Mini-Circuits的BLK-K44+是一款同轴直流模块，支持10至40GHz的广泛应用，包括5G系统、Ka波段卫星通信、测试和测量等。该型号具有低插入损耗、出色的回波损耗、高达2瓦的射频输入处理能力和高达200V的直流电压处理能力。该装置一端为2.92mm母连接器，另一端为2.92mm公连接器，安装在坚固的不锈钢机身中，直径仅为0.36英寸，长度为0.87英寸。特征•宽带•插入损耗低，典型值为0.43 dB。•坚固的不锈钢主体和联接螺母应用•测试和测量仪器•通信系统•防御系统电气规格图外观尺寸图点击购买：BLK-K44+
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2024/10/23 16:17:51
SBL-1+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器电子元器件，其工作频率最小1MHz，最大500MHz，最大8dB转换损耗，符合ROHS标准，案例A06，8针。特性•出色的转换损耗，典型值为5.6 dB。•高L-R隔离，典型值为45 dB。L-I隔离，典型值为40 dB。•坚固的焊接结构应用•VHF•国防和通信电气原理图外观尺寸图点击购买：SBL-1+
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2024/10/22 13:58:23
SIM-U742MH+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器芯片，其工作频率最小0.1MHz，最大7400MHz，最大9.8dB转换损耗，符合ROHS标准，陶瓷，外壳HV1195，8针。特征•上变频器混频器•转换损耗低，典型值为8.0 dB。•高IP3，典型值为20 dBm。•陶瓷，微小尺寸•可水洗应用•仪器仪表•宽带接收机电气原理图外观尺寸图点击购买：SIM-U742MH+
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2024/10/22 13:50:18
SYPS-2-1+是Mini-Circuits的一款合路器，其工作频率最小2MHz，最大500MHz，最大1dB插入损耗，符合ROHS标准，外壳TTT167，6针。特征•宽带，2至500 MHz•低插入损耗，典型值为0.3 dB。•高隔离，典型值为32 dB。应用•VHF/UHF•通信系统•接收器和发射器•仪器仪表电气原理图外观尺寸图点击购买：SYPS-2-1+
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2024/10/22 13:44:20
DAT-31A+系列50Ω数字步进衰减器以1.0 dB的步长提供0至31 dB的可调衰减。该控制是一个5位串行/并行接口，衰减器在单正或双（正和负）电源电压下工作。DAT-31A+系列型号采用独特的硅基CMOS工艺生产，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。产品特点•对闭锁免疫•精度极高，典型值为0.1 dB•串行控制接口•低插入损耗•高IP3，+52 dBm典型值•直流功耗极低•出色的回波损耗，典型值为20 dB•小尺寸4.0 x 4.0毫米典型应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网•无线本地环路•UNII和Hiper局域网•功率放大器失真消除回路引脚配置（俯视图）
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2024/10/22 13:39:14
BFCN-2500+LTCC带通滤波器覆盖2100至2900 MHz的通带，通带插入损耗为2 dB，阻带上下抑制为20 dB。该型号可处理高达2.5W的射频输入功率，并提供-55至+100°C的宽工作温度范围。利用LTCC多层结构，该滤波器实现了出色的性能可重复性，并采用带有环绕式端子的微小1206陶瓷封装，最大限度地减少了寄生效应引起的性能变化，并在密集的PCB布局中节省了空间。特性•电压驻波比良好，典型值为1.8:1。@通带•尺寸小（0.126 x.063 x.037）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•发射器/接收器功能示意图外观尺寸图点击购买：BFCN-2500+
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2024/10/22 13:37:18
DBTC-9-4L+是Mini-Circuits的一款定向耦合器芯片，其工作频率最小5MHz，最大1000MHz，并且具备最大2dB插入损耗，符合ROHS标准，微米级，外壳AT1030，5针。特征•非常扁平的联轴器•超宽带，多倍频程•温度稳定，LTCC基座•全焊接结构•连接引线以提高可焊性•微型耦合器•可水洗应用•VHF/UHF接收器/发射器•蜂窝电气原理图外观尺寸图点击购买：DBTC-9-4L+
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2024/10/22 13:27:42
BDCA1-10-40+是Mini-Circuits的一款双向耦合器芯片，其工作频率最小1600MHz，最大4000MHz，最大1.4dB插入损耗，符合ROHS标准，HERMETIC密封，外壳DZ944，10针。特征•四端口•宽带，1600至4000 MHz•出色的驻波比1.2:1。所有端口•平整度良好，±0.5 dB•出色的功率处理能力•密封•温度变化最小•受美国专利7049905保护•通过输入到输出的直流电流最大为0.25A。在1.0瓦的RF输入功率下。应用•无线通信•主义，个人电脑•移动卫星外观尺寸图点击购买：BDCA1-10-40+
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2024/10/22 13:22:53
RMK-5-751+是一款经济高效的X5倍频器，它利用专门选择的硅肖特基二极管和兼容的滤波器电路来实现低转换损耗，同时对F5输出附近的不需要的谐波具有很高的抑制能力。它使RMK-5-751+成为广泛应用的理想选择。这个小塑料外壳高0.25英寸x 0.31英寸x 0.16英寸，可水洗，符合RoHS标准。特性•转换损耗低，典型值为22dB。•高相邻谐波抑制，F4，典型值60 dBc。，F6，典型值为67 dBc。•可水洗应用•合成器•本地振荡器•卫星上下变频器25°C时的电气规格外观尺寸图点击购买：RMK-5-751+
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2024/10/22 13:11:19
Qorvo QPD1035 GaN射频功率晶体管是40W分立式碳化硅基氮化镓HEMT，工作频率范围为直流至6GHz，工作采用50V电源。Qorvo QPD1035晶体管具有输入预匹配，因此非常适合用于脉冲和连续波操作中的宽带放大器。这些器件不含铅，符合RoHS指令。特性工作频率范围：直流至6GHz工作电压：50V输出功率 (P3dB) = 50W漏极效率 (P3dB) = 52.2%线性增益 = 15.1dB低热阻封装应用军用雷达民用雷达专业无线电和军用无线电通信测试仪器宽带或窄带放大器干扰发射机框架图
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2024/10/21 13:37:55
Qorvo PAC55712电源应用控制器 (Power Application Controllers®) 优化用于高速BLDC电机控制。Qorvo PAC55712控制器将150MHz Arm® Cortex®-M4F微控制器与Active-Semi®专有的多模电源管理器 (Multi-Mode Power Manager™)、可配置模拟前端 (Configurable Analog Front-End™)，以及特定应用电源驱动器 (Application-Specific Power Driver™) 整合在一起。此紧凑型解决方案包括128kB闪存、32kB SRAM、2.5MSPS ADC（可编程自动采样，最高可达24倍序列）、3.3V IO、灵活的时钟控制、PWM/通用定时器和多个串行通信接口。特性150MHz Arm cortex M4F128kB闪存、32kB SRAM70V降压/SEPIC直流/直流控制器，带外部NCH FET5V/200mA系统电源三个高侧70V、1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器三个低侧20V、1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器VDS 检测逐周期保护三个差分PGA（x1至x48）四个单PGA（x1至x48）可编程过流关断可编程比较器迟滞和消隐同时采样和保持3次循环应用工业BLDC电机控制（泵、风扇、机器人）电动和园林工具小家电电动出行
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2024/10/21 13:28:47
Qorvo PAC55724电源应用控制器 (Power Application Controller ® ) 设计用于高速BLDC电机控制。 Qorvo PAC55724控制器将150MHz Arm® Cortex®-M4F微控制器与Active-Semi®专有的多模电源管理器 (Multi-Mode Power Manager™)、可配置模拟前端 (Configurable Analog Front-End ™ )，以及特定应用电源驱动器 (Application-Specific Power Driver™ ) 整合在一起，提供紧凑的电机控制解决方案。 主要特性包括128kB嵌入式闪存、32kB SRAM、2.5MSPS ADC（可编程自动采样，最高可达24倍序列）、3.3V I/O、灵活时钟控制、PWM、通用定时器和多个串行通信接口。特性150MHz Arm cortex M4F128kB闪存、32kB SRAM70V降压/SEPIC直流/直流控制器，带外部NCH FET5V/200mA系统电源三个高侧70V 1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器三个低侧20V 1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器逐周期保护三个差分PGA（x1至x48）四个单PGA（x1至x48）可编程过流关断可编程比较器迟滞和消隐3相同时采样和保持应用工业BLDC电机控制（泵、风扇、机器人）电动和园林工具小家电电动出行框架
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2024/10/21 13:26:13
Qorvo QPA2811功率放大器是大功率、封装的X波段MMIC放大器，采用0.15μm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造而成。这些放大器的工作频率范围为8.5GHz至10.55GHz，饱和输出功率为48.9dBm，大信号增益为27.9dB，功率附加效率为48.5%。QPA2811放大器采用7mm x 7mm 48引脚塑料包覆成型封装。这些功率放大器 支持各种工作条件，可满足最佳支持系统要求。这些放大器完全匹配至50Ω，设有直流接地射频端口，可实现最佳性能， 非常适合用于军用雷达系统。特性8.5 GHz至10.55 GHz频率范围PSAT ：48.9dBm（PIN =21dBm）PAE：48.5%（PIN =21dBm）功率增益：27.9dB（PIN =21dBm）工作电源电压：24V工作电源电流：1.24mA偏置：VD =24V，IDQ =1.24A封装尺寸：7 mm x 7 mm x 0.82 mm无铅，符合RoHS指令应用军用雷达系统
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2024/10/21 13:20:43
Qorvo QPA1111功率放大器是大功率、封装的X波段MMIC放大器，采用0.15 μm碳化硅基氮化镓工艺（QGaN15）制成。 这些放大器的工作频率范围为8.5GHz至10.5GHz，储存温度范围为-55°C至150°C。QPA1111放大器具有30W饱和输出功率、45%功率附加效率和38dB小信号增益。这些放大器完全匹配至50Ω,设有直流接地I/O端口，可实现最佳ESD性能， 简化了系统集成。QPA1111功率放大器100%经过直流和射频测试，以确保符合电气规范，非常适合用于雷达、卫星通信和数据链路应用。特性8.5 GHz至10.5 GHz频率范围POUT ：45dBm（PIN =18dBm）PAE：45%（PIN =18dBm）功率增益：27dBm（PIN =18dBm）功率耗散（PD）：65W小信号增益：38 dB储存温度范围：-55°C至150°C偏置：脉冲VD =22VIDQ =620mAPW=100μsDC=10%典型范围：VG =-2.3V封装尺寸：6 mm x 6 mm x 0.85 mm无铅，符合RoHS指令应用卫星通信雷达数据链路功能框图
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2024/10/21 13:17:56
安森美NCV8189高精度低压差 (LDO) 稳压器是0.5A器件，具有低噪声、低静态电流、下一代高PSRR和电源良好开路集电极输出。NCV8189稳压器可调节低至0.6V的输出电压和出色的负载/线路瞬态。NCV8189设计用于搭配4.7µFµ输入和输出陶瓷电容器使用。安森美NCV8189 LDO稳压器设计用于满足射频/敏感模拟电路要求，采用行业标准DFNW8 0.65P (3mm x 3mm) 和WDFNW6 0.65P (2mm x 2mm) 封装。特性工作输入电压范围：1.6V至5.5V0.6V至5.0V固定电压选项0.6V可调版本参考电压初始精度：±0.7%（+25°C时）整个负载和温度范围内的精度：±1%（高达+125°C）低静态电流：35µA（典型值）关断电流：0.1µA（典型值）极低压差：65mV（典型值，0.5A时，3.3V型号）高PSRR：85dB（典型值）（100mA，f=1kHz时）低噪声：10µVRMS（固定版本）可通过小型4.7µF陶瓷电容器稳定工作受控输出电压转换率：5mV/µs采用以下封装DFNW8：3mm × 3mm × 0.9mm外壳507ADWDFNW6：2mm x 2mm x 0.75mm外壳511DW无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令应用通信系统车载网络远程信息处理、信息娱乐和仪表板通用汽车典型应用示意图
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2024/10/21 13:13:50
安森美 (onsemi) NCV51752隔离式单通道栅极驱动器设计用于快速开关，以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。NCV51752具有4.5A拉峰值电流/9A灌峰值电流和短/匹配传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt抗扰度和更快关断，NCV51752产生负偏置电源轨。安森美 (onsemi) 驱动器提供其他必要的保护功能，例如两侧驱动器的独立欠压锁定。NCV51752符合AEC-Q100标准，采用4mm SOIC-8封装，支持高达3.75kVRMS 的隔离电压。特性选项： VCC UVLO以GND2为基准 GND2和VEE 引脚之间内置负偏置 可通过调整选择负偏置电平输入电源电压：3V 20V至输出电源电压范围为6.5V至30V，MOSFET为6V和8V，SiC阈值为12V和17V4.5 A峰值拉电流、9 A峰值灌电流输出能力最小CMTI：200V/ns dV/dt输入引脚具有负5V处理能力36 ns典型传播延迟，5 ns最大延迟匹配符合汽车应用要求的AEC-Q100标准隔离和安全 3.75kVRMS 隔离，持续1分钟（符合UL1577要求）（规划中） 通过GB4943.1-2011 CQC认证（规划中） 符合IEC 62386-1标准的SGS FIMO认证（规划中）应用板载充电器xEV 直流-直流转换器牵引逆变器充电站典型应用电路简化框图
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2024/10/21 13:08:59
安森美半导体RSL10多协议Bluetooth 5系统级封装 (SiP) 是一款完整的解决方案，可轻松将低功耗蓝牙低功耗技术集成到无线应用中。RSL10 SiP在单一封装中集成了RSL10 SoC、板载天线及所有必要的无源元件，有助于最大限度地减小系统整体尺寸。RSL10 SiP完全符合FCC、CE和其他法规标准，无需额外的天线设计考虑或射频认证。特性完全符合全球监管标准Bluetooth 5QDID声明IDFCC、CE、IC、MIC、KC超低功耗：峰值接收电流：5.6mA (1.25V VBAT)峰值接收电流：3.0mA (3V VBAT)峰值发射电流 (0dBm)：8.9mA (1.25V VBAT)峰值发射电流 (0dBm)：4.6mA (3V VBAT)深度休眠电流消耗 (1.25V VBAT)：深度休眠、IO唤醒：50nA深度休眠、8KB RAM（用于保留数据）：300nA电流消耗 (3V VBAT)：深度休眠、IO唤醒：25nA深度休眠、8KB RAM（用于保留数据）：100nAEEMBC ULPMark内核概览 (3.0V)：1090EEMBC ULPMark内核概览 (2.1V)：1360完整的解决方案RSL10无线电SoC全集成天线所有无源元件先进的多协议无线功能支持蓝牙低功耗和2.4GHz专有/定制协议接收灵敏度：-94dBM发射功率：−17dBm至+6dBm支持无线固件 (FOTA)内置电源管理先进的双核架构1.1V至3.3V电源范围384kB闪存、76kB程序存储器、88kB数据存储器IP保护功能，闪存内容可配置的模拟和数字传感器接口（GPIO、LSAD、I2C、SPI、PCM）应用物联网边缘节点应用蓝牙低功耗技术能量采集可穿戴设备健身追踪器健康监控器智能手表智能锁家用电器 照明应用
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2024/10/21 11:41:45
安森美 (onsemi) NCD57000和NCD57001大电流IGBT驱动器是内置电流隔离功能的单通道IGBT栅极驱动器，设计用于为大功率应用实现高系统效率和可靠性。NCD57000和NCD57001 IGBT驱动器具有互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确UVLO、DESAT保护以及DESAT软关断特性。另外，NCD57000 IGBT驱动器还可提供独立的高侧和低侧（OUTH和OUTL）驱动器输出，以实现较高的系统设计灵活性和便利性。NCD57000和NCD57001均可在输入侧提供5.0V和3.3V信号，在驱动器侧提供较宽的偏置电压范围，包括负电压能力。这些器件具有5kVrms（符合UL1577标准）和1200Viorm（工作电压）功能。NCD57000和NCD57001 IGBT栅极驱动器采用宽体SOIC-16封装，输入和输出之间的爬电距离保证为8mm，以满足增强的安全绝缘要求。这些器件无铅、无卤，符合RoHS指令。特性在IGBT米勒平坦电压下具有大电流输出 (+4A/-6A)低输出阻抗，用于增强型IGBT驱动传播延迟时间短，具有精确匹配有源米勒钳位，防止杂散栅极导通DESAT保护，带可编程延迟独立的高侧和低侧（OUTH和OUTL）驱动器输出（仅限NCD57000）针对DESAT的负电压（低至-9V）能力IGBT短路期间的软关断短路期间的IGBT栅极钳位IGBT栅极有源下拉UVLO阈值小，实现偏置灵活性宽偏置电压范围，包括负VEE2输入电源电压：3.3V至5.0V设计用于符合AEC-Q100标准5000V电流隔离（以满足UL1577要求）1200V工作电压（符合VDE0884-11要求）高瞬态抗扰度高电磁抗扰度封装：SOIC-16 WB无铅、无卤，符合RoHS指令应用太阳能逆变器电机控制焊接不间断电源 (UPS)工业电源简化应用电路
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2024/10/21 11:39:19