HMC439QS16G(E)是一款数字鉴相鉴频器，适合低噪声相位锁相环应用，输入频率10至1300 MHz。 它将高工作频率和超低相位噪底结合在一起，能够提供具有很宽环路带宽的合成器和低分频数，从而实现快速开关和极低相位噪声。 与差分环路放大器结合使用时，HMC439QS16G(E)可以生成输出电压，用于锁相VCO为参考振荡器。 该器件采用低成本表面贴装16引脚QSOP封装，具有裸露基极，以便改进RF性能和散热性能。应用点对点无线电卫星通信系统军事应用Sonet时钟生成
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2023/2/9 11:40:06
THMC732LC4B是一款宽带GaAs InGaP HBT MMIC压控振荡器，集成谐振器、负电阻器件和变容二极管。 由于该振荡器采用单芯片结构，因此在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 Vtune端口支持0至+23V的模拟调谐电压。 HMC732LC4B VCO采用+5V单电源供电，功耗仅为57 mA，提供符合RoHS标准的SMT封装。 这款宽带VCO独一无二地集超小尺寸、低相位噪声、低功耗和宽调谐范围等特性于一体。应用工业/医疗设备测试和测量设备军用雷达、EW和ECM
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2023/2/9 11:36:28
HMC553ALC3B是一款通用型双平衡、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装。HMC553ALC3B可用作频率范围为6 GHz至14 GHz的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC553ALC3B采用经过优化的巴伦结构，提供本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)抑制性能。混频器采用的LO驱动电平范围为9 dBm至15 dBm。HMC553ALC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。
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2023/2/9 11:35:08
HMC907APM5E是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器，工作频率范围为0.2 GHz至22 GHz。该自偏置功率放大器提供14 dB增益、+40 dBm输出IP3和+28 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗仅350 mA（采用+10 V电源）。HMC907APM5E在0.2 GHz至22 GHz范围内提供±0.7 dB的出色增益平坦度，因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。HMC907APM5E放大器I/O内部匹配至50 Ω，方便集成到多芯片模块(MCM)中，采用无引脚QFN 5x5 mm表贴封装，无需外部匹配元件。应用测试仪器仪表军事和太空
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2023/2/9 11:34:00
HMC547ALP3E是一款通用的宽带高隔离度非反射GaAs pHEMT SPDT开关，采用低成本无引脚QFN塑封表贴封装。该开关频率范围为DC至20 GHz，具有高隔离和低插入损耗。该开关在最高5 GHz频率下提供大于50 dB的隔离，在最高15 GHz频率下提供大于40 dB的隔离。该开关采用-5/0V的互补负控制电压逻辑线路工作，无需偏置电源。HMC547ALP3E采用无引脚QFN 3x3 mm表贴封装。应用基站基础设施光纤和宽带电信微波无线电和VSAT军用无线电、雷达和ECM测试仪器仪表
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2023/2/9 11:32:48
HMC470A是一款5位数字衰减器，以1 dB步长提供31 dB的衰减控制范围。HMC470A在100 MHz至3 GHz的指定频率范围内提供出色的衰减精度和高输入线性度。不过，该数字衰减器具有用于外部交流接地电容的ACG引脚，可将工作频率扩展至低于100 MHz。HMC470A采用3 V至5 V单正电源供电，通过集成片内驱动器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型3 mm × 3 mm LFCSP封装。常见应用蜂窝基础设施微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)测试设备和传感器IF和RF设计引脚配置图
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2023/2/9 11:30:33
HMC1114PM5E 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器，可在 18 dBm 的输入功率 (PIN) 下，在 2.7 GHz 至 3.8 GHz 瞬时带宽范围上实现大于 10 W (高达 42 dBm) 的输出（典型值），功率附加效率 (PAE) 高达 55%。在小信号电平下，增益平坦度典型值小于 1 dB。HMC1114PM5E 适合脉冲波或连续波 (CW) 应用，例如无线基础设施、雷达、公共移动射频和通用放大技术。应用适合公共移动射频的长时间电池供电运行无线基础设施的功率放大器级测试与测量设备商用和军用雷达通用变送器应用
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2023/2/9 11:28:37
HMC311SC70(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至8 GHz。 此款放大器采用业界标准SC70封装，可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+15 dBm的HMC混频器LO端口。 HMC311SC70(E)提供15 dB的增益，+30 dBm的输出IP3，同时仅需+5V电源提供54 mA电流。 达林顿拓扑结构可降低对正常工艺变化的敏感度，提供出色的温度增益稳定性，只需极少的外部偏置元件。应用蜂窝/PCS/3GWiBro / WiMAX / 4G固定无线和WLAN有线电视、电缆调制解调器和数字广播卫星微波无线电和测试设备
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2023/2/9 11:27:39
HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器，采用8引脚超小型塑料表贴封装，带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器、下变频器、双相调制器或相位比较器。HMC219B采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)隔离及LO至中频(IF)隔离性能。符合RoHS标准的HMC219B无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。MMIC性能稳定可提高系统工作效率并确保符合HiperLAN、U-NII和ISM法规要求。应用微波无线电高性能无线电局域网(HiperLAN)和免执照国家信息基础设施(U-NII)工业、科研和医疗(ISM)
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2023/2/9 11:25:59
HMC7357是一款三级GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为5.5至8.5 GHz。 该放大器的增益为29 dB，饱和输出功率为+35 dBm，PAE为34%，电源电压为+8V。 HMC7357提供+41.5 dBm的出色输出IP3性能，非常适合线性应用，比如高容量点对点和点对多点无线电或VSAT/SATCOM应用——这类应用要求具有+35 dBm的高效饱和输出功率。 RF I/O内部匹配至50 Ω，使用方便。 HMC7357采用无铅5x5 mm塑料表贴封装，与表贴制造技术兼容。应用点对点无线电点对多点无线电VSAT和SATCOM
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2023/2/9 11:24:33
HMC305S(E)是一款集成CMOS兼容串行转并行驱动器的宽带5位正控制GaAs IC数字衰减器，采用无引脚QFN 4x4 mm SMT封装。 该器件的频率范围为0.7至3.8 GHz，典型插入损耗小于1.5至2 dB。 对于15.5 dB的总衰减，衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4和8 dB。 在±0.25 dB（典型值）时，衰减精度最佳且IIP3高达+52 dBm。 五位串行控制字用于选择各衰减状态。 需通过外部5 kOhm电阻施加+3V至+5V的单Vcc偏置。HMC305S(E)为HMC305A(E)、HMC305B(E)和HMC305(E)的替代器件。应用蜂窝基础设施无线基础设施微波无线电和VSAT测试仪器仪表
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2023/2/9 11:17:48
HMC252AQS24E是一款低成本非反射SP6T开关，采用24引脚QSOP封装，宽带工作频率范围为DC至3.0 GHz。 该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。 该开关上集成了3:6解码器，仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径. HMC252AQS24E SP6T可取代SP4T和SPDT MMIC开关和逻辑驱动器的多种配置。应用基站CATV / DBSMMDS和无线局域网测试设备
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2023/2/9 11:16:28
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。HMC232A的工作频率范围为100 MHz至12 GHz，在6 GHz时提供优于1.5 dB的插入损耗和50 dB隔离性能并在12 GHz时提供优于2.5 dB的插入损耗和45 dB隔离性能。HMC232A采用非反射设计，且RF端口内部端接到50 Ω。HMC232A开关采用−7 V至−3 V的互补负控制电压逻辑线路工作，无需偏置电源。HMC232A采用24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。应用测试仪器仪表微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)电信基础设施
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2023/2/9 11:15:36
HMC7992是一款通用型、非反射式、0.1 GHz至6.0 GHz、单刀四掷(SP4T)硅开关，采用无引脚、表贴封装。 该开关适合蜂窝基础设施应用，提供45 dB（典型值）的高隔离度(2 GHz)和0.6 dB的低插入损耗(2 GHz)。 它提供高达6.0 GHz的出色功率处理能力，在5 V工作电压时提供35 dBm的1 dB压缩点(P1dB)输入功率。 HMC7992具有0.1 GHz以下的良好低频输入功率处理能力，可在10 kHz以下频率工作，具有21 dBm的典型1 dB压缩以及37 dBm IIP3 (1 MHz)。片内电路使HMC7992能够在3.3 V至5 V的单正电源电压范围、以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的单正控制电压范围内工作。该开关上集成了2:4解码器，仅需两个控制输入信号和0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的正控制电压范围即可选择四个射频(RF)路径中的一个路径。应用蜂窝/4G基础设施无线基础设施汽车远程信息系统移动无线电测试设备
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2023/2/9 11:14:23
HMC792ALP4E数字衰减器都具备哪些特性呢？1.0.25 dB LSB步进至15.75 dB2.上电状态选择3.高输入IP3： +55 dBm4.低插入损耗： 1.8 dB (2 GHz)5.TTL/CMOS兼容、串行、并行或锁存并行控制6.步长误差：±0.1 dB（典型值）7.+3V或+5V单电源8.24引脚4x4mm SMT封装： 16mm²
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2023/2/9 11:12:47
HMC948LP3E对数检波器将输入端的RF信号转换为输出端成正比的DC电压。 HMC948LP3E利用连续压缩拓扑结构，提供宽输入频率范围内的高动态范围。 随着输入功率增加，连续放大器逐渐进入饱和，从而生成对数函数近似值。对一系列平方律检波器输出求和，转换至电压域并缓冲，以驱动LOG OUT输出。 HMC948LP3E提供+14.2 mV/dB的标称对数斜率和-111 dBm的截距（23 GHz时）。 HMC948LP3E作为对数检波器，非常适合高容量微波无线电和VSAT应用，并采用符合RoHS标准的紧凑型3x3 mm SMT塑料封装。应用点对点微波无线电VSAT宽带功率监控接收机信号强度指示(RSSI)测试与测量
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2023/2/9 11:11:43
HMC465LP5(E)是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器，采用5x5 mm无引脚表贴封装，在DC到20 GHz的频率范围内工作。 该放大器提供15 dB增益、3 dB噪声系数，饱和输出功率为+25 dBm，采用+8V电源时功耗仅为160 mA。 它具有0.5 dB的出色增益平坦度，在DC至10 GHz的频率范围内与线性相位的偏差为± 4 度，这些特性使得HMC465LP5(E)非常适合OC192光纤LN/MZ调制器驱动放大器以及测试设备应用。 HMC465LP5(E)放大器I/O内部匹配50 Ω。特性• 增益： 15 dB• 输出电压至10 Vp-p• 饱和输出功率： +24 dBm• 电源电压： +8V (160 mA)• 50 Ω匹配输入/输出• 32引脚5x5mm SMT封装： 25mm2
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2023/2/9 11:05:53
HMC553ALC3B是一款通用型双平衡、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装。HMC553ALC3B可用作频率范围为6 GHz至14 GHz的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC553ALC3B采用经过优化的巴伦结构，提供本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)抑制性能。混频器采用的LO驱动电平范围为9 dBm至15 dBm。HMC553ALC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电测试设备点对点无线电军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指挥、控制、通信和情报(C3I)
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2023/2/9 11:01:05