应用*插入损耗是指中频损耗，典型值为0.5 dB。50Ω 4.5至3000 MHzTC1-1-13MX型+•平衡到不平衡转换•推挽放大器•个/分布式控制系统•毫米•宽带，4.5至3000 MHz•平衡传输线•良好的回报损失•出色的振幅不平衡，典型值为0.5 dB。和相位不平衡，典型值为2度。1 dB带宽•带引线的塑料底座•水洗
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2022/12/8 10:15:05
EVA-1500+为电压变量50Ω 匹配衰减器内置屏蔽（0.394“x 0.394”x 0.15“）案例该模型使用匹配良好的PIN二极管，仔细偏置，以实现非常低的插入损耗具有非常低的电源和控制电流消耗。
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2022/12/8 10:11:18
SC5405A和SC5406B是三级、高动态范围、超外差上变频器。这两个模块设计用于将低频宽带IF信号转换为更高的RF信号，具有与直接转换设备相比的三阶线性和噪声性能，但没有图像和带内LO泄漏。当与SignalCore下变频器配对时，该对可形成频率重新分配器，其将在一个频带上接收信息并在另一频带上发送相同的信息。通过附加功能，SC5405A和SC5406B可分别配置为1 MHz至3.9 GHz正弦波发生器。
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2022/12/7 15:36:04
SC5407A和SC5408A是高性能三级外差上变频器。输入射频频率范围从DC到6GHz，模块具有80MHz、160MHz和320MHz的可选中频带宽。每个模块使用YIG振荡器作为其可调谐RF LO，其提供了优异的相位噪声，从而对输出RF信号产生了可忽略的噪声。这些宽带模块旨在满足苛刻的应用，如射频仪表、无线通信、卫星链路、软件定义的无线电和信号智能。
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2022/12/7 15:34:50
SC5412A和SC5413A是400MHz至6GHz的直接IQ调制器，将模拟同相和正交IF或IQ基带直接上变频为RF。每个模块也可以作为单级上变频器操作。DC耦合的差分IQ对可以由任何双通道基带源驱动，例如双通道任意波形发生器。本地振荡器（LO）由外部源（例如分别为SC5505A或SC5506A）提供，其副本可用于驱动另一个用于相干传输的直接IQ上变频器。无论您是为无线通信测试、软件定义无线电研究、点对点无线电、多信道相干系统或其他学术/军事项目构建系统，SC5412A和SC5413A的高动态范围、低功耗和紧凑的尺寸都能为您的系统架构提供所需的质量和灵活性。
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2022/12/7 15:33:20
SC5320A是Ka波段单级下变频器，输入RF范围为20 GHz至40 GHz，外部LO频率范围为10 GHz至20 GHz，输出IF范围为100 MHz至4 GHz，3dB带宽为2 GHz。该模块具有内部合成本地振荡器、可选RF前置放大器和可变增益控制，使其成为一个紧凑、多功能的独立下变频器模块。通过选择外部LO，SC532A可配置用于SISO应用，或与多个单元一起配对用于MIMO应用，如地基卫星通信、点对点无线电、测试仪器和其他射频测量系统。
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2022/12/7 15:27:33
SC5503B和SC5502A信号发生器设计用于满足苛刻的低相位噪声应用。这是通过采用多锁相环结构以及YIG振荡器作为其合成器的核心来实现的。频率精度由板载10MHz温度补偿晶体振荡器（TCXO）提供，如果需要，可以将其锁相到外部参考源。这些RF信号发生器可用作独立的CW信号源或用作频率转换系统（如SignalCore IQ调制器和解调器）的LO源。它们旨在满足许多现代应用的要求，如无线设备测试、软件定义无线电研究、点对点无线电、多信道相干系统以及其他学术和军事计划
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2022/12/7 15:23:21
SC5405A和SC5406B是三级、高动态范围、超外差上变频器。这两个模块设计用于将低频宽带IF信号转换为更高的RF信号，具有与直接转换设备相比的三阶线性和噪声性能，但没有图像和带内LO泄漏。当与SignalCore下变频器配对时，该对可形成频率重新分配器，其将在一个频带上接收信息并在另一频带上发送相同的信息。通过附加功能，SC5405A和SC5406B可分别配置为1 MHz至3.9 GHz正弦波发生器。
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2022/12/7 15:21:49
SC5505A和SC5506A/B信号源用作多个单级下变频器或双级下变频器的LO源。由于其低杂散含量和低相位噪声，它们是快速DAC和ADC应用的时钟源的理想选择，特别是对于那些需要可变采样率的应用。每个模块的设计目的是与SignalCore IQ调制器和解调器配对。SC5505A和SC5506A/B的紧凑尺寸和仪器级性能使其成为许多现代应用的理想射频源，如无线测试系统、雷达、数字时钟、仪器以及学术和军事应用。
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2022/12/7 15:20:19
SC5305A和SC5306B是三级超外差式RF下变频器，与单级转换相比，可提供卓越的图像抑制。这两个模块设计用于满足电缆调制解调器测试、软件定义无线电开发和频谱监测等苛刻应用，具有高信噪比动态范围和高无杂散动态范围。使用低噪声线性放大器、低损耗混频器和高性能固态衰减器实现了卓越的无杂散动态范围。
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2022/12/7 15:16:42
SC5520A和SC5521A是超高频合成器系列（UHFS）信号发生器的一部分。它的频率调谐范围为160 MHz至40 GHz，分辨率为1 Hz，振幅范围为-10 dBm至+15 dBm，相位噪声在市场上处于最低水平。这些模块既紧凑又坚固，是系统集成到变频器、测试设备或现代数字数据转换器中时钟的理想选择。事实证明，在数字通信中，该设备的卓越相位噪声不会降低数字数据的EVM。该信号发生器的优良相位噪声及其成本效益将使系统设计过程顺利。
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2022/12/7 15:14:45
此CSD87351Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
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2022/12/7 11:49:38
CSD87331Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
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2022/12/7 11:48:13
CSD87333Q3D NexFET™电源块是面向同步降压和升压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，在与外部控制器或驱动器配合使用时， 可在高占空比应用中 提供灵活的解决方案。
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2022/12/7 11:46:44
CSD87335Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
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2022/12/7 11:44:45
CSD88584Q5DC 40V 电源块是用于高电流电机控制应用的优化设计，这些 应用包括手持无线园艺和电动工具等。该器件利用 TI 获得专利的堆叠裸片技术，以最大限度地减小寄生电感，同时在节省空间的热增强型 DualCool™5mm × 6mm 封装中提供完整的半桥。利用外露的金属顶部，该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从 PCB 带走，从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下，实现出色的热 性能。
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2022/12/7 11:43:44
CSD86336Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。
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2022/12/7 11:42:38
按照设计，此单路双输入正与门可在 1.65V 至 5.5V VCC 电压下运行。SN74LVC1G08 器件以正逻辑执行布尔函数或 。CMOS 器件具有高输出驱动，同时在宽 VCC 工作范围内保持低静态功率耗散。SN74LVC1G08 采用多种封装，包括外形尺寸为 0.8mm × 0.8mm 的超小型 DPW 封装。
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2022/12/6 15:45:07