翻出本人早期设计失误的一个电路，该电路是数字电路的电源，为图方便对12V直接通过线性电源芯片降压到5V：几块电路板打样好后，测试均发现AMS1117-5.0芯片烫手，负载电流100mA多，也满足芯片手册里面的参数：线性电源的特点：输入电流 = 输出电流。在图1里，Ia = Ib = Ic，芯片U1（AMS1117-5.0）输入输出电压相差12V - 5V = 7V，此时损耗功率至少 7V × 100mA = 0.7W，这就是U1烫手的原因。吸取教训后，不得不采用BUCK电路降压，该电路作为模块使用多年，稳定可靠：BUCK电路的开关电源特点：η × 输入功率 = 输出功率，η × 12V × Ix = 5V × Iyη为转换效率，计算得出 Ix ≈ 50mA。总结：线性电源输入输出的压差大，要注意是否会导致芯片过热，加速芯片老化，埋下质量隐患。设计人员一定要严谨，做到精益求精。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2021/8/10 11:21:37
众所周知，几乎所有的电子元器件都是对静电敏感的，如果处理不当，将恶化元器件的性能，甚至造成彻底损坏。在低温干燥的环境中，极易产生静电，当然静电主要还是通过摩擦产生的。除了我们所熟知的静电产生的原因外，还有一种情况容易被忽略，那就是长线缆的电荷积聚。长线缆为什么会产生静电危害，在哪些场景下会产生静电危害，以及如何进行规避，这些将是本文要重点介绍的内容。除非特别说明，下文中的线缆都是指射频同轴线缆。线缆生产过程中电荷是如何积聚的？简单地讲，射频同轴线缆的结构由内到外依次为：内导体、填充介质、外导体(屏蔽层)以及保护层。在线缆生产过程中，为了检测填充介质是否杂质超标，是否存在受外力导致的畸变等缺陷，需要对其进行介质耐压测试。在整个线缆生产环节中，介质耐压测试是保证线缆质量的关键一环，是必不可少的。根据同轴线缆的材质和尺寸，介质耐压测试所需要的电压不同，但通常都在kV级别。图1给出了介质耐压测试的连接图，采用DC进行测试，待测线缆的外导体与高压“+”端子相连，内导体与地端子相连。如果填充介质中存在缺陷，将无法承受高压而被击穿，同时检测仪表会给出报错信息。图1. 同轴线缆介质耐压测试连接图正是在介质耐压测试的过程中，才完成了内、外导体上电荷的积聚。因为同轴线缆内、外导体及填充介质实际构成了一个电容器，当在内、外导体之间施加高压直流时，就相当于对该电容进行充电，其等效电路图如图2所示。如果没有及时对线缆放电，那么内导体和外导体上均带有电荷。电荷的多少取决于所施加的电压，以及同轴线缆等效电容Ce的大小，而等效电容又正比于同轴线缆的长度。因此，当对长达几十米甚至更长的线缆完成介质耐压测试后，内导体上将会积聚大量的电荷。如果不进行妥善处理，无疑会对与之接触的器件或者测试设备带来不可挽回的损害。图2. 介质耐压测试等效电路图积聚电荷的危害及预防措施绝大多数射频测试场景中，都不会涉及上述电荷积聚...
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2021/8/9 16:30:14
在电子设计电路中，我们经常会看到三极管的出现。三极管是经常应用的一个电子元器件，在模拟电路中经常利用其工作在线性区来做信号处理电流放大等，在数字电路中又会利用其工作在饱和区截止区来作为开关控制。作为开关使用，除了在数字电路中应用以外，还多用于电力电子中用作功率处理，常见有开关电源、逆变器等。然而我们很多工程师对三极管的理解不是那么到位，所以本文就简述一下三极管作为开关使用的工作原理。三极管有三个工作状态；截止、放大、饱和；放大状态很有学问也很复杂，多用于集成芯片，比如运放，现在不讨论；其实对信号的放大我们通常用运放处理。三极管更多的是当作一个开关管来使用，且只有截止、饱和两个状态；截止状态看作是“关”，饱和状态看作是“开”；Ib≥1mA时，完全可以保证三极管工作在饱和状态，对于小功率的三极管此时Ic为几十到几百mA，驱动继电器、蜂鸣器等功率器件绰绰有余。1、把三极管箭头理解成一个开关，如下图为NPN型三极管，按下开关S1，约1mA的Ib流过箭头，箭尾比箭头电压高0.6V~0.7V（钳位电压），三极管工作在饱和状态，c极到e极完全导通，c极电平接近0V（GND）；负载RL两端压降接近5V；Ib与Ic电流都流入e极，根据电流方向，e极为低电平，应接地，c极接负载和电源。2、如下图为PNP型三极管，按下开关S2，约1mA的Ib流过箭头，箭尾比箭头电压高0.6V~0.7V（钳位电压），三极管工作在饱和状态，e极到c极完全导通，c极电平接近5V；负载RL两端压降接近5V；Ib与Ic电流都流出e极，根据电流方向，e极为高电平，应接电源，c极接负载和地。3、如下图，对于NPN三极管，更应该在b极加一个下拉电阻（2~10k），一是为了保证b、e极间电容加速放电，加快三极管截止；二是为了保证给三极管b极一个已知逻辑状态，防止控制输入端悬空或高阻态时对三极管工作状态的不确定。4、如下图，对于P...
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2021/8/6 14:46:23
01 选频放大电路 1.电路设计目标 设计这个150kHz选频放大电路是为了将在 第十六届全国大学智能汽车竞赛[1] 中的节能信标组中，用于电磁导航对于 无线充电信号[2] 进行放大。 在 节能信标无线感应定位测试：200kHz[3] 中，在距离无线信标1米左右的距离内，对于几种不同的电感接收无线信号进行了初步测试，可以看到不同的电感接收方案所获得的交流信号的幅值在几十毫伏左右。那么如果距离远（比如在5米左右）这个电压信号可能就会降低到几百个微伏。因此需要对接收到的信号进行有效的放大。 ◎ 设计选频放大器指标： 中心频率：150kHz 选频带宽：2kHz，对应的选频回路的Q值为75。 信号增益：40dB以上，也就是能够将在5米距离处的感应信号放大到几百mV。 2.放大框架 虽然100kHz信号不算很高，借助于DSP器件可以完成软件选频信号处理。但是考虑到第16届智能车竞赛中用于节能信标组的控制器是来自于Infineon公司的MCU，它对应的ADC主频采集以及处理能力与DSP还是有一定的差距，所以下面选择使用全模拟电路实现选频放大电路的设计。 为了简单起见，测试基于高频NPN晶体管 9018的小型号高频放大电路。选频回路采用 超声波测距升压可调中周[4] 加谐振电容的方式完成选频放大。 由于电路的频率较低，所以放大电路在 面包板上进行测试[5] ，虽然 为什么面包板不能够做射频电路实验[6] ，但对于150kHz的放大器进行测试还是可以的。 3.基本放大电路 利用NPN高频小功率放大晶体管9018组成选频放大电路。 （1）设置工作点Rb 调整Rb使得T1的工作电流在10mA左右。 ▲ 基本放大电路 下图是使用 测...
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2021/8/6 10:25:32
1、绝缘损坏引起短路故障。电力电缆的保护铅皮在敷设时被损坏或在运行中电缆绝缘受机械损伤，引起电缆相间或铅皮间的绝缘击穿，产生的电弧使绝缘材料及电缆外保护层材料燃烧起火。 2、电缆长时间过载运行。长时间的过载运行，电缆绝缘材料的运行温度超过正常发热的最高允许温度，使电缆的绝缘老化干枯，这种绝缘老化干枯的现象，通常发生在整个电缆线路上。由于电缆绝缘老化干枯，使绝缘材料失去或降低绝缘性能和机械性能，因而容易发生击穿着火燃烧，甚至沿电缆整个长度多处同时发生燃烧起火。 3、油浸电缆因高差发生淌、漏油。当油浸电缆敷设高差较大时，可能发生电缆淌油现象。淌流的结果，使电缆上部由于油的流失而干枯，这部分电缆的热阻增加，使纸绝缘焦化而提前击穿。另外，由于上部的油向下淌，在上部电缆头处腾出空间并产生负压力，使电缆易于吸收潮气而使端部受潮。电缆下部由于油的积聚而产生很大的静压力，促使电缆头漏油。电缆受潮及漏油都增大了发生故障起火的机率。 4、中间接头盒绝缘击穿。电缆接头盒的中间接头因压接不紧、焊接不牢或接头材料选择不当，运行中接头氧化、发热、流胶;在做电缆中间接头时，灌注在中间接头盒内的绝缘剂质量不符合要求，灌注绝缘剂时，盒内存有气孔及电缆盒密封不良、损坏而漏入潮气，以上因素均能引起绝缘击穿，形成短路，使电缆爆炸起火。 5、电缆头燃烧。由于电缆头表面受潮积污，电缆头瓷套管破裂及引出线相间距离过小，导致闪络着火，引起电缆头表层绝缘和引出线绝缘燃烧。 6、外界火源和热源导致电缆火灾。如油系统的火灾蔓延，油断路器爆炸火灾的蔓延，锅炉制粉系统或输煤系统煤粉自燃、高温蒸汽管道的烘烤，酸碱的化学腐蚀，电焊火花及其他火种，都可使电缆产生火灾。 防止电线电缆起火的措施 1、保证施工质量，特别是电缆头的制作质量一定要严格符合规定要求。 2、加强电缆运行监视，避免电缆过负荷运行。 3、按期进行电缆测...
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2021/8/5 14:09:17
电子元器件是指电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用，常见的电子元器件包括电阻、电容、二极管、三极管、电感等器件。下面就为大家介绍一下常见电子元器件的识别和作用。电路板中的各种电子元器件一般电路中，常用的代号标识如下：R----电阻C----电容器D----二极管VT---三极管,或者场效应管L----电感W----电位器Z----阻抗1.电阻电阻在电路中用“R”加数字表示，例如‘R7’就表示编号为7的电阻，电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等。电阻的识别主要有两种方法：色标法和数标法。数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：103表示10000Ω(10后面加3个0)也就是10K。色标法通常用于色环电阻器，其表示方法如下：色环电阻表示方法2.电容电容在电路中一般用“C”加数字表示，例如‘C160’就表示编号为160的电容。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容的是识别也是两种方法，即色标法和数标法。3.二极管二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D9表示编号为9的二极管。二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。二极管的识别比较容易，可以直接通过符号标志“P”、“N”来确定二极管的极性;发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。4.三极管三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q3表示编号为3的三极管。三极管是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。三极管引脚的排列方式具有一定的规律，平面朝向自己的状态下，从左到右依次是e、b、c三个脚，容易识别。三极管识别示意图5.电感电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L10表示编号为10的电感，电感...
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2021/8/5 14:01:46
电子设备的快速发展，使其更新换代的脚步也加快，电源是电子设备中必备的设备之一，电源管理技术的发展成为众多客户的关注热点，电源管理技术主要有那些呢，兆亿微波商城为您介绍常见的8种电源管理IC芯片。电源管理半导体本中的主导部分是电源管理IC，大致可归纳为下述8种。1、AC/DC调制IC。内含低电压控制电路及高压开关晶体管。2、DC/DC调制IC。包括升压/降压调节器，以及电荷泵。3、功率因数控制PFC预调制 IC。提供具有功率因数校正功能的电源输入电路。4、脉冲调制或脉幅调制PWM/ PFM控制IC。为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器，用于驱动外部开关。5、线性调制IC（如线性低压降稳压器LDO等）。包括正向和负向调节器，以及低压降LDO调制管。6、电池充电和管理IC。包括电池充电、保护及电量显示IC，以及可进行电池数据通讯“智能”电池 IC。7、热插板控制IC（免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响）。8、MOSFET或IGBT的开关功能ic。电源管理半导体从所包含的器件来说，明确强调电源管理集成电路（电源管理IC，简称电源管理芯片）的位置和作用。电源管理半导体包括两部分，即电源管理集成电路和电源管理分立式半导体器件。电源管理集成电路包括很多种类别，大致又分成电压调整和接口电路两方面。电压凋整器包含线性低压降稳压器（即LDO），以及正、负输出系列电路，此外 不有脉宽调制（PWM）型的开关型电路等。因技术进步，集成电路芯片内数字电路的物理尺寸越来越小，因而工作电源向低电压发展，一系列新型电压调整器应运 而生。电源管理用接口电路主要有接口驱动器、马达驱动器、功率场效应晶体管（MOSFET）驱动器以及高电压/大电流的显示驱动器等等。电源管理分立式半导体器件则包括一些传统的功率半导体器件，可将它分为两大类，一类包含整流器和晶闸管;另一类是三极管型，包含功率双极性晶体管，含有MO...
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2021/8/5 11:58:17
PCB layout的意思是：印刷电路板，又称印制电路板，作为电子元件的载体，实现了电子元器件之间的线路连接和功能实现。传统的电路板工艺，采用了印刷蚀刻阻剂的工法，做出电路的线路及图面，因此被称为印制电路板或印刷线路板。1.贴片之间的间距贴片之间的间距既不能太大（浪费电路版面），也不能太小，避免焊锡膏印刷粘连以及焊接修复困难。间距大小可以参考如下的规范：■ 相同器件：≥ 0.3mm■ 不同器件：≥ 0.13×h+0.3mm（h为周围近邻与器件最大高度差）■ 手工焊接和贴片时，与器件之间的距离要求：≥ 1.5mm。2、直插器件与贴片的距离如上图，直插式电阻器件与贴片之间应保持足够的距离，建议在1-3mm之间，由于加工比较麻烦现在用直插件的情况已经很少了。不过电路板外接插座往往都是直插件。3、对于IC的去耦电容的摆放每个IC的电源端口附近都需要摆放去耦电容，且位置尽可能靠近IC的电源口，当一个芯片有多个电源口的时候，每个接口都要布置去耦电容。4、PCB板边沿的元器件摆放方向与距离由于一般都是用拼板来做PCB，因此在边沿附近的器件需要符合两个条件。第一就是与切割方向平行（使器件的机械应力均匀，比如如果按照上图左边的方式来摆放，在拼板要拆分时贴片两个焊盘受力方向不同可能导致元元件与焊盘脱落）第二就是在一定距离之内不能布置器件（防止板子切割的时候损坏元器件）5.相邻焊盘相连如果相邻的焊盘需要相连，首先确认在外面进行连接，防止连成一团造成桥接，同时注意此时的铜线的宽度。6、焊盘落在铺地区域如果焊盘落在铺通区域应该采取右边的方式来连接焊盘与铺通，另根据电流大小来确定是连接1根线还是4跟线。如果采取左边的方式的话，在焊接或者维修拆卸元器件时比较困难，因为温度通过铺的铜把温度全面分散导致焊接困难。7、焊盘泪滴如果导线比直插器件的焊盘小的话需要加泪滴上图左边的方式。加泪滴有如下几个好...
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2021/8/5 11:37:59
在电子设计中，运算放大器作为一种最常见的元器件被工程师们应用到各种信号调理电路中去。但是，当设计中没有足够的裕量支持运放去带负载的时候，放大器就会因为不稳定而极易发生振荡。导致运放稳定性问题的最常见原因是输出端的电容，常见的电容负载的电路包括：电容、MOSFET、电缆线、高速光耦等，这些容性负载不能直观看到具体的容值，所以在设计中一定要检查运放输出端是否有连接到上述这几种容性负载。本文将讨论为什么容性负载会导致稳定性问题，并且将会给出一种使用隔离电阻来进行补偿的解决方案。1、通过相位裕度的大小判断电路稳定性的方法①相位裕度及增益裕度的概念相位裕度：放大器开环增益与频率曲线中，180°的相位与开环增益下降至单位增益处的相位之差的绝对值。增益裕度：放大器开环增益与频率曲线中，180°的相位处的增益与放大器开环增益下降至单位增益处的增益之差的绝对值。②运放电路稳定性的判断稳定性可用表中的标准来判断。在设计放大器电路时，应确保45°以上的相位裕度，最好有60°以上的相位裕度。增益裕度要确保10dB以上。当相位裕度降低到30°以下，频率特性的图中就会出现凸峰，输出端很小的负载电容就会使电路陷入振荡。2、运放输出端带容性负载的分析如上图1-1及图1-2的电路及对应的波特图所示，10nF容性负载条件下，在Aol曲线上会生成一个极点，同时观察在增益为0dB的频点f对应的相位裕度只有4度左右。对应表格，此时在电路的相位裕度为4度的时候，可得出运放的电路输出是很不稳定的。由下图中的运放内部等效结构图及对应的波特图，可以看到运放输出端的Ro与输出负载电容Cout会形成新的极点，对应的频率点为 1/(2πRo*Cout)处，最终在该极点以后Aol对应频率曲线下降的斜率会变为-40dB/10倍频，这也是可以判断运放工作在不稳定状态的一个因素之一。图2...
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2021/7/2 10:01:04
电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件，设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的，因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要。小编精选了在维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧，供大家参考。1. 测整流电桥各脚的极性万用表置R×1k挡，黑表笔接桥堆的任意引脚，红表笔先后测其余三只脚，如果读数均为无穷大，则黑表笔所接为桥堆的输出正极，如果读数为4～10kΩ，则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极，其余的两引脚为桥堆的交流输入端。2. 晶振损坏判别检测先用万用表(R×10k挡)测晶振两端的电阻值，若为无穷大，说明晶振无短路或漏电;再将试电笔插入市电插孔内，用手指捏住晶振的任一引脚，将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分，若试电笔氖泡发红，说明晶振是好的;若氖泡不亮，则说明晶振损坏。3. 单向晶闸管损坏判别检测可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻，如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω～lkΩ)，则此时黑表笔所接的为控制极，红表笔所接为阴极，另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结，我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时，如果正、反向电阻均为零或无穷大，表明控制极短路或断路;测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时，正、反向电阻读数均应很大;测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时，正、反向电阻都应很大。4. 双向晶闸管损坏判别检测双向晶闸管有主电极1、主电极2和控制极，如果用万用表R×1k挡测量两个主电极之间的电阻，读数应近似无穷大，而控制极与任一个主电极之间的正、反向电阻读数只有几十欧。根据这一特性，我们很容易通过测量电极之间电阻大小，识别出双向晶闸管的控制极。而当黑表笔接主电极1。红表笔接控制极时所测得的正向电阻总是要比反向电阻小一些，据此我...
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2021/7/2 9:55:29
近年来，受多种因素的影响，芯片紧缺已经成为常态，引起众多群众的关注，很多人都对芯片很是不理解，造芯有那么难吗？对芯片略微了解的心知肚明，芯片内部有100多亿个晶体管，这更让人无法理解，这100亿个晶体管是如何安装上去的呢？我们一起来看看CPU内部层状结构，从图片中看，越往下线越宽越窄，越是靠近器件层。从CPU的截面图中，不难看出层状的CPU结构，芯片内部采用的是层级排列方式，整个CPU大概有10层，其中最下层为器件层，就是众所周知的MOSFET晶体管。Mos管在芯片中放大可以看到像一个“讲台”的三维结构，晶体管是没有电感、电阻这些容易产生热量的器件的。最上面的一层是一个低电阻的电极，通过绝缘体与下面的平台隔开，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作栅极的原材料，下面的绝缘体就是二氧化硅。从平台的两侧通过加入杂质就是源极和漏极，位置可互换，他们两者之间的距离就是沟道，这个距离决定芯片的特性。芯片中的晶体管不仅仅只有Mos管这一种类，还有三栅极晶体管等，晶体管不是安装上去的，而是在芯片制造的时候雕刻上去的。在进行芯片设计的时候，芯片设计师就会利用EDA工具，对芯片进行布局规划，然后走线、布线。如果将设计的门电路放大，白色的点就是衬底, 还有一些绿色的边框就是掺杂层。晶圆代工厂就是根据芯片设计师设计好的物理版图进行制造。芯片制造的两个趋势，一个是晶圆越来越大，这样就可以切割出更多的芯片，节省效率，另外就一个就是芯片制程，制程这个概念，其实就是栅极的大小，也可以称为栅长，在晶体管结构中，电流从Source流入Drain，栅极(Gate)相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长)，也就是制程。缩小纳米制程的用意，就是可以在更小的芯片中塞入更多的电晶体，让芯...
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2021/6/30 9:50:38
通常很多行外人士对芯片的不理解，芯片是用什么做的呢，今天笔者为大家普及一下关于芯片相关的知识，芯片的材质主要是硅，它的性质可以做半导体。芯片内部制造工艺：芯片制造的整个过程中包括芯片设计、芯片制造、封装制造、测试等，芯片制造过程特别的复杂。以下是笔者为广大用户整理的关于芯片制造材料及工艺流程。1、晶片材料硅片的成分是硅，硅是由石英砂精制而成，硅片经过硅元素提纯后制成硅棒，成为制造集成电路的石英半导体材料，芯片是芯片制造所需特定的晶片，晶圆越薄，生成成本就月低，但是对于工艺的要求就会越高。2、晶圆涂层晶圆涂层可以抵抗氧化和温度，其材料是一种光致抗蚀剂。3、晶圆光刻显影、蚀刻首先，在晶圆（或基板）表面涂覆一层光刻胶并干燥。干燥的晶片被转移到光刻机上。通过掩模，光将掩模上的图案投射到晶圆表面的光刻胶上，实现曝光和化学发光反应。曝光后的晶圆进行二次烘烤，即所谓曝光后烘烤，烘烤后的光化学反应更为充分。最后，显影剂被喷在晶圆表面的光刻胶上以形成曝光图案。显影后，掩模上的图案保留在光刻胶上。糊化、烘烤和显影都是在均质显影剂中完成的，曝光是在平版印刷机中完成的。均化显影机和光刻机一般都是在线操作，晶片通过机械手在各单元和机器之间传送。整个曝光显影系统是封闭的，晶片不直接暴露在周围环境中，以减少环境中有害成分对光刻胶和光化学反应的影响。4、添加杂质相应的p和n半导体是通过向晶圆中注入离子而形成的。具体工艺是从硅片上的裸露区域开始，将其放入化学离子混合物中。这个过程将改变掺杂区的传导模式，使每个晶体管都能打开、关闭或携带数据。一个简单的芯片只能使用一层，但一个复杂的芯片通常有许多层。此时，该过程连续重复，通过打开窗口可以连接不同的层。这与多层pcb的制造原理类似。更复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层。此时，它是通过重复光刻和上述工艺来实现的，形成一个三维结构。5、晶圆经过上述处理后，晶圆上形成点...
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2021/6/30 9:43:03
很多人对芯片封装关键词并不陌生，但是您真的了解芯片封装技术吗？作为行外人士及刚入门的小白来说还是有些迷律，今天笔者针对芯片封装技术为大家做详细解答。首先，我们先了解一下，什么是芯片封装，封装通常是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，利用一系列的技术，将芯片在框架上布局粘贴固定及链接，引出接线的端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。通俗的来说是给芯片加一个外壳并固定在电路板上。比较广义的封装是指封装工程，将封装体和基板链接固定，装配成完整的系统或者电子设备，确保整个系统综合性能的工程。那么，芯片封装技术有什么用呢，为什么要进行封装呢，请继续阅读下文。封装是一个比较重要的流程，获得一颗IC芯片经过从设计到制造漫长的流程，一颗芯片非常小而且很薄，如果不外施加保护，会被轻易的损伤，影响芯片的使用效果。如果芯片不使用外壳，将不方便安置在电路板上，这个时候封装技术就派上了用场。封装有着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部和外部电路的桥梁，芯片上的节点用导线链接到封装外壳的引脚上，这些引脚通过印制板上的导线与其它器件建立链接，封装对于集成电路起着重要的作用。
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2021/6/29 11:04:43
相位噪声对于电子战和5G 通信等需要精确频率稳定性的系统至关重要。振荡器通常是信号链相位噪声性能的决定性因素。然而，在极低相位噪声系统中，会考虑放大器相位噪声贡献。本技术说明探讨了放大器的相位噪声贡献，展示了：放大器仅对信号链贡献 1/f 和白 PM 噪声。1/f 噪声在大约 1-100 kHz 的偏移频率下很明显。放大器 1/f 噪声串联线性增加，并联线性减少。振荡器高阶相位噪声在 相位噪声区域典型的相位噪声测量分为多个区域，每个区域归因于不同的物理现象。图 1 确定了相位噪声区域及其相应机制，并显示了典型的振荡器和放大器相位噪声趋势。高阶（1/f4、1/f3 和 1/f2）相位噪声是由振荡器的腔效应引起的，而不是由放大器产生的。图 1：典型的振荡器和放大器相位噪声趋势与偏移频率的关系。用相应的物理机制标记的相位噪声区域。在Rodolphe Boudot 和 Enrico Rubiola 撰写的RF 和微波放大器中的相位噪声一文中，放大器显示了遵循 1/f 噪声趋势和白 PM 噪声本底的相位噪声频谱。放大器的白色 PM 本底噪声 b o受以下因素控制：其中 F 是大信号放大器噪声系数，k 是玻尔兹曼常数，T o是器件温度，P o是放大器输入功率。一系列级联放大器的白噪声贡献可以通过弗里斯公式计算得出。Boudot 和 Rubiola 还证明，放大器通过对晶体管的固有 1/f 噪声进行上变频，将 1/f 噪声贡献给系统的相位噪声。级联放大器 1/f 相位噪声随着添加到链中的每个额外放大器线性增加。因此，串联放大器每增加一倍，1/f 相位噪声贡献将增加+3 dB。并行放大器表现出相位噪声的线性降低。类似地，并行放大器每增加一倍，对应的降低 -3 dB。测量设置进行绝对和残余相位噪声测量以证明放大器相位噪声对低相位噪声系统的贡献。绝对测量显示了信号链的总相位噪声，而残余测量则是...
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2021/6/25 14:55:23
Eclipse ESL0520A2 Pin-Pin 二极管限幅器的工作频率范围为 0.5-2.0 GHz。ESL0520A2 提供宽带操作、低插入损耗，并提供 SMA 公/母连接器。特征功率处理：1 瓦 CW，100W 峰值功率（1 微秒脉冲宽度，0.1% 占空比降额至 20% @ +125 °C）内部直流块宽带频率响应低插入损耗限制阈值高于 +4dBm 典型值。& 低典型输出泄漏 规格插入损耗 dB 0.5 – 2.0 GHz：0.6 典型值VSWR 0.5 – 2.0 GHz：1.5:1 典型值。泄漏功率 dBm CW：+18.0 最大值。泄漏功率 dBm 峰值：+20.0 最大值工作温度 C°：-55 至 +90
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2021/6/25 14:34:33
ADL5580 是一款高性能、单端或差分放大器，具有 10 dB 的电压增益，并针对直流至 10.0 GHz 范围的应用进行优化。该放大器在很宽的频率范围内，提供 2.24 nV/√Hz 的低折合到输入 (RTI) 噪声谱密度 (NSD)（在 1000 MHz 时），并针对失真性能进行了优化，因此是高速 12 位至 16 位模数转换器 (ADC) 的理想驱动器。ADL5580 非常适用于高性能、零中频 (IF) 和复杂 IF 接收器设计。此外，对于单端输入驱动器应用，该套件保持低失真。通过使用两个外部串联电阻，可以将差分输入的 10 dB 增益选择改为较低的增益值。此套件可在 0.5 V 输出共模电压下，保持低失真，在高达 1.4 V p-p 的全部电平下，可以灵活驱动 ADC。ADL5580采用 +5 V 和 -1.8 V 电源供电，正负电源电流典型值分别为 +276 mA 和 -224 mA。该套件具有电源禁用功能，当电源禁用时，放大器消耗 2 mA 电流。ADL5580针对在直流至 10.0 GHz 频率范围内的宽带、低失真和低噪声操作进行了优化。这些属性与其可调的增益功能一起，使得此套件成为适合驱动各种 ADC、混频器、Pin 二极管衰减器、表面声波 (SAW) 滤波器和多种离散射频 (RF) 套件的首选放大器。ADL5580 利用 ADI 公司的高速硅锗 (SiGe) 工艺制造，采用紧凑式 4 mm x 4 mm 20 端子网格阵列封装封装，可在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。应用仪器仪表和防务应用优势和特点-3 dB 带宽：10.0 GHz预设 10 dB 增益，可通过添加外部电阻器而降低差分或单端输入到差分输出内部直流解耦输入和输出输入电压噪声（NSD、折合到输入端）：100 MHz 时 2.25 nV/√Hz低噪声输入级：...
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2021/6/25 14:24:56
TM4C1294 Connected LaunchPad 评估套件是用于基于 ARM® Cortex-M4F 的微控制器的低成本开发平台。Connected LaunchPad 设计突出了TM4C1294NCPDT MCU及其片上 10/100 以太网 MAC 和 PHY、USB 2.0、休眠模块、运动控制脉宽调制和多种同步串行连接。特征高性能 TM4C1294NCPDT MCU：120MHz 32 位 ARM Cortex-M4 CPU1MB 闪存、256KB SRAM、6KB EEPROM集成 10/100 以太网 MAC+PHY双 12 位 2MSPS ADC，运动控制 PWMUSB 2.0 全速主机、设备和 OTG（带外部 USB PHY 的高速）双、可堆叠的BoosterPack XL 连接点两个控制器局域网 (CAN) 模块（需要 CAN 收发器）板载、在线调试接口 (ICDI)多种开发工具链支持：CCS、Keil、IAR、GCCTivaWare SDK提供了数十个应用示例包括什么TM4C1294 Connected LaunchPad 评估套件（EK-TM4C1294XL PCBA，带 MCU）以太网电缆USB调试线请先阅读说明
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2021/6/25 14:17:23
AWR2243 器件是一款能够在 76GHz 至 81GHz 频带内运行的集成式单芯片 FMCW 收发器。该器件采用极小的封装实现了前所未有的集成度。AWR2243 是适用于汽车领域中低功耗、自监控、超精确雷达系统的理想解决方案。AWR2243 器件是一种自包含 FMCW 收发器单芯片解决方案，简化了汽车雷达传感器在 76GHz 至 81GHz 频带范围内的实施。它构建在 TI 的低功耗 45nm RFCMOS 工艺之上，从而实现了一个具有内置 PLL 和模数转换器的单片实施 3TX、4RX 系统。简单编程模型更改可支持各种传感器实施（近距离、中距离和远距离），并且能够进行动态重新配置，从而实现多模式传感器。此外，该器件作为完整的平台解决方案进行提供，该解决方案包括硬件参考设计、软件驱动程序、样例配置、API 指南以及用户文档。FMCW 收发器集成 PLL、发送器、接收器、基带和 A2D76GHz 至 81GHz 的覆盖范围，具有 5GHz 的可用带宽四个接收通道三个发送通道基于分数 N PLL 的超精确线性调频脉冲引擎TX 功率：13dBmRX 噪声系数：12dB1MHz 时的相位噪声：–96dBc/Hz（76GHz 至 77GHz）–94dBc/Hz（77GHz 至 81GHz）内置校准和自检内置固件 (ROM)针对频率和温度进行自校准的系统主机接口通过 SPI或 I2C 接口与外部处理器进行控制连接通过 MIPI D-PHY 和 CSI2 v1.1 与外部处理器进行数据连接通过中断实现故障报告以 ASIL B 级为目标符合 AECQ100 标准AWR2243 高级 特性嵌入式自监控，有限使用主机处理器复基带架构可以选择级联多个器件以增加通道数嵌入式干扰检测功能电源管理内置 LDO 网络，可增强 PSRRI/O 支持双电压 3.3V/1.8V时钟源支持外部驱动、频率为 ...
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2021/6/25 14:10:49