GALI-55+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。GALI-55+的设计坚固耐用，适用于ESD和电源开启瞬态。规格参数工作频率:0 Hz to 4 GHz工作电源电压:4.3 V工作电源电流:50 mA增益:15.7 dBNF—噪声系数:3.3 dB类型:Gain Block Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-4技术:InGaPP1dB - 压缩点:15 dBmOIP3 - 三阶截点:28.5 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 85 C系列:GALI封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:16.5 dB通道数量:1 Channel特性•InGaP HBT微波放大器•微型SOT-89封装•内部匹配50欧姆•频率范围，直流至4 GHz•输出功率，典型值15.0 dBm。•散热性能极佳，金属底部外露•低热阻，可靠性高•可水洗应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器尺寸图
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2025/3/26 11:29:24
Mini-Circuits的USB-1SP4T-34是一款覆盖0.1至30 GHz超宽带的快速开关固态SP4T。固态设计具有高隔离、低插入损耗和整个频带良好线性的令人印象深刻的组合。该开关采用薄型封装，配有精度为2.92毫米的射频连接器。带有“动态寻址”的菊花链控制接口简化了控制集成，允许将多个开关组合成一个主/从链。只需连接，然后通电，就可以通过单个USB和软件接口独立控制多达25个兼容开关的整个链。特性超宽带固态设计高隔离度，30 GHz时为60 dBUSB控制和自动化多达25个开关的菊花链控制应用射频信号路由/开关矩阵Ka波段卫星通信军用无线电、雷达和电子战微波无线电/蜂窝基础设施测试和测量系统尺寸图
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2025/3/24 14:29:37
Mini-Circuits的KM-KM50+是一款同轴2.92mm-M至2.92mm-M适配器，支持从直流到40 GHz的广泛应用。该模型提供了出色的VSWR、低插入损耗和平坦的频率响应。KM-KF50+采用坚固的钝化不锈钢结构，尺寸仅为0.74英寸（l）x 0.28英寸（直径）。规格参数射频系列:2.92 mm侧1性别:Plug (Male)侧2性别:Plug (Male)阻抗:50 Ohms最大频率:40 GHz主体材料:Stainless Steel商标:Mini-Circuits频率范围:DC to 40 GHz最小频率:0 Hz安装风格:Bulkhead方向:Straight系列:KM侧1射频系列:2.92 mm侧2射频系列:2.92 mm单位重量:9.350 g特性超宽带，直流至40 GHz低插入损耗，典型值0.13 dB。出色的驻波比，1.02:1典型值。反应平淡应用射频电缆和设备的互连尺寸图
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2025/3/24 14:21:42
MDB-54H+是采用InGaP HBT技术制造的超宽带双平衡混频器。MDB-54H+混频器用作20至50 GHz LO和RF频率的上变频器或下变频器，并覆盖DC-20 GHz的IF带宽。混频器以15 dBm的LO功率电平运行，同时提供11 dB的转换损耗、45 dB的LO/RF隔离和20 dBm的输入IP3。该混频器非常适合用于通信、国防和测试测量应用的宽带毫米波系统。规格参数射频:20 GHz to 50 GHz转换损失——最大:12 dBLO频率:20 GHz to 50 GHz中频:DC to 20 GHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MLCP-12商标:Mini-CircuitsP1dB - 压缩点:10 dBm封装:Reel封装:Cut Tape特性超宽带射频和本振，20-50GHz超宽带中频，DC-20 GHz高L-R隔离，典型值45dB。出色的输入IP3，典型值为20dBm。可用作上下变频器应用卫星上下变频器国防雷达和通信WiGig5GISM尺寸图
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2025/3/24 14:11:21
MCA1-42MH+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器，其工作频率最小1000MHz，最大4200MHz，最大8.9dB转换损耗，符合ROHS标准，陶瓷，外壳DZ885，10针。规格参数射频:1 GHz to 4.2 GHz转换损失——最大:8.9 dBLO频率:1 GHz to 4.2 GHz中频:0 Hz to 1.5 GHz最大工作温度:+ 100 C最小工作温度:- 55 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:16 dBm封装:Reel产品类型:RF Mixer特性•宽带，1000至4200 MHz•转换损耗低，典型值为6.2 dB。•出色的L-R隔离，典型值为35 dB。•LTCC双平衡混频器•可水洗•成本低•低调，0.08英寸应用•蜂窝•PCN•固定卫星•WCDMA•防御雷达•国防通信尺寸图
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2025/3/24 14:02:06
Mini-Circuits的MBT-44+是一款超宽带MMIC表面贴装偏置三通，覆盖10 GHz至40 GHz的应用，在整个工作频率范围内具有低插入损耗、良好的回波损耗和高DC-RF隔离。该型号能够处理高达+30 dBm（1W）的射频输入功率和高达500 mA的直流输入电流。MBT-44+封装在2.5 mm x 2.5 mm 8L MCLP封装中。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Bias Tees频率:10 GHz to 40 GHz电压额定值:35 V阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:MBT封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.1 dB安装:Board Mount特性超宽带，10-40GHz插入损耗低，典型值为1dB。良好的回波损耗，典型值为15dB。出色的隔离性能，典型值为46 dB。应用偏置放大器偏置激光二极管有源天线的偏置尺寸图
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2025/3/24 13:54:46
SCN-3-28+是Mini-Circuits品牌的一款合路器电子元器件，其工作频率最小1600MHz，最大2800MHz，并且最大1.2dB插入损耗，0.120 X 0.060英寸，0.035英寸高，符合ROHS标准，超小，陶瓷，外壳FV1206-1，6针。规格参数产品类型:Signal Conditioning频率:2.2 GHz带宽:1200 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206 (3216 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:SCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:0.8 dB特性•外部隔离电阻器•插入损耗低，典型值为0.8 dB。•出色的振幅不平衡，典型值为0.2 dB。•相位不平衡度非常好，典型值为5度。•高隔离，典型值12dB。•出色的功率处理能力，15W作为分路器•尺寸小，0.12英寸X0.06英寸X0.035英寸•ESD不敏感•温度稳定的LTCC技术•环绕式端接，具有出色的可焊性•成本低应用•PSC，DECT•视线通信•决策支持系统•ISM应用程序•无线局域网•WLL•卫星通信•国防应用尺寸图
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2025/3/21 14:21:25
LFCN-6400+是Mini-Circuits的一款陶瓷低通滤波器，最小7节，最大7节，其中心或截止频率（fo/fc）为7200MHz，符合ROHS标准，HERMETIC密封，陶瓷，外壳FV1206，4针。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters频率:DC to 6400 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206 (3216 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:LFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:2 dB安装:Board Mount特性出色的功率处理能力，8W尺寸小7节温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用尺寸图
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2025/3/21 14:12:57
TCM4-19+是Mini-Circuits的一款射频变压器芯片，其工作频率最小10MHz，最大1900MHz，1:2，符合ROHS标准，可放心采购。规格参数产品:RF Transformers端接类型:SMD/SMT频率范围:10 MHz to 1.9 GHz初级线圈阻抗:50 Ohms次级线圈阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 20 C最大工作温度:+ 85 C通道数量:Single封装 / 箱体:4.06 mm x 3.81 mm x 4.06 mm长度:4.06 mm宽度:3.81 mm高度:4.06 mm系列:TCM4封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits最大直流电流:30 mA功率额定值:250 mW特性•宽带，10至1900 MHz•带次级中心抽头的平衡传输线•带镀焊料引线的塑料底座•可水洗应用• PCS• 蜂窝尺寸图
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2025/3/21 14:07:18
LFCN-900+是Mini-Circuits的一款陶瓷LPF滤波器芯片，最小7节，最大7节，其中心或截止频率（fo/fc）为1075MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters频率:DC to 850 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206 (3216 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:LFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.3 dB单位重量:324.450 mg特性出色的功率处理能力，10W尺寸小7节温度稳定LTCC结构阻带抑制，典型值45-50dB应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用尺寸图
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2025/3/21 13:58:34
BFCN-1855+LTCC带通滤波器由12层构成，以实现微型尺寸和高性能重复性。环绕式端子可最大限度地减少寄生效应引起的性能变化。这些单元覆盖1855 MHz±65 MHz，具有低插入损耗和良好的抑制性能。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Bandpass Filters频率:1.855 GHz带宽:130 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:FV1206最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:BFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:3 dB特性•体积小•温度稳定•密封•LTCC结构应用•谐波抑制•发射器/接收器尺寸图
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2025/3/21 13:53:22
Mini-Circuits的M3SWA2-34DR+是一款GaAs MMIC SPDT吸收开关，其内部驱动器专为直流至30 GHz的宽带操作而设计。该开关能够在宽频率范围内实现快速、纳秒级的切换，同时将栅极滞后效应降至最低。该型号具有出色的隔离性、高线性度，能够承受+27 dBm的射频输入功率。它采用3x3 mm QFN风格的小型封装，便于集成到紧凑的组件中。规格参数开关配置:SPDT最大频率:30 GHz介入损耗:2.2 dB最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-16系列:M3SWA2封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits高控制电压:1.8 V to 3.6 V开关数量:Dual工作电源电流:2.7 mAPd-功率耗散:430 mW特性宽带，直流至30 GHz典型低插入损耗。1.0分贝高隔离，典型。65分贝高输入IP3，典型+48 dBm快速上升/下降时间，典型值。6.9纳秒/7.1纳秒3x3 mm，16引脚QFN型封装应用雷达、电子战和电子对抗防御系统通信基础设施测试和测量尺寸配置
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2025/3/21 13:47:10
PSA-8A+是一款基于HBT的宽带低噪声MMIC放大器，具有高增益和低电流特性。该设计在单个5V电源上运行，与50欧姆匹配良好，采用SOT-363封装，可适应密集的电路板布局。规格参数工作频率:0 Hz to 4 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:36 mA增益:11.2 dBNF—噪声系数:4.8 dB类型:Low Noise Amplifiers安装风格:SMD/SMT技术:SiP1dB - 压缩点:3.1 dBmOIP3 - 三阶截点:11.3 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:PSA封装:Reel封装:Cut Tape单位重量:1.628 g特性宽带，直流至4 GHz高增益，典型值31dB。0.1GHz典型低NF 3.0 dB。0.1GHz低电流，典型值36mA应用蜂窝PCS通信接收器和发射器卫星通信军事尺寸图
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2025/3/21 13:41:04
CMD182C4是一款紧凑型I/Q混频器，采用无引线表面贴装封装，可用作图像抑制混频器或单边带上变频器。CMD182C4采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合单元。需要一个外部中频混合单元来完成镜像抑制。CMD182C4是高成本混合图像抑制混频器和单边带上变频器组件的一种更小的替代品。规格参数射频:6 GHz to 10 GHz转换损失——最大:9 dBLO频率:6 GHz to 10 GHz中频:DC to 3.5 GHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24商标:Qorvo增益:- 6 dB封装:Reel封装:Cut Tape产品类型:RF Mixer特性•转换损耗低•高隔离度•图像抑制：30 dB•宽中频带宽•符合无铅RoHs标准的4x4mm SMT封装引脚配置
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2025/3/20 14:18:22
Qorvo TGA2524-SM是一款Ku波段GaAs功率放大器。TGA2524-SM的工作频率为11.3-16 GHz，采用Qorvo的功率pHEMT生产工艺设计。TGA2524-SM的典型增益为23dB，可以提供26.5 dBm的饱和输出功率和P1dB的26dBm。它是一个高线性部分，在每个音调输出8dBm时，输出TOI为37dBm。TGA2524-SM采用低成本、表面贴装16引脚3x3 QFN包覆成型封装，非常适合点对点无线电应用。规格参数工作频率:11.3 GHz to 16 GHz工作电源电压:5 V增益:23 dBNF—噪声系数:7 dB类型:Driver Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-16技术:GaAsP1dB - 压缩点:26 dBmOIP3 - 三阶截点:37 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 150 C系列:TGA2524封装:Reel封装:Cut Tape单位重量:57.100 mg特性•频率范围：11.3-16 GHz•峰值：26.5 dBm•P1dB:26 dBm•增益：23dB，具有良好的调节增益平坦度•OTOI:37 dBm，8 dBm磅/音•噪声系数：7 dB•偏压：Vd=5 V，Idq=320 mA，Vg=-0.52 V典型值•包装尺寸：3.0 x 3.0 x 0.85毫米应用•点对点无线电•Ku波段卫星通信引脚配置
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2025/3/20 14:09:41
QPA0363A是一款高性能SiGe HBT MMIC放大器。达林顿配置提供了高FT和优异的热性能。异质结增加了击穿电压，并最大限度地减少了结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致对互调产物的更高抑制。QPA0363A可以通过使用降压电阻器在各种电源电压下工作。两个隔直电容器、旁路电容器和一个可选的射频扼流圈完成了这个内部匹配的50欧姆设备运行所需的电路。QPA0363A采用符合行业标准的SOT-363封装组装，无铅且符合RoHS标准。规格参数工作频率:0 Hz to 5 GHz工作电源电压:2.5 V工作电源电流:11 mA增益:15.7 dBNF—噪声系数:2.85 dB类型:Gain Block Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6技术:SiGeP1dB - 压缩点:1.7 dBmOIP3 - 三阶截点:16.5 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C系列:QPA0363封装:Reel封装:Cut Tape特性直流至5000 MHz运行单正电压电源低电流消耗：+5 V电源时为11 mA输出IP3:1950 MHz时典型值为+20 dBm噪声系数：1950 MHz时的典型值为2.85 dB坚固的1000V 1C级HBM ESD额定值无铅/RoHS兼容SOT-363封装应用蜂窝、PCS、GSM、UMTSPA驱动放大器中频/射频缓冲放大器无线数据、卫星引脚配置
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2025/3/20 14:05:25
RFSW6222是一种双极双掷（DPDT）开关，专为通用开关应用而设计。低插入损耗和出色的线性性能使RFSW6222成为滤波器或放大器旁路开关的理想选择。工作电源电压为2.4V至3.5V。控制逻辑与1.3V和2.7V系统兼容。2.0mm x 2.0mm尺寸的标准12针QFN封装是一种紧凑、易于使用的开关元件，可快速集成到多模式、多频带系统中。规格参数开关配置:DPDT最小频率:50 MHz最大频率:3.7 GHz介入损耗:0.29 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 30 C最大工作温度:+ 90 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-12技术:Si系列:RFSW6222封装:Reel封装:Cut Tape商标:Qorvo开发套件:RFSW6222PCK-410高控制电压:1.3 V to 2.7 V开关数量:Dual工作电源电流:90 uA特性•50–3700 MHz操作•低插入损耗：2700MHz时典型值为0.29dB•高端口间隔离度：2700MHz时为29dB•功率处理≤+35dBm•电流消耗极低•兼容1.3V至2.7V GPIO应用•过滤器切换•LNA旁路切换•天线切换•双单端配置•差分对配置引脚配置
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2025/3/20 13:53:40
QPC6014是一种绝缘体上硅（SOI）单极单掷（SPST）吸收开关，设计用于蜂窝、3G、LTE和其他高性能通信系统。它提供了高隔离度、出色的线性度和功率处理能力。射频端口上不需要隔直电容器。该设计是非反射性的，使得RF2端口在关闭状态下端接至50欧姆。QPC6014与+1.8 V正逻辑兼容。规格参数开关配置:SPST最小频率:5 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:1.05 dB关闭隔离—典型值:43 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-8技术:Si系列:QPC6014封装:Reel封装:Cut Tape商标:Qorvo单位重量:275 mg特性•5 MHz至6000 MHz操作•非反射性（RF2）•除非射频线上有电压，否则不需要阻断电容器•高隔离度：2 GHz时为53 dB•高输入IP3:+58 dBm•2 kV ESD•+1.8 V逻辑兼容应用•蜂窝、3G、LTE基础设施•高性能通信系统•测试设备引脚配置
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2025/3/20 13:46:38