时间,8μs 下降时间• 低功率:3mA (在 3.3V 和 500ksps)• 小外形 3mm x 3mm 12 引脚 DFN 封...
浏览次数:
9
2025/9/8 14:41:34
金升阳推出新一代非隔离PSiP电源KAP12T系列,包含1A与2A输出电流版本,输入电压覆盖4.5-17VDC,输出电压0.6-5.5VDC可调。该系列采用DFN塑封工艺,封装尺寸仅3.0×2.8×1.6mm,实现满载效率及85℃高温不降额运行,为空间受限的工业自动化、消费电子提供高性价比国产化供电解决方案。核心作用●解决电子设备小型化与供电性能的矛盾:●空间释放:占板面积较K78系列下降110%●热管理简化:85℃环境无需散热片(传统方案需70℃降额)●供应链安全:国产化替代规避国际交期风险产品关键竞争力●效率领先:92%满载效率(行业普遍85%-90%)●温度适应性:-40℃~85℃工作范围(500次温度循环验证)●集成度:DFN封装集成IC/MOS/电容/电阻●成本优势:较进口同规格产品价格低30%实际应用场景●工业传感器:4-20mA变送器供电(12V输入直接转换)●便携医疗设备:血糖仪/心电图机主板(1.6mm厚度适配超薄设计)●消费电子: ●手持云台控制板(4.5-17V宽压兼容锂电池波动) ●VR眼镜核心供电(92%效率延长续航)●电网监测设备:DTU/FTU模块(-40℃极端温度可靠启动)KAP12T系列通过毫米级封装与92%高效能的融合,重新定义国产PSi电源的性能标杆。其85℃无散热片运行能力直击便携设备热管理痛点,而100%国产化方案为高端制造提供“成本-交期-安全”三重保障,助力中国智造在方寸之间驭电无忧。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
浏览次数:
10
2025/9/8 14:34:46
Bourns宣布扩展其Multifuse® MF-MSMF系列PPTC可恢复保险丝产品线,新增32款型号,将总选项提升至55款。新系列支持最高60VDC耐压及100mA至2.6A保持电流范围,采用1812紧凑封装,通过freeXpansion™技术实现更高功率密度与稳定性,为USB/HDMI接口、数据中心设备及便携电子产品提供高可靠性过流保护。核心作用●解决高密度PCB设计中过流保护空间与性能的平衡问题:●1812封装节省50%布局空间(相比2920封装)●60VDC耐压覆盖48V通信电源及工业系统需求●自恢复特性降低维护成本(可重复动作1000+次)产品关键竞争力●宽范围参数:保持电流0.1A-2.6A/耐压6-60VDC(全系列)●可靠性保障:通过1000小时老化+热冲击测试●环保合规:无卤设计(溴/氯含量<900ppm)●认证完备:UL/CSA/TÜV+IEC 62319-1/60738-1/60730-1实际应用场景●USB-C/HDMI 2.1接口:防止热插拔浪涌损坏端口(2.6A大电流支持)●48V数据中心电源:机架服务器背板过流保护(60VDC耐压匹配)●车载娱乐系统:AEC-Q200认证保障-40℃~85℃运行●无人机电池管理:PPTC自恢复避免炸机后维修更换Bourns通过freeXpansion™技术与ENIG镀层工艺,将PPTC保险丝的功率密度与可靠性推升至新高度。新增32款型号彻底覆盖从微功耗IoT设备到工业电源的过流保护场景,其1812封装与60VDC耐压组合尤为契合高端消费电子与数据中心需求。随着全球电气安全标准趋严,此系列有望成为高密度设计的主流保护方案。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
浏览次数:
6
2025/9/8 14:24:20
Bourns推出PF2270系列厚膜电阻,采用紧凑型TO-227封装,在搭配散热片时可实现高达300W的功率耗散,工作温度范围最高达+175°C。该系列提供100mΩ至100kΩ的宽广电阻值选择(容差±1%或±5%),凭借低电感设计及优异脉冲处理能力,成为工业电机驱动、电源转换及电池储能系统等高功率密度应用的理想解决方案。一、技术难点及应对方案技术难点 应对方案高功率应用散热效率低 TO-227封装+散热片支持300W功率耗散高温环境稳定性差 耐热设计支持175°C工作温度脉冲冲击导致器件失效 厚膜技术提供优异脉冲处理性能电磁干扰影响系统性能 低电感设计(仅14nH)减少干扰二、核心作用PF2270系列通过高功率耗散能力和高温稳定性,解决高密度电子系统中的热管理难题,同时其低电感特性确保在频繁脉冲负载(如电容放电)下的可靠性,显著提升工业设备及能源系统的运行效率与寿命。三、产品关键竞争力●功率密度:300W耗散能力●温度范围:-55°C至+175°C(适应严苛工业环境)●阻抗灵活性:100mΩ–100kΩ(覆盖广泛应用需求)●精度选项:±1%与±5%容差(支持高精度测量)●可靠性:符合RoHS标准,通过AEC-Q100车规认证四、同类竞品对比分析参数 Bourns PF2270 Vishay RCH系列 TE CW系列 Ohmite MCH系列最大功率 300W 250W 200W 275W封装类型 TO-227 TO-220 TO-247 TO-227电阻范围 100mΩ–100kΩ 1Ω–50kΩ 500mΩ–10kΩ 500mΩ–20kΩ工作温度 -55°C至+175°C -55°C至+155°C -55°C至+150°C -55...
浏览次数:
10
2025/9/8 14:14:04
随着游戏对硬件性能要求的不断攀升,内存配置成为了玩家们关注的焦点。最新的Steam硬件调查结果犹如一颗重磅炸弹,揭示了32GB内存正以惊人的速度崛起,即将改写Steam玩家内存配置的格局。一、32GB内存:普及率飙升,直逼“霸主”16GB长期以来,16GB内存被视为游戏玩家系统RAM的“黄金标准”,能满足大多数游戏的需求。然而,时代在飞速发展,如今的游戏画面愈发精美、场景愈发宏大,对内存的要求也水涨船高。现在,任何想要组装新装备来畅玩大牌PC游戏的玩家,都会毫不犹豫地选择配备32GB甚至更多内存。从Steam的调查数据来看,32GB内存的普及率正大幅提升。截至8月份的调查,已经有37%的Steam用户使用32GB内存,较上月增长了1.3%。而曾经占据主导地位的16GB内存,使用用户比例为42%,两者之间的差距已经缩小到了仅5%。按照目前这个增长速度,如果未来几个月32GB内存的普及率继续保持类似的飞跃态势,那么大概在五六个月后,也就是2026年3月左右,32GB内存将超越16GB,成为Steam游戏玩家最受欢迎的内存配置。甚至有预测称,明年上半年,32GB内存肯定会占据Valve游戏平台内存的“王冠”宝座。二、GPU市场:英伟达Blackwell崛起,AMD RDNA 4“难产”在GPU市场,同样呈现出冰火两重天的景象。英伟达的Blackwell产品,尤其是RTX 5070和RTX 5060,正获得稳步增长的采用率,成为了玩家们升级显卡的热门选择。这些显卡凭借其强大的性能和出色的能效比,为玩家带来了更加流畅、逼真的游戏体验。然而,与之形成鲜明对比的是,竞争对手AMD的RDNA 4显卡却仍然不见踪影。而且,AMD在定价方面也陷入了困境。其RX 9000型号的价格,在某些情况下甚至远高于厂商建议零售价,这使得许多玩家望而却步,也在一定程度上影响了AMD在GPU市场的竞争力。20...
浏览次数:
3
2025/9/8 14:11:33
在2025年的存储芯片市场,一场因技术迭代与市场需求变化引发的产业动态正持续上演。DDR4与DDR5的代际更替,本应是顺理成章的产业升级进程,却因HBM(高带宽内存)的崛起以及市场供需关系的微妙变化,出现了意想不到的转折。近日,三星电子和SK海力士两大存储原厂宣布延长DDR4生产,这一决策犹如一颗石子投入平静湖面,在行业内激起层层涟漪。一、原厂决策调整:延长DDR4生产周期三星电子原本计划在今年停止DDR4的生产,但鉴于当前DDR4价格持续高于DDR5的市场态势,决定将生产延长至明年。无独有偶,SK海力士近期也制定了同样的策略,并将这一信息传达给了客户。不仅如此,SK海力士还决定在无锡工厂增加DDR4的产量,进一步加大对DDR4市场的投入。回顾今年上半年,三星电子、SK海力士和美光等存储巨头都曾告知客户计划停产DDR4。然而,市场形势的变化让他们的决策来了个“急转弯”。服务器厂商透露,两家公司相继宣布停产DDR4后,市场供应预期改变,导致DDR4价格暂时飙升,随后他们又撤回了停产决定。二、HBM崛起:改变DRAM市场格局HBM的出现成为了改变市场氛围的关键因素。由于三大原厂都全力争取HBM订单,DRAM的临时供应量有所下降。据了解,HBM使用的晶圆数量是DRAM的三倍,大量生产计划被分配给了HBM,这使得DRAM的供应量相对减少。随着DDR4供应量急剧下降,其价格高于DDR5的逆转态势得以持续,最终促使这些公司决定维持DDR4生产,以提升盈利能力。从DRAM的市场情况来看,它反映出了折旧效应。相较于新产品,老旧的DRAM产品在折旧完成后,更能为企业带来盈利。这也是原厂在市场变化中权衡利弊后,选择延长DDR4生产的一个重要原因。三、市场需求支撑:服务器领域DDR4仍吃香随着AI数据中心投资的快速增长,服务器市场对DDR4的需求依然旺盛。不仅GPU使用的DRAM(HBM)需求大...
浏览次数:
7
2025/9/8 14:08:58
SLG59H1019V是一款高性能的13米Ω NMOS负载开关设计用于控制4.5 V至25.2 V的电源轨,最高可达5 A。使用专有的MOSFET设计,SLG59H1019V实现了稳定的13 mΩ RDSON的输入电压范围很宽。结合新型FET设计和铜柱互连,SLG59H1019V封装还具有低热阻,适用于大电流操作。SLG59H1019V的设计工作温度范围为-40°C至85°C,采用低热阻、符合RoHS标准、1.6 mm x 3.0 mm STQFN封装。特征•低RDSON:13 mΩ•最大持续电流:5A;•工作电压范围:4.5 V≤VIN≤25.2 V•VIN(OVLO):已禁用•车辆识别号(UVLO):3.1 V,固定•电容器可调启动和浪涌电流控制•两级过电流保护:•电阻器可调有效电流限制为5A•固定0.5 A短路电流限制应用•电信设备•高性能计算•负载点配电•电机驱动器
浏览次数:
9
2025/9/5 14:54:28
74CBTLV3125提供了一个4位高速总线开关,具有单独的输出启用输入(1OE至4OE)。开关的低导通电阻允许以最小的传播延迟进行连接。当输出启用(nOE)输入为高时,开关被禁用(高阻抗OFF状态)。为确保通电或断电期间的高阻抗OFF状态,nOE应通过上拉电阻器连接到VCC。电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。控制输入端的施密特触发器动作使电路在2.3V至3.6V的整个VCC范围内能够容忍较慢的输入上升和下降时间。该设备完全适用于使用IOFF的部分断电应用。IOFF电路禁用输出,防止设备断电时通过设备的破坏性回流电流。特征•电源电压范围为2.3 V至3.6 V•标准“125”型引脚•高抗噪性•符合JEDEC标准:•JESD8-5(2.3V至2.7V)•JESD8-B/JESD36(2.7伏至3.6伏)•ESD保护:•HBM JESD22-A114F超过2000V•MM JESD22-A115-A超过200伏•CDM AEC-Q100-011 B版超过1000V• 5 Ω 切换两个端口之间的连接•数据I/O端口上的轨对轨切换•CMOS低功耗•根据JESD78B I级A级,闭锁性能超过250mA•IOFF电路提供部分断电模式操作•多种包装选项•规定范围为-40℃至+85℃和-40℃至+125℃
浏览次数:
12
2025/9/5 14:51:02
SLG59H1401C是一款高压GreenFET负载开关,专为OR或手动电源MUX应用而设计。该部件配有两个3A额定负载开关,非常适合具有多个电源的各种系统。该设备将自动检测、选择并在可用输入之间无缝转换。此外,允许在两个电源轨之间手动切换。特征•两个带公共输出的3A负载开关•两个集成VGS充油泵•工作范围广:2.8 V至6 V•可调输出软启动时间(SS)•低RDSON:52 mΩ(典型值)•可调优先级(精度•可调过电压保护(精度•通道状态指示(ST)•欠压锁定•真正的反向电流阻断•热关断和可调电流限制保护应用•电源轨切换•多功能打印机•大幅面复印机•电信设备•高性能计算5V负载点配电•电机驱动器
浏览次数:
7
2025/9/5 14:49:08
DG411系列单片CMOS模拟开关是流行的DG211和DG212系列器件的直接替代品。它们包括四个独立的单极掷(SPST)模拟开关,以及TTL和CMOS兼容的数字输入。这些开关具有较低的模拟导通电阻(ONP-P信号)。电源可以是+5V至44V的单端,也可以是±5V至±20V的分体式。这四个开关是双向的,对交流或双向信号同样匹配。在±15V的模拟输入范围内,模拟信号的导通电阻变化非常小。DG411和DG412中的开关是相同的,只是选择逻辑的极性不同。DG413中的两个开关(#2和#3)使用DG211和DG411的逻辑(即逻辑0打开开关),另外两个开关使用DG212和DG412的正逻辑。这允许独立控制SPDT配置的开启和关闭时间,允许在最小的外部逻辑下先断后合或先合后断操作。特征•导通电阻(最大)35Ω•低功耗(PD)开启(最大)175ns•tOFF(最大)145ns•低电荷注入•从DG211、DG212升级•TTL、CMOS兼容•单电源或分电源操作•无铅退火(符合RoHS标准)应用•音频切换•电池供电系统•数据采集•高可靠性系统•采样和保持电路•通信系统•自动测试设备
浏览次数:
6
2025/9/5 14:47:02
QS3861提供一组10个高速CMOS TTL兼容总线开关。QS3861的低导通电阻(5欧姆)允许在不增加传播延迟和不产生额外接地反弹噪声的情况下连接输入。总线启用(BE)信号打开开关。QS3861在-40℃至+85℃下工作。特征•增强型N沟道FET,Vcc无固有二极管•5Ω双向开关将输入连接到输出•零传播延迟,零地面反弹•所有开关和控制输入上的欠调钳位二极管•提供QSOP和TSSOP应用•热插拔、热对接•电压转换(5V至3.3V)•节能•电容减小和漂移•总线隔离•时钟门控
浏览次数:
5
2025/9/5 14:44:43
ULP-176+是采用SMT技术制造的顶帽封装(尺寸为0.25英寸x 0.25英寸)的低通滤波器。这些单元覆盖直流至176 MHz带宽,在通带内提供良好的匹配和高抑制。该型号使用微型高Q电容器和芯片电感器,以实现高可靠性。此外,它在不同生产批次中具有可重复的性能,在不同温度下具有一致的性能。特征•高拒绝率•插入损耗急剧下降•良好的VSWR,通带典型值为1.2:1•超微型表面贴装封装应用•无线通信•接收器/变压器•实验室使用
浏览次数:
8
2025/9/5 14:38:28
Mini-Circuits的LFCG-1325+是一款LTCC低通滤波器,通带从直流到1325 MHz,支持各种应用。该模型提供了1.0 dB的典型通带插入损耗,并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局,提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达5.5W的射频输入功率,并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状,带有环绕式端子,是密集PCB布局的理想选择,并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特征•低损耗,典型值为1dB•典型高抑制50 dB•出色的功率处理能力,5.5W•尺寸极小的0805(0.079英寸x 0.049英寸x 0.037英寸)•温度稳定•LTCC结构应用•军事无线电应用•警用移动电台
浏览次数:
9
2025/9/5 14:32:15
Mini-Circuits的CY2-44-D+是一款超宽带MMIC倍频器,可将7至20 GHz的输入频率转换为14至40 GHz的输出频率。其宽输出范围使该型号适用于宽带系统以及各种窄带应用。利用GaAs HBT技术,该乘法器具有出色的可重复性。特征•宽带,输出14至40 GHz•转换损耗低,典型值为13 dB。•高基波和谐波抑制,F1,典型值30 dBc。;F3,典型值为30dBc。应用•合成器•本地振荡器•5G
浏览次数:
8
2025/9/5 14:26:51
BFCN-1525+LTCC带通滤波器由12层构成,以实现微型尺寸和高性能重复性。环绕式端子可最大限度地减少寄生效应引起的性能变化。这些单元覆盖1525 MHz±45 MHz,具有低插入损耗和良好的抑制性能。特征•体积小•温度稳定•密封•LTCC结构应用•谐波抑制•发射器/接收器
浏览次数:
5
2025/9/5 14:21:11
面对数据中心对高效能供电方案的迫切需求,金升阳推出LMS系列CRPS标准服务器电源,功率覆盖350-2400W。该系列产品采用数字控制技术,在复杂运行条件下保持高效稳定,为数据中心、网络安全和边缘计算等应用场景提供高性价比、稳定可靠的本地化电源解决方案。产品已于近期全面投入市场。技术难点与应对方案现代数据中心供电系统面临多重挑战:●能效要求极高:数据中心电力成本占比高,需最大限度提升转换效率●可靠性至关重要:任何电源故障可能导致重大数据损失和服务中断●空间限制严格:标准机架空间有限,要求电源模块紧凑且高效●负载变化复杂:需应对从轻载到重载的快速变化,保持稳定输出LMS系列的创新解决方案:●智能效率优化:采用动态效率寻优算法,实现80PLUS铂金/铂金+能效等级,轻载效率提升4%●多重保护机制:集成过压/过流/短路/过温保护,满足EMS三/四级防护标准●散热设计:支持-5℃至+55℃宽温运行不降额,确保高温环境下稳定工作●冗余架构:支持N+M≤4智能冗余,单模块故障自动切换,保证系统持续供电核心作用●LMS系列CRPS电源在服务器系统中承担核心电能转换与分配职责:●将输入的交流或高压直流电转换为服务器所需的各种直流电压●通过智能管理系统实现多模块负载均衡,延长电源寿命30%●提供实时监控和故障预警,支持PMBus/I2C通讯协议,实现黑匣子数据追溯功能产品关键竞争力●能效:达到80PLUS铂金/铂金+标准,年省电费可达64万元以上●可靠性卓越:关键部件MTBF超50万小时,通过多项严苛环境测试●智能化管理:内置通讯协议,支持实时监控和故障预警●安全认证齐全:符合EN/IEC62368、GB4943标准,通过3C、CE认证●兼容性强:符合CRPS2.2 185mm标准尺寸,兼容主流服务器厂商设备金升阳LMS系列在功率范围、效率等级、冗余能力和工作温度范围等关键指标上均优于或等于...
浏览次数:
8
2025/9/5 13:54:36
ADP2118是一款电流模式DC-DC稳压器,采用固定频率峰值电流模式架构,集成了高端和低端同步MOSFET。4mm×4mm LFCSP封装具有低至16mΩ的导通电阻,可实现小型解决方案尺寸。集成的同步整流器(N沟道MOSFET)在中等至重负载下效率极高,在轻负载时也能保持高效率。ADP2118的输入电压范围为2.3V至5.5V,并可将输出电压调节至0.6V。ADP2118还提供1.2V、1.5V、1.8V和3.3V等固定输出电压选项。控制方案ADP2118采用固定频率峰值电流模式PWM控制架构,在中等至重负载时工作于PWM模式以保持高效率。轻负载时,器件可切换至PFM模式。在固定频率PWM模式下,通过调节功率开关的占空比来调节输出电压。在PFM模式下,轻负载时开关频率会被调节以调节输出电压。当负载电流大于PFM模式跳变阈值电流时,ADP2118工作于PWM模式。当负载电流减小到低于该阈值电流时,稳压器会平滑过渡到PFM模式工作。PWM模式工作在PWM模式下,ADP2118以通过FREQ引脚设置的固定频率工作。在每个振荡器周期开始时,P沟道MOSFET导通,向电感器施加输入电压,直到电感器电流达到由V控制的峰值电平。当P沟道MOSFET关断时,N沟道同步整流器导通,使电感器电流开始下降。电感器电流的下降会在同步整流器两端产生负电压。在周期的剩余时间内,直到电感器电流达到零,这会导致过零比较器也关断N沟道MOSFET。电感器电流被误差放大器检测,该误差放大器将V与0.6V内部基准进行比较。PFM模式工作当使能PFM模式时,当负载电流降至PFM脉冲跳跃阈值电流以下时,ADP2118会平滑过渡到可变频率PFM脉冲跳跃工作模式,仅在维持输出电压所需时进行开关。当输出电压降至调节阈值以下时,ADP2118会进入PWM模式几个振荡器周期,以增加输出电压回到调节值。斜坡补偿斜坡...
浏览次数:
5
2025/9/4 15:38:08