PE4312是一款50Q、HaRPTM技术增强型6位射频数字步进衰减器（DSA），专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。该DSA是PE4302的引脚兼容升级版本，具有更高的线性度、更高的衰减精度和更快的切换速度。集成数字控制接口支持衰减的串行和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。它以0.5 dB的步长覆盖31.5 dB的衰减范围，从1 MHz到4 GHz保持高线性和低功耗。PE4312还具有外部负极电源选项，采用20引脚4×4 mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在O VDC，则不需要外部隔直电容器。PE4312采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是蓝宝石基板上绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体。Peregrine的HaRPTM技术增强提供了高线性度和出色的谐波性能。这是UltraCMOS工艺的一个创新特征，它提供了GaAs的性能，同时具有传统CMOS的经济性和集成性。规格参数衰减:31.5 dB最大频率:4 GHz阻抗:50 Ohms位数:6 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB介入损耗:2.1 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:1 MHz最小工作温度:- 55 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:2.3 V to 5.5 V点击购买：PE4312C-Z特性衰减：0.5 dB阶跃至31.5 dB安全衰减状态转换单调性：0.5 dB至4 GHz高衰减精度±（0.10+1%x Atten）@1 GHz±（0.15+2%x Atten）@2.2 GHz±（0.15+8%x Atten）@4 GHz高线性度：+59 dBm IIP32.3–5.5V的宽电源范围1.8V控制逻辑兼容105°C工作温度编程模式直接并联锁紧平行序列号独特的加电状态选择...
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2025/1/14 14:17:03
PE42542是一款HaRP™技术增强型吸收SP4T射频开关，专为测试/ATE、微波和其他无线应用而设计。这种宽带通用开关在9 kHz到18 GHz的范围内保持了出色的射频性能和线性。PE42542具有低插入损耗、高隔离性能和快速稳定时间。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP4T最小频率:9 kHz最大频率:18 GHz介入损耗:3.9 dB关闭隔离—典型值:26 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42542B-X特性•HaRP技术得到增强•插入损耗低•高度隔离•ESD性能引脚图
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2025/1/14 14:12:00
PE42525是HaRP™技术增强型反射SPDT RF开关管芯，支持9 kHz至60 GHz的宽频率范围。这种宽带倒装芯片开关与PE42524和PE426525引脚兼容。它具有低插入损耗、快速切换时间和高隔离性能，使该设备成为测试和测量、微波回程、雷达和军事通信（mil-comm）应用的理想选择。在50 GHz时，PE42525的插入损耗为1.9 dB，隔离度为37 dB。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT最小频率:9 kHz最大频率:60 GHz介入损耗:2.7 dB关闭隔离—典型值:36 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel单位重量:325.667 mg点击购买：PE42525A-X特性•支持高达60 GHz的宽带•插入损耗低•8 ns的快速切换时间•端口间隔离度高•高线性度：IIP3为48 dBm•倒装芯片芯片，引脚对引脚兼容PE42524和PE426525应用•测试和测量•微波回程•雷达•军事通信引脚图
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2025/1/14 13:58:21
PE42521 SPDT吸收式射频开关专为测试/ATE和其他高性能无线应用而设计。这种宽带通用开关在9 kHz到13 GHz的范围内保持了出色的射频性能和线性。该开关是PE42552的引脚兼容升级版本，具有快速的开关时间和更高的功率处理能力，在50Ω@4 GHz下可处理36 dBm的连续波（CW）和38.5 dBm的瞬时功率。PE42521具有高隔离度、快速稳定时间，采用3 x 3 mm QFN封装。规格参数开关配置:SPDT最小频率:9 kHz最大频率:13 GHz介入损耗:1.85 dB关闭隔离—典型值:17 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C单位重量:308.167 mg点击购买：PE42521C-Z特性•增强了HaRP™技术•500 ns的快速切换时间•50Ω内4 GHz的高功率处理•高线性•插入损耗低•高度隔离•ESD性能•封装：16引脚3×3mm QFN引脚图
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2025/1/14 13:49:23
PE42520 SPDT吸收式射频开关专为测试/ATE和其他高性能无线应用而设计。这种宽带通用开关在9 kHz到13 GHz的范围内保持了出色的射频性能和线性。该开关是PE42552的引脚兼容升级版本，在50Ω@8 GHz下具有36 dBm连续波（CW）和38 dBm瞬时功率的更高功率处理能力。PE42520具有高隔离度、快速稳定时间，采用3×3mm QFN封装。规格参数开关配置:SPDT最小频率:9 kHz最大频率:13 GHz介入损耗:2 dB关闭隔离—典型值:18 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel单位重量:170.646 mg点击购买：PE42520C-Z特性•增强了HaRP™技术•高功率处理@8 GHz，50Ω•高线性•插入损耗低•高度隔离•ESD性能•封装：16引脚3×3mm QFN引脚图
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2025/1/14 13:45:29
PE42482是一款HaRP™技术增强型吸收SP8T射频开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为无线基础设施和高达8 GHz无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP8T最小频率:10 MHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:1.280 g点击购买：PE42482A-X特性•高隔离度：6 GHz时为41 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•227 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•封装：24引脚4×4mm QFN应用•无线基础设施•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/14 13:38:56
PE42426是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关，专为陆地移动无线电（LMR）和一般交换应用而设计。它在整个工作频带内提供高线性度和出色的谐波性能。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42426成为一般开关应用的理想选择。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:0.75 dB关闭隔离—典型值:20 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel点击购买：PE42426A-Z特性•跨频带最佳线性度•特殊谐波•低插入损耗和高隔离性能•3 kV HBM的高ESD性能•封装：12芯3×3×0.75mm QFN应用•陆地移动无线电（LMR）•通用开关应用引脚图
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2025/1/14 13:34:44
PE42441是一款HaRP™技术增强型吸收SP4T射频开关，设计用于跨越多个市场的各种交换应用，包括无线基础设施、宽带以及测试和测量。该交换机有四个对称的射频端口，具有低插入损耗和出色的隔离性能。片上CMOS解码逻辑有助于实现双引脚低压CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42441E-Z特性•四个对称的50Ω吸收端口•高度隔离•插入损耗低•高线性•兼容1.8V控制逻辑•ESD性能•封装：32引脚5×5mm LGA引脚图
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2025/1/14 13:25:30
PE42524是HaRP™技术增强型反射SPDT RF开关管芯，支持10 MHz至40 GHz的宽频率范围。这种宽带倒装芯片开关具有高隔离性能、出色的线性度和低插入损耗，使其成为测试和测量、微波回程、雷达和军事通信（mil-comm）应用的理想选择。在30 GHz时，PE42524表现出17 dB的有源端口回波损耗、47 dB的隔离和2.2 dB的插入损耗。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•支持高达40 GHz的宽带•端口间隔离度高•出色的线性性能•55 ns的快速射频三通/四通时间•插入损耗低•倒装芯片芯片应用•测试和测量•微波回程•雷达•军事通信引脚图
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2025/1/13 14:31:18
PE42543是一款吸收型SP4T射频开关，专为测试/ATE、微波和其他无线应用而设计。这种宽带通用交换机是PE42542的引脚兼容版本，具有更快的切换时间和稳定时间。它在9 kHz至18 GHz的频率范围内表现出低插入损耗、高隔离度和线性性能。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•500 ns的快速切换时间•插入损耗低•高度隔离•ESD性能•封装：29引脚4×4mm LGA引脚图
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2025/1/13 14:27:00
PE42723是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关，专为DOCSIS 3.0/1有线调制解调器、机顶盒和住宅网关等有线应用而设计。它在5-1794 MHz频带内提供高线性度和出色的谐波性能。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42723成为DOCSIS 3.1应用的理想选择。规格参数最小频率:5 MHz最大频率:1.794 GHz介入损耗:0.4 dB关闭隔离—典型值:34 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•支持DOCSIS 3.0/1要求•特殊谐波•2fo为-121 dBc，频率为17 MHz•3倍–140 dBc@17 MHz•跨频带最佳线性度•低插入损耗和高隔离性能•1218 MHz时插入损耗为0.3 dB•204 MHz时的隔离度为54 dB•3 kV HBM的高ESD性能•封装：12芯3×3mm QFN应用•宽带市场（DOCSIS 3.0/1）▪ 电缆调制解调器▪ 机顶盒▪ 住宅网关•过滤器组切换•DOCSIS 3.0和DOCSIS 3.1配置之间的中继替换引脚图
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2025/1/13 14:19:03
Mini-Circuits的HSWA4-63DR+是一款MMIC SP4T吸收开关，其内部驱动器设计用于30 MHz至6 GHz的宽带操作，支持许多需要在宽频率范围内高性能的应用。该型号在4x4mm 24引脚微型MCLP封装中提供了出色的隔离、快速的开关速度和高线性度。它采用独特的硅基CMOS工艺生产，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。HSWA4-63DR+提供高水平的ESD保护、MSL1湿度灵敏度等级和出色的可重复性。HSWA4-63DR+是一款具有集成CMOS驱动器的高隔离吸收SP4T开关，在消耗110µa典型电流的同时，以单正电源电压运行。它被设计用于非常宽带的操作。它采用4 x 4 x 0.9 mm的24导联微型封装，额定MSL1。规格参数最小频率:30 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:1.9 dB关闭隔离—典型值:32 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C高控制电压:3.6 V开关数量:Quad工作电源电流:110 uA产品类型:RF Switch ICs电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.3 V点击购买：HSWA4-63DR+特性•高隔离，典型值61 dB。0.9 GHz•插入损耗低，典型值为0.9 dB。0.9 GHz•高IP3，典型值58 dBm。•快速切换时间，典型值为255 ns。•低电流消耗，典型值为110µA。•对闭锁免疫应用•防御•测试和测量•开关矩阵尺寸图
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2025/1/13 14:10:44
Mini-Circuits新型90°功率分配器，型号：QCS-722+，提供工作带宽和尺寸组合；在微型EIA-0805外形尺寸中支持近一个倍频程。突出的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。规格参数频率:4 GHz to 7.2 GHz带宽:3200 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C介入损耗:0.8 dB安装:Board Mount点击购买：QCS-722+特性•插入损耗低，典型值为0.6 dB。•高隔离，典型值为17 dB。•微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸•LTCC结构•高功率应用•平衡放大器•移相器•调制器•衰减器•DCS、PCS、UMTS•点对点•WiMax•WiFi•ISM尺寸图
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2025/1/13 13:57:22
PE42724是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关电子元器件，专为有线电视应用而设计，包括DOCSIS 3.0/1有线调制解调器、机顶盒和住宅网关。它在5-1794 MHz频带内提供高线性度、出色的谐波性能和高抗浪涌性。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42724成为DOCSIS 3.1应用的理想选择。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:1.794 GHz介入损耗:0.4 dB关闭隔离—典型值:19 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-12封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi工作电源电流:130 uA电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.3 V特性•支持DOCSIS 3.0/1要求•特殊谐波•2fo为-121 dBc，频率为17 MHz•17 MHz时为-150 dBc的3倍•跨频带最佳线性度•低插入损耗和高隔离性能•1218 MHz时插入损耗为0.3 dB•204 MHz时的隔离度为39 dB•封装：12芯3×3×0.75mm QFN引脚图
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2025/1/10 14:12:51
PE4280是一款专为有线电视应用设计的UltraCMOS®开关电子元器件，覆盖从5 MHz到2.2 GHz的宽频率范围。这种单电源SPDT开关集成了一个双引脚CMOS控制接口。它还提供了低插入损耗和极低的偏置要求，同时在单个3V电源上运行。在典型的有线电视应用中，与机械继电器相比，PE4280提供了一种经济高效且可制造的解决方案。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•75Ω特性阻抗•集成75Ω端子•CTB性能为85 dBc•1 GHz时高隔离60 dB•插入损耗低•高输入IP3:50 dBm•CMOS双引脚控制•单+3V电源操作•低电流消耗：8μA•独特的全断端模式•包装：4×4×0.85毫米QFN引脚图
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2025/1/10 14:08:24
PE42722是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关电子元器件，专为DOCSIS 3.0/1电缆调制解调器和机顶盒等电缆应用而设计。它在5-1794 MHz频带内提供高线性度和出色的谐波性能。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42722成为DOCSIS 3.1应用的理想选择。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:1.794 GHz介入损耗:0.85 dB关闭隔离—典型值:29 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•支持DOCSIS 3.0/1要求•卓越的谐波性能•跨频带最佳线性度•低插入损耗和高隔离性能•1.5 kV HBM的高ESD性能•封装–32引线5×5mm QFN引脚图
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2025/1/10 14:03:22
PE423641是HaRP™技术增强型反射SP4T射频开关电子元器件。它已获得AEC-Q100 2级认证，符合质量和性能标准，使其适用于恶劣的汽车环境。它旨在覆盖从50 MHz到3 GHz的广泛无线应用，如蜂窝天线频带切换、汽车信息娱乐和交通安全应用。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP4T最小频率:50 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:0.95 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•AEC-Q100 2级认证•支持高达+105°C的工作温度•HaRP™技术增强提供了出色的线性•插入损耗低•高度隔离•高ESD性能•用于2针控制的集成解码器•封装：16引脚3×3mm QFN引脚图
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2025/1/10 13:59:34
PE42742是一款SPDT UltraCMOS®开关电子元器件，专为有线电视、数字电视、多调谐器DVR、机顶盒、个人电脑电视和游戏机等宽带应用而设计。它符合FCC 15.115规范，在216 MHz时具有80 dB的隔离度，在有电和独特的无电默认状态下都能提供高隔离度和低插入损耗。PE42742采用单正电源和CMOS控制，覆盖了从5 MHz到2200 MHz以上的宽频范围。它为机顶盒应用中的机械继电器提供了一种更小、更具成本效益、更可靠和可制造的替代方案。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:2.2 GHz介入损耗:1.8 dB关闭隔离—典型值:53 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi产品类型:RF Switch ICs特性•符合FCC 15.115规范，在216 MHz时隔离80 dB•无电源运行状态•3500 V HBM ESD容差，所有引脚•CTB性能为90 dBc•高隔离度：1000 MHz时为63 dB•低插入损耗：通常在5 MHz时为0.5 dB，在1000 MHz时为0.8 dB•带逻辑选择的CMOS单引脚控制•单+3V电源操作•低电流消耗：8μA•封装：20引脚4×4mm QFN引脚图
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2025/1/10 13:55:59