LTC®1733 是一独立的恒流/恒压线性充电器，内含功率 MOSFET，适用于锂离子电池。内部的热反馈可调整充电电流，以便在大功率工作或环境温度高的条件下限制硅片温度。该功能使用户可设定一个大充电电流，而不会有损害 LTC1733 或手持产品的危险。由于采用了内部 MOSFET 的结构，因此无需外部电流检测电阻和隔离二极管。充电电流和充电时间可在外部分别利用一个电阻和一个电容来设置。当输入电源 (交流适配器) 被拿掉时，LTC1733 自动进入一低电流睡眠模式，将电池漏电流降至 5µA 以下。LTC1733 还包括 NTC 温度检测、C/10 检测电路、AC 适配器接入的逻辑信号、4.1V/4.2V 引脚选择功能以及电池低压充电条件 (涓流充电)。LTC1733 采用 10 引脚热增强型 MSOP 封装。规格参数产品:Charge Management电池类型:Lithium-ion, Lithium Polymer输出电压:4.1 V, 4.2 V输出电流:1.5 A工作电源电压:6.5 V封装 / 箱体:MSOP-10安装风格:SMD/SMT系列:LTC1733封装:Reel封装:Cut Tape商标:Analog Devices开发套件:DC454A单位重量:26.671 mg特性• 适用单节锂离子电池的完整线性充电器• 热调整功能使充电速率最大化并且无过热风险*• 无需外部 MOSFET、检测电阻或隔离二极管• 最高 1.5A 充电电流• 1% 精度的预设充电电压• 7% 精度的可编程充电电流• 可编程充电终止定时器• 小巧的热增强型 10 引脚 MSOP 封装• 充电电流监视器有助于电池电量检测*• C/10 充电电流检测输出• 自动再充电• 热敏电阻输入以实现适宜温度充电• AC 适配器接入的逻辑输出• 4.1V/4.2V 引脚可选输出电压...
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2025/3/7 13:45:37
LTC4013 是一款高电压电池充电器控制器，其支持浮动、吸收和均衡铅酸电池以及恒定电流 / 恒定电压锂离子电池充电算法。该器件特别适合为多种铅酸电池充电，包括开口型和密封型。另外，LTC4013 还支持锂离子 / 锂聚合物、磷酸铁锂 (LiFePO4)、镍氢 (NiMH)、镍隔 (NiCd) 和其他电池类型。充电利用一个采用外部 N 沟道 MOSFET 的高效率同步降压型转换器来完成。开关频率用一个电阻器进行设置，或与一个外部时钟实现同步以在多相应用中使用。充电电流利用一个外部检测电阻器设定。该器件拥有用于太阳能电池板等有限功率输入的最大功率点跟踪输入电压调节功能。其他特点包括用户可编程吸收和均衡时间、温度调整型调节电压和一个外部 NFET 隔离二极管。规格参数输出电压:0 V to 60 V输出电流:5 A工作电源电压:4.5 V to 60 V封装 / 箱体:QFN-28安装风格:SMD/SMT系列:LTC4013封装:Tube商标:Analog Devices开发套件:DC2374A最大工作温度:+ 125 C最小工作温度:- 40 C单位重量:50.827 mg特性• 宽输入电压范围：4.5V 至 60V• 宽电池电压范围：0V 至 60V• 内置针对铅酸电池和锂离子电池的充电算法• ±0.5% 浮动电压准确度• ±5% 充电电流准确度应用• 用于照明、UPS 系统、安保摄像机、计算机控制面板的电池后备• 便携式医疗设备• 太阳能供电型系统• 工业电池充电引脚图
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2025/3/7 13:40:10
ADAR5001是一款亚德诺功率分配器，专为空间受限的微波信号分配应用而设计。过量插入损耗范围为-1.0 dB（从10 GHz到18 GHz）和-1.1 dB（从18 GHz到27 GHz）。这两个输出在相位和幅度上都匹配，使ADAR5001成为需要低通道间时间偏差的信号分配应用的理想选择。ADAR5001也可用作组合器，将P1和P2端口的输入信号组合到S1端口的输出。ADAR5001安装在紧凑的1.460 mm×1.460mm×0.500 mm WLCSP中，这使其非常适合用于需要元件之间紧密间距的平面相控阵天线系统。ADAR5001采用无源硅工艺制造，其工作温度为-40°C至+85°C。特性双向射频分路器组合器频率范围：10 GHz至40 GHz插入损耗（超过3dB）：−10 GHz至18 GHz范围内为1 dB−从18 GHz到27 GHz为1.1 dB回波损耗（端口S1）：−从10 GHz到18 GHz为15 dB−从18 GHz到27 GHz为12 dB隔离：−10 GHz至18 GHz时为20 dB−从18 GHz到27 GHz为23 dB1.460毫米×1.460毫米x 0.500毫米，晶圆级芯片级封装（WLCSP）应用通用微波信号分配相控阵卫星通信系统相控阵雷达系统引脚图
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2025/3/6 15:09:57
ADF41510是一款超低噪声频率合成器，可用于在无线接收器和发射器的上变频和下变频部分实现高达10 GHz的本地振荡器（LO）。ADF41510采用高性能硅锗（SiGe）双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）工艺设计，实现了-235 dBc/Hz的归一化相位噪声基底。PFD的工作频率高达250 MHz（整数N模式）/125 MHz（分数N模式），可改善相位噪声和峰值性能。可变模数∑-Δ调制器在使用49位除法值时具有极高的分辨率。ADF41510可以用作整数N PLL，也可以用作实际N PLL，具有用于亚赫兹频率分辨率的固定模或用于亚赫兹精确频率分辨率的可变模。当合成器与外部环路滤波器和压控振荡器（VCO）一起使用时，可以实现完整的PLL。10 GHz带宽消除了对倍频器或分频器级的需求，简化了系统架构并降低了成本。ADF41510采用紧凑型24引脚4 mm×4 mmLFCSP封装。规格参数电路数量:1 Circuit最大输入频率:10 GHz最小输入频率:1 GHz输出频率范围:1 GHz to 10 GHz电源电压-最大:3.465 V电源电压-最小:3.135 V技术:SiGe最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LFCSP-24工作电源电流:108 mA工作电源电压:3.3 V特性1 GHz至10 GHz带宽超低噪声锁相环（PLL）整数-N=-235 dBc/Hz，分数-N=-231 dBc/Hz高最大相位频率检测器（PFD）频率整数N=250 MHz，分数N=125 MHz25位固定/49位可变分数模模式单端参考输入3.3V电源，3.3V电荷泵集成1.8V逻辑功能相位重新同步可编程电荷泵电流：16倍范围数字锁检测（DLD）带寄存器回读选项的3线串行接口硬件和软件断电模式工作范围：-40°C...
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2025/3/6 15:04:48
ADRV9006是一款高度集成的射频收发器，具有双通道发射机、双通道接收机、集成合成器和数字信号处理功能。ADRV9006是一款高性能、高线性、高动态范围收发器，专为性能与功耗系统优化而设计。该设备可配置，非常适合要求苛刻、低功耗、便携式和电池供电的设备。ADRV9006的工作频率为30 MHz至6000 MHz，涵盖UHF、VHF、工业、科学和医疗（ISM）频段，以及窄带（kHz）和高达40 MHz宽带工作的蜂窝频段。ADRV9006能够进行TDD和FDD操作。收发器由具有最噪声系数和线性度的直接转换信号路径组成。每个完整的接收器和发射器子系统都包括直流偏移校正、正交误差校正（QEC）和可编程数字滤波器，从而消除了在数字基带中对这些功能的需求。此外，集成了几个辅助功能，如辅助模数转换器（ADC）、辅助数模转换器（DAC）和通用输入/输出（GPIO），以提供额外的监测和控制能力。全集成锁相环（PLL）为发射机、接收机和时钟部分提供高性能、低功耗、分数N频率合成。精心的设计和布局技术提供了高性能个人无线电应用中所需的隔离。所有压控振荡器（VCO）和环路滤波器组件都集成在一起，以最大限度地减少外部组件的数量。本地振荡器（LO）具有灵活的配置选项，包括各种功率模式。收发器包括可配置的省电模式，通过在信道或设备不活动期间降低功耗来延长便携式设备的电池寿命。ADRV9006内核可以直接由1.0 V、1.3 V和1.8 V稳压器供电，并通过标准的4线串行外围接口（SPI）进行控制。其他电压源用于提供适当的数字接口电平，并优化接收器、发射器和辅助转换器的性能。使用可配置的CMOS或低压差分信号（LVDS）串行同步接口（SSI）选项支持高数据速率和低数据速率接口。ADRV9006封装在12毫米×12毫米、196球芯片级封装球栅阵列（CSP_BGA）中。特性2×2高度集成...
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2025/3/6 14:58:26
ADMV1013S-CSL是一款宽带微波上变频器，适用于在24 GHz至44 GHz射频范围内运行的点对点微波无线电设计。上变频器提供两种频率转换模式。该设备能够从基带同相正交（I/Q）输入信号直接转换为RF，以及从复中频（IF）输入进行单边带（SSB）上变频。基带I/Q输入路径可以被禁用，调制的复IF信号（0.8 GHz至6.0 GHz）可以插入IF路径中，并上变频到24 GHz至44 GHz，同时抑制不需要的边带，通常优于26 dBc。串行端口接口（SPI）允许调整正交相位和混频器栅极电压，以实现最佳的边带抑制和本地振荡器（LO）归零。此外，SPI允许关闭输出包络检测器以降低功耗。ADMV1013S-CSL上变频器采用40端子焊盘栅格阵列封装（LGA）封装。ADMV1013S-CSL可在-40℃至+85℃的外壳温度范围内运行。特性宽带射频输入频率范围：24 GHz至44 GHz2种上变频模式从基带I/Q到RF的直接转换实中频单边带上变频LO输入频率范围：5.4 GHz至10.25 GHzLO四倍频器，最高可达41 GHz匹配50Ω单端射频输出和中频输入匹配的100Ω平衡或50 \8486》单端LO输入之间的选项100Ω平衡基带输入边带抑制和载波馈通优化用于收发器功率控制的可变衰减器可通过4线SPI编程40端子接地栅格阵列封装（LGA）应用低地球轨道和中地球轨道（LEO/MEO）卫星航空电子设备点对点微波无线电雷达和电子战系统引脚图
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2025/3/6 14:52:10
ADF4382A是一款高性能、超低抖动、分数N锁相环（PLL），带有集成压控振荡器（VCO），非常适合5G应用或数据转换器时钟应用的本地振荡器（LO）生成。高性能PLL的品质因数为-239 dBc/Hz，低1/f噪声，整数模式下的高PFD频率为625 MHz，可以实现超低带内噪声和集成抖动。ADF4382A可以产生11.5 GHz至21 GHz基本倍频程范围内的频率，从而消除了对亚谐波滤波器的需求。ADF4382A上的除2和除4输出分频器分别允许产生5.75 GHz至10.5 GHz和2.875 GHz至5.25 GHz的频率。对于多个数据转换器时钟应用，ADF4382A通过在PLL反馈环路中包含输出分频器，自动将其输出与输入参考边沿对齐。对于需要确定性延迟或延迟调整能力的应用，提供了一个分辨率ADF4382A框图的简单性通过简化的串行外围接口（SPI）寄存器映射、可重复的多芯片时钟对齐以及允许片外SYSREF生成来限制不需要的时钟杂散，从而缩短了开发时间。规格参数最大输入频率:4.5 GHz最小输入频率:10 MHz输出频率范围:11.5 GHz to 21 GHz电源电压-最大:5.25 V电源电压-最小:3.15 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LGA-48封装:Tray商标:Analog Devices开发套件:EVAL-ADF4382A输入电平:LVDS湿度敏感性:Yes工作电源电流:340 mA工作电源电压:3.15 V to 5.25 V输出电平:PLL特性•基本输出频率范围：11.5 GHz至21 GHz•除以2输出频率范围：5.75 GHz至10.5 GHz•除以4输出频率范围：2.875 GHz至5.25 GHz•20 GHz时的集成RMS抖动=20 fs（集成带宽：100 Hz至100 M...
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2025/3/6 14:38:03
ADRF5062是一种硅、非反射、差分SPDT开关。ADRF5062的工作频率为100 MHz至13 GHz，插入损耗低于1.0 dB，隔离度高于40 dB。ADRF5062具有射频输入功率处理能力，直通路径差分33dBm，端接路径差分30dBm，射频公共端口差分27dBm热切换。当VSS连接到GND时，ADRF5062可以在±3.3V的双电源电压或+3.3V的单电源电压下工作。ADRF5062采用互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容和低压晶体管逻辑（LVTTL）兼容的控制。ADRF5062具有启用控制功能，可实现所有关闭状态。ADRF5062还可以在施加单个正电源电压（VoD）的情况下工作，同时将负电源电压（Vss）连接到地。在这种操作条件下，小信号性能得以保持，而开关特性、线性度和功率处理性能则有所降低。详见表2。ADRF5062与ADRF5063低频截止版本引脚兼容，其工作频率为9 kHz至13 GHz。ADRF5062采用20端子、3.0 mm×3.0 mm LGA封装，可在-40℃至+105℃的温度范围内运行。特性频率范围：100 MHz至13 GHz非反射、差分、100Ω阻抗设计插入损耗低0.9 dB至10 GHz1.0 dB至13 GHz高隔离45 dB至10 GHz40 dB至13 GHz输入线性度高P0.1dB：典型值34 dBmIP3:65 dBm典型值高功率处理直通路径：典型33 dBm终止路径：典型30 dBm热切换：典型值为27 dBm开关时间：典型60 ns正向控制接口：兼容CMOS-/LVTTL全关闭状态控制引脚与ADRF5063兼容，低频截止版本20端子，3.0 mm×3.0 mm LGA封装应用测试仪器数据转换器接口高数据速率接口引脚图
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2025/3/6 14:32:01
ADL5961是一款宽带、小尺寸矢量网络分析仪（VNA）前端，由电阻双向电桥、下变频混频器、可编程中频放大器和滤波器以及高度灵活的本地振荡器（LO）接口组成。该电桥提供高达17 GHz的14 dB的方向性。从RFIN到RFOUT的主传输线宽带匹配到50Ω，在直流附近9 kHz时损耗仅为1.1 dB，在26.5 GHz时损耗增加到1.8 dB。ADL5961支持多种不同的LO接口配置，简化了VNA解决方案的时钟设计以及设备与模数转换器（ADC）的接口。LO接口中的分频器和乘法器可实现测量扫过LO源的工作频率范围，使用6 GHz合成器可在ADL5961的整个26.5 GHz频率范围内运行。通过OFP和OFM引脚形成的偏移接口驱动的IF频率偏移混频器，通过允许剥离的RF和LO接口共享相同的频率源，实现了进一步的简化。然后，中频输出信号的频率由驱动OFP/OFM接口的低频源确定。当此接口在启用除4的情况下以ADC采样频率驱动时，它会自动将中频输出信号居中在第一奈奎斯特区。具有可编程带宽的中频滤波器和具有单独可编程增益的中频放大器能够同时动态优化前向信道（IFFP、IFFM）和反向信道（IFRP、IFRM）的中频输出信号。中频放大器具有可调的输出共模电平、足够的驱动能力和宽的输出电压摆动，可直接连接到各种ADC。ADL5961中的所有配置和功能都可以通过3线串行外围接口（SPI）完全编程。ADL5961采用3 mm×4 mm、26引脚焊盘栅格阵列（LGA）封装。规格参数类型:RF Front End工作频率:9 kHz to 26.5 GHzNF—噪声系数:51.7 dB工作电源电压:5.5 V工作电源电流:225 mA最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LGA-26带宽:1 MHz to 100 MHz商标:Analog Devices开发...
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2025/3/6 14:16:12
Mini-Circuits品牌的BW-W10-0.5W114+是一个精确固定的10 dB 0.5 W衰减器。BW-W10-0.5W114+在极宽的频率范围内工作，具有出色的VSWR，支持广泛的系统和测试应用。精确的性能、出色的VSWR和宽带使该模型成为需要在非常宽的频率范围内进行精确衰减的系统的理想解决方案。特性宽带，直流至110 GHz1.0mm公母连接器出色的VSWR，1.3典型值。0.5 W功率处理应用光通信测试和测量高速数据系统仪器精密测量尺寸图
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2025/3/5 13:12:24
Mini-Circuits的ZX60-16213+是一款中等功率连接器放大器，提供中等输出功率和高输出IP3的独特组合。它支持广泛的应用和许多需要高线性的系统。这种设计可在单个正极和单个负极电源上运行，并采用坚固、紧凑的一体式外壳（1.2英寸x 0.75英寸x 0.46英寸），带有SMA连接器，使其成为恶劣操作条件和拥挤系统布局的理想选择。放大器集成了多种直流保护功能，如反向电压保护和内部排序，这将防止放大器在没有所需负电压（-VGG）的情况下打开。规格参数工作频率:16 GHz to 21 GHz工作电源电压:6 V工作电源电流:350 mA增益:20 dBNF—噪声系数:4.5 dB类型:Driver Amplifiers安装风格:ScrewP1dB - 压缩点:23 dBmOIP3 - 三阶截点:24 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:ZX60特性高增益，典型值20dB高OIP3，+33 dBm典型值1 dB压缩时的高输出功率，+23 dBm典型值内部电压调节和反向电压保护+VDD和-VGG之间提供内部排序方向性极佳，典型值为25 dB应用微波点对点无线电军用电子战和雷达卫星系统K波段卫星通信尺寸图
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2025/3/5 11:46:49
Mini-Circuits的LFCN-4002+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有直流至40 GHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了2.6 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1206陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters频率:40 GHz频率范围:DC to 40 GHz端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:LFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:3.5 dB特性典型低插入损耗。2.6分贝阻带抑制，典型。25分贝典型通带回波损耗。12分贝坚固的陶瓷结构1206表面安装占地面积应用通信雷达、电子战和电子对抗防御系统测试和测量设备尺寸图
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2025/3/5 11:33:36
Mini-Circuits的LFCN-3802+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有DC至38 GHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.8 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1206陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数产品:Low Pass Filters频率:38 GHz频率范围:DC to 38 GHz端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:LFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:2.5 dB特性典型低插入损耗。1.8分贝阻带抑制，典型。34分贝典型通带回波损耗。10分贝坚固的陶瓷结构1206表面安装占地面积应用通信雷达、电子战和电子对抗防御系统测试和测量设备尺寸图
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2025/3/5 11:29:57
Mini-Circuits的LFCN-3602+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有直流至36 GHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了2.9 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1206陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters频率:36 GHz频率范围:DC to 36 GHz端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:LFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:3.6 dB特性典型低插入损耗。2.9分贝阻带抑制，典型。37分贝典型通带回波损耗。11分贝坚固的陶瓷结构1206表面安装占地面积应用通信雷达、电子战和电子对抗防御系统测试和测量设备尺寸图
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2025/3/5 11:22:48
Mini-Circuits的LFCN-3402+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有DC至34GHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了2.8 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1206陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters频率:34 GHz频率范围:DC to 34 GHz端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:LFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:3.5 dB特性典型低插入损耗。2.8分贝阻带抑制，典型。32分贝坚固的陶瓷结构1206表面安装占地面积应用通信雷达、电子战和电子对抗防御系统测试和测量设备尺寸图
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2025/3/5 11:17:38
Mini-Circuits的ZVA-02203LN（X）+是一款同轴宽带放大器，在2至20 GHz的宽频率范围内提供平坦增益。该型号在单个+12 V电源上运行，典型电流消耗为290 mA，能够在1 dB压缩下提供高达60 mW的输出功率。该放大器采用坚固、紧凑的外壳（1.2英寸x 0.64英寸x 0.45英寸），带有SMA（f）射频连接器。特性超宽带覆盖，2至20 GHz出色的增益平坦度，典型值为±1.5 dB单+12V电源反向电压保护简化系统集成的紧凑案例应用光纤宽带测试和仪器军事电子战和雷达卫星系统4G LTE和5G FR1基础设施WiFi 6E和WiFi 7航空航天与国防微波点对点无线电尺寸图
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2025/3/5 11:00:36
SMIQ-134H+是使用GaAs HBT技术制造的无源宽带同相/正交（I/Q）混频器。SMIQ134H+可用作传输应用的单边带上变频器或接收器应用的图像抑制混频器。SMIQ-134H+非常适合需要固有抑制图像信号和杂散混频产物的宽带频率转换应用。混频器覆盖了10至30 GHz的RF和LO频率范围以及DC至7 GHz的IF频率范围的宽带。作为无源混频器，SMIQ-134H+的噪声系数低于有源混频器，为高性能应用提供了卓越的动态范围。混频器采用紧凑的4x4 mm 24引脚QFN型封装，无需直流偏压即可运行。特性宽带射频和本振，10至30 GHz宽带中频，直流至7 GHz出色的图像抑制，典型。31分贝c典型的高LO-RF隔离。39分贝高输入IP3，典型+25 dBm可用作图像拒绝混合器和SSB转换器4x4 mm，24导联QFN型封装应用测试和测量设备5G毫米波和回程无线电卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统尺寸图
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2025/3/4 14:31:07
Mini-Circuits的QCU-55+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）双向90°功率分配器，通带为45-55MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该模型在主线上提供了比理论3dB损耗高1.5 dB的典型平均插入损耗。它采用1812陶瓷外形，非常适合密集信号链PCB布局，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数产品类型:Signal Conditioning端接类型:SMD/SMT系列:QCU封装:Reel商标:Mini-Circuits安装:Board Mount特性典型插入损耗。1.5分贝通带回波损耗，典型值。14分贝小尺寸，1812表壳风格功率处理：6.25 W应用军事应用I&Q调制器图像拒绝混合器尺寸图
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2025/3/4 14:22:08