天线芯片是一种集成电路芯片，专门用于无线通信设备中处理和调节天线信号，实现信号的发送、接收和转换功能，提升天线的性能和整体系统的通信质量。嘉硕致力于SAW器件制造和设计的核心优势，TST已将产品和业务范围扩展至BAW（散发声波）设备和模块（Xtal、XO、VCO、VCTCXO......等等）。下述是关于嘉硕天线芯片的一些型号规格，具体可参考下述表格。P/N分类中心频率（MHz）通带（MHz）插入损耗（dB最大值）包装（mm）应用TQ0215AA0003天线Fo=824960/17102170MHz-30x5物联网TQ0216AA0003天线Fo=11661186/15611610MHzBW=1.9/2.8MHz-10x4物联网TQ0224AW0004天线Fo=1552MHzBW=20MHz-20.0*20.0汽车TQ0244AA0002天线Fo=2650/5500MHzBW=3300/1000MHz-120x25网络TQ0254AA0005天线Fo=2450MHzBW=100MHz-3.22x1.66物联网TQ0257AA0002天线Fo=2650/5500MHzBW=3300/1000MHz-120x25网络TQ0258AA0002天线Fo=470MHzBW=40MHz-200x50网络TQ0259AA0002天线Fo=167MHzBW=16MHz-220x50网络TQ0260AA0002天线Fo=470MHzBW=40MHz-120x25网络TQ0263AA0004天线Fo=2450/5487.5BW=100/675MHz-30.4x33.4汽车TQ0264AA0004天线Fo=830/1940/3650/5500MHzBW=260/460/500/1000MHz-120x30汽车TQ0265AA0004天线Fo=2450MHzBW=100MHz-59.7x25.4汽...
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2026/5/15 11:17:57
晶体滤波器是一种利用石英晶体的压电特性制成的电子滤波器，能够在特定频率范围内实现高选择性和稳定性的信号滤波，广泛应用于无线通信、测量仪器和音频设备中。关于嘉硕半导体晶体滤波器的型号对比如下表：P/N分类中心频率（MHz）通带（MHz）插入损耗（dB最大值）包装（mm）应用TY0131A晶体滤波器21.40.01237.0x5.0x1.27TY0135A晶体滤波器21.40.007537.0x5.0x1.27TY0136A晶体滤波器21.70.0037537.0x5.0x1.27TY0137A晶体滤波器21.40.007537.0x5.0x1.27寻呼机TY0151A晶体滤波器21.40.007527.0x5.0x1.27TY0160A晶体滤波器21.43.75KHz27.0x5.0x1.35其他TY0153A晶体滤波器30.720.00827.0x5.0x1.27TY0122A晶体滤波器450.007537.0x5.0x1.27TY0132A晶体滤波器45.150.01437.0x5.0x1.27TY0133A晶体滤波器457.5KHz37.0x5.0x1.27TY0138A晶体滤波器45.010980.00737.0x5.0x1.27TY0182A晶体滤波器450.0075511.4x7.0x2.35无线通信TY0128A晶体滤波器73.350.01327.39x7.39x1.6寻呼机TY0269AA3520晶体滤波器73.356KHz57.0x5.0x1.35其他兆亿微波商城是嘉硕代理商之一，具有多个型号的现货库存，如有需求可联系客服。
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2026/5/15 11:06:14
Mini-Circuits的ZVBP-8100-S+是一种同轴腔滤波器，通过实现具有极高Q值的谐振结构而设计，非常适合窄带、高选择性应用。Mini-Circuits的同轴腔滤波器具有特殊的保护组件，可防止意外失谐，否则需要昂贵的更换或返回工厂进行重新调谐。精密加工允许实现具有小形状因子的腔体滤波器，适用于尺寸至关重要的应用。主要特点低插入损耗，典型值0.75dB。回波损耗良好，典型值为19dB。高抑制，典型值96 dB。宽阻带高达17000 MHz功率处理：5瓦ZVBP-8100-S+应用电信卫星通信雷达系统功能图如下：
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2026/5/14 15:47:09
Mini-Circuits的ZXBF系列无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。这是在一种新的宽带、稳定的连接器封装中开发的。ZXBF系列主要特点：专利设计终止阻带信号阻带高达40 GHz高阻带抑制，高达60 dBZXBF系列主要型号有：ZXBF-K24+：19500 - 20500 MHz, 50ΩZXBF-K163+：15500 - 16500 MHz, 50ΩZXBF-K183+：17500 - 18500 MHz, 50ΩZXBF-K282+：2350 - 3150 MHz, 50Ω
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2026/5/14 15:42:48
Mini-Circuits的连接薄膜滤波器ZABF-6R5G-S+通过氧化铝基板上的薄膜实现了低插入损耗和高抑制，使用溅射工艺可以保证增强的Q值和可重复的性能。低通、高通和带通连接器薄膜设计可以通过这项技术以小尺寸实现高达40 GHz的频率，帮助用户实现SWaP目标。主要特点低通带插入损耗，典型值为2 dB。高抑制，典型值52 dB。尺寸小应用无线通信C波段ZABF-6R5G-S+其功能图如下：
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2026/5/14 15:36:05
ZX75BP-1500-S+是一款宽带带通滤波器，采用坚固的连接器封装，覆盖1350至1650 MHz。这是为非对称抑制应用而设计的，如超外差接收机。通过具有不对称频带，在相对较小的封装和较低的通带插入损耗中实现了上侧频带的更快滚降。它具有跨批次的可重复性能和跨温度的一致性能。具备的特征：•上侧带快速滚落•通带匹配良好•连接包应用程序•航空和航空•数字音频广播•海事•移动卫星•射电天文学•无线医疗遥测
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2026/5/14 15:31:10
TS72421K 与 TS72461K 均为基于氮化镓（GaN）技术的对称反射式单刀四掷（SP4T）宽带射频开关，二者在整体架构与核心规格上保持了高度一致。两者均采用 16 引脚 3 mm × 3 mm × 0.8 mm 的 QFN 封装，支持 10 W 连续波功率处理与 40 dBm 热切换能力，射频通路上无需外置直流阻断电容，控制接口为 4 条独立控制线，可实现多达 16 种开关状态的灵活配置，电源电压范围均为 2.6 V 至 5.5 V，并符合 RoHS/REACH/无卤素环保标准。两者的差异主要体现在以下方面工作频率范围有所不同：TS72421K 的可用频段为 700 MHz 至 3.8 GHz，而 TS72461K 将低频下限进一步延伸至 400 MHz，从而覆盖了更宽的亚千兆赫频段，这对需要 400 MHz 至 700 MHz 频段支持的系统而言尤为重要。插入损耗表现略有差别：在 800 MHz 测试频点下，TS72421K 的典型插入损耗为 0.45 dB，而 TS72461K 优化至 0.40 dB，后者在信号通路上的能量损耗略低，有助于提升系统整体链路预算。在应用层面的划分上，TS72421K 明确将 ADS-B（广播式自动相关监视）系统列入典型应用场景，同时涵盖蜂窝基础设施、小基站、LTE 中继与微蜂窝以及卫星终端；而 TS72461K 主要面向蜂窝基础设施、小基站、LTE 中继/微蜂窝和卫星终端等通信基础设施领域。综合来看，若设计需求涉及 400 MHz 以下频段覆盖，或对 800 MHz 附近的插入损耗有更为严苛的要求，TS72461K 凭借更宽的频率范围和更低的插入损耗指标将是更合适的选择。反之，若系统工作频段始于 700 MHz 以上，且明确面向 ADS-B 等航空监视应用，则 TS72421K 的规格定义与应用背书使其成为更...
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2026/5/14 15:25:07
TS64210L–1.1Ω ON电阻GaN宽带射频开关SP2T特性● 低1.1Ω 导通电阻● 0.28pF-Coff● 120V射频峰值电压处理● 每个州都可以独立控制● 4 独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 多功能2.65.5V电源● 1.25.0V数字控制TS63421K–GaN宽带射频调谐开关4位SP4T特性● Rds在1.1Ω ● Coff 0.21pF● 100V射频峰值电压处理● 4-BIT 16可能的独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 直流电源：Vdd=2.65.5V，Vcp=-18V● 1.25.0V GPIO总线● 超低杂散选项需要-18V外部电源TS63410K–GaN宽带射频调谐开关4位SP4T特性● Rds在1.1Ω ● Coff 0.21pF● 100V射频峰值电压处理● 4-BIT 16可能的独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 直流电源：Vdd=2.65.5V● 1.25.0V GPIO总线TS63430D–4调谐开关，RON=0.5Ω,V=100V特性•全集成解决方案，单个VDD=2.6…5.25V•频率范围30MHz至1000MHz•RON=0.5Ω•50WCW功率•VPEAK=100V•与SOI相比，无突然电压击穿•切换时间=5.9µs，无功率降额•低功耗，小于1mW•不需要提供负电压TS63430D–4T/5T二进制调谐开关，RON=0.5Ω,V=100V特性•全集成解决方案，单个VDD=2.6…5.25V•频率范围30MHz至1000MHz•RON=0.5Ω•50WCW功率•VPEAK=100V•与SOI相比，无突然电压击穿•切换时间=7.2µs，无功率降额•低功耗，小于1mW•不需要提供负电压
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2026/5/14 15:12:59
TA9010K2WGaN功率晶体管20MHz至5.0GHz特性•2W GaN驱动级•28V典型操作•频率范围20MHz至5.0GHz•1000MHz时的小信号增益：20dB•1000MHz时的P3dB增益：15dB• PAE@P3dB@1000MHz:45%TA9110K6 W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管特性● 1000 MHz时的小信号增益：17 dB● 1000 MHz时的大信号增益：14 dB● 1000 MHz时的PSAT：40 dBm● 在1000 MHz时，PSAT的PAE:55%● 28 – 32 V典型操作● 工作频率：30 MHz至4.0 GHzTA9210D12.5W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管特性● 800 MHz时的小信号增益：18 dB● 800 MHz时的大信号增益：13.5 dB● 800 MHz时的PSAT：41.5 dBm● 在800 MHz时，PSAT的PAE：55%● 28 – 32 V典型操作● 工作频率：30 MHz至4.0 GHzTA9310E20 W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管特性•900 MHz时的小信号增益：17.5 dB•900 MHz时的大信号增益：14.0 dB•900 MHz时的PSAT：44 dBm•900 MHz时PSAT的PAE：55%•28-32V典型操作•工作频率：30 MHz至4.0 GHzTA9410E25 W CW、50V、20-3000 MHz GaN功率晶体管特性● 1000 MHz时的小信号增益：20 dB● 1000 MHz时P3dB的增益：17 dB● 1000 MHz时的P3dB:44 dBm● 1000 MHz时P3dB的PAE：57%● 50 V典型操作● 工作频率：20 MHz至3.0 GHz
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2026/5/14 15:05:38
TL0374J:0.03-3.0GHz GaAs超低噪声放大器特性● 1800 MHz时的小信号增益：21.5 dB● 1800 MHz时的噪声系数：0.35 dB● 1800 MHz时的OP1dB:18.5 dBm● 1800 MHz时的OIP3dB:35 dBm● 5 V典型工作电压● 工作频率：0.03至3.0 GHzTL0375J:2.0–5.0 GHz GaAs超低噪声放大器特性●3600 MHz时的小信号增益：17.5 dB● NF@3600MHz：0.4dB● OP1dB@3600MHz：19.5 dBm● 3600MHz时的OIP3dB:32.5 dBm● 5V典型工作电压● 工作频率：2.0至5.0 GHzTL0301H:4.9–6.0 GHz高增益超低噪声放大器特性● 5.5 GHz时的小信号增益：17.8 dB● 5.5 GHz时的EVB噪声系数：1 dB● 5.5 GHz时的IP1dB:-4.5 dBm● 3.3 V典型工作电压● 工作频率：4.9至6.0 GHzTL0302H:5.925–7.125 GHz高增益超低噪声放大器特性● 6.6 GHz时的小信号增益：13.6 dB● 6.6 GHz下的噪声系数：1.4 dB● 6.6 GHz时的IP1dB:0.5 dBm● 3.3 V典型工作电压● 工作频率：5.925至7.125 GHzTR0329M:2.0–4.2 GHz超低噪声2级旁路低噪声放大器特性● 3600 MHz时的小信号增益：34 dB（高增益模式）@3600 MHz：15 dB（低增益模式）● NF@3600 MHz：0.5 dB（高增益模式）@3600 MHz：0.5 dB（低增益模式）● 3600 MHz时的P1dB:20 dBm（高增益模式）@3600 MHz：10.5 dBm（低增益模式）● 5 V典型工作电压● 工作频率：...
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2026/5/14 14:44:46
TSL8329M特征：集成双通道射频前端2级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配单电源操作3.6 GHz时的增益：32 dB（高增益模式）@3.6 GHz:13 dB（低增益模式）NF@3.6 GHz:1.0 dB（高增益模式）@3.6 GHz:0.9 dB（低增益模式）OP1dB@3.6 GHz:20 dBm（高增益模式）@3.6 GHz:10.5 dBm（低增益模式）工作频率：2.0至4.2 GHz高隔离度：RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：典型值为40 dBTERM-CHA和TERM-CHB:55 dB典型值3600 MHz时的插入损耗：0.45 dB（TX模式）TCASE=105°C下的高功率处理全寿命LTE平均功率（9 dB标准杆数）：43 dBm高OIP3（高增益模式）：典型值为35 dBm高增益模式电流：5V时典型值为90mA低增益模式电流：5V时典型值为45mA断电模式电流：5V时典型值为5mA正向逻辑控制6毫米×6毫米，40针QFNTSL8028N特征：集成单通道射频前端两级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配单电源操作3.6 GHz时的增益：33 dB[高增益模式]@3.6 GHz:14 dB[低增益模式]NF@3.6 GHz:1.2 dB[高增益模式]@3.6 GHz:1.1 dB[低增益模式]OP1dB@3.6 GHz:21 dBm[高增益模式]@3.6 GHz:12 dBm[低增益模式]工作频率：2至5 GHz3600 MHz时的插入损耗：0.3 dB[TX模式]3.6 GHz下的开关隔离度：17 dB[RX HG模式]3.6 GHz时的RXHG隔离度：48 dB[PD=5V&BP=0V]3.6 GHz时的RXLG隔离度：48 dB[PD=BP=5V]TCASE=105°C下的高功率处理全寿命...
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2026/5/14 14:36:13
TA3115AA1223SAW滤波器2655 MHz尺寸1.0x0.9 mm BW 70 MHz最大额定值：输入功率：15dBm最大直流电压：3V工作温度范围：-30°C至+85°C储存温度范围：-40°C至+85°C湿度敏感等级：3级（MSL3）TS0034A声表面波振荡器627.27MHz贴片13.7X9.4毫米TS0034A是一款SAW 振荡器，采用 13.7x9.4 mm 的 SMD（表面贴装器件） 封装。其标称输出频率为 627.27MHz。此外，该器件符合 RoHS 标准，并采用无铅焊接工艺。TS0032A声表面波振荡器628.1737MHz贴片13.7X9.4毫米符合RoHS标准、采用无铅封装的13.7x9.4mm表面贴装器件（SMD），其标称输出频率为627.9933MHz，频率容差为±250ppm，在3.3V典型供电电压下的最大电流消耗为40mA。该器件的输出信号在50Ω负载下的典型电压为0.9Vp-p，并具备出色的相位噪声性能，在100KHz偏移处的典型值可达-154dBc/Hz。此外，其工作温度范围内的频率牵引效应较小，且对静电放电（ESD）敏感。上述型号推荐回流配置文件：1.预热温度应固定在150-180℃，持续60-90秒。2.升温至预热温度150℃的时间应为30秒。3.加热应固定在220℃下50-80秒，峰值温度为260℃+0/-5C（20-40秒）。4.时间：2次。
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2026/5/14 14:23:42
AD9230架构由前端采样保持放大器（SHA）和流水线开关电容ADC组成。来自每一级的量化输出在数字校正逻辑中被组合成最终的12位结果。流水线架构允许第一级对新的输入样本进行操作，而其余级对先前的样本进行操作。采样发生在时钟的上升沿。除最后一级外，流水线的每一级都由一个低分辨率闪存ADC组成，该ADC连接到开关电容DAC和级间残差放大器（MDAC）。残差放大器放大重建的DAC输出和流水线中下一级的闪存输入之间的差异。每个阶段都使用一位冗余来促进闪存错误的数字校正。最后一级仅由闪存ADC组成。输入级包含一个差分SHA，可以以差分或单端模式进行交流或直流耦合。输出暂存块对齐数据，执行纠错，并将数据传递到输出缓冲区。输出缓冲器由单独的电源供电，允许调整输出电压摆动。在断电期间，输出缓冲器进入高阻抗状态。模拟输入和电压基准AD9230的模拟输入是一个差分缓冲器。为了获得最佳的动态性能，驱动VIN+和VIN-的源阻抗应匹配，以使共模稳定误差对称。模拟输入经过优化，可提供卓越的宽带性能，并要求模拟输入采用差分驱动。如果用单端信号驱动模拟输入，则SNR和SINAD性能会显著降低。宽带变压器，如Mini-Circuits®ADT1-1WT，可以为需要单端到差分转换的应用提供差分模拟输入。两个模拟输入均由片上电阻分压器自偏置至标称1.3V。内部差分电压参考产生正负参考电压，定义ADC核心的1.25 V p-p固定跨度。该内部电压基准可以通过SPI控制进行调整。
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2026/5/13 14:48:59
AD9230是一款12位单片采样模数转换器，针对高性能、低功耗和易用性进行了优化。该产品以高达250 MSPS的转换率运行，并针对宽带载波和宽带系统中的出色动态性能进行了优化。芯片上包含所有必要的功能，包括跟踪和保持（T/H）和电压参考，以提供完整的信号转换解决方案。ADC需要1.8V模拟电压电源和差分时钟才能实现全性能运行。数字输出与LVDS（ANSI-644）兼容，支持双补码、偏移二进制格式或格雷码。数据时钟输出可用于正确的输出数据定时。AD9230采用CMOS工艺制造，采用56引脚LFCSP，可在工业温度范围（-40°C至+85°C）内使用。AD9230亮点高性能——在250 MSPS和70 MHz输入下保持64.9 dBFS信噪比。低功耗——在250 MSPS下仅消耗434 mW。易用性——LVDS输出数据和输出时钟信号允许轻松连接到当前的FPGA技术。片上参考和采样保持为系统设计提供了灵活性。使用单个1.8V电源简化了系统电源设计。串行端口控制——标准串行端口接口支持各种产品功能，如数据格式化、禁用时钟占空比稳定器、断电、增益调整和输出测试模式生成。引脚兼容系列——AD9211提供的10位引脚兼容系列。应用无线和有线宽带通信电缆反向路径通信测试设备雷达和卫星子系统功率放大器线性化
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2026/5/13 14:43:18
LTC2847是一款带片上电缆终端的3驱动器/3接收器多协议收发器。当与LTC2845结合使用时，该芯片组形成一个完整的软件可选DTE或DCE接口端口，支持RS232、RS449、EIA530、EIA530-a、V.35、V.36和X.21协议。LTC2847内部提供了所有必要的电缆端接。VCC为驱动器、接收器和内部电荷泵供电，该电荷泵只需要五个节省空间的表面安装电容器。VIN电源驱动包括接收器输出驱动器的数字接口电路。它可以连接到VCC或关闭较低的电源（低至3V），以与低压ASIC接口。LTC2847采用0.8mm高、5mm×7mm QFN封装。具备的特征软件可选收发器支持：RS232、RS449、EIA530、EIA530-A、V.35、V.36、X.21由单个5V电源供电数字接口的独立电源引脚工作电压低至3V片上电缆端接配备LTC2845的完整DTE或DCE端口提供38针5mm×7mm QFN封装应用数据网络CSU和DSU数据路由器
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2026/5/13 14:38:36
HMC741ST89E是一款InGaP异质结双极晶体管（HBT）增益块MMIC SMT放大器，覆盖0.05至3 GHz。该放大器采用行业标准SOT89封装，可用作可级联的50欧姆RF或IF增益级，以及输出功率高达+18.5 dBm的PA或LO驱动器。HMC741ST89E在200 MHz下提供20 dB的增益和+42 dBm的输出IP3，可以直接从+5V电源工作。HMC741ST89E在温度范围内表现出优异的增益和输出功率稳定性，同时需要最少的外部偏置元件。具备的特征P1dB输出功率：+18.5 dBm增益：20 dB输出IP 3:+42 dBm可级联50欧姆I/O单电源：+5V行业标准SO T89包装坚固的1000V ES D，1C级稳定电流过温主动偏差网络应用•蜂窝/3G和WiMAX/4G•固定无线和WLAN•有线电视、有线调制解调器和DBS•微波无线电和测试设备•中频和射频应用
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2026/5/13 14:35:10
HMC792LP4E是一款低成本无引线SMT封装的宽带6位GaAs IC数字衰减器。这种多功能数字衰减器结合了片外交流接地电容器，用于近直流操作，使其适用于各种射频和中频应用。双模控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线串行输入或6位并行字。HMC792LP4E还具有用户可选择的通电状态和串行输出端口，用于级联其他Hittite串行控制组件。HMC792LP4E采用符合RoHS标准的4x4 mm QFN无引线封装，不需要外部匹配组件。特性0.25 dB LSB阶跃至15.75 dB通电状态选择高输入IP3:+55 dBm低插入损耗：1.8 dB@2.0 GHzTTL/CMOS兼容，串行，并行或闭锁式并联控制±0.2 dB典型阶跃误差单路+3V或+5V电源24引脚4x4mm SMT封装：16mm2HMC792LP4E非常适合：•蜂窝/3G基础设施•WiBro/WiMAX/4G•微波无线电和甚小孔径终端•测试设备和传感器•中频和射频应用
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2026/5/13 14:30:53
HMC821LP6CE是一款全功能小数N分频锁相环(PLL)频率合成器，集成压控振荡器(VCO)。 频率合成器由带有三频段输出的集成式低噪声VCO、用于低压VCO调谐的自动校准子系统、极低噪声数字相位检波器(PD)、精密控制电荷泵、低噪声参考路径分频器和小数分频器组成。小数分频频率合成器采用高级Σ-Δ型调制器设计，支持超精细步长和低杂散产物。 相位检波器(PD)采用防周跳(CSP)技术，具有更快的跳频时间。 超低近载波相位噪声和低杂散特性还实现了更宽的环路带宽，从而具有更快的跳频和低微音特性。特性• RF带宽： 860-1040，1720-2080，3440-4,160 MHz• 小数或整数模式• 19位预分频器• 超低相位噪声：-106 dBc/Hz（带内典型值）• 品质因数(FOM)：-227 dBc（整数）• 24位步长，3 Hz分辨率（典型值）• 200 MHz、14位参考路径输入• 防周跳• 40引脚6x6mm SMT封装： 36mm²应用• 蜂窝/4G基础设施• 中继器和毫微微蜂窝• 通信测试设备• 有线电视设备• 相控阵应用• 替代DDS• 极高数据速率无线电
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2026/5/13 14:27:06